「Interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

An interlayer insulating film 26 is deposited on all the surface of the substrate 10, and a groove (recess) is provided to a part of the interlayer insulating film 26 where a floating gate is to be formed.例文帳に追加

基板全面に層間絶縁膜２６を堆積した後、層間絶縁膜２６のうち浮遊ゲートを形成するべき部分に溝（凹部）を形成する。 - 特許庁

This resin-containing paper capable of being disintegrated comprises an interlayer having the resin added to the inside, and resin- impregnated surface layers obtained by forming the surface layers on both surfaces of the interlayer by papermaking.例文帳に追加

樹脂が内添された中間層、及び該中間層の両面に抄合わせた樹脂含浸表面層とからなる離解可能な樹脂含有紙。 - 特許庁

To provide a method of forming a low-dielectric constant interlayer insulating film, which is good in moisture absorption-resisting property and heat resisting properties, and a semiconductor device using a chemical vapor growth system for forming the interlayer insulating film.例文帳に追加

耐吸湿性、及び、耐熱性が良い低誘電率層間絶縁膜の形成方法、及び、それを用いた半導体装置を提供すること。 - 特許庁

The plurality of the plugs 6 penetrate the interlayer insulating films 4-1 to 4-4 and are derived onto the surface of the uppermost interlayer insulating film 4-4.例文帳に追加

複数のプラグ６は、層間絶縁膜４−１〜４−４を貫通して最上層の層間絶縁膜４−４の表面に引き出されている。 - 特許庁

The top surface includes a plurality of terminals and also includes a layer of polymer material 34 arranged in the first surface 311 of the interlayer, and covers the section of the interlayer across the whole solder ball array.例文帳に追加

また、介在層の第１面３１１に配されたポリマ材料３４の層も含み、はんだボール・アレイ全域にわたる介在層の区域を覆う。 - 特許庁

Thereafter, a via hole 240A is formed on a first interlayer insulating film 240 by removing the first interlayer insulating film 240.例文帳に追加

さらに、エッチングストッパ膜２５０を除去し、その後、第一の層間絶縁膜２４０を除去して、第一の層間絶縁膜２４０にヴィアホール２４０Ａを形成する。 - 特許庁

To provide a polyester film suitable for a support for interlayer insulating material, to roughen the surface of an interlayer insulating layer and prevent defects of the surface.例文帳に追加

層間絶縁層表面の低粗度化と欠陥防止に対応できる、層間絶縁材料用支持体として好適なポリエステルフィルムを提供する。 - 特許庁

A resist film 17 is formed on the interlayer insulating film 16 using a spin coating method, and the resist film 17 is etched back until the interlayer insulating film 16 is exposed.例文帳に追加

回転塗布法にて層間絶縁膜１６上にレジスト膜１７を形成し、層間絶縁膜１６が露出するまでレジスト膜１７をエッチバックする。 - 特許庁

To provide a technique which can mitigate a stress to be applied to an interlayer insulation film and decrease cracks to occur in the interlayer insulation film.例文帳に追加

層間絶縁膜に加わる応力を緩和することができ、層間絶縁膜に生じるクラックの発生を低減することができる技術を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a sputtering target material for Ni-W based interlayer, used for interlayer film in a perpendicular magnetic memory medium.例文帳に追加

本発明は、垂直磁気記録媒体における中間層膜として用いるＮｉ−Ｗ系中間層用スパッタリングターゲット材の製造方法を提供する。 - 特許庁

A wiring board 1, having a laminate structure where interlayer connection is made and wiring boards 2 and 3 subjected to both patterning and interlayer connection, are combined.例文帳に追加

積層構成を層間接続が施された配線板１と，パターン加工と層間接続が施された配線板２および配線板３とを組み合わせる。 - 特許庁

To suppress the reduction of the height of an interlayer insulating film between wirings in the case of forming a void on the interlayer insulating film between the wirings.例文帳に追加

配線間の層間絶縁膜に空洞を形成する場合における配線間の層間絶縁膜の高さの減少を抑制することを目的とする。 - 特許庁

To provide an interlayer wiring element based on carbon nanotube that implies excellent electric contact between carbon nanotube and a conductor that makes interlayer wiring.例文帳に追加

カーボンナノチューブと層間配線される導体との間に良好な電気的接触を付与するカーボンナノチューブに基づく層間配線要素を提供する。 - 特許庁

A phase-change storage cell comprises a lower interlayer insulating film formed on a semiconductor substrate and a lower conductivity plug penetrating the lower interlayer insulating film.例文帳に追加

相変化記憶セルは半導体基板上に形成された下部層間絶縁膜及び前記下部層間絶縁膜を貫通する下部導電性プラグを具備する。 - 特許庁

A titanium film 5 is formed on the entire inner wall of a connection hole 4 being formed at an interlayer insulation film 3 on a semiconductor substrate 1 and on an interlayer insulation film 2.例文帳に追加

半導体基板１上の層間絶縁膜３に形成された接続孔４の内壁一面及び層間絶縁膜２上にチタン膜５を成膜する。 - 特許庁

A second interlayer insulation film 107 is formed on the first interlayer insulation film to cover the wiring where the oxidation preventing film is formed at the surface.例文帳に追加

次に、表面に酸化防止膜が形成された配線を覆うように第１の層間絶縁膜上に第２の層間絶縁膜１０７を形成する。 - 特許庁

An interlayer insulation layer is formed over the entire plane, after the trench region is formed, and the bit lines BL1', BL2' are formed side by side on the interlayer insulation layer.例文帳に追加

トレンチ領域が形成された後全面に層間絶縁層を形成し、層間絶縁層上に複数のビットラインＢＬ１’、ＢＬ２’を並ぶように形成する。 - 特許庁

A polishing stop film 20 having polishing speedless than that of an interlayer insulation film 12 is formed between a semiconductor substrate (semiconductor wafer) 11 and the interlayer insulation film 12.例文帳に追加

半導体基板（半導体ウエハ）１１と層間絶縁膜１２との間に、層間絶縁膜１２よりも研磨速度が小さい研磨停止膜２０を形成する。 - 特許庁

After forming an interlayer insulating film by covering a gate insulating film and gate electrodes, at least one of the gate electrodes is exposed by patterning the interlayer insulating film.例文帳に追加

ゲイト絶縁膜およびゲイト電極を覆って層間絶縁膜を成膜後、層間絶縁膜をパターニングし、少なくとも１つのゲイト電極を露呈する。 - 特許庁

An interlayer insulating film for covering them is formed thereon, and a pixel electrode to be connected to the second drain electrode is formed on the interlayer insulating film.例文帳に追加

次に、これらを覆う層間絶縁膜を形成した後、層間絶縁膜上部に第２ドレイン電極と接続される画素電極を形成する。 - 特許庁

An interlayer film and a liquid crystal light control element are inserted between two pieces of glass plates and a heat ray shielding fine particles are dispersed and blended in the interlayer film.例文帳に追加

二枚のガラス板の間に中間膜と液晶調光素子とが挟持され、中間膜中に熱線遮蔽性微粒子が分散配合される。 - 特許庁

A recess part 6 is formed by etching the second interlayer insulation film 4 and the first interlayer insulation film 3 by using the photoresist 5 as an etching mask.例文帳に追加

フォトレジスト５をエッチングマスクに用いて第２の層間絶縁膜４及び第１の層間絶縁膜３をエッチングすることにより、凹部６が形成される。 - 特許庁

An interlayer insulating film for covering the ferroelectric capacitor is formed, and contact holes reaching the capacitor electrodes are formed in the interlayer insulating film.例文帳に追加

強誘電体キャパシタを覆う層間絶縁膜が形成され、この層間絶縁膜にキャパシタ電極まで到達するコンタクトホールが形成されている。 - 特許庁

Further, an interlayer insulating film 10 is formed on the source electrode 8 and the drain electrode 9 and the pixel electrode 12 is formed on the interlayer insulating film 10.例文帳に追加

次にソース電極８、ドレイン電極９上に層間絶縁膜１０を形成し、この層間絶縁膜１０上に画素電極１２を形成する。 - 特許庁

Semiconductor device is provided with an interlayer insulation film formed on the main surface of a semiconductor substrate and a plurality of contact plugs 22 penetrating the interlayer insulation film.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板の主面上部に形成された層間絶縁膜と、層間絶縁膜を貫通する複数のコンタクトプラグ２２とを備える。 - 特許庁

An interlayer insulation film 6 is formed on the gate electrode 4, and a connection hole 6a disposed on the gate electrode 4 is formed on the interlayer insulation film 6.例文帳に追加

そしてゲート電極４上に層間絶縁膜６を形成し、層間絶縁膜６に、ゲート電極４上に位置する接続孔６ａを形成する。 - 特許庁

The hydrogen diffusion preventing film formed of a material, having the hydrogen spread preventing function higher than the material of the interlayer insulating film, is formed on this interlayer insulating film.例文帳に追加

この層間絶縁膜の上に、層間絶縁膜の材料よりも水素の拡散防止機能が高い材料からなる水素拡散防止膜を形成する。 - 特許庁

To prevent a conductor layer and an interlayer resin insulating layer from peeling off and the interlayer resin insulating layer from cracking under heat cycle conditions and high temperature, high pressure, and high humidity conditions.例文帳に追加

ヒートサイクル条件や高温、高圧、多湿条件で導体層と層間樹脂絶縁層との剥離および層間樹脂絶縁層のクラックを防止する。 - 特許庁

A third interlayer insulation film 13 provided with a via hole 12 is formed on a second interlayer insulation film 9 to cover a third wiring layer 11.例文帳に追加

第２層間絶縁膜９上には、ビアホール１２を有する第３層間絶縁膜１３が第３配線層１１を被覆して形成されている。 - 特許庁

To provide a winding interlayer short circuit monitoring device for an electrical machine and apparatus for always monitoring the interlayer short circuit from a viewpoint of a preventive maintenance and predicting the occurrence of the short circuit.例文帳に追加

予防保全の観点から、レアショートを常時監視し、その発生を予知する電機機器のための巻線レアショート監視装置を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device includes a step of forming local wiring 15 on a first interlayer insulating film 5 formed on a silicon substrate 1, and forming a second interlayer insulating film 8 on the first interlayer insulating layer 5 to cover the local wiring 15.例文帳に追加

シリコン基板１上に形成した第１層間絶縁膜５上に局所配線１５を形成し、この局所配線１５を覆うように第１層間絶縁膜５上に第２層間絶縁膜８を形成する。 - 特許庁

A dummy interconnect line 13 and non-dummy interconnect lines 12a and 12b are then formed simultaneously on the first interlayer insulating film 10 and a second interlayer insulating film 11 is formed on the first interlayer insulating film 10 by plasma process.例文帳に追加

次に、第１層間絶縁膜１０に、ダミー配線１３と、非ダミー配線１２ａ及び１２ｂとを同時に形成し、更に、第１層間絶縁膜１０の上に、プラズマプロセスによって、第２層間絶縁膜１１を形成する。 - 特許庁

The second interlayer insulating film inclines to a surface of the substrate on the side which wraps the channel area (1a') from a slanting upper part in the peripheral are and has a refractive index lower than those of the top interlayer insulating film and the first interlayer insulating film.例文帳に追加

第２層間絶縁膜は、周縁領域においてチャネル領域（１ａ’）を斜め上方から包む側に基板の面に対して傾斜しており、上側層間絶縁膜及び第１層間絶縁膜よりも低い屈折率を持つ。 - 特許庁

An interlayer dielectric (8) is formed to cover impurity regions (7) on a Si substrate (1), and in the interlayer dielectric (8), contact holes (9) are formed to dig the impurity regions (7) by penetrating the interlayer dielectric (8).例文帳に追加

Ｓｉ基板(１)上の不純物領域(７)を覆うように層間絶縁膜(８)が形成され、その層間絶縁膜（８）には、層間絶縁膜（８）を貫通して不純物領域（７）を掘り込むようにコンタクトホール（９）が形成されている。 - 特許庁

Based on these relations, taper is generated when the interlayer insulating film 504 is etched with use of the patterned interlayer insulating film 202 as a mask, an aspect ratio of a via hole is reduced, and the interlayer insulating film 503 is favorably etched and removed.例文帳に追加

これらの関係により、パターニングされた層間絶縁膜２０２をマスクとして用いる層間絶縁膜５０４のエッチングの際のテーパの生成、ビアホールのアスペクト比の低減、層間絶縁膜５０３の良好なエッチング除去が得られる。 - 特許庁

Then an interlayer insulating film 8 is formed over the whole surface, and a first connecting hole 8a which is made through the interlayer insulating films 8 and 5 and a second connecting hole 8b, which is made through the interlayer insulting film 8 and conductive pattern 6b are formed simultaneously.例文帳に追加

全面に層間絶縁膜８を成膜し、層間絶縁膜８，５に開口する第１接続孔８ａ、層間絶縁膜８および導電性パターン６ｂに開口する第２接続孔８ｂを同時に形成する。 - 特許庁

Interlayer insulating films 12, 41, 42 are formed on a TFT array substrate 10, and a branched line 91y, an interlayer insulating film 43, a branched line 93y and an interlayer insulating film 44 are formed thereon, in this order.例文帳に追加

ＴＦＴアレイ基板１０上に層間絶縁膜１２、４１、４２が形成されており、その上に分岐配線９１ｙ、層間絶縁膜４３、分岐配線９３ｙ及び層間絶縁膜４４がこの順で形成されている。 - 特許庁

An interlayer insulating film 107 is formed on the wiring 105 with the interlayer insulating film 101 and a Cu film 104, a via 109 and a trench 108 are formed to the interlayer insulating film 107, and the Cu film 104 is exposed.例文帳に追加

層間絶縁膜１０１及びＣｕ膜１０４を有する配線１０５上に層間絶縁膜１０７を形成し、層間絶縁膜１０７にビア１０９及びトレンチ１０８を形成し、Ｃｕ膜１０４を露出させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which deterioration of an interlayer insulation film due to intrusion of liquid such as chemical into the interlayer insulation film is suppressed, and deterioration of the interlayer insulation film can be recovered by predetermined gas.例文帳に追加

薬液などの液体が層間絶縁膜中に侵入することに起因する層間絶縁膜の劣化を抑制し、かつ、層間絶縁膜の劣化を所定のガス（気体）により回復させることが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

The method further includes steps of: thereafter removing the sacrifice interlayer film to form a column of the contact plug, forming an interlayer insulation film 106 thereon; and partially removing the interlayer insulation film from the surface to expose the surface of the capacitive contact plug from the surface.例文帳に追加

その後、犠牲層間膜を除去してコンタクトプラグの柱を形成し、その上に層間絶縁膜１０６を形成し、さらに層間絶縁膜を表面から一部除去し、容量コンタクトプラグの表面を露出させるようにした。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with a fuse 4b formed on an insulating film, a first interlayer insulating film 8 formed on the fuse 4b, and a second interlayer insulating film 10 formed on the first interlayer insulating film 8.例文帳に追加

この半導体装置は、絶縁膜上に形成されたヒューズ４ｂと、ヒューズ４ｂ上に形成された第１の層間絶縁膜８と、第１の層間絶縁膜８上に形成された第２の層間絶縁膜１０と、を具備する。 - 特許庁

To provide an interlayer with high transparency and high adhesivity to glass and polycarbonate in laminated glass obtained by laminating glass, the interlayer and polycarbonate, to provide laminated glass using the interlayer and a method for manufacturing the laminated glass.例文帳に追加

ガラス、中間膜及びポリカーボネートを積層する合わせガラスにおいて、ガラス及びポリカーボネートとの接着性が高く、かつ透明性の高い中間膜、該中間膜を用いた合わせガラス及び合わせガラスの製造方法を提供すること。 - 特許庁

The semiconductor device includes an interlayer insulating film 18 formed on a substrate 10, the fuses 26 embedded in the interlayer insulating film 18, and a cover film 30 formed on the interlayer insulating film 18 and having an opening 32 extending to the fuse 26 formed therein, the interlayer insulating film 18 provided in contact with side walls of the fuses 26 in the opening 32.例文帳に追加

基板１０上に形成された層間絶縁膜１８と、層間絶縁膜１８に埋め込まれたヒューズ２６と、層間絶縁膜１８上に形成され、ヒューズ２６に達する開口部３２が形成されたカバー膜３０とを有し、開口部３２内のヒューズ２６の側壁に接して層間絶縁膜１８が設けられている。 - 特許庁

In a perpendicular magnetic recording medium, at least a first non-magnetic interlayer, a second non-magnetic interlayer, and a magnetic recording layer are stacked sequentially on a non-magnetic substrate, the first non-magnetic interlayer being formed from a Co-Cr-Ru-W alloy and the second non-magnetic interlayer being formed from an Ru-based alloy.例文帳に追加

垂直磁気記録媒体において、非磁性基板上に少なくとも、第１非磁性中間層、第２非磁性中間層、および磁気記録層が順次積層され、前記第１非磁性中間層をＣｏＣｒＲｕＷ合金から形成し、かつ前記第２非磁性中間層をＲｕ基合金から形成する。 - 特許庁

A memory 100 with a wafer process package (WPP) technique applied thereto includes an interlayer film 9 formed to cover wiring M4 formed on an upper portion of a plurality of memory cells, an interlayer film 10 formed on the interlayer film 9, and a protective film 12 formed to cover the interlayer film 10.例文帳に追加

ウエハプロセスパッケージ（ＷＰＰ）技術が適用されたメモリであって、複数のメモリセルの上部に形成された配線Ｍ４を覆うように形成された層間膜９と、層間膜９上に形成された層間膜１０と、層間膜１０を覆うように形成された保護膜１２とを有してメモリ１００が構成される。 - 特許庁