「Interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

Then, bit lines 82 are formed on the first interlayer insulating film 80, and then a second interlayer insulating film 84 is formed so as to cover the bit lines 82.例文帳に追加

次いで第１層間絶縁膜上にビットライン８２を形成した後、ビットラインを覆う第２層間絶縁膜８４を形成する。 - 特許庁

To positively prevent a fire resistive interlayer material from falling due to external forces, with the interlayer material being arranged between the floor and the external wall of a building.例文帳に追加

建築物の床と外壁との間に配置される耐火層間材が、外力で落下するのを確実に防止できるようにする。 - 特許庁

HIGH SPEED INTERLAYER AUTHENTICATION OR RE-AUTHENTICATION FOR NETWORK COMMUNICATION例文帳に追加

ネットワーク通信のためのレイヤ間の高速認証または再認証 - 特許庁

CIRCUIT BOARD AND INTERLAYER CONNECTION METHOD OF MULTILAYER WIRING CIRCUIT BOARD例文帳に追加

回路基板および多層配線回路基板の層間接続方法 - 特許庁

INTERLAYER ADHESION SHEET AND METHOD OF MANUFACTURING MULTILAYER FLEXIBLE WIRING BOARD例文帳に追加

層間接着シートおよび多層フレキシブル配線板の製造方法 - 特許庁

METHOD FOR TREATING POLYVINYL BUTYRAL RESIN AS INTERLAYER FILM OF AUTOMOBILE GLASS LAMINATE例文帳に追加

自動車合わせガラスの中間膜のポリビニルプチラール樹脂の処理法。 - 特許庁

To prevent the peeling of films and cracks in the interlayer insulation layer of multilayer wiring.例文帳に追加

多層配線の層間絶縁層の膜剥れや、クラックを防止する。 - 特許庁

An interlayer insulating film 15 is formed on a semiconductor substrate 11 on which a transistor is formed, and on the top of the interlayer, wiring 18 is formed.例文帳に追加

トランジスタが形成された半導体基板１１に 層間絶縁膜１５が形成され、この上に配線１８が形成される。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING MULTILAYER WIRING BOARD AND INSULATING INTERLAYER JOINING MATERIAL例文帳に追加

多層配線基板の製造方法及び絶縁性層間接合材 - 特許庁

The upper region 17c includes the side surface of the interlayer insulating film 11.例文帳に追加

上部領域１７ｃは、層間絶縁膜１１の側面を含む。 - 特許庁

THERMALLY INSULATING PARTICLE DISPERSION, INTERLAYER FOR LAMINATED GLASS, AND LAMINATED GLASS例文帳に追加

遮熱粒子分散液、合わせガラス用中間膜及び合わせガラス - 特許庁

APPARATUS AND METHOD FOR FILM-REMOVING IN INTERLAYER FILM FOR LAMINATED GLASS例文帳に追加

合わせガラス用中間膜の膜抜き装置および膜抜き方法 - 特許庁

ADHESIVE SHEET WITH MOLD RELEASE FILM FOR INTERLAYER, AND TRANSPARENT LAMINATE例文帳に追加

離型フィルム付中間膜用粘着シート及び透明積層体 - 特許庁

EMBOSSING ROLL AND METHOD FOR MANUFACTURING IT AND INTERLAYER FOR SAFETY GLASS例文帳に追加

エンボスロール及びその製造方法並びに合わせガラス用中間膜 - 特許庁

INTERLAYER FOR LAMINATED GLASS AND ITS PRODUCTION, AND LAMINATED GLASS例文帳に追加

合わせガラス用中間膜及びその製造方法、並びに合わせガラス - 特許庁

As such interlayer retention member, sodium ions, for example, are used.例文帳に追加

かかる層間確保部材には、例えばナトリウムイオン等が使用できる。 - 特許庁

INTERLAYER INSULATOR MATERIAL COMPRISING ARYL ESTER OLIGOMER AND CURED PRODUCT OF THE SAME例文帳に追加

アリルエステルオリゴマーからなる層間絶縁材料およびその硬化物 - 特許庁

An interlayer film 31b is formed on the multilayer films 15 and 27.例文帳に追加

多層膜１５，２７上に層間膜３１ｂが形成されている。 - 特許庁

The outermost interlayer insulating layer 31 is a reinforcement layer 311 having a reinforcing material 5 for reinforcing the interlayer-insulating layer 31.例文帳に追加

最も外側の層間絶縁層３１は，該層間絶縁層３１を補強するための補強材５を有する強化層３１１である。 - 特許庁

The obtained interlayer for laminated glass is used to produce laminated glass.例文帳に追加

また、この合わせガラス用中間膜を用いて合わせガラスを得る。 - 特許庁

HEAT-RESISTANT RESIN COMPOSITION, INTERLAYER INSULATING FILM AND MULTILAYERED CIRCUIT BOARD例文帳に追加

耐熱性樹脂組成物、層間絶縁膜及び多層回路基板 - 特許庁

A hard mask 69 is formed on the lower part interlayer dielectric 67.例文帳に追加

下部層間絶縁膜６７の上にハードマスク６９を形成する。 - 特許庁

A second interlayer insulating film having an etching rate being faster than that of the first interlayer insulating film is formed so as to fill the second hole.例文帳に追加

第２のホールを埋め込むように、第１の層間絶縁膜よりもエッチング速度の速い第２の層間絶縁膜を形成する。 - 特許庁

The group of interlayer insulating films 30 is formed of an insulating material of a dielectric constant lower than that of the group of interlayer insulating films 20.例文帳に追加

層間絶縁膜群３０は、層間絶縁膜群２０よりも低い誘電率をもつ絶縁材料によって形成されている。 - 特許庁

Thereafter, a contact unit 13 is formed across the interlayer film 11b.例文帳に追加

その後、層間膜１１ｂにわたってコンタクト部１３を形成する。 - 特許庁

The resin interlayer insulating layer 81 in the uncured state is cured so that the resin interlayer insulating layer 81 is in a cured state, in the curing process.例文帳に追加

硬化工程では、未硬化状態の樹脂層間絶縁層８１を硬化させて硬化状態の樹脂層間絶縁層８１とする。 - 特許庁

The semiconductor device has a first interlayer insulating film formed on an insulating film and a gate electrode on a semiconductor layer, a second interlayer insulating film formed on the first interlayer insulating film, and contact holes formed in the second interlayer insulating film, the first interlayer insulating film and the insulating film.例文帳に追加

本発明における半導体装置において、半導体層上の絶縁膜およびゲイト電極上に形成された第１の層間絶縁膜と、前記第１の層間絶縁膜の上に形成された第２の層間絶縁膜と、前記第２の層間絶縁膜、前記第１の層間絶縁膜、および前記絶縁膜に設けられたコンタクトホールとを有する。 - 特許庁

A semiconductor device comprises: a first interlayer insulating film formed on an insulating film and a gate electrode on a semiconductor layer; a second interlayer insulating film formed on the first interlayer insulating film; and contact holes formed in the second interlayer insulating film, the first interlayer insulating film and the insulating film.例文帳に追加

本発明における半導体装置において、半導体層上の絶縁膜およびゲイト電極上に形成された第１の層間絶縁膜と、前記第１の層間絶縁膜の上に形成された第２の層間絶縁膜と、前記第２の層間絶縁膜、前記第１の層間絶縁膜、および前記絶縁膜に設けられたコンタクトホールとを有する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises: a first interlayer insulating film formed on a insulating film on a semiconductor layer and a gate electrode; a second interlayer insulating film formed on the first interlayer insulating film; and contact holes provided in the second interlayer insulating film, the first interlayer insulating film, and the insulating film.例文帳に追加

本発明における半導体装置において、半導体層上の絶縁膜およびゲイト電極上に形成された第１の層間絶縁膜と、前記第１の層間絶縁膜の上に形成された第２の層間絶縁膜と、前記第２の層間絶縁膜、前記第１の層間絶縁膜、および前記絶縁膜に設けられたコンタクトホールとを有する。 - 特許庁

A first interlayer insulating film is formed on a semiconductor substrate, a first aperture is formed on the first interlayer insulating film, a second interlayer insulating film is formed on the first interlayer insulating film so as not to fill the first aperture, and a second aperture that is to be connected to the first aperture is formed on the second interlayer insulating film.例文帳に追加

半導体基板上に第１の層間絶縁膜を形成し、この第１の層間絶縁膜に第１の開孔を形成し、この第１の層間絶縁膜上に、第１の開孔を充填しないように第２の層間絶縁膜を形成し、この第２の層間絶縁膜に、第１の開孔に接続する第２の開孔を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device has a first interlayer insulating film formed on an insulating film and a gate electrode which are provided on a semiconductor layer; a second interlayer insulating film formed on the first interlayer insulating film; and contact holes provided in the second interlayer insulating film, the first interlayer insulating film, and the insulating film.例文帳に追加

本発明における半導体装置において、半導体層上の絶縁膜およびゲイト電極上に形成された第１の層間絶縁膜と、前記第１の層間絶縁膜の上に形成された第２の層間絶縁膜と、前記第２の層間絶縁膜、前記第１の層間絶縁膜、および前記絶縁膜に設けられたコンタクトホールとを有する。 - 特許庁

The semiconductor chip is multilayered so as to cover the organic based interlayer film by an inorganic-based interlayer film in which water permeability/absorption are small due to the organic-based interlayer, and further, endures bare-chip packaging by covering the entire interlayer film by a wiring metal superior in water-resisting property.例文帳に追加

有機系層間膜より透水性・吸水性が小さい無機系層間膜で有機系層間膜を覆うようにして多層化するとともに、更に、耐水性に優れた配線金属で層間膜全体を覆うことによって、ベアチップ実装に耐える半導体チップを提供する。 - 特許庁

The storage electrode 7 of a capacitor 15 buried in a third interlayer insulating film 14 through the intermediary of a first interlayer insulating film 12 and a second interlayer insulating film is formed above the transistor 3, and a protective film 16 is formed on the third interlayer insulating film 16.例文帳に追加

トランジスタ３の上方には第１の層間絶縁膜１２、第２の層間絶縁膜１３を介して第３の層間絶縁膜１４の内部に埋め込まれた形のキャパシタ１５の蓄積電極７が形成され、第３の層間絶縁膜１４上に保護膜１６が形成されている。 - 特許庁

The semiconductor device includes a first interlayer insulating film including a low dielectric constant film, a second interlayer insulating film not including a low dielectric constant film, two or more first seal rings formed in the first interlayer insulating film, and a second seal ring formed in the second interlayer insulating film.例文帳に追加

低誘電率膜を含む第１の層間絶縁膜と、低誘電率膜を含まない第２の層間絶縁膜と、第１の層間絶縁膜中に形成された２本以上の第１のシールリングと、第２の層間絶縁膜中に形成された１本の第２のシールリングとを備える。 - 特許庁

The ferroelectric memory device 1 comprises: a first interlayer insulating film 3; a ferroelectric capacitor 4; an insulating hydrogen barrier film 5; a second interlayer insulating film 6; and a contact hole 7 passing through the second interlayer insulating film 6, the insulating hydrogen barrier film 5, and the first interlayer insulating film 3.例文帳に追加

第１層間絶縁膜３と、強誘電体キャパシタ４と、絶縁性水素バリア膜５と、第２層間絶縁膜６と、第２層間絶縁膜６と絶縁性水素バリア膜５と第１層間絶縁膜３とを貫通するコンタクトホール７と、を備えた強誘電体メモリ装置１である。 - 特許庁

To prepare a film-removed interlayer film which is characterized in that, when preparing the interlayer film having a transparent region in a colored region by replacing a part of the colored shade region of the interlayer film for laminated glass for an automobile, with a transparent interlayer film, no gap and no protrusion exist at a boundary part between the colored region and the transparent region.例文帳に追加

自動車用の合わせガラス用中間膜の着色シェード域の一部を膜抜きして透明な中間膜に置き換え、着色域の中に透光域を有する中間膜の製造時に、該着色域と透孔域の境界部に、隙間やはみ出しのない膜抜き中間膜を得る。 - 特許庁

The thin-film inductor 10 has a structure wherein an interlayer insulation film 16, a lower magnetic thin film 19, an interlayer insulation film 20, a first layer conductor pattern 22, an interlayer insulation film 26, a second layer conductor pattern 28, an interlayer insulation film 32 and an upper magnetic thin film 34 are stuck in sequence on a substrate 12.例文帳に追加

薄膜インダクタ１０は、基板１２上に、層間絶縁膜１６，下部磁性薄膜１８，層間絶縁膜２０，第１層導体パターン２２，層間絶縁膜２６，第２層導体パターン２８，層間絶縁膜３２，上部磁性薄膜３４が積層された構造となっている。 - 特許庁

To provide a composition for forming a low K interlayer insulating film with high mechanical strength and uniformity, an interlayer insulating film obtained by curing the composition, and a method of forming the interlayer insulating film using the composition.例文帳に追加

機械強度、均一性に優れた低誘電率の層間絶縁膜形成用組成物、該組成物を硬化して得られる層間絶縁膜および該組成物を用いた層間絶縁膜の形成方法を提供すること。 - 特許庁

The interlayer insulating film 19, which is connected directly to the capacitor 17 in the interlayer insulating films 19 and 21, is constituted of an organic insulating film.例文帳に追加

層間絶縁膜１９、２１のうちの、少なくともキャパシタ１７に直接接する層間絶縁膜１９を、有機絶縁膜で構成する。 - 特許庁

Therefore, the roughened layer on the surface of the conductor layer gets into the interlayer resin insulating layer, and an electroplating film follows the interlayer resin insulating layer even if the interlayer resin insulating layer expands or shrinks attendant on surrounding conditions such as heat cycles, moisture absorption or dryness.例文帳に追加

そのため、導体層表面の粗化層が層間樹脂絶縁層に食い込み、ヒートサイクル時や吸湿、乾燥により層間樹脂絶縁層が膨張、収縮しても柔らかい電解めっき膜が追従する。 - 特許庁

To prevent an interlayer peeling of phosphor layer within a radiation conversion sheet.例文帳に追加

放射線変換シート内の蛍光体層の層間剥離を防止する。 - 特許庁

The L-shaped member is provided with an interlayer-deformation-angle measuring means for directly measuring the interlayer deformation angle, at horizontal loading and displaying it.例文帳に追加

Ｌ字状部材に、水平荷重時における層間変形角を直接測定して表示する層間変形角測定手段が設けられる。 - 特許庁

A step to form transparent electrodes 71, 72, which are electrically connected to the switching device through the interlayer insulating film, on the interlayer insulating film is provided.例文帳に追加

層間絶縁膜を介してスイッチング素子に接続される透明電極７１、７２を層間絶縁膜上に形成する工程を有する。 - 特許庁

A first etching stopper film 107, a first interlayer insulating film 106, a second etching stopper film 105, a second interlayer insulating film 104 and a third interlayer insulating film 103 are stacked on a lower wiring layer 108.例文帳に追加

下層配線層１０８上に第一エッチングストッパ膜１０７、第一層間絶縁膜１０６、第二エッチングストッパ膜１０５、第二層間絶縁膜１０４、および第三層間絶縁膜１０３を積層する。 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR MODIFYING SURFACE OF INTERLAYER DIELECTRIC FILM例文帳に追加

層間絶縁膜の表面改質方法及び表面改質装置 - 特許庁