「Interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(121ページ目) - Weblio英語例文検索

The wiring circuit board uses a number of metal protrusions 53, 57 which penetrates an interlayer insulating film interposed between metal layers, as the means for connection between upper and lower conductors, wherein the protrusions 53, 57 for connection between upper and lower conductors are positioned at the respective crossing points of a lattice arranged at fixed intervals.例文帳に追加

金属層間に介在する層間絶縁膜を貫通する金属からなる多数の上下導体間接続用突起５３、５７を上下導体間接続手段とする配線回路基板において、上下導体間接続用突起５３、５７を上記一定の間隔をおいて配列された格子の各交点上に配置する。 - 特許庁

In the interlayer for a glass laminate comprising a multilayer film wherein at least one surface layer is formed from a layer (A) comprising a polyvinyl butyral resin and a plasticizer and an inner layer is formed from a layer (B) comprising a polyvinyl butyral resin and a plasticizer, the storage elastic modulus (G') of the layer (B) is made larger than that of the layer (A).例文帳に追加

少なくとも一方の表層がポリビニルブチラール樹脂と可塑剤とからなる層（Ａ）より形成され、内層がポリビニルブチラール樹脂と可塑剤とからなる層（Ｂ）から形成された積層膜よりなる合わせガラス用中間膜において、層（Ｂ）の貯蔵弾性率 (Ｇ')を層（Ａ）より大きくする。 - 特許庁

On the lower layer wire 103 and the insulating film 102, a Si-rich SiO_2 film 104A, a SiO_2 (FSG) film 104B including fluorine, a plasma SiO_2 film 104C, and a plasma SiON film 104D are formed sequentially, and these four layer films make up a first interlayer insulating film 104.例文帳に追加

下層配線１０３及び絶縁膜１０２上には、ＳｉリッチＳｉＯ_2膜１０４Ａと、弗素を含んだＳｉＯ_2（ＦＳＧ）膜１０４Ｂと、プラズマＳｉＯ_2膜１０４Ｃと、プラズマＳｉＯＮ膜１０４Ｄとが順次形成されており、これらの４層膜により第１の層間絶縁膜１０４が構成されている。 - 特許庁

To provide a radiation sensitive resin composition etc. having high sensitivity and a good development margin, capable of forming an interlayer insulation film having excellent solvent resistance, heat resistance, light transmittance, relative dielectric constant, etc. and capable of forming microlenses having excellent solvent resistance, heat resistance, light transmittance etc. and a good melt shape.例文帳に追加

高感度で、良好な現像マージンを有しており、優れた耐溶剤性、耐熱性、光透過率、比誘電率等を併せ備えた層間絶縁膜を形成でき、また優れた耐溶剤性、耐熱性、光透過率等を併せ備え、良好なメルト形状を有するマイクロレンズを形成しうる感放射線性樹脂組成物等を提供する。 - 特許庁

To provide an electronic component which comprises enabling its thinning and downsizing as a result of densifying integrated elements, and enhancing Q factor in the element which employs mainly an inductive element such as an inductor and a resonator, as a result of enhancing a patterning accuracy and an interlayer accuracy, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

内蔵素子の高密度化が可能となり、その結果、薄型化、小型化が可能となると共に、パターニング精度や層間精度を高くすることができ、インダクタ、共振器等のような主として誘導成分を用いる素子においてはＱ値の高いものが得られる構成の電子部品とその製造方法を提供する。 - 特許庁

An organic coating film 13 having low oxygen plasma resistance and a low dielectric constant is utilized for the formation of the multilayered wiring structure of the semiconductor device by forming the film 13 after multilayered wiring is formed, and an inter-wiring interlayer insulating film 7 is selectively removed in a self-aligning way by using the multilayered wiring as a mask.例文帳に追加

多層配線を形成後、配線をマスクとし、自己整合的に配線間の層間絶縁膜７を選択除去した後、塗布型有機低誘電率膜１３を形成することで、酸素プラズマ耐性が低い塗布型有機低誘電率膜１３を半導体装置の多層配線構造の形成に利用する。 - 特許庁

To improve close contact property between a barrier layer and a conductor path and also suppress rise of electric resistance of the conductor path in view of forming the barrier layer composed of a manganese compound at the internal surface of a concave part formed to an interlayer insulating film and also forming the conductor path mainly composed of copper from the upper part of the barrier layer.例文帳に追加

層間絶縁膜に形成された凹部の内面にマンガンの化合物からなるバリア層を形成し、このバリア層の上から銅を主成分とする導電路を形成するにあたって、バリア層と導電路との密着性の向上を図り、また導電路の電気的抵抗の上昇を抑えること。 - 特許庁

Since the dummy patterns are formed in the peripheral area, the film thickness of the interlayer insulating film 5 can be made almost equal in the areas on which the poly-Si layers 4a are formed and the peripheral areas and respective contact holes 5a can arrive at respective diffusion layers 2 in both areas within almost the same etching time.例文帳に追加

このように、周辺領域にダミーパターンを形成することで、層間絶縁膜５の膜厚をＰｏｌｙ−Ｓｉ層４ａが形成された領域と周辺領域とでほぼ同等とすることができ、いずれの領域についてもほぼ同じエッチング時間で各コンタクトホール５ａが各拡散層２に到達するようにできる。 - 特許庁

A wiring structure 30 formed in a semiconductor device is provided with lower layer embedded wiring 3A, an interlayer insulating film laminated structure 32, a connection hole plug 34, an interwiring insulating film laminated structure 36, and upper layer embedded wiring 18A connected through the connection hole plug to the lower layer embedded wiring and an SiC film 20(oxidation preventing layer).例文帳に追加

本半導体装置に設けた配線構造３０は、下層埋め込み配線３Ａ、層間絶縁膜積層構造３２、接続孔プラグ３４、配線間絶縁膜積層構造３６と、接続孔プラグを介して下層埋め込み配線と接続する上層埋め込み配線１８Ａ、及びＳｉＣ膜２０（酸化防止層）を有する。 - 特許庁

For instance, a WCSP 10 and a chip 12 as electronic parts equipped with terminals are mounted on a mounting prepreg (a first insulating sheet) as shown in (b) of the diagram, and a wiring structure is formed on the mounting prepreg through, for instance, a build-up method making it (first insulating sheet) serve as an interlayer dielectric.例文帳に追加

例えば、端子部を有する電子部品としてＷＣＳＰ１０及びチップ部品１２を搭載用プリプレグ（第１絶縁性シート）に搭載し（ｂ）、この搭載用プリプレグ（第１絶縁性シート）をそのまま層間絶縁層として、当該層上に例えばビルドアップ工法により配線構造を形成する。 - 特許庁

In addition, a second interlayer insulation film 10 is formed, a contact hole is formed so that the surface of a capacitor node plug is exposed, heat treatment conditions are used for heat-treating in the contact hole while a storage electrode is being formed, and impurities are subjected to ion implantation for forming the storage electrode in the active region including the contact hole.例文帳に追加

さらに第２層間絶縁膜１０を形成し、キャパシタノードプラグの表面が露出するようにコンタクトホールを形成し、ストレージ電極の形成状態でコンタクトホール内に熱処理条件を用いて熱処理をした後、不純物をイオン注入してコンタクトホールを含むアクティブ領域にストレージ電極を形成する。 - 特許庁

To provide a gas-barrier film superior in transparency and physical strength, having a high gas-barrier property also not lower the gas-barrier property and interlayer adhesive properties in each of a substrate, a vapour deposition thin-film layer and an adhesive layer even if it is under severe situations such as a boiling sterilization and heating-pressurizing sterilization.例文帳に追加

透明性・物理的な強度物性に優れ、且つ高いガスバリア性を有すると共に、高温、高湿、煮沸殺菌や加熱・加圧殺菌などの厳しい状況下であっても、ガスバリア性や基材、蒸着薄膜層、接着剤層のそれぞれの層間密着性が低下しないガスバリアフィルムを提供する。 - 特許庁

The semiconductor device 100 includes a silicon substrate 101, a capacitor element having a lower electrode 133, a capacitor insulation film 135, a TiN film 137 and a W film 139; and an interlayer insulation film 107 covering the end and a part of the upper surface of the lower electrode 133 and having a concave portion at a position corresponding to the lower electrode 133.例文帳に追加

半導体装置１００は、シリコン基板１０１、下部電極１３３、容量絶縁膜１３５、ＴｉＮ膜１３７およびＷ膜１３９を含む容量素子、および下部電極１３３の端部と上面の一部とを覆い、下部電極１３３に対応する位置に凹部が設けられた層間絶縁膜１０７を含む。 - 特許庁

To eliminate a malfunction caused by a difference of an aspect ratio of each contact hole when a wiring layer is formed on a field oxide film and the contact hole to electrically connect an interlayer insulating film to the wiring layer, and an element area is formed simultaneously, and to control an influence of a semiconductor apparatus on an yield or the like.例文帳に追加

フィールド酸化膜の上に配線層を形成し、層間絶縁膜に対して、配線層や素子領域との電気的な接続を行うためのコンタクトホールを同時に形成する場合において、それぞれのコンタクトホールのアスペクト比の相違による不具合を解消し、半導体装置の歩留まりなどへの影響を抑制する。 - 特許庁

The coating composite for producing an interlayer insulation film contains (A) a silica precursor composed of at least one kind of compound selected from a specified alkoxysilane, its hydrolyzate and polycondensate, and (B) an organic solvent wherein the crystallization index, indicative of the total content of a specified metal at most 1 ppm, is 0.14-0.63.例文帳に追加

（Ａ）特定のアルコキシシランおよびその加水分解物、重縮合物から選ばれる少なくとも１種以上の化合物からなるシリカ前駆体と、（Ｂ）有機溶媒とを含有し、特定の金属の含有量の合計が最大でも１ｐｐｍである結晶化指数が０．１４〜０．６３の層間絶縁膜製造用塗布組成物。 - 特許庁

The surface propagating speed in the electric rotating machine and the voltage increasing rate at the connection between a cable and the machine are measured by using a surge power source and the voltage born by interlayer insulation is determined based on the measured surge propagation speed and voltage increasing rate and the duration of wavefront of a specimen inverter.例文帳に追加

サージ電源を用いて回転電機内サージ伝播速度およびケーブル−回転電機接続部の電圧増加率を計測し、計測したサージ伝播速度、電圧増加率と供試インバータの波頭長に基づいて、層間絶縁分担電圧を求め、回転電機の部分放電特性、課電寿命特性と比較する。 - 特許庁

A contact hole 29 which exposes a source region 27 is formed in an interlayer insulating film 28 covering a gate electrode 25 and a source region 27 on an n^+ type semiconductor substrate 21 wherein a plurality of longitudinal MOSFETs 210 are formed, and the contact hole 29 is filled with a conductor plug 31 via a barrier metal film 30.例文帳に追加

複数の縦型ＭＯＳＦＥＴ２１０が形成されたｎ^＋型半導体基板２１上のゲート電極２５およびソース領域２７を覆う層間絶縁膜２８にソース領域２７を露出するコンタクト孔２９が形成され、コンタクト孔２９の内部にバリアメタル膜３０を介して導電体プラグ３１が充填されている。 - 特許庁

To offer a thin film transistor(TFT) and a display unit which enable screen display with uniform brightness by avoiding defects such as bright spot, which occur when pattern shift is caused by a second gate electrode which restrains variations in threshold voltage resulting from polarization in a flattened film or an interlayer dielectric caused by moisture or impurity ions.例文帳に追加

水分あるいは不純物イオンによって平坦化膜又は層間絶縁膜の分極の発生による閾値電圧の変化抑制のための第２ゲート電極がパターンずれを起こした際の発生する欠点を抑制し、面内で均一な明るさの表示が得られるＴＦＴ及び表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a junction hole of a semiconductor device which can form a junction hole with minuteness and high aspect ratio with a mixture gas including at least a fluorocarbon gas for an etching gas to etch an interlayer dielectric film covering an electrically conducting layer, controlling generation of side spread in the junction hole.例文帳に追加

少なくとも導電層を被覆する層間絶縁膜をエッチングするエッチングガスにフルオロカーボンガスを含む混合ガスを用いて、接続孔内部で横方向広がり部の発生を抑制しながら、微細で且つ孔アスペクト比の接続孔を形成できる半導体装置の接続孔形成方法を提供する。 - 特許庁

To improve the stability and the strength of connections on a wiring circuit board 1 having interlayer connecting means for connecting, by the thermocompression bonding, copper bumps 5 at their top faces 5a to a copper wiring film 3 on a board 2 surface, thereby connecting the wiring film 3 to a separate copper wiring film 6.例文帳に追加

基板２表面の銅配線膜３に銅バンプ５をその頂面５ａにて熱圧着により接続して銅バンプ３を銅配線膜３と別の銅配線膜６との間を接続する層間接続手段とした配線回路基板１において、その接続の安定性を高め、且つ接続強度を強める。 - 特許庁

Moreover, storage capacitances (70) each of which is electrically connected to the TFT and the pixel electrode and shield layers (400) each of which is arranged between the data line and the pixel electrode and interlayer insulator films_(43) which are formed as underlyings of the pixel electrodes are provided on a substrate so that they constitute portions of the layered structure.例文帳に追加

この基板上には更に、ＴＦＴ及び画素電極に電気的に接続された蓄積容量（７０）と、データ線及び画素電極間に配置されたシールド層（４００）と、前記画素電極の下地として配置された層間絶縁膜（４３）とが、前記積層構造の一部をなして備えられている。 - 特許庁

To provide a laminated varistor excelling in a surge current withstand characteristic by not only effectively preventing occurrence of interlayer separation by improving adhesiveness between a ceramic sintered body having a nonlinear resistance characteristic and an internal electrode but also having the area of the internal electrode further large, in the laminated varistor.例文帳に追加

積層型バリスタにおいて、非直線抵抗特性を有するセラミック焼結体と内部電極との密着性を高めて、層間剥離の発生を効果的に防止するだけでなく、内部電極の面積をより多く保持することによって、サージ電流耐量特性に優れている、積層型バリスタを提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can reduce the concentration of stress on a boundary between wiring and a low-dielectric insulated film, even if a low-dielectric insulated film is used as an interlayer insulated film for multilayer wiring, can suppress the peeling of the insulated film, and is provided with a wiring structure with improved heat dissipation performance.例文帳に追加

多層配線の層間絶縁膜として低誘電率絶縁膜を使用しても、配線と低誘電率絶縁膜との境界部分における応力集中を低減でき、絶縁膜の剥れを抑制でき、さらに放熱能力を向上した配線構造を具備した半導体装置を提供する。 - 特許庁

This scrub sponge is formed by superposing a sponge layer on a nonwoven fabric layer, the sponge layer includes a surface rubber latex sponge layer, and a soft urethane sponge layer defined as an interlayer by being interposed between the surface layer and the nonwoven fabric layer, and the rubber latex sponge layer has a density of 60-100 kg/m3 and a tensile stress at 100% extension of 20-60 kPa.例文帳に追加

スポンジ層と不織布層とが積層され、前記スポンジ層は、表層のゴムラテックススポンジ層と、前記不織布層との間に介在させて中間層とする軟質ウレタンスポンジ層を備え、前記ゴムラテックススポンジ層は、密度が６０〜１００ｋｇ／ｍ^３、１００％伸長時の引張り応力が２０〜６０ｋＰａである。 - 特許庁

To provide a roughened surface forming resin composition excellent in adhesiveness between a conductor circuit and an interlayer resin insulating layer, less suffering from the occurrence of cracks during heat cycle, and having good flexibility, heat resistance, moisture resistance, electrical properties and flame resistance, and to provide a highly reliable multilayer printed wiring board and a prepreg for a printed wiring board.例文帳に追加

導体回路と層間樹脂絶縁層との接着性に優れ、ヒートサイクル時のクラック発生が少なく、可撓性が良好で、耐熱性、耐湿性、電気特性、難燃性等に優れた粗化面形成用樹脂組成物、並びにそれを用いた高信頼性の多層プリント配線板及びプリント配線板用プリプレグを提供する。 - 特許庁

After that, the polyaryl ether film 18 is selectively etched, the viahole 24a extending the surface of a first wiring layer 16 is opened, second thermal treatment is performed at 350°C for 5 minutes, and water content absorbed in the second interlayer insulating film 22 is discharged by exposure to the outside air when a semiconductor base substance is transferred to sputtering equipment.例文帳に追加

その後、ポリアリールエーテル膜１８を選択的にエッチングし第１配線層１６表面にまで達するビアホール２４ａを開口した後、温度３５０℃、５分間の第２の熱処理を施し、半導体基体をスパッタ装置に搬送する際の外気暴露によって第２層間絶縁膜２２に吸収された水分を放出する。 - 特許庁

At the position where the seal material 5 is contact with a transfer electrode 7 provided in a peripheral region of the array substrate 1, a coating film (a protective film 6 or a gate insulating film 13 and interlayer dielectrics 16 and 17) formed covering a display region of the array substrate 1 is expanded to come into contact with the seal material 5.例文帳に追加

シール材５がアレイ基板１の周辺領域に設けられたトランスファ電極７と接する位置において、アレイ基板１の表示領域を覆って形成された被覆膜（保護膜６、あるいはゲート絶縁膜１３及び層間絶縁膜１６，１７）がシール材５と接するように拡張されている。 - 特許庁

To provide a photosensitive siloxane composition capable of obtaining a cured film having high heat resistance, high transparency and a low dielectric constant, capable of forming a pattern with small exposure energy, and used for forming a planarizing film for a TFT substrate, an interlayer insulation film or a core or clad material of an optical waveguide.例文帳に追加

高耐熱性、高透明性、低誘電率性の特性を併せ持つ硬化膜を得ることができ、かつ低い露光量でのパターン形成が可能である、ＴＦＴ基板用平坦化膜、層間絶縁膜、あるいは光導波路のコアやクラッド材の形成に用いられる感光性シロキサン組成物を提供する。 - 特許庁

To eliminate the need to suppress a film forming temperature in film forming a PZT or the like on a conductive plug, and to make it possible to suppress an inward diffusion of an oxygen generated at the time of the PZT manufacturing to a lower electrode when forming a capacitor on the conductive plug embedded in an interlayer insulating film.例文帳に追加

層間絶縁膜に埋め込まれた導電プラグ上にキャパシタを形成する場合、その導電プラグ上にＰＺＴなどを成膜する際の成膜温度を抑える必要性がなく、且つ、ＰＺＴの製造時に生じる酸素の下部電極への内向拡散を抑制することを可能にしようとする。 - 特許庁

An injection groove 4 is formed by removing a transparent acrylic resin interlayer insulating film 3, placed between thin film transistors and wiring pattern to drive them on the lower side glass substrate 2 and display pixel electrodes, so as to stand in line with an injection port 35 on a rectangular frame 34 made of a sealing resin to enclose a liquid crystal.例文帳に追加

下側のガラス基板２上の薄膜トランジスタおよびこれを駆動するための配線パターンと表示画素電極との間の透明アクリル樹脂製の層間絶縁膜３を、液晶を囲い込むシール樹脂製の矩形枠３４の注入口３５に連なるように除去して注入溝４を作る。 - 特許庁

The active material comprises micropores which can provide capacity of electric double layer to interlayer of a carbon material, by forming a graphite oxide structure bounded to an oxygen in a part or all of interlayers of the carbon material containing an easily graphitized carbon and then removing a part or all of the oxygen in the interlayers.例文帳に追加

本発明の活物質は、易黒鉛化炭素を含む炭素物の一部または全部の層間に酸素と結合させた酸化黒鉛構造を形成させてから層間内の酸素の一部または全部を除去することにより炭素物の層間に電気二重層の容量発現が可能な微細空孔を有する。 - 特許庁

In this method of manufacturing a printed wiring board, after holes for interlayer connection are formed in a prepreg, and the holes are filled with an electrically conductive paste, a metal foil or a core material on which a circuit has been formed is arranged on a surface or on both surfaces of the prepreg, and a heating-and-compressing process is conducted to form a laminated wiring board.例文帳に追加

プリプレグに層間接続用の孔加工を施し、この孔に導電性ペーストを充填した後、プリプレグの一面又は両面に金属箔又は回路形成を施したコア材のいずれかを配置し、加熱加圧成形することにより積層一体化する配線板の製造方法に関する。 - 特許庁

The wiring circuit board uses a number of metal protrusions 53(57), which penetrates an interlayer insulating film interposed between metal layers, as the means for connection between upper and lower conductors, wherein the protrusions 53(57) for connection between upper and lower conductors are positioned at cross points of a lattice arranged with fixed intervals.例文帳に追加

金属層間に介在する層間絶縁膜を貫通する金属からなる多数の上下導体間接続用突起５３（５７）を上下導体間接続手段とする配線回路基板において、上下導体間接続用突起５３（５７）を上記一定の間隔をおいて配列された格子の各交点上に配置する。 - 特許庁

This plasma CVD system is equipped with nozzles 11, 12 for forming a film of a material having low relative permittivity, as a protective film on a surface of an interlayer insulating film, having low relative permittivity formed on a semiconductor wafer 18, and a heating means for heating the semiconductor wafer 18 to the predetermined temperature, to form a BN film having low relative permittivity.例文帳に追加

半導体ウェーハ１８に成膜された低比誘電率の配線間絶縁膜の表面に、保護膜としての低比誘電性膜材料を成膜するためのノズル１１、１２と、半導体ウェーハ１８を所定の温度に加熱し、低比誘電率ＢＮ膜を成膜する加熱手段とを備えている。 - 特許庁

To provide epoxy resin compositions that are suitable for being used as an insulating layer of a multi-layer printed wiring board, which can achieve an insulating layer (interlayer insulating layer) whose roughened surface shows a high cohesive force to a plated conductor, even though the roughness of the roughened surface after a roughening treatment is comparatively small.例文帳に追加

多層プリント配線板の絶縁層としての使用に好適なエポキシ樹脂組成物であって、粗化処理後の粗化面の粗度が比較的小さいにもかかわらず、該粗化面がメッキ導体に対して高い密着力を示す絶縁層（層間絶縁層）を達成し得るエポキシ樹脂組成物の提供。 - 特許庁

To provide a gas barrier material which shows a high adhesive strength between a plastic film as a base material and a vapor-deposited film and is free from any visually recognizable phenomenon such as an interlayer release between layers with reliable gas barrier properties and moistureproofness to an oxygen gas, a water vapor and the like and is useful mainly as a packaging material.例文帳に追加

基材としてのプラスチックフィルムと蒸着膜との密着強度に優れ、その層間において層間剥離等の現象が認められず、かつ、酸素ガス、水蒸気等に対するガスバリア性、防湿性等に優れ、主に、包装用材料として有用なバリア性材料を提供することである。 - 特許庁

The semiconductor device has a plurality of elements, an interlayer insulating film 2, and a pad 3, sequentially formed on the principal surface s1 of a silicon substrate 1, and is further provided with a bump electrode 4 electrically connected to the pad 3, and a rear surface electrode 6 formed on the rear surface s2 of the silicon substrate 1 and electrically connected with the bump electrode 4.例文帳に追加

シリコン基板１の主面ｓ１上に順に形成された複数の素子、層間絶縁膜２およびパッド３と、パッド３に電気的に接続するバンプ電極４と、シリコン基板１の裏面ｓ２に形成され、バンプ電極４に電気的に接続する裏面電極６とを有する半導体装置である。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a multi-layered circuit board (mother board, semiconductor chip mounting board), a semiconductor package and the like, which are capable of securing a bonding strength between an interlayer insulating layer and a wiring without forming recesses and projections of a degree of exceeding 1 μm on the surface of the wiring, and capable of transmitting a high-speed electric signal efficiently.例文帳に追加

配線の表面に１μｍを超す程度の凹凸を形成することなく層間絶縁層と配線の接着強度が確保でき、高速電気信号を効率よく伝送可能な多層回路基板（マザーボード、半導体チップ搭載基板）と半導体パッケージ等の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a photosensitive siloxane composition which is superior in stability when left uncontrolled after exposure, will not cause pattern dripping during thermal hardening, has properties of a high resolution, high heat resistance, and high transparency after thermal hardening, and which is used for forming a planarizing film for a TFT substrate, an interlayer insulation film, and a core or a cladding material of a light waveguide.例文帳に追加

露光後放置安定性に優れ、熱硬化中にパターンだれが生じることなく、熱硬化後に高解像度、高耐熱性、高透明性の特性を有する、ＴＦＴ基板用平坦化膜、層間絶縁膜、光導波路のコアやクラッド材の形成に用いられる感光性シロキサン組成物。 - 特許庁

A method for manufacturing the semiconductor device includes the steps of first partitioning an inspecting hole forming region 10 in a non-functional region 11b different from an element forming region 11a of a semiconductor wafer 11, and forming a first insulating film 12 having a thickness and a composition equivalent to those of an interlayer insulating film of the region 11a on the region 10.例文帳に追加

まず、半導体ウエハ１１の素子形成領域１１ａとは異なる非機能領域１１ｂに検査用ホール形成領域１０を区画し、検査用ホール形成領域１０に、素子形成領域１１ａの層間絶縁膜と厚さ及び組成が同等の第１の絶縁膜１２を形成する。 - 特許庁

After an interlayer insulation film 10, the underlying layer 11a of a conductive film for lower electrode, and the like, are formed on a substrate 1, a Pt film having a thickness in the range of 50-500 nm, e.g. about 175 nm, is formed as the overlying layer 11b of the conductive film for lower electrode on the underlying layer 11a by DC magnetron sputtering.例文帳に追加

基板１上に層間絶縁膜１０及び下部電極用導電膜の下側層１１ａ等を形成した後、下側層１１ａ上に下部電極用導電膜の上側層１１ｂとして厚さが５０ｎｍ〜５００ｎｍ、例えば約１７５ｎｍのＰｔ膜をＤＣマグネトロンスパッタ法により形成する。 - 特許庁

An interlayer movement to another recording layer is executed only in a predesignated area during recording/reproducing while applying beams emitted from a recording/reproducing light source 1 and a servo light source 16 to a 3-dimensional recording medium 8 provided with a servo layer 31 indicating positional information or the like beforehand and capable of recording data in a depth direction.例文帳に追加

位置情報などを示すサーボ層３１を予め有し、かつ深さ方向にデータ記録が可能な３次元記録媒体８に、記録再生用光源１及びサーボ用光源１６から出射されたビームを照射しながら、記録再生時は他の記録層への層間移動を予め指定した領域においてのみ実行する。 - 特許庁

A semiconductor storage device is provided with a plurality of gate electrodes 50 extending in a first direction, reinforcing insulating films 90 which extend in a second direction crossing the first direction and are connected to the adjacent gate electrodes and interlayer insulating films 95 which are installed between the adjacent gate electrodes and have hollows inside.例文帳に追加

半導体記憶装置は、第１の方向へ延伸する複数のゲート電極５０と、第１の方向に対して交差する第２の方向に延伸し、隣接するゲート電極に接続された補強絶縁膜９０と、隣接するゲート電極間に設けられ、内部に空洞を有する層間絶縁膜９５とを備えている。 - 特許庁

The method for processing the substrate includes a step of forming an interlayer 4 between a chemical amplification type resist film 3 and an antistatic film 5, a step of exposing a desired pattern to a substrate specimen 1; a step of performing a thermal process to the substrate specimen 1 after the exposure; and a step of performing a development process to the substrate specimen 1 after the heat treatment.例文帳に追加

化学増幅型のレジスト膜３と帯電防止膜５との間に中間膜４を形成する工程と、基板試料１に所望のパターンを露光する工程と、露光後の基板試料１に対し加熱処理を施す工程と、加熱処理の後に基板試料１に現像処理を施す工程とを有する。 - 特許庁

In the liquid crystal display panel 1, the surface of a signal line 16 is formed of Mo, the surface of the signal line 16 is coated with an insulating film 19 having a thickness from 0.005 to 0.02 μm, and formed of silicon nitride, and further the surface of the insulating film 19 is coated with an interlayer resin film 20.例文帳に追加

本発明の液晶表示パネル１は信号線１６の表面がＭｏで形成されており、信号線１６の表面は厚さが０．００５μｍ以上、０．０２μｍ以下の窒化ケイ素からなる絶縁膜１９で被覆され、更に絶縁膜１９の表面は層間樹脂膜２０で被覆されている。 - 特許庁