「Interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(128ページ目) - Weblio英語例文検索

The plasma silicon nitride film used for a Cu diffusion protection film left as a part of the interlayer films 1, 4 between the upper and lower interconnections 2, 5 when the plasma silicon nitride film is deposited on the Cu film which is formed as the interconnection part 2 of the semiconductor device prevent an increase in interconnection capacitance caused by high permittivity of the plasma silicon nitride film to realize decrease in the wiring capacitance.例文帳に追加

これにより、半導体装置の配線部２として形成されるＣｕ膜の上にプラズマシリコン窒化膜を堆積する場合、Ｃｕの拡散防止膜として用いられるプラズマシリコン窒化膜が上下配線２，５間の層間膜１，４の一部に残ることで、プラズマシリコン窒化膜の高誘電率に起因する配線容量の増加を防止し、配線容量の低減を達成することができる。 - 特許庁

As this means, a type of concrete is used for producing a normal or permeable pavement block so that its bottom surface may have innumerable small protrusions or may be jagged by aggregates, with the reduced volume of sands used, in order to increase the interlayer frictions between the block and sand cushion or make cushion sands bite into block joints so that the block may unite with sand cushion into one and become more stabilized.例文帳に追加

その手段として、ブロックとサンドクッションの層間摩擦を高め、またサンドクッションの砂を目地部に食い込ませてブロックとサンドクッションとの一体化を図って、ブロックの安定を確保するためにのブロックの底面に無数の小突起やブロックの底面に砂を減らして粗骨材でぎざぎざとなるコンクリートを用いた普通または透水性舗装用ブロックを構成している。 - 特許庁

A method of manufacturing the printed wiring board comprises processes of forming a conductor circuit by pattern electroplating, with a metal foil 8 on top of insulation resin as a power supply layer, the thickness of the metal foil being 2.0 μm or below; and forming a hole 10 for interlayer connection by first forming a mask hole on the top of the metal foil and then irradiating a laser beam thereon.例文帳に追加

絶縁樹脂上にある金属箔８を給電層としてパターン電気めっきにより導体回路を作製する工程を有するプリント配線板の製造方法において、金属箔の厚みが２．０μｍ以下であり、金属箔上にマスク穴を形成した後にレーザー照射をすることで層間接続用の穴１０を形成する工程を有するプリント配線板の製造方法である。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a liquid crystal display device, capable of reducing the connection resistance of a pixel electrode and a drain electrode through a interlayer insulating film, and also, capable of satisfactorily patterning an ITO film free from a short circuit between mounted terminals on a single etching processing stage at the time of forming the pixel electrode, as for the liquid crystal display device having a pixel uppermost layer structure.例文帳に追加

画素最上層構造を有する液晶表示装置において、層間絶縁膜を介した画素電極とドレイン電極の接続抵抗を低減できると共に、画素電極形成時に、ＩＴＯ膜を一回のエッチング処理工程で実装端子間に短絡のないかつ良好なパターン形状にパターニングすることのできる液晶表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor is provided with the polysilicon fuse 101 having a blowout section 101a, an interlayer insulating film 106 having a recess 106a on the blowout section 101a, a surface protective film 107 having an opening section 107a on the recess 106a, a buffer film 108 with which the recess 106a and the opening 107a are filled, and a sealing resin layer 109 are sequentially laminated.例文帳に追加

半導体装置は、溶断部１０１ａを有するポリシリコンヒューズ１０１を備え、溶断部１０１ａ上に凹部１０６ａを有する層間絶縁膜１０６と、凹部１０６ａ上に開口部１０７ａを有する表面保護膜１０７と、凹部１０６ａ及び開口部１０７ａを充填する緩衝膜１０８と、封止樹脂層１０９とが順次積層されている。 - 特許庁

The laminating material for use in laminating two glass sheets with an interlayer film interposed therebetween, which comprises a substrate and an adhesive layer lying on at least one side thereof, the adhesive layer containing a thermoplastic resin which has a glass transition temperature (Tg) of 40 to 60°C and a weight average molecular weight (Mw) of 20,000 to 100,000.例文帳に追加

２つのガラス板を中間膜を介して貼り合せるのに用いられる合わせガラス貼り合せ材であって、支持体と、該支持体の少なくとも一方の面に接着層を有し、該接着層が熱可塑性樹脂を含有し、該熱可塑性樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）が４０℃〜６０℃であり、該熱可塑性樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）が２０，０００〜１００，０００である合わせガラス貼り合せ材とする。 - 特許庁

Thereby, interlayer crosstalk due to deterioration of resolution in an optical axis direction generated in the information layers 2 and 4 can be reduced.例文帳に追加

第１番目の情報層２と第２５番目の情報層３と第５０番目の情報層４とを備えた多層光記録媒体１において、第１番目の情報層２近傍の層間隔および、第５０番目の情報層４近傍の層間隔を、第２５番目の情報層３近傍の層間隔に比べて大きくすることにより、情報層２と情報層４で発生する光軸方向分解能劣化に伴う層間クロストークを減少させることが出来る。 - 特許庁

The IC tag 100 includes: a first base 1; a rectangular antenna 2 provided on the first base 1 and having a longitudinally-extending rectangular shape; a loop antenna 3 provided over the rectangular antenna 2 and having a loop shape; an IC chip 4 electrically connected to the loop antenna 3; and an interlayer film 5 formed between the rectangular antenna 2 and the loop antenna 3.例文帳に追加

本発明に係るＩＣタグ１００は、第１の基材１と、この第１の基材１上に設けられ、長手方向に延びる矩形の形状を有する矩形アンテナ２と、この矩形アンテナ２の上方に設けられ、ループ状の形状を有するループアンテナ３と、このループアンテナ３に電気的に接続されたＩＣチップ４と、該矩形アンテナ２と該ループアンテナ３との間に形成された層間膜５と、を備える。 - 特許庁

This semiconductor device includes: lower-layer wires 3 formed on a semiconductor substrate 1; an inorganic SOG film 5a formed on the lower-layer wires 3 and between the lower-layer wires 3 and exhibiting compression stress by implanting ions of impurities therein; and upper-layer wires connected to the lower-layer wires through contact holes formed on an interlayer insulation film 7 including the inorganic SOG film 5a.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、半導体基板１上に形成された下層配線３と、前記下層配線３上及び下層配線３間に形成され、不純物がイオン注入されることで圧縮応力を示す無機ＳＯＧ膜５ａと、前記無機ＳＯＧ膜５ａを含む層間絶縁膜７に形成されたコンタクトホールを介して前記下層配線に接続する上層配線とを具備することを特徴とする。 - 特許庁

To provide an adhesive, particularly an interlayer adhesive that is favorably for use in the field of electronic parts such as in mounting semiconductors, because the adhesive is excellent in heat resistance, low in water absorbency, easy to adhere at a temperature as low as 180-250°C with a short time of pressure application, and hence easy to work with, and has an improved adhesion to silicone substrates and specific metals.例文帳に追加

本発明は、優れた耐熱性、低い吸水性、１８０〜２５０℃程度の低温で短時間の加圧によって容易に接着できる良好な接着作業性、さらにはシリコン基板や特定の金属などに対しても改良された接着性を有するので、半導体実装分野などの電子部品用途に好適に用いることができる接着剤特に層間接着剤を提供することである。 - 特許庁

The electrode contact structure includes an epitaxial layer 100, a contact metal electrode 120 formed on the epitaxial layer 100, an interlayer insulating film 140 having a contact hole, a diffusion barrier layer 200 formed on the contact metal electrode 120 and having crystal orientation property matching the crystal orientation property of the contact metal electrode, and an Al wiring 160 formed on the diffusion barrier layer 200.例文帳に追加

電極コンタクト構造は、エピタキシャル層１００と、エピタキシャル層１００上に形成されたコンタクトメタル電極１２０と、コンタクトホールを有する層間絶縁膜１４０と、コンタクトメタル電極１２０上に形成され、コンタクトメタル電極の結晶配向性と整合する結晶配向性を有する拡散障壁層２００と、拡散障壁層２００上に形成されたＡｌ配線１６０を有する。 - 特許庁

The electrode contact structure includes an epitaxial layer 100, a contact metal electrode 120 formed on the epitaxial layer 100, an interlayer insulating film 140 having a contact hole, a first Al wiring 160 formed on the contact metal electrode 120, a diffusion barrier layer 180 formed on the first Al wiring 160, and a second Al wiring 200 formed on the diffusion barrier layer 180.例文帳に追加

電極コンタクト構造は、エピタキシャル層１００と、エピタキシャル層１００上に形成されたコンタクトメタル電極１２０と、コンタクトホールを有する層間絶縁膜１４０と、コンタクトメタル電極１２０上に形成された第１のＡｌ配線１６０と、第１のＡｌ配線１６０上に形成された拡散障壁層１８０と、拡散障壁層１８０上に形成された第２のＡｌ配線２００を有する。 - 特許庁

Particularly, the insulation coating layer is formed by being protrusively dotted on a surface of the upper substrate or the lower substrate on the side laminated and stuck on the inter-substrate connection sheet, and the area of the opening of the inter-substrate connection sheet is formed larger than that of the opening of the upper substrate, thereby this multilayer circuit board having a cavity structure and a full-thickness IVH structure having high interlayer connection reliability can be manufactured.例文帳に追加

特に、絶縁被膜層は、上側基板または下側基板の基板間接続シートと積層接着する側の面に凸状に点在して形成され、基板間接続シートの開口部の面積を上側基板の開口部の面積より大きく形成することにより、キャビティ構造および高い層間接続信頼性を備えた全層ＩＶＨ構造を有する多層の回路基板を製造することができる。 - 特許庁

The semiconductor device includes: an interlayer insulating film III1 so formed as to cover a switching element TR formed over a main surface of a semiconductor substrate SUB; flat plate-like lead wiring LEL; coupling wiring ICL coupling the lead wiring LEL and the switching element TR with each other; and a magnetoresistive element TMR including a magnetization free layer MFL the orientation of magnetization of which is variable and which is formed over the lead wiring LEL.例文帳に追加

半導体基板ＳＵＢの主表面上に形成されたスイッチング素子ＴＲを覆うように形成された層間絶縁膜ＩＩＩ１と、平板状の引出配線ＬＥＬと、引出配線ＬＥＬとスイッチング素子ＴＲとを接続する接続配線ＩＣＬと、磁化の向きが可変とされた磁化自由層ＭＦＬを含み、引出配線ＬＥＬ上に形成された磁気抵抗素子ＴＭＲとを備える。 - 特許庁

To provide a ketoxime ester compound usable as a new and highly sensitive photopolymerization initiator, a photopolymerizable composition useful for forming various kinds of members, etc., installed in a liquid crystal display, such as interlayer insulation films, pixels and black matrices of color filters, photo spacers, ribs (liquid crystal alignment control ribs), etc., and to provide a cured product formed of the photopolymerizable composition, and a liquid crystal display including the cured product.例文帳に追加

新規かつ高感度な光重合開始剤として利用可能なケトオキシムエステル系化合物であり、層間絶縁膜、カラーフィルターの画素及びブラックマトリックス、フォトスペーサー、リブ（液晶配向制御突起）等の液晶表示装置に備えられる各種部材の形成等に有用な光重合性組成物及び該光重合性組成物により形成された硬化物及び該硬化物を備える液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

A semiconductor device is equipped with: a pad 61 which is formed on multilayered wiring composed of the laminated wiring layers and interlayer insulating films and electrically connected to the outside.例文帳に追加

配線層と層間絶縁膜とを積層して形成された多層配線上に外部と電気的に接続されるパッド６１を備えた半導体装置であって、前記パッド６１の下部の第２コンタクト層間絶縁膜４３、第２配線層間絶縁膜３３、第１コンタクト層間絶縁膜２３は、前記パッド６１の外周下部に連続して形成された耐湿性を有する保護部材７１によって囲まれていることを特徴とする。 - 特許庁

A temporary element isolation film 45 formed to an element isolation region 13 is removed from the element isolation region 13 for isolating a semiconductor element section 12 formed to the substrate 11, the substrate 11 is heated and treated under the state forming no insulating film in the element isolation region 13 and an interlayer insulating film 41 coating the semiconductor element section 12 while burying the element isolation region 13 is formed.例文帳に追加

基板１１に形成された半導体素子部１２を分離するための素子分離領域１３からその素子分離領域に設けられた仮素子分離膜４５を除去し、素子分離領域１３に絶縁膜が形成されていない状態で基板１１を加熱処理し、その後に半導体素子部１２を覆うとともに素子分離領域１３を埋める層間絶縁膜４１を成膜する。 - 特許庁

To provide a method of purifying an organic silicone polymer, and a method of producing a composition for film forming containing the organic silicone polymer, especially a composition for film-forming enabling to form a silicic film containing a minimized amount of metal impurities and having an excellent specific dielectric characteristic and a low leaking current characteristic as an interlayer insulating material for semiconductor elements or the like.例文帳に追加

有機ケイ素系重合体の精製方法およびそれにより得られる有機ケイ素系重合体を含有する膜形成用組成物の製造方法に関し、さらに詳しくは、半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、金属不純物の含有量が少なく、比誘電率特性、低リーク電流特性に優れたシリカ系膜が形成可能な膜形成用組成物の製造方法。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor storage device comprises the steps of forming a floating gate formed via a tunnel oxide film on a semiconductor substrate between a source region and a drain region formed on the substrate in a laminated structure of a first conductive film and a second conductive film, and constituting a memory cell having a control gate formed on the floating gate via the interlayer capacitive film.例文帳に追加

半導体基板上に形成されたソース領域とドレイン領域との間の前記半導体基板上にトンネル酸化膜を介して形成されたフローティングゲートが第１導電膜と第２導電膜より積層構造に形成され、前記フローティングゲート上に層間容量膜を介して形成されたコントロールゲートとを備えたメモリセルより構成される半導体記憶装置により、上記の課題を解決する。 - 特許庁

This laminated varistor includes internal electrode layers alternately having external exposure parts, and laminated parallel to one another in ceramic sintered bodies each having a nonlinear resistance characteristic, and is characterized in that adhesiveness between the ceramic sintered bodies and the internal electrode layers is improved by forming holes connecting the upper and lower ceramic sintered bodies to the internal electrodes by limiting them to parts easily causing interlayer separation.例文帳に追加

積層型バリスタにおいて、非直線抵抗特性を有するセラミック焼結体内部に、交互に外部露出部分を持つ平行に重なった内部電極層を持ち、内部電極に上下のセラミック焼結体を連結させる穴を、層間剥離が起こりやすい箇所に限定して形成することで、セラミック焼結体と内部電極層との密着性を向上させていることを特徴とする。 - 特許庁

Since hydrogen included in the polycrystalline silicon resistance layer 14a is uniformly absorbed by the Ti films 18a and 18b, the dispersion of the resistance value of the polycrystalline silicon resistance layer 14a due to hydrogen absorption from the polycrystalline silicon resistance layer 14a by a Ti system barrier metal film 26c formed on a second interlayer insulating film 24 above the polycrystalline silicon resistance layer 14a does not occur.例文帳に追加

従って、Ｔｉ膜１８ａ、１８ｂにより多結晶シリコン抵抗層１４ａに含有される水素は均一に吸収されるため、多結晶シリコン抵抗層１４ａ上方の第２層間絶縁膜２４上に形成されているＴｉ系バリヤメタル膜２６ｃによる多結晶シリコン抵抗層１４ａからの水素吸収に起因する多結晶シリコン抵抗層１４ａの抵抗値の変動は生じない。 - 特許庁

The method for manufacturing a printed wiring board with a via hole for interlayer connection includes a process of making a barrier metal layer at least on the front side of the wiring circuit and/or the metal foil formed on the outer layer of an insulator substrate to prevent the wiring circuit and/or the metal foil from being etched by etching treatment during a following circuit formation process in the via hole.例文帳に追加

層間接続用のビアホールを備えたプリント配線板の製造方法であって、当該ビアホール形成のためのめっき処理工程前に、少なくとも絶縁基板の外層に形成された配線回路及び／又は金属箔の表側面に、後のビアホール部の回路形成の際のエッチング処理により当該外層配線回路及び／又は金属箔がエッチングされることを防止するバリア金属層を設ける。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can prevent critical dimension loss of trenches or holes, reduce dielectric constant to minimize parasitic capacitance, suppress RC delay and cross talk, and enhance operating speed by forming a spacer made of SiC_xH_y or SiOC_xH_y having a low dielectric constant on the sidewall of the trenches or holes made in an interlayer insulation film.例文帳に追加

層間絶縁膜に設けられたトレンチ又はホールの側壁に、誘電率の低いＳｉＣｘＨｙまたはＳｉＯＣｘＨｙからなるスペーサーを形成することにより、トレンチ又はホールの臨界寸法損失を防止し且つ誘電率を減少させて寄生キャパシタンスを最小化し、ＲＣ遅延とクロストークを抑えて素子の動作速度を向上させることが可能な半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a modified asphalt composition forming a hardened film having suppressed tackiness and excellent in adhesiveness and tensile strength, the hardened film having suppressed interlayer blister in lamination, suppressed tackiness and excellent tensile strength, and a waterproofing method by which a waterproof layer having excellent working efficiency, water proofing property, strength and elasticity is formed.例文帳に追加

べたつきが抑制され、並びに密着性及び引張り強度に優れる硬化膜を与える改質アスファルト組成物、及びそれから得られ、積層時における層間でのフクレの抑制、更にべたつきの抑制及び引張り強度に優れる硬化膜、並びに作業性に優れ、且つ防水性、強度及び弾力に優れる防水層を良好に形成させることができる防水施工方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method of a printed wiring board wherein an interlayer insulating layer formed by dispersing scaly grains into a curing resin is formed on a board, and a wiring pattern and via holes can easily and accurately be transferred to the inter layer insulating layer by an imprint method, using a mold having bumps and dips corresponding to the wiring pattern and the via holes without using an optical transferring method and complicated etching treatment.例文帳に追加

硬化樹脂中に鱗片状粒子を分散させてなる層間絶縁層を基板上に形成し、光学的な転写方法や煩雑なエッチング処理を用いることなく、配線パターンやバイアホールに対応する凹凸を有するモールドを用いたインプリント法によって、配線パターンやバイアホールを層間絶縁層に容易かつ正確に転写できるプリント配線板の製造方法を提案する。 - 特許庁

This method includes the steps of forming a film 2 on a semiconductor substrate 1 and forming an interlayer insulating film 3 thereon, subjecting the film 3 through photolithography to a patterning process to form a hole 4, subjecting the film 3 to wet etching process with use of an etchant having a etching rate larger than that of the film 2 to the film 3, and observing the hole 4 from an open side thereof.例文帳に追加

半導体基板１上に膜２を形成し膜２の上に層間絶縁膜３を形成する工程と、層間絶縁膜３をフォトリソグラフィ法によりパターニングしてホール４を形成する工程と、層間絶縁膜３に対する膜２のエッチング速度の比が大きいエッチング液を使用して層間絶縁膜３をウェットエッチングする工程と、ホール４を開口側から観察する工程とを有する。 - 特許庁

A spacer 20a comprising a substance having a high corrosion selection ratio for an interlayer insulation film 26 is formed on the side wall of a gate electrode 16, and the contact hole exposed between the gate electrodes 16 can be formed by a self matching method by forming the upper part of the gate electrode and the upper part of the substrate forming the source and drain areas in high melting point metal silicide films 18a, 22.例文帳に追加

層間絶縁膜２６に対して高食刻選択比を有する物質からなるスペーサ２０ａをゲート電極１６の側壁に形成し、ゲート電極１６の上部とソース及びドレイン領域が形成される基板の上部を高融点金属シリサイド膜１８ａ，２２として形成することにより、ゲート電極１６とゲート電極１６との間を露出させるコンタクトホールを自己整合方式で形成可能とする。 - 特許庁

To provide a production method for a polyarylene and/or a polyarylene ether and a composition for film formation containing a polyarylene and/or a polyarylene ether obtained by the method; more specifically, a composition for film formation which is used as a material for forming an interlayer insulation film in a semiconductor element and can form an organic film having a low metallic impurity content and excellent in relative permittivity characteristics and low leak current characteristics.例文帳に追加

ポリアリーレン及び／またはポリアリーレンエーテルの製造方法およびそれにより得られるポリアリーレン及び／またはポリアリーレンエーテルを含有する膜形成用組成物に関し、さらに詳しくは、半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、金属不純物の含有量が少なく、比誘電率特性、低リーク電流特性に優れた有機膜が形成可能な膜形成用組成物を得る。 - 特許庁

The seiconductor device comprises an electrode pad 12 formed on a semiconductor substrate 10, an external electrode 16 formed on the pad 12 so as to be electrically connected to the pad 12, a semiconductor element 24 formed on the substrate 10 under the electrode 16 through interlayer insulating films 20, 22, and a gate oxide film 26 of the semiconductor element 24 formed in standing off under an edge of the electrode 16.例文帳に追加

半導体基板１０上に形成された電極パッド１２と、電極パッド１２と電気的に接続されるように、電極パッド１２上に形成された外部電極１６と、外部電極１６の直下の半導体基板１０上に層間絶縁膜２０，２２を介して形成された半導体素子２４と、を含み、半導体素子２４のゲート酸化膜２６は、外部電極１６のエッジの真下を避けるように、形成された。 - 特許庁

The device is provided with interlayer insulating films for rewiring 13 on a surface of an element forming face side of the semiconductor chip 10 where PD 13 is formed, EBP 21 corresponding to PD13 formed on the film, DBP 23 where corresponding PD does not exist on the chip 10, the wiring 41 connecting EBP 21 corresponding to PD13, and DB rewiring 43 connecting DBP23 with prescribed EBP 21.例文帳に追加

ＰＤ１３が形成された半導体チップ１０の素子形成面側の表面に更に再配線用層間絶縁膜１３と、この上に形成された各ＰＤ１３とそれぞれ対応するＥＢＰ２１と、チップ１０上に対応するＰＤのないＤＢＰ２３と、ＰＤ１３と対応するＥＢＰ２１を接続する４１と、ＤＢＰ２３と所定のＥＢＰ２１とを接続するＤＢ再配線４３を備える。 - 特許庁

The toner is prepared by dispersing and/or emulsifying an oil phase and/or a monomer phase comprising a toner composition and/or a toner composition precursor in a water-based medium to granulate, wherein the toner has an average circularity of 0.925-0.970, and the toner composition has a layered inorganic material in which at least a part of interlayer ions in the layered inorganic material has been exchanged with organic ions.例文帳に追加

少なくともトナー組成物及び／又はトナー組成物前駆体を含む油相及び／又はモノマー相を水系媒体に分散及び／又は乳化して造粒するトナーにおいて、前記トナーは、平均円形度が０．９２５〜０．９７０であって、前記トナー組成物は、少なくとも層状無機鉱物が有する相間のイオンの少なくとも一部を有機物イオンで変性した層状無機鉱物を有することを特徴とするトナー。 - 特許庁

The number of conventional dual damascene process steps is reduced by using an organic insulating material which is photosensitive to electron beam irradiation as an interlayer insulating film, performing pattern exposure corresponding to via holes and wiring grooves in two steps of electron beam irradiation conditions and then performing development at the same time for forming necessary via holes and wiring grooves, and Cu of low resistivity is used as a wiring material.例文帳に追加

層間絶縁膜として、電子線照射に感光する有機絶縁材料を用い、電子線照射条件を２段階で行うことによりビアホールと配線溝に相当するパターン露光をし、その後同時に現像を行い必要なビアホールと配線溝を形成することで、従来のデュアルダマシン工程の工程数を削減するとともに、配線材料として比抵抗の小さいＣｕを用いる。 - 特許庁

This ceramic electronic part is equipped with a ceramic element, outer electrodes provided to the ceramic element, lead terminals connected to the outer electrodes with solder that contains a Cu component but no Pb component, and a resin outer sheath which is formed so as to cover the ceramic element and outer electrodes where a Cu-Sn intermetallic compound layer is provided at an interlayer between the outer electrodes and solder.例文帳に追加

本発明のセラミック電子部品は、セラミック素体と、セラミック素体に設けられた外部電極と、Ｃｕ成分を含有しＰｂ成分を含有しない半田により外部電極に接続されたリード端子と、セラミック素体と外部電極を覆うように形成された外装樹脂とからなるセラミック電子部品であって、外部電極と半田との界面に、ＣｕＳｎ金属間化合物層を備えることを特徴とする。 - 特許庁

Thus, an aspect ratio of holes 15a, 15b in the case of arriving at the members 10a, 10b by opening an interlayer insulating film 14 can be reduced.例文帳に追加

素子分離絶縁膜３を開口してなる第１，第２の下側接続孔８ａ，８ｂを埋めて第１，第２拡散層２ａ，２ｂにコンタクトする第１，第２のコンタクト部材１０ａ，１０ｂを備えているので、その上の層間絶縁膜１４を開口して第１，第２のコンタクト部材１０ａ，１０ｂに達する第１，第２の上側接続孔１５ａ，１５ｂを形成する際における上側接続孔１５ａ，１５ｂのアスペクト比を低減することができる。 - 特許庁

To provide a radiation sensitive resin composition having no problem with safety, excellent in sensitivity, resolution and storage stability, having good development margin, capable of forming an interlayer insulation film having excellent solvent resistance, heat resistance, light transmittance and adhesion, and capable of forming microlenses having excellent solvent resistance, heat resistance, light transmittance and adhesion, and also having a good melt shape.例文帳に追加

組成物として、安全性に問題がなく、感度、解像度、保存安定性等に優れ、良好な現像マージンを有しており、優れた耐溶剤性、耐熱性、光透過率、密着性等を併せ備えた層間絶縁膜を形成でき、また優れた耐溶剤性、耐熱性、光透過率、密着性等を併せ備え、良好なメルト形状を有するマイクロレンズを形成しうる感放射線性樹脂組成物等を提供する。 - 特許庁

This method for manufacturing a multilayered wiring board includes the consecutive steps of a step of forming a curing insulation resin layer, a step of selectively forming a via hole in the curing insulation resin layer, a step of etching a metal for a wiring pattern, a step of curing the curing insulation resin layer after etching, and a step of applying a plating treatment for interlayer connection.例文帳に追加

配線パターンが形成された絶縁基材上に、硬化性絶縁樹脂層を設ける工程、該硬化性絶縁樹脂層に選択的にビアホールを形成する工程、配線パターンの金属をエッチングする工程、エッチング後に該硬化性絶縁樹脂層を硬化する工程、およびメッキ処理を行って層間接続を行う工程、をこの順に行うことを特徴とする多層配線基板の製造方法。 - 特許庁

A light emitting element included in each pixel 100 of a pixel array 1 comprises an anode electrode, a metal reflection film arranged below the anode electrode across an interlayer insulating film, an organic electroluminescence thin film arranged above the anode electrode, and a cathode electrode arranged thereupon and an optical resonator is composed between the metal reflection film and cathode electrode to emit light of one of three primary colors R, G, and B.例文帳に追加

画素アレイ１の各画素１００に含まれる発光素子は、アノード電極と、層間絶縁膜を介してアノード電極の下に配された金属反射膜と、アノード電極の上に配された有機エレクトロルミネッセンス薄膜と、その上に配されたカソード電極とで構成されており、金属反射膜とカソード電極との間で光共振器を構成してＲＧＢ三色のいずれかの光を放射する。 - 特許庁

In this element, since the interlayer insulating film comprises a mixture of the organic material and the fine particles, it is possible to obtain the transistor element in which the unwanted channel is hardly induced in the organic semiconductor and its ON/OFF ratio is good.例文帳に追加

本発明のトランジスタ素子は、基板上に有機半導体を用いたトランジスタと、有機半導体層に接する層間絶縁膜と、層間絶縁膜に設けられたスルーホールを介してトランジスタと電気的に導通する上部電極とが積層された素子において、前記層間絶縁膜が有機材料と微粒子との混合物から構成されるため、有機半導体に不要なチャネルが誘起されにくくオン／オフ比の良好なトランジスタ素子とすることができる。 - 特許庁

To secure connection reliability between a lower-layer conductor circuit and an upper-layer conductor circuit as a whole in a multilayered wiring board, even when connection defects occur in some of a plurality of via holes by collectively forming the via holes at formation of via holes through the interlayer insulating layer, on which the upper-layer conductor circuit is formed by a semi-aditive method.例文帳に追加

セミアディティブ法により上層導体回路が形成された層間絶縁層にバイアホールを形成するに際して複数のバイアホールを集合して形成することにより、複数のバイアホールの内いくつかに接続不良が発生した場合においても、配線板全体として下層導体回路と上層導体回路との接続信頼性を確実に保持することが可能な多層プリント配線板を提供する。 - 特許庁

The multilayer printed circuit board with two or more wiring layers is characterized by the fact that it is equipped with one connecting means by an interlayer connecting material 23 formed of conductive paste and the other connecting means by a plating layer 26 as two electrical connection means, which penetrate through an electrical insulating base material 22 formed between first and second wiring layers from the outermost layer of the board.例文帳に追加

複数の配線層を有する多層プリント配線基板において、基板最外層から１層目と２層目の配線層の間に形成された電気絶縁性基材２２を貫通する電気的接続手段として、導電性ペーストからなる層間接続材料２３による接続手段とめっき層２６による接続手段の両方の手段を有することを特徴とする多層プリント配線基板２７である。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device comprises processes of: forming a foundation region including an interlayer insulation film 108 on a semiconductor substrate 100; forming an alumina film 117 on the foundation region; forming a hole in the alumina film, filling up the hole with bottom electrode films 118 and 119, forming a dielectric film 121 on the bottom electrode films; and forming a top electrode film 122 on the dielectric film.例文帳に追加

半導体基板１００上に、層間絶縁膜１０８を含む下地領域を形成する工程と、下地領域上にアルミナ膜１１７を形成する工程と、アルミナ膜に穴を形成する工程と、穴を下部電極膜１１８，１１９で埋める工程と、下部電極膜上に誘電体膜１２１を形成する工程と、誘電体膜上に上部電極膜１２２を形成する工程とを備える。 - 特許庁

A photodiode Pd is provided on a semiconductor substrate 10 commonly for pixels P21 and Pd22 arranged in the horizontal direction, and a wiring layer 50 for reading out signal charges from the photodiode Pd is formed on the upper layer of the semiconductor substrate 10 while being buried in an interlayer insulation film 30 on which a shutter section 20 for controlling the transmission of incident light to each pixel in pixel units is provided.例文帳に追加

半導体基板１０には、フォトダイオードＰｄが水平方向に並ぶ画素Ｐ２１，Ｐｄ２２に共通して設けられ、当該半導体基板１０の上層にはフォトダイオードＰｄによる信号電荷を読み出すための配線層５０が層間絶縁膜３０に埋め込まれて形成されており、層間絶縁膜３０上には、各画素へ入射した光の透過を画素単位で制御するシャッター部２０が設けられている。 - 特許庁

The coating film is obtained by coating a substrate with an aqueous medium suspension liquid containing a metal alkoxide and a flake-like titanate prepared by treating a layered titanate with an acid and allowing an organic basic compound to induce interlayer swelling or exfoliating, and then heat treating the coating to crosslink and harden the metal alkoxide.例文帳に追加

層状チタン酸塩を酸で処理し、次いで有機塩基性化合物を作用させて層間を膨潤または剥離した薄片状チタン酸と、金属アルコキシドとを含む水性媒体懸濁液を、基材に塗布した後に熱処理し、金属アルコキシドを架橋硬化させて得られることを特徴としており、好ましくは、層状チタン酸塩が、式Ａ_xＭ_y□_zＴｉ_2-(y+z)Ｏ_4 [式中、Ａ及びＭは互いに異なる１〜３価の金属を示し、□はＴｉの欠陥部位を示す。 - 特許庁

To provide a method for producing a polyarylene and/or a polyarylene ether which is useful as an interlayer insulating film in a semiconductor element, etc., has a low metal impurity content, excellent dielectric constant characteristics and low leakage current characteristics and has high industrial stability and to obtain a compound for film formation using the same.例文帳に追加

本発明は、上記要求を満たすためのポリアリーレン及び／またはポリアリーレンエーテルの製造方法およびそれを用いた膜形成用組成物に関し、さらに詳しくは、半導体素子などにおける層間絶縁膜として、金属不純物の含有量が少なく、比誘電率特性、低リーク電流特性に優れた膜形成用組成物、および工業的に安定性の高い製造方法および該組成物から得られる有機膜を提供することを目的とする。 - 特許庁

This interlayer for laminated glass consisting of plasticized polyvinylacetal resin film containing polyvinyl acetal resin and plasticizer is featured in that the gel fraction of a surface layer is higher than that of an intermediate layer and the difference between both is ≥30% when the region up to 15% of the total thickness in the thickness direction from both surfaces is defined as the surface layer and the part besides the same is defined as the intermediate layer.例文帳に追加

ポリビニルアセタール樹脂と可塑剤とを含有する可塑化ポリビニルアセタール樹脂膜よりなる合わせガラス用中間膜であって、該合わせガラス用中間膜の両表面から厚さ方向に全膜厚の１５％までの領域を表層とし、それ以外の部分を中間層とした場合、表層と中間層とのゲル分率が、表層の方が高く、且つ、その差が３０％以上であることを特徴とする合わせガラス用中間膜。 - 特許庁