Interlayerを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 6425件
The surface side of a semiconductor substrate 3 provided with elements 5 is covered with a first interlayer insulating film 9 and a second interlayer insulating film 13 with a bonding pad 15 being formed on the second interlayer insulating film 13.例文帳に追加
素子5が設けられた半導体基板3の表面側が第1層間絶縁膜9および第2層間絶縁膜13で覆われており、この第2層間絶縁膜13上にボンディングパッド15が形成されている。 - 特許庁
The interlayer insulation film and microlenses are formed from the composition.例文帳に追加
層間絶縁膜およびマイクロレンズは、上記組成物から形成される。 - 特許庁
The gate electrode 12 and the source region 14 are covered with interlayer insulating film, and a source electrode is formed on this interlayer insulating film.例文帳に追加
ゲート電極12およびソース領域14は、層間絶縁膜によって覆われ、この層間絶縁膜上にソース電極が形成されている。 - 特許庁
Subsequently the film thickness of the interlayer insulating film 243b is adjusted by etching the surface of the CMP processed interlayer insulating film 243b.例文帳に追加
その後、CMP処理された層間絶縁膜243bの表面をエッチングすることにより、層間絶縁膜243bの膜厚を調整する。 - 特許庁
An interlayer insulating film 11 is formed on the silicon nitride 8.例文帳に追加
そのシリコン窒化膜8上に層間絶縁膜11が形成されている。 - 特許庁
The gate electrode 6 is covered with an interlayer insulation film 7 and an Al source electrode 101 stretches to over the interlayer insulation film 7.例文帳に追加
ゲート電極6上は層間絶縁膜7によって覆われており、Alのソース電極101は、層間絶縁膜7上に延在する。 - 特許庁
LIGHT CONTROL SHEET, LIGHT CONTROLLER, INTERLAYER FOR LAMINATED GLASS AND LAMINATED GLASS例文帳に追加
調光シート、調光体、合わせガラス用中間膜及び合わせガラス - 特許庁
NEW SILOXANE-BASED RESIN AND SEMICONDUCTOR INTERLAYER INSULATING FILM USING THE SAME例文帳に追加
新規のシロキサン樹脂及びこれを用いた半導体層間絶縁膜 - 特許庁
An interlayer insulation film 22 is formed, while the polysilicon layer 10 is covered, and a polysilicon layer 11 is formed on the interlayer insulation film 22.例文帳に追加
ポリシリコン層10を覆って層間絶縁膜22が形成されており、層間絶縁膜22上にポリシリコン層11が形成されている。 - 特許庁
MULTILAYER PRINTED WIRING BOARD AND INTERLAYER JOINING METHOD FOR THE SAME例文帳に追加
多層プリント配線板および多層プリント配線板の層間接合方法 - 特許庁
INTERLAYER CONNECTION STRUCTURE, MULTILAYER WIRING BOARD, AND THEIR FORMING METHOD例文帳に追加
層間接続構造体、多層配線基板およびそれらの形成方法 - 特許庁
To provide a polyester film for use as an interlayer for a laminated glass and is capable of improving the appearance of the laminated glass having the polyester film as an interlayer.例文帳に追加
ポリエステルフィルムを中間層として有する合わせガラスの外観性を向上させる合わせガラス中間膜用ポリエステルフィルムを提供する。 - 特許庁
To prevent breakage of a sealant by interlayer peeling within a bonding hole.例文帳に追加
ボンディングホール内での封止材の層間剥離による破損を防止する。 - 特許庁
Aluminium electrodes 17 are formed between the interlayer insulating films 18.例文帳に追加
層間絶縁膜18間には、アルミニウム電極17が形成されている。 - 特許庁
LIGHT CONTROLLER, LIGHT CONTROL SHEET, INTERLAYER FILM FOR LAMINATED GLASS AND LAMINATED GLASS例文帳に追加
調光体、調光シート、合わせガラス用中間膜及び合わせガラス - 特許庁
Finally, an interconnect layer 120 is formed on the interlayer insulating film 116.例文帳に追加
その後、層間絶縁膜116上に配線層120を形成する。 - 特許庁
RADIATION SENSITIVE RESIN COMPOSITION AND ITS USE FOR INTERLAYER DIELECTRIC例文帳に追加
感放射線性樹脂組成物およびその層間絶縁膜への使用 - 特許庁
The interlayer insulating film 20 is provided on the semiconductor substrate 10.例文帳に追加
半導体基板10上には、層間絶縁膜20が設けられている。 - 特許庁
In the semiconductor device, a capacitor 37 is provided on an interlayer insulating film 26 in a memory cell region AreaA, and an interlayer dielectric 30 is provided on the interlayer dielectric 30 in a peripheral circuit region AreaB.例文帳に追加
本発明の半導体装置では、メモリセル領域AreaAにおける層間絶縁膜26の上にキャパシタ37が設けられ、周辺回路領域AreaBにおける層間絶縁膜30の上に層間絶縁膜30が設けられている。 - 特許庁
Then, after a second interlayer insulating film 60 is formed on the first interlayer insulating film of the first structure so as to embed the ferroelectric capacitor, a second opening 52 is provided in the second interlayer insulating film by etching.例文帳に追加
次に、第1構造体の第1層間絶縁膜上に、強誘電体キャパシタを埋め込むように、第2層間絶縁膜60を形成した後、エッチングにより第2層間絶縁膜に第2開口部52を設ける。 - 特許庁
A third interlayer film 17 and a Cu wiring 24 protruding over a third interlayer film 17 are coated with a coating layer 31.例文帳に追加
第3層間膜17およびこの第3層間膜17上に突出するCu配線24は、被覆層31によって被覆されている。 - 特許庁
An interlayer insulation film 5 is so formed as to cover the undermetal 3.例文帳に追加
アンダーメタル3を覆うように層間絶縁膜5が形成されている。 - 特許庁
A semiconductor device includes first wiring, a first interlayer insulating film for covering the first wiring, a second interlayer insulating film abutting on one portion of an area on the first interlayer insulating film, and second wiring on the first interlayer insulating film and the second interlayer insulation film on an insulating surface, and also includes the stacked first and second interlayer insulating films at a region where the first wiring overlaps with the second wiring.例文帳に追加
絶縁表面上に第1配線と、前記第1配線を覆う第1層間絶縁膜と、前記第1層間絶縁膜上の一部に接して第2層間絶縁膜と、前記第1層間絶縁膜及び前記第2層間絶縁膜上に第2配線とを有し、前記第1配線と前記第2配線とが重なっている領域には、前記第1層間絶縁膜と前記第2層間絶縁膜とが積層された半導体装置である。 - 特許庁
A second interlayer insulating film 107 is divided into a second interlayer insulating film A 107a having a fast wet etching rate, and a second interlayer insulating film B 107B having a usual wet etching rate to positively utilize transversal etching at an interface with a first interlayer insulating film 106 thereby avoiding formation of a wedge-shaped step difference at the interface of the interlayer insulating films and preventing disconnection of electrode wiring.例文帳に追加
第2層間絶縁膜107をウエットエッチングレートの早い第2層間絶縁膜A107Aと通常の第2層間絶縁膜B107Bに分けることにより、第1層間絶縁膜106との界面での横方向のエッチングを積極的に利用し、層間絶縁膜界面でのくさび状の段差ができないようにし電極の断線を防ぐ。 - 特許庁
This MOSFET is provided with gate electrodes 12, the first interlayer insulating film 14 formed covering the gate electrodes 12, a bit line 16 formed on the first interlayer insulating film 14, the second interlayer insulating film 18 formed on the bit line 16, and the first interlayer insulating film 14 as well as a capacity element 20 formed on the second interlayer insulating film 18.例文帳に追加
MOSFETは、基板上11に形成されたゲート電極12と、ゲート電極を覆うように成膜された第1の層間絶縁膜14と、第1の層間絶縁膜上に形成されてビッド線16と、ビッド線上及び第1の層間絶縁膜上に成膜された第2の層間絶縁膜18と、第2の層間絶縁膜上に形成された容量素子20とを備えている。 - 特許庁
REINFORCED IN INTERLAYER DIRECTION INORGANIC FIBER BONDED CERAMICS AND PRODUCTION METHOD THEREFOR例文帳に追加
層間方向強化型無機繊維結合セラミックス及びその製造方法 - 特許庁
APPARATUS FOR SEPARATING AND COLLECTING GLASS AND INTERLAYER RESIN MEMBRANE OF LAMINATED GLASS OR THE LIKE例文帳に追加
合せガラスなどの中間樹脂膜とガラスを分離して回収する装置 - 特許庁
An uppermost surface ISF of the first interlayer insulation film II4 is flattened.例文帳に追加
第1の層間絶縁膜II4の最上面ISFが平坦化される。 - 特許庁
An interlayer insulating film 127 and an ITO film are formed over a whole face.例文帳に追加
その後、全面に層間絶縁膜127及びITO膜を形成する。 - 特許庁
An interlayer insulation 4 is formed thereon to form a contact plug 6.例文帳に追加
この上部に層間絶縁膜4を形成してコンタクトプラグ6を形成する。 - 特許庁
To enhance heat resistance of an interlayer insulation film comprising an organic SOG film.例文帳に追加
有機SOG膜よりなる層間絶縁膜の耐熱性を向上させる。 - 特許庁
On a lower layer wiring 5, a second interlayer insulating film 8 is laminated.例文帳に追加
下層配線5上には、第2層間絶縁膜8が積層されている。 - 特許庁
An n-th wiring layer 12 is made on the interlayer film layer 24.例文帳に追加
層間膜層24の上層に第N層の配線層12を形成する。 - 特許庁
PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION FOR INTERLAYER INSULATING FILM AND PHOTOSENSITIVE TRANSFER MATERIAL例文帳に追加
層間絶縁膜用感光性樹脂組成物および感光性転写材料 - 特許庁
An interlayer insulating film 21 is formed to cover the memory part 20.例文帳に追加
メモリ部20上を覆うように層間絶縁膜21が形成されている。 - 特許庁
An interlayer insulating film with a contact hole is provided on the substrate.例文帳に追加
前記基板上にコンタクトホールを有する層間絶縁膜が提供される。 - 特許庁
A first interlayer film (41) is formed on a second light-shielding film (11).例文帳に追加
第1層間膜(41)は、第2遮光膜(11)上に形成されている。 - 特許庁
THERMOSETTING RESIN COMPOSITION AND INTERLAYER ADHESIVE FILM FOR PRINTED WIRING BOARD例文帳に追加
熱硬化性樹脂組成物およびプリント配線板用層間接着フィルム - 特許庁
An interlayer insulating film 20 is formed on a semiconductor substrate 10.例文帳に追加
半導体基板10上には、層間絶縁膜20が形成されている。 - 特許庁
To provide an interlayer insulation material for use in producing a multilayer printed wiring board.例文帳に追加
多層プリント配線板製造用の層間絶縁材料を提供する。 - 特許庁
A pixel electrode is formed on the upper side of the interlayer insulating film 11.例文帳に追加
層間絶縁膜11の上側に形成された画素電極を備える。 - 特許庁
INTERLAYER FILM FOR DECORATIVE LAMINATED GLASS AND DECORATIVE LAMINATED GLASS USING THE SAME例文帳に追加
装飾合わせガラス用中間膜及びそれを用いた装飾合わせガラス - 特許庁
To reduce interlayer crosstalk noise due to reflected rays of light from adjacent layers.例文帳に追加
隣接層からの反射光による層間クロストークノイズによるS/N低下。 - 特許庁
To easily carry out an electric interlayer connection by using a conductive ball.例文帳に追加
導電性ボールを用いることで容易に電気的な層間接続を行う。 - 特許庁
By removing the etching-stop film, a second interlayer insulating film 116 is formed.例文帳に追加
エッチング停止膜を除去し、第2の層間絶縁膜116を形成する。 - 特許庁
Then, an interlayer insulating film 32 is deposited via a silicon nitride film 31.例文帳に追加
次いで、シリコン窒化膜31を介して層間絶縁膜32を堆積する。 - 特許庁
METHOD OF IMPROVING SURFACE PROPERTY OF INTERLAYER INSULATION FILM AND APPARATUS FOR IMPROVING SURFACE PROPERTY例文帳に追加
層間絶縁膜の表面改質方法及び表面改質装置 - 特許庁
An interlayer insulating film 21 is formed to cover the top of the memory 20.例文帳に追加
メモリ部20上を覆うように層間絶縁膜21が形成されている。 - 特許庁
The interlayer insulation film is deposited on the wiring layer patterned in this manner.例文帳に追加
このようにパターニングした配線層の上に層間絶縁膜を堆積する。 - 特許庁
An antireflection film 14 is formed on the upper part of an interlayer insulating film 12.例文帳に追加
層間絶縁膜12の上部に反射防止膜14を成膜する。 - 特許庁
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