「Interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(120ページ目) - Weblio英語例文検索

The original plate for the planographic printing plate is characterized by sequentially disposing an interlayer containing a compound which contains a metal element with two or more valences and a photosensitive layer containing an infrared ray absorbent, a radical generator and a radical polymerizable compound on an aluminum support which has a roughened surface with an anodic oxidation coating film formed thereon.例文帳に追加

粗面化し陽極酸化被膜を形成したアルミニウム支持体上に、２価以上の金属元素を含む化合物を含有する中間層、赤外線吸収剤、ラジカル発生剤及びラジカル重合性化合物を含有する感光層を順次設けてなることを特徴とする平版印刷版用原版。 - 特許庁

In the head 10, the magnetic core 13 constituting the magnetic core is made to be a thin film lamination structure in order to reduce an eddy current loss and insulating materials 14 are used as interlayer insulating materials.例文帳に追加

金属磁性薄膜１３ａを積層した金属磁性膜１３を磁気コアとする磁気ヘッド１０であって、磁気コアを構成する金属磁性膜１３は渦電流損失を低減するため薄膜積層構造になっており、層間絶縁性材料として絶縁性の磁性材料１４を用いた磁気ヘッド１０を提供する。 - 特許庁

The volume of a silicon oxide film 17 on an interlayer insulating film 16 in the neighborhood of the control hole C3 in shunt wiring by providing source wiring in a region between a contact portion in the shunt wiring of a selective transistor on a source side and shunt wiring of an adjacent selective transistor.例文帳に追加

ソース側の選択トランジスタのシャント配線のコンタクト部と、隣接する選択トランジスタのシャント配線との間の領域にもソース線の配線を設けることにより、シャント配線のコンタクトホールＣ３付近の層間絶縁膜１６上のシリコン酸化膜１７の体積を低減していることを特徴としている。 - 特許庁

A first interlayer insulating film 205 is formed on a semiconductor substrate 201 where an element isolation film 202 and a Tr are formed, then a bit line connection hole 206 and a connection conduction pad connection hole 207 are provided, and a first conductive layer is formed and patterned for the formation of a bit line 208 and a connection conduction pad 209.例文帳に追加

素子分離膜２０２とＴｒが形成された半導体基板２０１上に第１層間絶縁膜２０５を形成後、ビット線用接続孔２０６と接続導通パッド用接続孔２０７を形成し、全体の上に第１伝導層を形成しパターニングしてビット線２０８及び接続導通パッド２０９を形成する。 - 特許庁

A highly heat-resistant flat film 16, typically an interlayer dielectric film (which forms a base film of a light emitting element later) of a TFT constituting skeleton structure by bonding silicon (Si) and oxygen (O) is formed by a coating method, and after the film formation, an end part or an opening part is formed in a tapered shape.例文帳に追加

本発明は、高耐熱性平坦化膜１６、代表的にはシリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成されるＴＦＴの層間絶縁膜（後に発光素子の下地膜となる膜）の形成方法として塗布法を用い、成膜後に端部または開口部をテーパー形状とする。 - 特許庁

The photosensitive resin composition for the interlayer dielectric comprises an alkali-soluble resin component (A) and a photosensitive agent (B), wherein the alkali-soluble resin component (A) comprises a copolymer (A1) comprising a constitutional unit (a1) containing an acidic group, a constitutional unit (a2) containing a crosslinking group and a constitutional unit (a3) containing an alkoxysilyl group.例文帳に追加

アルカリ可溶性樹脂成分（Ａ）及び感光剤（Ｂ）を含む層間絶縁膜用感光性樹脂組成物であって、前記アルカリ可溶性樹脂成分（Ａ）が酸性基含有構成単位（ａ１）、架橋性基含有構成単位（ａ２）及びアルコキシシリル基含有構成単位（ａ３）を含む共重合体（Ａ１）を含む。 - 特許庁

A first interlayer insulating film 7 covering an MOSFET (the semiconductor device) 100 is formed on the main surface of a semiconductor substrate 1 and on the top face of a gate electrode 5, and a first wiring layer 9 is formed in the region other than above the channel region 6 of the MOSFET 100 on the top face thereof.例文帳に追加

半導体基板１の主面上及びゲート電極５の上面上には、ＭＯＳＦＥＴ（半導体素子）１００を被覆する第一層間絶縁膜７が形成され、その上面上の前記ＭＯＳＦＥＴ１００のチャネル領域６の上方以外の領域には第一配線層９が形成されている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a display panel having reflection plates with which a reflection plate forming material is exposed by one operation with optimum exposure in simultaneously applying photolithography to the reflection plate forming material existing on an interlayer film and in a contact hole, and further a distance between mutually adjacent reflection plates close to a mask designed value is materialized within a short time period.例文帳に追加

層間膜上及びコンタクトホール内の反射板形成材料に対して同時にフォトリソグラフィー法を適用する際、一括して最適露光量で露光でき、しかも短時間でマスク設計値に近い隣接する反射板間距離を実現できる反射板を有する表示パネルの製造方法を提供すること。 - 特許庁

The semiconductor device comprises an organic film layer 12 having a function of an interlayer insulation formed on a nitride film 11 for protecting aluminum wirings of an LSI chip 10, in such a manner that the film layer 12 on an aluminum pad 13 is removed by a photolithography; and a contact hole formed to connect a metal layer 14 laminated on the film layer 12.例文帳に追加

ＬＳＩチップ１０のアルミ配線を保護する窒化膜１１の上に、層間絶縁の働きをする有機膜層１２が形成され、アルミパッド１３上の有機膜層１２がフォトリソグラフィにより除去され、有機膜層１２に積層されるメタル層１４との接続のためのコンタクトホールが形成される。 - 特許庁

On a top structural layer 54, made up of a stacked interlayer insulating film, and the like; an opening 92 is formed, a planarizing frame 90 is formed, by using the top metal wiring layer of the top structural layer 54 so as to surround the opening; and the surface of the top structural layer 54 on the outer edge of the opening 92 is planarized.例文帳に追加

層間絶縁膜等を積層して構成され、開口部９２が形成される上部構造層５４には、その最上層の金属配線層を用いて、開口部を取り囲む平坦化フレーム９０が形成され、開口部９２の外縁部における上部構造層５４の表面を平坦化する。 - 特許庁

A first interlayer insulating film 2 laminating a first etching stopper layer 2a, a porous first dielectric constant film 2b, a first cap layer 2c, is formed on a lower layer wiring 1, and a via-hole 4 is also formed with the dry etching method using a resist mask 3 by utilizing a fluorocarbon gas including a large amount of carbon such as C_4F_8.例文帳に追加

下層配線１上に第１エッチングストッパー層２ａ、多孔質の第１低誘電率膜２ｂおよび第１キャップ層２ｃの積層した第１層間絶縁膜２を形成し、Ｃ_４Ｆ_８のような炭素含有量が多いフルオロカーボンガスを用いレジストマスク３を使用したドライエッチングによりビアホール４を形成する。 - 特許庁

In this wiring board 100, first solid conductor layers 126 are formed in the interlayer 136 between a core substrate 110 and a resin insulating layer 122 and first bumps 134b are connected to the first capacitor terminals 115b of the chip capacitors 113 through first via conductors 132b, the first solid conductor layers 126, and first through hole conductors 112b.例文帳に追加

配線基板１００は、コア基板１１０と樹脂絶縁層１２２との層間１３６に第１ベタ導体層１２６を形成し、第１ビア導体１３２ｂと第１ベタ導体層１２６と第１スルーホール導体１１２ｂとによって、第１バンプ１３４ｂとチップコンデンサ１１３の第１コンデンサ端子１１５ｂとを接続させる。 - 特許庁

The capacitor comprises an interlayer insulation film pattern arranged on a semiconductor substrate having an opening for exposing the upper surface of the semiconductor substrate, a silicide pattern formed on the semiconductor substrate exposed through the opening, and a lower electrode covering the inner wall of the opening where the silicide pattern is formed.例文帳に追加

本発明によるこのキャパシタは、半導体基板上に配置されて半導体基板の上部面を露出させる開口部を有する層間絶縁膜パターン、開口部を通じて露出された半導体基板に形成されるシリサイドパターン及びシリサイドパターンが形成された開口部の内壁を覆う下部電極を含む。 - 特許庁

To provide a method for producing a highly reliable heat dissipation substrate for mounting in semiconductor which has stable heat dissipation functionality and mechanical strength, and which is free from interlayer peeling because metal layers are formed in integrated form.例文帳に追加

合せ材を用いなく、用いても層の中心部の基材にのみ用いることにして鋭意研究を重ねてきたもので、各金属層が不離一体に形成されるために、層間において剥離が生じなく、安定した放熱性および機械的強度を保持する信頼性の高い半導体搭載用放熱基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a positive radiation-sensitive composition for forming an interlayer insulating film which has excellent light resistance and heat resistance and inhibits decrease in transmittance and in a voltage retention rate through maintaining high radiation sensitivity of the radiation-sensitive composition and suppressing generation of radicals and peroxides.例文帳に追加

感放射線性組成物の放射線感度を高いレベルに保ちつつ、ラジカルや過酸化物の発生を抑制することで、優れた耐光性及び耐熱性を有し、かつ透過率及び電圧保持率の低下を抑えた層間絶縁膜等を形成可能なポジ型感放射線性組成物を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a barrier sealant film which has an intermediate layer composed of a relatively soft barrier resin layer having high oxygen-barrier ability and sufficiently high interlayer adhesive strength.例文帳に追加

耐衝撃性に優れ、且つ高い酸素バリア性を有する、比較的柔軟なバリア性樹脂層を提供することができ、また、このバリア層をシーラントフィルムの中間層として用いてバリア性シーラントフィルムを提供することができ、しかも層間の接着強度が十分に高いバリア性シーラントフィルムを提供することができるものである。 - 特許庁

To provide a recording and reproducing system of a multilayer structure disk, which reduces the influence of interlayer crosstalk and performs high quality recording and reproduction.例文帳に追加

従来の多層光情報記録媒体では、一番奥の情報層の位置は、記録再生光入射側表面からみて０．１mm程度に制限されているため、情報層を複数設けるほど、情報層を隔てる中間層厚みが薄くなり、層間クロストークの影響で記録再生品質が悪化するといった課題が生じる。 - 特許庁

Thereby, a C surface of a crystal gain stands up along a thickness direction of the layer, and a stacked body with a crystal structure in which an interlayer interface exists is manufactured.例文帳に追加

冷却面垂直方向から、溶融された材料を、冷却面に向けて供給するとともに、溶融材料の加速力により溶融材料を冷却面に押し付けつつ一層毎に急冷凝固させて、層の厚さ方向に沿って結晶粒のＣ面が起立し、層間界面が存在する結晶構造の積層体を製造する。 - 特許庁

This ethylene-α-olefine copolymer rubber composite material comprises an organic-modified layered clay mineral in the interlayer of which an organic substance with an onium ion is inserted, an ethylene-α-olefine copolymer rubber and an epoxy resin, wherein the organic-modified layered clay mineral is exfoliated and finely dispersed.例文帳に追加

層間にオニウムイオンを有する有機物を挿入した有機変性層状粘土鉱物と、エチレン・α−オレフィン系共重合体ゴムとエポキシ化合物を含み、かつ上記有機変性層状粘土鉱物が層間分離して微分散したエチレン・α−オレフィン系共重合体ゴム複合材料にある。 - 特許庁

At least one semiconductor element having an n- polysilicon layer 4 and an n+ type polysilicon layer 5 is formed within an interlayer insulating film 2 as electrically insulated therefrom, and surfaces of the semiconductor elements are mutually connected by means of their electrodes (upper electrode 6 or lower electrode 3).例文帳に追加

層間絶縁膜２内にｎ^-型ポリシリコン層４およびｎ^+型ポリシリコン層５から成る少なくとも１つの半導体素子が電気的に絶縁されて形成されるとともに、各半導体素子のそれぞれの表面が、それぞれ電極（上部電極６または下部電極３）によって相互に接続されている。 - 特許庁

The interlayer insulation film composed of 3-dimensional polymeric macromolecules by polymerizing first cross-linked molecules having 3-dimensional structure by having three functionality groups or more in a same molecule and second cross-linked molecules having 2-dimensional structure by having two functionality groups in a same molecule is formed.例文帳に追加

同一分子内に３つ以上の官能基群を持つことにより３次元構造を有している第１の架橋分子と、同一分子内に２つの官能基群を持つことにより２次元構造を有している第２の架橋分子とを重合させて３次元重合高分子からなる層間絶縁膜を形成する。 - 特許庁

According to the projecting part 43a, the distance between the pixel electrode 9a and the data line 6a is widened as compared with the case where the third interlayer insulating film 43 is formed as a uniform insulating film, and parasitic capacity generated by using the pixel electrode 9a and the data line 6a as capacitance electrodes is reduced.例文帳に追加

このような凸部４３ａによれば、第３層間絶縁膜４３を一様な絶縁膜として形成する場合に比べて、画素電極９ａ及びデータ線６ａ間の距離を広げることができ、画素電極９ａ及びデータ線６ａの夫々を容量電極として発生する寄生容量を低減できる。 - 特許庁

To provide a composition for forming a porous insulating film which can form a silicone film suitable for use as an interlayer insulating film in a semiconductor device and the like and having an appropriate uniform thickness, is excellent in heat resistance, hardly causes a crack and is also excellent in dielectric characteristics and reflow properties, and the like.例文帳に追加

半導体素子などにおける層間絶縁膜として使用するのに適した、適当な均一な厚さを有するシリコーン系膜が形成可能であり、しかも耐熱性に優れ、クラックが生じ難く、更に誘電率特性およびリフロー性に優れた多孔質絶縁膜形成用組成物等を提供すること。 - 特許庁

The chemical mechanical polishig method comprises a step of polishing the semiconductor integrated circuit with the silica system film obtained by coating a composite for forming the film including a siloxane resin (a), and an alkylene glycol dialkylehter or a dialkylene glycol dialkylehter (b) used as the interlayer insulating film with the use of a polishing liquid including no inorganic abrasive grain.例文帳に追加

（ａ）シロキサン樹脂と、（ｂ）アルキレングリコールジアルキルエーテル又はジアルキレングリコールジアルキルエーテルと、を含有してなる被膜形成用組成物を塗設して得られたシリカ系被膜を層間絶縁膜として用いた半導体集積回路を、無機砥粒を含まない研磨液で研磨することを特徴とする化学的機械的平坦化方法。 - 特許庁

To provide a deodorizing filter medium having neither structural problems such as interlayer exfoliation nor problems in productivity and exhibiting the deodorizing performance more excellent than that of the filter medium obtained by using a polyurethane base material because of the laminar effect equal to that of the filter medium having a honeycomb structure.例文帳に追加

層間剥離等の構造上の問題や生産性の問題を生じることなく、しかも上記ハニカム構造基体を用いた場合と同等の層流効果により、ポリウレタンフォーム基材を用いた場合を凌駕する優れた脱臭性能を発揮し得る脱臭フィルターを提供することを目的とする。 - 特許庁

In an electrostatic image-developing toner comprising a colored resin particle comprising a binder resin and a coloring agent and an external additive, the external additive comprises a microparticle of an inorganic layered clay compound, and the interlayer distance between the layers of the inorganic layered clay compound is 1.5 to 4 nm.例文帳に追加

結着樹脂及び着色剤を含んでなる着色樹脂粒子、並びに外添剤を含有する静電荷像現像用トナーにおいて、該外添剤が、無機層状粘土化合物の微粒子を含有し、該無機層状粘土化合物の層間距離が１．５〜４ｎｍであることを特徴とする静電荷像現像用トナーを用いる。 - 特許庁

Therein, the catalyst-carrying ceramic granules 15 which carry a catalyst facilitating the combustion of the graphite fine particles are packed into interlayer apertures 14 of the corrugated roll-shaped metal porous bodies 13 and, thereby, the unburned graphite fine particles are removed from the metal filter 1 by facilitating the combustion by the aid of the catalyst.例文帳に追加

ここで、波型ロール状の金属多孔体１３の層間隙間１４内には、黒煙微粒子の燃焼を促進させるための触媒を担持した触媒担持セラミックス粒体１５が詰められていることにより、未燃黒煙微粒子は、触媒の助けを借りて燃焼が促進され、金属フィルタ１から除去される。 - 特許庁

Then, a Cu film is formed on the interlayer insulating film with a Ta film 8 in-between in a manner that the first wiring groove 7 is embedded, and they are polished by CMP method, thereby forming a first embedded wiring 9a wherein only the first wiring groove 7 is embedded by the Cu film with the Ta film 8 in between.例文帳に追加

その後、第１配線溝７内を埋め込む状態で、層間絶縁膜上にＴａ膜８を介してＣｕ膜を形成し、これらをＣＭＰ法によって研磨することにより、第１配線溝７内のみにＴａ膜８を介してＣｕ膜を埋め込んでなる第１埋め込み配線９ａを形成する。 - 特許庁

The lamination is cut off at the position of the detection mark pattern, and the position of the cross section of the detection mark pattern exposed on the cut off surface is detected to detect the interlayer displacement.例文帳に追加

少なくとも２層以上のセラミックグリーンシートに検出用マークパターンを設け、ガイドピンにより複数のセラミックグリーンシートを位置合わせして積層した後、熱圧着して一体化したグリーンシート積層体で、前記検出マークパターン位置で切断し、切断面に露出した検出用マークパターン断面の位置を検出することにより層間ずれを検出する。 - 特許庁

The shading film 7 includes a first shading film 7a formed to cover the sides and the upper surface of the interlayer dielectric 6, and a second shading film 7b formed to expose the corners of the first shading film 7a, and to covers other than the corners on the sides and the upper surface of the first shading film 7a.例文帳に追加

遮光膜７は、層間絶縁膜６の側面及び上面を覆うように形成された第１の遮光膜７ａと、第１の遮光膜７ａの角部を露出する一方、第１の遮光膜７ａの側面及び上面における角部以外の部分を覆うように形成された第２の遮光膜７ｂとを有している。 - 特許庁

Accordingly, chemicals for forming the low permittivity (Low-k) interlayer insulating film coated on a processing substrate W can be heat treated, and temperature fluctuation of the substrate after/before heat treatment can be suppressed within the releasable temperature range of the chemicals to the open air, resulting in moderate treatment without causing excessive reaction.例文帳に追加

これにより、処理基板Ｗに塗布された低誘電率（Low-k）層間絶縁膜を形成するための薬液を加熱処理することが可能となり、また、加熱処理前後における基板温度を薬液の大気開放可能温度域以内に抑えることが可能で、過剰反応になることなく適正な処理が行える。 - 特許庁

To prevent migration of copper in a copper wiring from an interface between a barrier metal layer and a nitride layer to an interlayer insulating film and thus to prevent the occurrence of a leak current and a short circuit between neighboring wirings, by simply covering the upper surface of the copper wiring formed in a wiring trench via a barrier metal layer with a nitride film.例文帳に追加

配線溝の内部にバリアメタル層を介して形成した銅配線の上面に窒化膜を単に被覆した構成では、バリアメタル層と窒化膜との界面より層間絶縁膜方向に移動しようとする銅配線中の銅の移動を阻止し、リーク電流を発生および隣接する銅配線との短絡を防止する。 - 特許庁

The upper electrode includes a first electrode layer (9a) facing the dielectric film and a second electrode layer (9b) which is formed on the upper layer side of the first electrode layer and is electrically connected to a conductive layer through a first contact hole (33) opened in the first electrode layer, the dielectric film, and the first interlayer insulating film.例文帳に追加

上側電極は、誘電体膜に面する第１電極層（９ａ）と、１電極層よりも上層側に形成され、第１電極層、誘電体膜及び第１層間絶縁膜に開孔された第１コンタクトホール（３３）を介して導電層に電気的に接続された第２電極層（９ｂ）とを有する。 - 特許庁

To suppress problems such as leakages between wirings caused by the surface of a lower copper wiring being sputtered, where although a natural oxide film on the surface of the lower copper wiring at the bottom of the connection hole can be removed by sputter etching, the sputtered copper adheres to the sidewall of a connection hole and the stuck copper shifts within an interlayer insulating film, and others.例文帳に追加

スパッタエッチングにより接続孔底部の下層銅配線表面の自然酸化膜を除去することはできるが、その表面がスパッタされ、スパッタされた銅が接続孔側壁に付着し、付着した銅が層間絶縁膜中を移動することで引き起こされていた配線間リーク等の問題を解決することにある。 - 特許庁

To provide microparticles capable of performing CMP in a short time without causing grinding defects on a silicon oxide membrane, a metal embedded membrane and the like in CMP technologies such as interlayer insulating film planarization, shallow trench separation forming and metal embedding wiring forming, to provide an abrasive, and to provide a method for grinding substrates and a method for producing the semiconductor devices by using the abrasive.例文帳に追加

層間絶縁膜平坦化、シャロートレンチ分離形成、金属埋め込み配線形成等のＣＭＰ技術において、酸化珪素膜、金属埋め込み膜等へ研磨傷を発生させずに短時間でＣＭＰが実施できる微粒子、研磨材、それを用いた基板の研磨方法、半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A multilayer printed wiring board 10 includes a first insulating portion 11, a first conductive portion 21 formed on one surface 11a of the first insulating portion 11, and a second insulating portion 12 through which an interlayer conductive portion 23 comprising a second conductive portion 22 penetrates in a thickness direction to be in contact with the first conductive portion 21.例文帳に追加

多層プリント配線板１０は、第一絶縁部１１と、この第一絶縁部１１の一面１１ａに形成された第一導電部２１と、この第一導電部２１と接するように、第二導電部２２からなる層間導通部２３が厚さ方向に貫通して配された第二絶縁部１２とを備えている。 - 特許庁

The photosensitive resin composition to be used for an interlayer dielectric or a protective film of a substrate for circuit formation includes: (a) a polymer having a structural unit expressed by formula (A); (b) a compound that generates a radical when irradiated with active rays and has a structure expressed by formula (B); and (c) a solvent.例文帳に追加

回路形成用基板の層間絶縁膜又は保護膜用の感光性樹脂組成物であって、（ａ）下記式（Ａ）で表わされる構造単位を有するポリマーと、（ｂ）活性光線照射によりラジカルを発生する化合物で、下記式（Ｂ）で表される構造を含む化合物と、（ｃ）溶媒とを含有してなる感光性樹脂組成物。 - 特許庁

The polymer liquid crystal material is obtained by selecting at least two kinds of arbitrary polymers having a weight-average molecular weight different from each other from the group consisting of a plurality kinds of polymers each having a different weight-average molecular weight and mixing the selected polymers in an appropriate mixing ratio so that the smectic liquid crystal phase has the desired interlayer distance.例文帳に追加

重量平均分子量が異なる複数種類の高分子からなる群の中から、スメクチック液晶相の層間隔が所望の層間隔となるように、重量平均分子量が互いに異なる任意の高分子を２種類以上選択し、選択した高分子の混合比を適宜変えて混合する。 - 特許庁

A MIM capacitor 11 (constituted of a lower electrode film 8a, a capacitor insulating film 9a, and an upper electrode film 10a) formed on a lower interlayer insulating film 3, can dispense with connection holes for the upper electrode, by being formed with a height same as that of a plug 14a connecting between a lower layer wiring 6 and an upper wiring 14c.例文帳に追加

下層層間絶縁膜３上に形成されたＭＩＭ型キャパシタ１１（下部電極膜８ａ、キャパシタ絶縁膜９ａ、上部電極膜１０ａからなる）は、下層配線６と上層配線１４ｃを接続するプラグ１４ａと同じ高さに形成することにより、上部電極用接続孔を必要としない。 - 特許庁

The interlayer for laminated glass contains a matrix resin, a 6C-20C long chain carboxylic acid and a plasticizer, where the molecular volume of the long chain carboxylic acid is 145 cm^3/mol or above and the content of the long chain carboxylic acid is 0.02-12 mmol to 1 kg of the matrix resin.例文帳に追加

マトリックス樹脂、炭素数６〜２０の長鎖カルボン酸及び可塑剤を含有する合わせガラス用中間膜であって、前記長鎖カルボン酸の分子容積が１４５ｃｍ^３／ｍｏｌ以上で、かつ、前記長鎖カルボン酸の含有量がマトリックス樹脂１ｋｇに対して０．０２〜１２ｍｍｏｌである合わせガラス用中間膜。 - 特許庁

A first interlayer dielectric 2 including a porous first low dielectric constant film 2b is formed on a lower layer wiring 1, a first side wall metal 4 is formed on the side wall of a via hole 3 which is provided on the first low dielectric constant film 2b, and thereafter a first etching stopper layer 2a is etched to expose the lower wiring 1.例文帳に追加

下層配線１上に多孔質の第１低誘電率膜２ｂを含む第１層間絶縁膜２が形成され、第１低誘電率膜２ｂに設けられたビアホール３の側壁に第１サイドウォールメタル４が形成され、その後に第１エッチングストッパー層２ａがエッチングされて下層配線１が露出される。 - 特許庁

The semiconductor device includes a lower layer interlayer insulation film 11 provided on a substrate 10, a lower layer wiring 16 consisting of a lower layer barrier metal layer 14 formed along the wall surface of the lower layer wiring groove 13 of the insulation film 11 and a copper film 15, an upper layer plug 22a, and an upper layer wiring 22b.例文帳に追加

半導体装置は、基板１０の上に設けられた下層層間絶縁膜１１と、下層層間絶縁膜１１の下層配線溝１３の壁面に沿って形成された下層バリアメタル層１４及び銅膜１５とからなる下層配線１６と、上層プラグ２２ａ及び上層配線２２ｂとを備えている。 - 特許庁

The method comprises the steps of forming an insulation spacer on a conductive layer pattern and a sidewall of the conductive layer pattern by a predetermined pattern through an ordinary step, removing an insulation film spacer formed on a region other than a region where a contact plug is to be formed, and entirely forming an interlayer insulation film on an upper part.例文帳に追加

通常の工程を経て所定のパターンで導電層パターン及び導電層パターンの側壁に絶縁膜素ぺーサを形成する段階と、コンタクトプラグが形成される領域以外の領域に形成された絶縁膜スペーサを除去する段階と、全体上部に層間絶縁膜を形成する段階とを含んでなる。 - 特許庁

As for the semiconductor device having a power MISFET of mesh gate structure, e.g., a gate electrode can be arranged superposed with a source electrode by arranging the gate electrode partially on a source electrode via an interlayer insulation film by the above means, thereby the chip size can be reduced.例文帳に追加

上述した手段によれば、例えばメッシュゲート構造のパワーＭＩＳＦＥＴを有する半導体装置について、ゲート電極を部分的にソース電極の上に層間絶縁膜を介して配置して、ソース電極と重ねてゲート電極を配置することができるので、チップサイズを縮小することができる。 - 特許庁

Consequently, the compressive shear strength of an adhesive layer 2 is set at 0.3 Mpa or higher, and a brush whose interlayer resistance is not lower than 1 kΩ and a thickness not larger than 200 μm on be made, and makes a carbon brush for electric machines adaptable to severe operating conditions such as high input, high-speed rotation, reversible operation, etc.例文帳に追加

これにより、接着層２の圧縮剪断強度を０．３ＭＰａ以上とし、層間の抵抗が１ｋΩ以上、厚み２００μｍ以下のブラシとすることができ、高入力、高速回転、可逆運転などの苛酷な運転条件に適応することができる電気機械用カーボンブラシとする。 - 特許庁