「Interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(124ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide cleaning liquid for a semiconductor device, for removing stuck matters on the surface of a cleaning object such as photoresist, etching residuals, an antireflective coating and ashing residuals with low environment loads and without corroding an interlayer dielectric; and to provide a cleaning method for the semiconductor device using the cleaning liquid.例文帳に追加

本発明では、環境負荷が低く、層間絶縁膜を腐食することなく、フォトレジスト、エッチング残渣物、反射防止膜、および、アッシング残渣物などの洗浄対象物表面上にある付着物の除去を行うことができる半導体デバイス用の洗浄液、並びに該洗浄液を用いた半導体デバイス用の洗浄方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

As a protein having the bonding property to gold metal, the protein having following properties can be provided: the β-sandwich structure comprising two or more layers of the β-sheets arranged in the anti-parallel in which these interlayer spacings are not cross-linked with the disulfide bonds; in addition, the dissociation constant Kd of the protein to gold satisfies Kd≤1×10^-5 M.例文帳に追加

金に結合性を有するタンパク質として、前記タンパク質が少なくとも逆平行βシートから成るβシート層が二以上の層を形成するβサンドイッチ構造を有すると共に、前記層間がジスルフィド結合で架橋されておらず、且つ、タンパク質の金に対する解離定数Ｋｄが、Ｋｄ≦１×１０^-5Ｍを満足するタンパク質を提供する。 - 特許庁

In laser hole boring work of a conducting hole for interlayer connection in a build-up type multilayer printed wiring board, a working confirmation mark is provided to the end of a position recognition mark to eliminate such trouble that the hole having been worked is repeatedly worked by mistake even when the hole is a small-diameter hole which can not be determined to have been bored.例文帳に追加

ビルドアップ型の多層のプリント配線板における層間接続用の導通孔のレーザ穴明け加工において、位置認識マークの端部に加工確認マークを設けることにより穴明け済みかどうか判別できないような小径穴に対しても加工済みの穴を誤って重複加工するという不具合を解消する。 - 特許庁

Between layers of the second TFT90 and the transparent substrate 2, a dielectric multilayer film 30 for constituting a light resonance device 3 is formed, and between the layers of dielectric multilayer film 30 and the pixel electrode 4, the interlayer-insulating film 5 at an area flatly superposed on the light emitting layer 65, a gate-insulating film 92, and the insulation-protecting film 20 are removed.例文帳に追加

第２のＴＦＴ９０と透明基板２との層間に、光共振器３を構成する誘電体多層膜３０が形成され、誘電体多層膜３０と画素電極４との層間では、発光層６５と平面的に重なる領域の層間絶縁膜５、ゲート絶縁膜９２および絶縁保護膜２０が除去されている。 - 特許庁

After the etching stopper film 4 is exposed at the bottoms of the opening parts OP3, anisotropic dry etching shall be continued, and using the etching stopper film as an etching mask, contact holes CH1 penetrating an interlayer insulating film 3 to source, drain regions 11, 13 are formed, thereby obtaining the opening parts OP3 and the contact holes CH1 simultaneously in the same etching process.例文帳に追加

開口部ＯＰ３の底部にエッチングストッパ膜４が露出した後も異方性ドライエッチングを続行し、エッチングストッパ膜４をエッチングマスクとして、層間絶縁膜３を貫通してソース・ドレイン領域１１および１３に達するコンタクトホールＣＨ１を形成することで、開口部ＯＰ３とコンタクトホールＣＨ１とを同じエッチング工程で同時に得る。 - 特許庁

In an substantially rectangular remodeled window with a foamed cured body filled in almost the entire space between an existing window frame and a newly mounted window frame, when an interlayer deformation is horizontally applied to the upper side of the remodeled window, the allowable horizontal deformation quantity Δ is larger than C_1+C_2+H/W×(C_3+C_4).例文帳に追加

本発明は、既設窓枠と新設窓枠との間の空間部分の略全体に発泡硬化体が充填された、略長方形の改装窓において、改装窓の上辺に対して水平方向に層間変形を加えた時に、改装窓の許容水平変形量ΔがＣ_１＋Ｃ_２＋Ｈ／Ｗ×（Ｃ_３＋Ｃ_４）より大きくなる改装窓に関する。 - 特許庁

This liquid resin composition for an interlayer for a glass laminate contains (A) a urethane prepolymer having isocyanate groups or (B) a urethane prepolymer having blocked isocyanate groups and (C) a polyamine compound having at least two active hydrogen atoms or a mixture of the polyamine compound with (D) a polyol compound having at least two active hydrogen atoms and does not contain a solvent.例文帳に追加

イソシアネート基を有するウレタンプレポリマー（Ａ）又は該イソシアネート基がブロックされたウレタンプレポリマー（Ｂ）と、活性水素を２個以上有するポリアミン化合物（Ｃ）又は該アミン化合物と活性水素を２個以上有するポリオール化合物（Ｄ）の混合物とを含有し、且つ溶剤を含有しない合わせガラス中間層用液状樹脂組成物。 - 特許庁

In this case, upper layer connection wiring 49, 52, 55 and 58 for connecting the bottom gate electrode 9, source/drain electrodes 10 and top gate electrode 8 of the thin-film transistor 3 to the source/drain electrodes of the thin-film transistors 21 and 22 which are connected to conductive layers 35 and 36 are provided on the interlayer insulating film 40 covering the top gate electrode 8.例文帳に追加

この場合、薄膜トランジスタ３のボトムゲート電極９、ソース・ドレイン電極１０及びトップゲート電極８と薄膜トランジスタ２１、２２のソース・ドレイン電極に接続される導電体層３５、３６とを接続するための上層接続配線４９、５２、５５、５８は、トップゲート電極８を覆う層間絶縁膜４０上に設けられている。 - 特許庁

To provide a primer composition with excellent interlayer adhesiveness when the recoating time is taken long such that the primer composition is applied to a substrate, left for 24 hours and then coated with a radical polymerizable unsaturated resin coating material, and with a long pot life for coating, civil engineering and building structures using the same and a construction method of the civil engineering and building structure using the same.例文帳に追加

基体にプライマー組成物を塗布後一昼夜置いてラジカル重合性不飽和樹脂被覆材を塗布するような塗り継ぎ時間を長く取った場合の層間接着性に優れかつ塗布のための可使時間の長いプライマー組成物、これを用いた土木建築構造体及びこれを用いる土木建築構造体の施工方法にある。 - 特許庁

To provide a film-forming composition having a relatively low dielectric constant, high thermal stability, high mechanical strength and high glass transition temperature, preferably being applied by spin coating and forming a good interlayer insulation film by using a polymer dielectric material enabling to fill the gaps of a surface becoming flat and also patternized, and a method for forming the film.例文帳に追加

比較的低い誘電率、高い熱安定性、高い機械強度及び高いガラス転移温度を与え、好ましくはスピンコーティングにより適用し、平坦になりかつパターン化された表面の間隙を満たすことを可能にするポリマー誘電体を用い良好な層間絶縁膜を形成できる膜形成用組成物及び膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

This method of manufacturing a multilayer printed wiring board comprises a first process of feeding conductive paste whose volume is larger than the capacity of a blind hole into the blind hole for interlayer connection and then giving acceleration to the conductive paste and a second process of removing an excess of the conductive paste supplied to the blind hole.例文帳に追加

非貫通孔の容積以上の体積の導電性ペーストを層間接続のための非貫通孔部分に供給した後、導電性ペーストに加速度を与えることにより、導電性ペーストを非貫通孔に充填するプロセス、及び非貫通孔の容積に対して過剰な導電性ペーストを除去するプロセスを有する多層プリント配線板の製造方法。 - 特許庁

First, a TEG film E of the wafer W formed with a low dielectric constant interlayer insulation film (Low-k film) is cut to a predetermined depth by a first blade 10, and then the wafer W is cut from above the groove cut out by the first blade 10 by means of a second blade 11 which is wider than the first blade 10.例文帳に追加

低誘電率の層間絶縁膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）が形成されたウェーハＷのＴＥＧ膜Ｅを第１のブレード１０により所定深さまで切削し、第１のブレード１０よりも幅の厚い第２のブレード１１により、第１のブレード１０が切削した溝上を第２のブレード１１で切削し、ウェーハＷの切断を行なう。 - 特許庁

Then, a resist pattern 11 and the foreign matter defects are removed by a process, which selectively embeds organic compound 9 in the wiring embedding groove 5 and an organic repaired film 10, a process, which forms a resist pattern 11 for forming the wiring embedding groove 5 again, and a process, which etches the interlayer insulating film and the organic repaired film 10 at the same time.例文帳に追加

そこで配線埋込溝５に有機化合物９を選択的に埋め込み有機修復膜１０を形成する工程、配線埋込溝５形成のためのレジストパターン１１を再度形成する工程、層間絶縁膜２と有機修復膜１０を同時にエッチングする工程を行うことによってレジストパターン１１，異物欠陥が除去される。 - 特許庁

To provide a solid imaging device and the manufacturing method thereof wherein the optical reflection caused by the difference between the refractive index of a wiring interlayer film and the one of a metal-diffusion preventing film is reduced, without the conventional selective removal of the metal-diffusion preventing film disposed above a sensor portion, and the diffusion of its metal wiring to its semiconductor substrate can be prevented.例文帳に追加

従来のようにセンサ部の上方の金属拡散防止膜を選択的に取り除くことなしに、配線層間膜と金属拡散防止膜との屈折率の違いによる光の反射を低減するとともに、半導体基板への金属配線の拡散を防止することができる固体撮像装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor device includes steps of: forming a copper oxide film 21 only on the surface of wiring 15 embedded in an interlayer insulating film 12 and composed of copper or a copper alloy; selectively removing the copper oxide film 21; and forming the cap film 31 which prevents the diffusion of copper only on areas from which the copper oxide film 21 is removed.例文帳に追加

層間絶縁膜１２に埋め込まれた銅もしくは銅合金からなる配線１５の表面のみに酸化銅膜２１を形成する工程と、酸化銅膜２１を選択的に除去する工程と、酸化銅膜２１を除去した領域のみに銅の拡散を防止するキャップ膜３１を形成する工程とを備えた半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

The semiconductor device comprises: the gate electrode 2 so formed as to include a linear portion; dummy electrode 18 formed on an extension line of the linear portion of the gate electrode 2; stopper insulation film 5; side wall insulation film 3; interlayer insulation film; and linear contact section 11 extended in parallel with the linear portion of the gate electrode 2 when viewed from the top.例文帳に追加

半導体装置は、直線部分を含むように形成されたゲート電極２と、上記直線部分の延長上の位置において形成されたダミー電極１８と、ストッパ絶縁膜５と、サイドウォール絶縁膜３と、層間絶縁膜と、上から見たときに上記直線部分に平行に延びる直線状コンタクト部１１とを備える。 - 特許庁

In the lamp-edge type superconducting junction using an oxide superconductor, an upper superconducting electrode 24 is extended along a slope composed of a lower superconducting electrode 22 and an interlayer insulating film 23 and, at the same time, is terminated at an appropriate location between the junction 25 with the lower superconducting electrode 22 and the top of the slope of the insulating film 23.例文帳に追加

酸化物超伝導体を用いたランプエッジ型超伝導接合に於いて、上部超伝導電極２４が下部超伝導電極２２と層間絶縁膜２３とからなる斜面に沿って延在すると共に下部超伝導電極２２との接合部分２５を越え層間絶縁膜２３の斜面を越えるまでの適所で終端された構造になっている。 - 特許庁

The forming method of the capacitor storage node of the semiconductor device comprises the steps of providing a semiconductor substrate on which an interlayer insulating film is formed, forming a first contact hole, forming a first insulating film, forming the storage node contact plug, depositing a second insulating film, depositing a third insulating film, forming a second contact hole, and depositing the storage nodes.例文帳に追加

層間絶縁膜が形成された半導体基板を提供するステップと、第１コンタクトホールを形成するステップと、第１絶縁膜を形成するステップと、ストレージノードコンタクトプラグを形成するステップと、第２絶縁膜を蒸着するステップと、第３絶縁膜を蒸着するステップと、第２コンタクトホールを形成するステップと、ストレージノードを蒸着するステップとを含む。 - 特許庁

The resin interlayer 18 is arranged in between a first layer 15 contacting with the first glass plate 12 and a second layer 16 contacting with the second glass plate 14 and includes a third layer 17 of which the Shore harness measured with a durometer at 20°C or higher but 40°C or lower is lower than those of the first layer 15 and the second layer 16.例文帳に追加

樹脂中間膜１８は、第１ガラス板１２に接する第１層１５と、第２ガラス板１４に接する第２層１６と、第１層１５と第２層１６との間に配置され、かつ２０℃以上４０℃以下でのデュロメータ測定によるショア硬度が第１層１５および第２層１６よりも小さい第３層１７とを含む。 - 特許庁

Each organic EL element has a thick film 33ac of relatively large film thickness provided nearby the center of an exposed part where a portion of a lower electrode is not covered with an interlayer insulating film 33b to be exposed, and a thin film 33ae of relatively small film thickness arranged on the exposed part and nearby an end of the exposed part.例文帳に追加

各有機ＥＬ素子が、下部電極の一部が層間絶縁膜３３ｂによって被覆されずに露出した露出部の中央部近傍に配置された膜厚が相対的に大きな厚膜部３３ａｃと、露出部上であって当該露出部の端部近傍に配置された膜厚が相対的に小さな薄膜部３３ａｅとを有する。 - 特許庁

To provide a fuel system resin hose which is excellent in fuel barrier properties, heat resistance, heat-aging resistance and has high interlayer adhesive force of each layer even when each layer is laminated directly (direct lamination structure) without forming an adhesive layer on the interface of each layer and without being subjected to adhesive treatment such as plasma treatment (without using an adhesive).例文帳に追加

燃料低透過性、耐熱性や耐熱老化性に優れるとともに、各層の界面に接着剤層を形成したり、プラズマ処理等の接着処理を行うことなく（接着剤レスで）、各層を直接積層する直接積層構造としても、各層の層間接着力に優れている燃料系樹脂ホースを提供する。 - 特許庁

An insulation film 31 with a thickness equal to or larger than that of a gate-insulated film 13 and thinner than an interlayer insulation film covering a gate electrode 14 is formed on the surface of a floating p-region 7, and an emitter potential region 32 with emitter potential applied is formed on it, thereby forming a relatively large capacitor between the region 7 and an emitter electrode 11.例文帳に追加

浮遊ｐ領域７の表面上に、ゲート絶縁膜１３と同じかそれよりも厚く、かつゲート電極１４を覆う層間絶縁膜よりも薄い絶縁膜３１を設け、その上にエミッタ電位が印加されるエミッタ電位領域３２を設けることにより、浮遊ｐ領域７とエミッタ電極１１との間に比較的大きなキャパシタを形成する。 - 特許庁

In the sealing ring 30 for crack stoppers, namely a laminated structure formed on a semiconductor substrate 11 outside the integrated circuit region 31, first, second, and third dummy metal layers 20, 21, 22 are laminated while sandwiching first, second, and third interlayer insulating films 12, 14, 16, respectively.例文帳に追加

クラックストッパ用シールリング３０は、集積回路領域３１の外の半導体基板１１上に形成された積層構造体であり、第１ダミー金属層２０、第２ダミー金属層２１、第３ダミー金属層２２が、それぞれ、第１層間絶縁膜１２、第２層間絶縁膜１４、第３層間絶縁膜１６を間に挟んで積層されている。 - 特許庁

To obtain a coating composition capable of forming a coating film having excellent crack resistance, preservable stability, transparency, heat resistance and low dielectric as an optical material such as core or clad material for an optical waveguide, a protective film for a TFT substrate for an organic electroluminescence element and for a liquid crystal display element or a semiconductor insulating film such as an interlayer insulating material.例文帳に追加

光導波路のコアやクラッド材などの光学材料や有機電界発光素子や液晶表示素子などにおけるＴＦＴ基板用保護膜、層間絶縁材料などの半導体絶縁膜として耐クラック性、貯蔵安定性、透明性、耐熱性、低誘電性に優れた塗膜が形成可能なコーティング用組成物を得ること。 - 特許庁

In the semiconductor device manufacturing method, a Cu containing TiN layer which functions as a cap layer 130 (310) is formed by using a Cu containing Ti target, and Cu contained in the Cu containing TiN layer is diffused by heat treatment to an Al-Cu wiring 120 (320) located in an electrical connection part with the interlayer wiring 200.例文帳に追加

キャップ層１３０（３１０）として働くＣｕ含有ＴｉＮ層がＣｕ含有Ｔｉターゲットを用いて形成され、Ｃｕ含有ＴｉＮ層に含有されたＣｕを、熱処理により、層間配線２００との電気的接続部に位置するＡｌ−Ｃｕ配線１２０（３２０）に拡散させることを特徴とする半導体装置製造方法。 - 特許庁

To lessen face width size of a mullion by preventing damage of a glass during interlayer displacement, making the mullion of joint width between the adjacent gasses in upper and lower directions, and making the minimum size considering temperature movement of the glass in a curtain wall structure supported through a glass receiving member fixing self weight of glass without having a transom on the mullion.例文帳に追加

無目を有さずガラスの自重を方立に固定したガラス受け部材を介して支持させるようにしたカーテンウォール構造において、層間変位時にガラスの破損を防止するとともに、上下方向に隣接するガラス間の目地幅を方立、ガラスの温度ムーブメントを考慮した最小寸法とし、かつ方立の見付け幅寸法を小さくする。 - 特許庁

The step includes a step to pattern the organic insulating film 33, a step to apply plasma to the substrate including the organic insulating film 33, a step to form contact holes 26, 27 throughout the inorganic insulating film 32, a step to deposit the transparent conductive film on the interlayer insulating film, and a step to form the transparent electrodes 71, 72 by patterning the transparent conductive film.例文帳に追加

その工程は、有機絶縁膜３３をパターン形成する工程と、有機絶縁膜３３を含む基板にプラズマ処理を施す工程と、無機絶縁膜３２にコンタクトホール２６，２７を開口する工程と、層間絶縁膜上に透明導電膜を堆積する工程と、透明導電膜をパターニングして透明電極７１、７２を形成する工程とを含む。 - 特許庁

To provide a heat shrinkable multilayer film and a heat shrinkable label which uses the heat shrinkable multilayer film as a base film wherein no delamination occurs in being affixed when it is used as the heat shrinkable label of a container, which is excellent in heat resistance, oil resistance, tearability along perforation and appearance, and which can prevent interlayer strength after printing process from decreasing.例文帳に追加

容器の熱収縮性ラベルとして用いた場合、装着時に層間剥離が発生することがなく、耐熱性、耐油性、ミシン目におけるカット性、外観に優れるとともに、印刷工程後の層間強度の低下を防止することが可能な熱収縮性多層フィルム及び該熱収縮性多層フィルムをベースフィルムとする熱収縮性ラベルを提供する。 - 特許庁

A semiconductor integrated circuit module (radio communication module) includes: a flexible substrate 15; a semiconductor circuit chip (radio IC chip 10) provided on the flexible substrate 15; a coil pattern 20 which is formed on the flexible substrate 15 and coupled to the semiconductor circuit chip (radio IC chip 10); and a reinforcement member (interlayer conductor 26) for reinforcing strength of the flexible substrate 15.例文帳に追加

フレキシブル基板１５と、該フレキシブル基板１５に設けられた半導体回路チップ（無線ＩＣチップ１０）と、フレキシブル基板１５に形成されて半導体回路チップ（無線ＩＣチップ１０）に結合されているコイルパターン２０と、フレキシブル基板１５強度を補強するための補強部材（層間導体２６）とを備えた半導体集積回路モジュール（無線通信モジュール）。 - 特許庁

Lower layer portions 72, 71 among SD wiring lines 71, 72, 73, 74 consisting of multilayers formed on the interlayer insulating film 6 are determined as the lower electrodes of the organic EL layers 9 and a passivation film 8 covering the TFT and SD wiring line is provided with a role of a bank to separate pixels.例文帳に追加

ＴＦＴを覆って層間絶縁膜６を形成し、層間絶縁膜６上に形成された多層膜からなるＳＤ配線７１、７２、７３、７４のうちの下層部分７２、７１を有機ＥＬ層９の下部電極とし、前記ＴＦＴと前記ＳＤ配線を覆うパッシベーション膜８に画素を分離するバンクの役割を持たせる。 - 特許庁

The method includes: a step of providing the semiconductor substrate in which a transistor including junctions are formed, a step of performing a first heat treatment step in which a protective film is formed on the top of a semiconductor substrate including junctions, and a step of forming an interlayer dielectric on the semiconductor substrate including a protective film.例文帳に追加

接合領域を含むトランジスタが形成された半導体基板が提供される段階と、接合領域を含む半導体基板の上部に保護膜を形成する第１の熱処理工程を行う段階と、保護膜を含む半導体基板上に層間絶縁膜を形成する段階とを含む構成としたことを特徴とする。 - 特許庁

Then, an opening portion 15 is formed on the first interlayer insulating film 13 so that the upper surface of the conductive thin film 14 is exposed, and thinning treatment is carried out onto the conductive thin film 14 formed on the bottom of the opening portion 15, and then oxidation treatment is carried out onto the surrounding portion of the exposed conductive thin film 14.例文帳に追加

そして、第１層間絶縁膜１３に対して導電性薄膜１４の上面が露出するように所定位置に開口部１５を形成し、当該開口部１５の底面に形成されている導電性薄膜１４を薄膜化処理した後、当該露出されている導電性薄膜１４の周辺部分に酸化処理を施す。 - 特許庁

In manufacturing the semiconductor device (e.g. TFT), a film applied with polysilazane (-(SiH_2NH)-) used as, for example, an interlayer dielectric is formed on a substrate 100, and thermal processing using a thermal source of flames of a gas burner using a mixed gas of hydrogen and oxygen as a fuel is performed to bake the polysilazane-applied film and to modify the polysilazane conversion SiO_2.例文帳に追加

半導体装置（例えば、ＴＦＴ）の製造において、基板１００上に例えば層間絶縁膜となる、ポリシラザン（−（ＳｉＨ_2ＮＨ）−）塗布膜を形成し、水素及び酸素の混合ガスを燃料とするガスバーナーの火炎を熱源とした熱処理を施し、ポリシラザン塗布膜を焼成するとともに、ポリシラザン転化ＳｉＯ_2の改質を行う。 - 特許庁

The charge control agent for the electrophotographic toners consisting of an interlayer compound intercalated with a cationic surfactant between layers of clay minerals having a laminar structure and the electrophotographic toners containing a binder resin, release agent and charge control agent, in which the charge control agent is the charge control agent for the electrophotographic toners.例文帳に追加

層状構造を有する粘土鉱物の層間に、陽イオン性界面活性剤がインターカレーションされてなる層間化合物からなる電子写真トナー用電荷調整剤、結着樹脂、離型剤及び電荷調整剤を含有してなる電子写真用トナーであって、該電荷調整剤が前記電子写真トナー用電荷調整剤である電子写真用トナー。 - 特許庁

In this case, the substrate is heated in a hydrogen-containing atmosphere, after the step of forming the interlayer insulating film and prior to the step of forming the metallic wiring in which the barrier metal layer contains titanium.例文帳に追加

シリコン基板上に、層間絶縁膜を形成する工程と、バリアメタル層にチタンを含む金属配線を形成する工程有する半導体装置の製造方法において、前記層間絶縁膜を形成する工程の後で、かつ前記バリアメタル層にチタンを含む金属配線を形成する工程の前に、水素を含む雰囲気での熱処理を行うこととした。 - 特許庁

To appropriately inhibit high-frequency noise without mounting a capacitor to a multilayer circuit board, by easily increasing capacitance in the capacitor using the interlayer insulating layer of the multilayer circuit board as a dielectric layer, and by increasing and reducing the density and thickness of a circuit, respectively.例文帳に追加

多層回路基板及びその製造方法に関し、多層回路基板にコンデンサを搭載することなく、高周波ノイズを良好に抑止できるようにする為、多層回路基板の層間絶縁層を誘電体層とするキャパシタに於けるキャパシタンスを容易に増大させることができるようにし、回路の高密度化及び微細化を進めることを可能にする。 - 特許庁

To provide abrasive and a polishing method that can efficiently remove and make flat the excessive film formation layer of a silicon oxide film and an embedded film, such as metal at a high level and easily control processes in a recess CMP technique, such as shallow trench isolation formation and metal embedded wiring formation, and the planarization CMP technique of an interlayer insulating film.例文帳に追加

シャロー・トレンチ分離形成、金属埋め込み配線形成等のリセスＣＭＰ技術及び層間絶縁膜の平坦化ＣＭＰ技術において、酸化珪素膜、金属等の埋め込み膜の余分な成膜層の除去及び平坦化を効率的、高レベルに、かつプロセス管理も容易に行うことができる研磨剤及び研磨方法を提供する。 - 特許庁

In a capacitance element region 1 on a semiconductor substrate constituting a semiconductor device, a wiring layer of the semiconductor device is not formed in an upper region of a forming position of the semiconductor element on a first interlayer dielectric 8 to cover this capacitance element, and dummy patterns 2, 2a to be dummy wiring layers are formed at a peripheral of the upper region.例文帳に追加

半導体装置を構成する半導体基板上の容量素子領域１において、この容量素子を被覆する第１層間絶縁膜８上であって上記半導体素子の形成位置の上部領域には半導体装置の配線層が形成されず、上記上部領域の周辺部にダミー配線層となるダミーパターン２，２ａが形成される。 - 特許庁

The gate electrode comprises a first gate electrode 17A, formed so as to have a recess inside the trench 15 along the gate insulating film 16, an interlayer insulating film 18 formed along the surface on this recess side, and a second gate electrode 19A formed to fill the recess and consisting of the same material as the first gate electrode 17A.例文帳に追加

ゲート電極は、ゲート絶縁膜１６に沿ってトレンチ１５内部に凹部を有するように形成される第１のゲート電極１７Ａと、この凹部側の表面に沿って形成される層間絶縁膜１８と、凹部を埋め込むように形成され第１のゲート電極１７と同一の材料からなる第２のゲート電極１９Ａとを有する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises lower storage nodes 10a-10d provided on a main surface 1a of a silicon substrate 1; a dielectric film 15 provided on the lower storage nodes 10a-10d; an upper cell plate electrode 11 provided on the dielectric film 15; and an interlayer insulating film 3 for covering the upper cell plate electrode 11.例文帳に追加

半導体装置は、シリコン基板１の主表面１ａ上に設けられた下部ストレージノード電極１０ａから１０ｄと、下部ストレージノード電極１０ａから１０ｄ上に設けられた誘電体膜１５と、誘電体膜１５上に設けられた上部セルプレート電極１１と、上部セルプレート電極１１を覆う層間絶縁膜３とを備える。 - 特許庁

The reflection electrode 24 electrically connected to the drain electrode 7 through a contact hole 11 formed in an interlayer insulation film 9 is formed in a two layer structure and an upper layer reflection electrode 24a disposed as an upper layer is formed by using Al and a lower layer reflection electrode 24b disposed as a lower layer is formed by using an alloy consisting essentially of Al.例文帳に追加

層間絶縁膜９に形成されたコンタクトホール１１を介してドレイン電極７と電気的に接続する反射電極２４を二層構造とし、上層に配置された上層反射電極２４ａをＡｌにて形成して、下層に配置された下層反射電極２４ｂをＡｌを主成分とする合金にて形成する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the sputtering target material for Ni-W based interlayer, Ni-W based alloy powder made by a gas-atomizing method, is used as raw material powder, and this is solidified and formed at 900-1150°C, for obtaining the sputtering target material containing 5-20 at% W and the balance Ni with inevitable impurities.例文帳に追加

ａｔ％で、Ｗ：５〜２０％を含み、残部Ｎｉおよび不可避的不純物からなるスパッタリングターゲット材において、ガスアトマイズ法により作製したＮｉ−Ｗ系合金粉末を原料粉末とし、これを９００〜１１５０℃の温度で固化成形したことを特徴とするＮｉ−Ｗ系中間層用スパッタリングターゲット材の製造方法。 - 特許庁

The image sensor includes a semiconductor substrate where a circuit region is formed, an interlayer insulating film containing a plurality of metal wires formed on the semiconductor substrate, a plurality of pixel patterns that are connected to the metal wires and contain a lower electrode and a first conductive transmitting layer, and dummy pixel patterns among the pixel patterns.例文帳に追加

本発明によるイメージセンサは、回路領域が形成された半導体基板と、上記半導体基板の上に形成されて複数の金属配線を含む層間絶縁膜と、上記金属配線と連結されて下部電極及び第１導電型伝導層を含む複数のピクセルパターンと、上記ピクセルパターン間に形成されたダミーピクセルパターンとを含む。 - 特許庁

The liquid crystal display device of both transmission and reflection type is constituted, by taking the misalignment of interlayer insulating films 3 and reflection electrode materials 4 and 5 into consideration so as to avoid the direct contact of the electrode material constituting the transmissible display part and the electrode materials 4, 5 constituting the reflection display part in the boundary region of the transmissible display part and the reflection display part.例文帳に追加

透過反射両用型の液晶表示装置の透過表示部と反射表示部との境界領域において、透過表示部を構成する電極材料と反射表示部を構成する電極材料とが直接接触しないように、層間絶縁膜と反射電極材料との位置合わせずれを考慮した構成とする。 - 特許庁

A perpendicular magnetic recording medium includes a nonmagnetic interlayer formed on a nonmagnetic substrate, an antiferromagnetic layer having a thickness of 2 nm or more and 30 nm or less, a first nonmagnetic underlayer having a thickness of 0.2 nm or more and 5 nm or less, a first bit patterned ferromagnetic layer, a first bit patterned nonmagnetic layer, and a second bit patterned ferromagnetic layer.例文帳に追加

非磁性基板上に形成された非磁性中間層、２ｎｍ以上３０ｎｍ以下の厚さを有する反強磁性層、０．２ｎｍ以上５ｎｍ以下の厚さを有する第１の非磁性下地層、第１のビットパターン状強磁性層、第１のビットパターン状非磁性層、第２のビットパターン状強磁性層を有する垂直磁気記録媒体。 - 特許庁