「Interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(123ページ目) - Weblio英語例文検索

The thermal infrared detection part 3 includes: on a heat insulating layer 33 of the silicon substrate 1, a temperature detection part 36 consisting of an n-type polysilicon layer (silicon layer) 34, a p-type polysilicon layer (silicon layer) 35 and an electrode 37; and an interlayer insulating film (protective film) 49 and a passivation film (protective film) 60 protecting the temperature detection part 36.例文帳に追加

熱型赤外線検出部３は、シリコン基板１の熱絶縁層３３上にｎ形ポリシリコン層（シリコン層）３４、ｐ形ポリシリコン層（シリコン層）３５および電極３７からなる温度検出部３６と、温度検出部３６を保護する層間絶縁膜（保護膜）４９およびパッシベーション膜（保護膜）６０とを備える。 - 特許庁

After a part or all of the metal wiring is buried in a temporarily cured layer 6 formed at a predetermined depth in a crust of an insulating sheet 1, it is fully cured and the interlayer insulating film is formed thereon.例文帳に追加

絶縁シート１の表層における所定の深さに形成した仮硬化層６中に、金属配線の一部または全部を埋入した後本硬化し、その上に層間絶縁膜を形成することにより、絶縁シート１，金属配線および層間絶縁膜それぞれの密着性を向上させて剥離を防止することができる。 - 特許庁

Dielectric films 11 to 15 containing at least a photo-bleeching material out of photo-bleeching, inorganic, and organic materials are formed on a substrate 10, and the light energy of ultraviolet rays applied to the dielectric films 11 to 15 is adjusted, thus reducing the relative dielectric constant of the interlayer insulating films 11 to 15 with a simple configuration.例文帳に追加

基板１０上にフォトブリーチング材料、無機材料及び有機材料のうち少なくともフォトブリーチング材料を含む誘電体膜１１〜１５を形成し、その誘電体膜１１〜１５に照射する紫外線光の光エネルギーを調節するという簡単な構成により層間絶縁膜１１〜１５の比誘電率を低くすることができる。 - 特許庁

The hard mask film is partially etched by an etching process using a photoresist pattern formed by performing the exposure process, a damascene trench is formed by progressing the etching process with the hard mask film 104 as an etching mask to sequentially perform a partial etching on the trench oxide film 103, the etching preventive film 102, and the interlayer insulating film 101.例文帳に追加

露光工程を実施して形成されるフォトレジストパターンを用いたエッチング工程によって前記ハードマスク膜を部分エッチングし、ハードマスク膜１０４をエッチングマスクとして用いたエッチング工程を進行して、トレンチ酸化膜１０３、エッチング防止膜１０２および間絶縁膜１０１を順次部分エッチングしてダマシントレンチを形成する。 - 特許庁

To provide a photosensitive polyimide soluble in organic solvents and suitably usable as an overcoating material for a flexible wiring substrate, an interlayer insulation material, etc., excellent in heat-resistance, electrical properties, flexibility, etc., a photosensitive polyimide ink composition containing the photosensitive polyimide, and an insulating film produced by curing the photosensitive polyimide ink composition.例文帳に追加

耐熱性、電気特性、及び柔軟性等に優れたフレキシブル配線板用オーバーコート材、及び層間絶縁材料等として好適に用いることができるとともに、有機溶媒に可溶性である感光性ポリイミド、前記感光性ポリイミドを含有する感光性ポリイミドインク組成物、及び前記感光性ポリイミドインク組成物を硬化させてなる絶縁膜の提供。 - 特許庁

To provide a semiconductor element having a bump structure which reduces external stress to be generated in a manufacturing process of the element, especially, in a rear face polishing process, and less damages an interlayer insulation film which constitutes a circuit, and also to provide its manufacturing method, and a semiconductor device including the semiconductor element and its manufacturing method.例文帳に追加

半導体素子の製造工程、特に半導体素子の裏面研磨工程で生じる外的応力を緩和し、回路を構成する層間絶縁膜へのダメージを軽減できるバンプ構造を備えた半導体素子及びその製造方法、並びにこの半導体素子を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a cleaning liquid for cleaning a substrate in a production process of a semiconductor device and affording sufficient cleaning effects even when a low dielectric constant film containing carbon is used as an interlayer dielectric and to provide a method for producing the semiconductor device including a step of cleaning the substrate using the cleaning liquid.例文帳に追加

半導体装置の製造工程において基板を洗浄する洗浄液であって、層間絶縁膜として炭素を含む低誘電率膜を使用した場合であっても十分な洗浄効果を得ることができる洗浄液、及びこの洗浄液を使用した基板洗浄工程を含む半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the hologram, having at least a hologram forming layer 2 and a reflection thin film layer 3 on a support layer 1, at least one layer or interlayer region in the hologram structural layers including these layers contains an organic fluorescent dye, which is excited by IR rays and emits light in the IR region.例文帳に追加

支持層１上に少なくともホログラム形成層２と反射薄膜層３とが設けられてなるホログラムにおいて、上記の各層を含むホログラム構成層のうちの少なくともひとつの層または層間に、赤外線により励起されて赤外光領域で発光する有機蛍光色素が含まれていることを特徴とするホログラム。 - 特許庁

To provide a cleaning method which forms a structure having an interlayer insulating film and a reflection preventing film provided on a semiconductor substrate after a heat treatment, and polishes the structure then to clean, wherein foreign matters such as particle grains and metal contaminants can be suppressed from adhering to a cleaning surface.例文帳に追加

熱処理の後に半導体基板上に設けられた層間絶縁膜および反射防止膜を有する構造を形成し、その構造を研磨した後に行う洗浄方法において、パーティクル粒子および金属汚染物質のような異物が洗浄面に付着することを抑制することが可能な洗浄方法を提供すること。 - 特許庁

As a result, even when the stray light layer distance dn is small and a lens shift occurs, the optical disk device 190 generates the tracking error signal STE3 having no influence of stray light patterns W formed from interlayer stray light beams LN from a plurality of recording layers Y, thereby achieving tracking control with high accuracy.例文帳に追加

これにより光ディスク装置１９０は、迷光層間隔ｄｎが狭い場合において、かつレンズシフトが生じていても、複数の記録層Ｙからの層間迷光ビームＬＮによりそれぞれ形成される迷光パターンＷの影響を排除したトラッキングエラー信号ＳＴＥ３を生成でき、精度良くトラッキング制御を行うことができる。 - 特許庁

To provide a stripper composition excellent in removability of a photoresist residue while suppressing corrosion in a metal wiring material and an interlayer material in the manufacture of a semiconductor device, and to provide a method for manufacturing a semiconductor device including a step of bringing the stripper composition into contact with a substrate on which a photoresist residue is stuck.例文帳に追加

半導体素子の製造において、金属配線材料および層間材料の腐食が抑えられるとともに、フォトレジスト残渣の除去能力に優れた剥離液組成物を提供すること、および該剥離液組成物と、フォトレジスト残渣が付着した基板とを接触させる工程を含む半導体素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a decorative sheet having excellent weather resistance and being gentle to an environment to be manufactured in high yield in the sheet in which a design is printed by using printing ink having excellent interlayer close adhesive properties to a sheet surface and an adhesive force by using a polyolefin resin sheet as a base material sheet.例文帳に追加

ポリオレフィン系樹脂シートを基材シートとして用い、シート面との優れた層間密着性及び粘着力を有する印刷インキを用いて絵柄印刷を施した化粧シートとすることによって、該化粧シートを歩留りよく製造することのでき、優れた耐候性を有し、かつ環境に優しい化粧シート及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain an interlayer suitable for affording laminated glass excellent in the basic performance including impact absorption and penetration resistance required for laminated glass, substantially causing no whitening on the peripheral edge even in case of being left to stand for a long period in a highly humid atmosphere, slight in the volatilization of the plasticizer therein as well, therefore excellent in trim cuttability.例文帳に追加

衝撃吸収性や耐貫通性などの合わせガラスとして必要な基本性能に優れ、湿度の高い雰囲気下に長期間放置された場合でも合わせガラスの周縁部に白化現象を殆ど起こさず、しかも可塑剤の揮散が少なく、従ってトリムカット性にも優れる合わせガラスを得るに適する合わせガラス用中間膜、同ガラス。 - 特許庁

The ferroelectric memory device has a lower electrode 109, a capacitive insulating film 112 consisting of a ferroelectric film, and an upper electrode 113, which are sequentially formed on a first interlayer insulating film 105 on a semiconductor substrate 100, and is also provided with a plurality of ferroelectric capacitors arranged in the word line direction and the bit line direction.例文帳に追加

強誘電体メモリ装置は、半導体基板１００上の第１の層間絶縁膜１０５の上に順次形成された下部電極１０９、強誘電体膜よりなる容量絶縁膜及１１２び上部電極１１３を有し、ワード線方向及びビット線方向に配置された複数の強誘電体キャパシタを備えている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a printed wiring board which can deposit or fill plating stably and evenly in a pierced hole or an unpierced hole to form a via hole for interlayer connection and keep the thickness of metal foil or a wiring circuit constant to make easy to form a minute wiring circuit and to perform impedance matching.例文帳に追加

層間接続用のビアホールを形成する際のめっきを、貫通孔、又は非貫通孔内に安定して（均一に）析出（或いは充填）することができ、且つ、金属箔（又は、配線回路）の厚みを一定に保ち、微細配線回路形成、及びインピーダンス整合を容易に行うことができるプリント配線板の製造方法の提供。 - 特許庁

A contact hole formed in an interlayer insulating film 36 covering a MOS transistor and a trench isolating structure 41 reaches part of the source-drain area 34 of the transistor and part of the structure 41 and an electrode plug 49 for contact which is brought into contact with the area 34 is formed in the opening of the contact hole.例文帳に追加

ＭＯＳ型トランジスタおよびトレンチ分離構造４１を覆う層間絶縁膜３６中に形成されたコンタクトホールが、ＭＯＳ型トランジスタのソース・ドレイン領域３４の一部およびトレンチ分離構造４１の一部に達し、その開口部内にソース・ドレイン領域３４に接触するコンタクト用電極プラグ４９が形成されている。 - 特許庁

The autonomously vibrating material comprises a hydrophobic medium and, dispersed therein, an organic compound-layered inorganic substance composite and is manufactured by enlarging the interlayer distance of the layered inorganic substance by insertion of an organic ammonium cation, subsequently incorporating the layered inorganic substance into the hydrophobic medium having dissolved an organic guest compound therein and dispersing the layered inorganic substance by stirring.例文帳に追加

疎水性媒質とその中に分散された有機化合物−層状無機物質複合体とからなる自律振動性材料であり、層状無機物質の層間を有機アンモニウムカチオンの挿入により拡大したのち、有機ゲスト化合物を溶解した疎水性媒質中に加え、かきまぜて分散させることにより製造する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing multilayer circuit board that can surely eliminate smears in a desmear process without decreasing the productivity of the multilayer circuit board, prevent a reduction in adhesive strength between an interlayer dielectric and a wiring, and manufacture a highly reliable multilayer circuit board, and to provide a multilayer circuit board manufactured by the method, a board with semiconductor chips mounted thereon, and a semiconductor package using the board.例文帳に追加

多層回路基板の生産性を低下させることなく、デスミア工程でスミアを確実に除去可能で、層間絶縁層と配線の接着強度の低下を防ぎ、、信頼性の高い多層回路基板の製造方法及びこれから得られる多層回路基板、半導体チップ搭載基板並びにこの基板を用いた半導体パッケージを提供する。 - 特許庁

The composition for forming an interlayer insulating film of the present invention includes as component (a) a siloxane resin such as alkoxy silane having a carbon content of 10 mass % or less, as component (b) a solvent such an alcohol capable of solving the siloxane resin, and as component (c) a diazabicyclo compound such as 1,8-diazabicyclo[5.4.0]undec-7-ene.例文帳に追加

本発明の層間絶縁膜形成用組成物は、（ａ）成分として炭素含有量が１０質量％以下であるアルコキシシラン等のシロキサン樹脂と、（ｂ）成分としてそのシロキサン樹脂を溶解可能なアルコール等の溶媒と、（ｃ）成分として1.8−ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデカ−7−エン等のジアザビシクロ化合物とを含有して成るものである。 - 特許庁

To provide a thermosetting resin composition having a low dielectric property, a low hygroscopic property and excellent thermosetting property and an electronic element including an electronic part such as a semiconductor device and a thin film multilayer wiring board which has a resin cured film such as a surface protective film, a passivation film, interlayer insulating film excellent in film characteristics such as a low dielectric property and low hygroscopic property.例文帳に追加

低誘電、低吸湿および優れた熱硬化特性を有する熱硬化性樹脂組成物、並びに低誘電、低吸湿等の膜特性に優れる表面保護膜、パシベーション膜、層間絶縁膜等の樹脂硬化膜を有する半導体装置、薄膜多層配線板等の電子部品などの電子部材を提供する。 - 特許庁

In the uppermost layer of a substrate including multilayer interconnection, i.e. a plurality of layers that are laminated via interlayer insulating films respectively and wirings formed in the respective layers, with a metal member formed in a region other than the region in which wirings are arranged, the metal member is electrically connected to a node, to which a prescribed electric potential is applied.例文帳に追加

本発明では、基板上の多層配線、即ち、それぞれが層間絶縁膜を介して積層された複数の層と、それぞれの層内に形成された配線とを有する多層配線の最上位の層内において、配線が配置された領域以外の領域に、定電位が与えられるノードに電気的に接続するメタル部材が形成される。 - 特許庁

To provide an overprint card excellent in various properties, displaying a sufficient interlayer adhesion without depending on a dissolving power of an ink solvent even if using a polyester based resin as a card base material, and further having a concealing layer capable of using a leafing type aluminum pigment excellent in concealment.例文帳に追加

本発明の解決しようとする課題は、ポリエステル樹脂系のカード基材を用いた場合であっても、インキの溶剤の溶解力に依存せずに十分な層間密着性を発揮し、さらに隠蔽性の優れたリーフィングタイプのアルミニウム顔料を使用することも可能な隠蔽層を有する、諸物性に優れたオーバープリントカードを提案するものである。 - 特許庁

The method of manufacturing a multilayer wiring board for forming a plurality of interlayer insulating layers and wiring on one side or both sides of a core substrate has steps of processing the surface of the wiring with a solution containing an imidazole-type silane coupling agent, cleaning it with water, and then drying it at a temperature of less than 50°C.例文帳に追加

コア基板の片面または両面に、層間絶縁層と配線を複数層形成する多層配線基板の製造方法において、前記配線表面を、イミダゾール系シランカップリング剤を含んだ溶液により処理した後、水洗を行い、さらに５０℃未満の温度において乾燥する工程を有する多層回路基板の製造方法。 - 特許庁

To provide a method for producing a polyarylene ether and a film-forming composition containing the same, which can form an organic film containing a small amount of metallic impurities, which is excellent in relative dielectric constant characteristics and low leakage current characteristics in an interlayer insulation film material in semiconductors, etc.例文帳に追加

ポリアリーレンエーテルの製造方法およびそれにより得られるポリアリーレンエーテルを含有する膜形成用組成物に関し、さらに詳しくは、半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、金属不純物の含有量が少なく、比誘電率特性、低リーク電流特性に優れた有機膜が形成可能な膜形成用組成物を得る。 - 特許庁

To provide a method for improving connection reliability between a multichip module and a mounting board which is connected to a secondary side of a multilayer wiring substrate of the multichip module, wherein the multichip module is formed by mounting semiconductor devices on a primary side of the multilayer wiring substrate which is formed by laminating wiring layers on both sides (primary and secondary sides) of an insulating substrate together with interlayer insulating films, respectively.例文帳に追加

絶縁基板とその両面（１次側並びに２次側）に層間絶縁膜を含めて夫々形成された配線層からなる配線基板、及び配線基板の１次側の面に搭載された半導体装置を備えたマルチチップモジュールと、配線基板の２次側に接続される実装基板との接続信頼性を高める手段を提供する。 - 特許庁

In the solid-state image sensing element having the selective transistor 206 adjacent to an amplifying transistor 205, an interlayer insulating layer 7 is provided between a first well region 2a of the amplifying transistor 205 and a second well region 2b of the selective transistor 206, and an impurity concentration of the second well region 2b is higher than that of the first well region 2a.例文帳に追加

増幅トランジスタ２０５と隣接した選択トランジスタ２０６を有する固体撮像素子において、増幅トランジスタ２０５の第１ウェル領域２ａと選択トランジスタ２０６の第２ウェル領域２ｂとの間には層間絶縁層７が設けられ、第１ウェル領域２ａの不純物濃度よりも第２ウィル領域２ｂの不純物濃度が高い。 - 特許庁

The semiconductor element of the present invention includes a semiconductor substrate 1; an interlayer insulating film 2 and 3 in which a damascine pattern is formed on the semiconductor substrate 1; a diffusion prevention film 4 which is formed in the damascene pattern and is made of CoFeB which is a ternary system material; a seed film 5 which is formed on the diffusion prevention; and copper wiring 7 which is filled on the seed film.例文帳に追加

本発明は、半導体基板１；前記半導体基板１上にダマシンパターンが形成された層間絶縁膜２、３；前記ダマシンパターン内に形成され、三元系物質であるＣｏＦｅＢからなる拡散防止膜４；前記拡散防止膜上に形成されるシード膜５；及び、前記シード膜上に充填される銅配線７を含む。 - 特許庁

The three-dimensional integrated circuit device 10 has a structure in which a plurality of single crystal or semi-single crystal thin-film semiconductor layers 13, 16 are formed on the glass substrate 11 via an interlayer insulating layer 14, and active elements Tr21, Tr22 are formed on one or more layers of the thin-film semiconductor layers 13, 16.例文帳に追加

ガラス基板１１上に、単結晶もしくは準単結晶の薄膜半導体層１３，１６が、層間絶縁層１４を介して複数層積層形成され、複数層の薄膜半導体層１３，１６のうち１層以上に能動素子Ｔｒ２１，Ｔｒ２２が形成されている３次元集積回路装置１０を構成する。 - 特許庁

This device is composed of a silicon substrate 1, a silicide layer 2 formed on the silicon substrate 1, and field oxide films 3 formed on the silicide layer 2 separated from each other by a certain space and equipped with a monitoring pattern 7, formed outside an element region and an interlayer insulating film 4 which is formed on the silicide layer 2 and the field oxide films 3.例文帳に追加

この半導体装置は、シリコン基板１と、そのシリコン基板１上に形成されたシリサイド層２と、そのシリサイド層２に間隔を隔てて複数配置されたフィールド酸化膜３からなり、素子領域の外部に形成されたモニターパターン部７と、シリサイド層２及びフィールド酸化膜３上に形成された層間絶縁膜４と、を有する。 - 特許庁

The compound semiconductor element comprises: a gate semiconductor layer 10; a cathode semiconductor layer 12; an Au alloy cathode electrode 14 formed on the cathode semiconductor layer 12; an Au alloy gate electrode 16 formed on the gate semiconductor layer 10; an interlayer dielectric film 18; an Al wiring 20 on the cathode electrode 14 and the gate electrode 16; and a protection film 22.例文帳に追加

化合物半導体素子は、ゲート半導体層１０と、カソード半導体層１２と、カソード半導体層１２上に形成されたＡｕ合金カソード電極１４と、ゲート半導体層１０上に形成されたＡｕ合金ゲート電極１６と、層間絶縁膜１８と、カソード電極１４及びゲート電極１６上のＡｌ配線２０と、保護膜２２を備える。 - 特許庁

To provide an evaluation method capable of easily evaluating interlayer adhesiveness of an adhesive layer of a board and a wire adhesive layer in a short time without performing work for applying a resin composition to a wire when developing a resin composition used for the adhesive layer of a board and a wire adhesive layer in manufacture of a multi-wire wiring board.例文帳に追加

マルチワイヤ配線板の製造における基板の接着剤層およびワイヤ接着層に用いられる樹脂組成物の開発に際して、ワイヤへ樹脂組成物を塗布する作業を行うことなく、基板の接着剤層およびワイヤ接着剤層の層間接着性の評価を短時間で容易にできる評価方法を提供する。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive composition suitable for forming a protective film and an interlayer insulating film which satisfy such generally required properties as transparency, heat-resistant transparency and surface hardness and have high cracking resistance and high adhesion to an ITO transparent conductive film and metal wiring of molybdenum or the like even under severe conditions of high temperature and high humidity.例文帳に追加

透明性、耐熱透明性、表面硬度などの一般的要求特性を満たすと同時に、高温、高湿の厳しい条件下においても、ＩＴＯ透明導電膜やモリブデン等の金属配線に対する密着性及び耐クラック性が高い保護膜及び層間絶縁膜を形成するために好適な感放射線性組成物を提供する。 - 特許庁

Here, even when a process for heat treatment is not specially performed additionally after the CeZrO film 125 is formed on the side face of the capacitor having been processed, heating is performed in a CVD process of forming an interlayer insulating film after the CeZrO film 125 is formed to supply oxygen to the PZT film 120 and the electrode of the capacitor.例文帳に追加

但し、加工後のキャパシタ側面にＣｅＺｒＯ膜１２５を形成した後に、熱処理の工程をあえて追加して行わない場合であっても、ＣｅＺｒＯ膜１２５の形成後に層間絶縁膜を形成するＣＶＤ工程において加熱が行われ、ＰＺＴ膜１２０およびキャパシタの電極に酸素供給が行われることとなる。 - 特許庁

The hydrotalcite type particle powder is characterized in that an Mg-M-Al-based hydrotalcite type particle which has a core-shell structure in which an Mg-Al-based hydrotalcite particle is made a core particle, and a hydrotalcite layer consisting of aluminum and a divalent metal M is formed on the particle surface, is heat treated at 150-350°C to dehydrate interlayer water.例文帳に追加

Ｍｇ−Ａｌ系ハイドロタルサイト粒子を芯粒子とし、該粒子表面にアルミニウムと２価金属Ｍから構成されるハイドロタルサイト層を形成したコア−シェル構造を有するＭｇ−Ｍ−Ａｌ系ハイドロタルサイト型粒子粉末を１５０℃〜３５０℃で熱処理を行い、層間水を脱水することを特徴とするハイドロタルサイト型粒子粉末である。 - 特許庁

In a semiconductor chip 50 in which an optoelectronic integrated circuit comprising a photo diode 40 having a dent part 19 defined by an interlayer insulator film in the upper part of the photo diode 40 and an NPN bipolar transistor 30, etc. is formed, in general, those parts other than a dent part 19 region on the photo diode 40 and a dicing region 21 are coated by a light-shielding film 17.例文帳に追加

その上部に層間絶縁膜からなる窪み部１９を有するフォトダイオード４０とＮＰＮバイポーラトランジスタ３０等からなる光電子集積回路が形成された半導体チップ５０において、一般的にはフォトダイオード４０上の窪み部１９領域及びダイシング領域２１以外を遮光膜１７で被覆する。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition, obtaining a cured film having high sensitivity, and having high transparency and superior ITO spatter resistance, a cured film having high transparency and superior ITO spatter resistance, and method of manufacturing the same, and an organic EL display device and a liquid crystal display device, including the cured film as an interlayer insulating film.例文帳に追加

高い感度を有し、高い透明性及び優れたＩＴＯスパッタ耐性を有する硬化膜が得られる感光性樹脂組成物、高い透明性及び優れたＩＴＯスパッタ耐性を有する硬化膜及びその製造方法、並びに、かかる硬化膜を層間絶縁膜として具備する有機ＥＬ表示装置及び液晶表示装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a composite heat conductive member with simple configuration that is a laminated body configured to laminate so as to hold a thermally conductive sheet such as a graphite sheet which excels in thermal conductivity of creepage surface direction between thermally conductive metal plates, and that is capable to secure excellent heat conductivity throughout the lamination without causing an interlayer thermal flow bottleneck.例文帳に追加

沿面方向の熱伝導性に優れるグラファイトシート等の熱伝導シートを熱伝導金属板に挟んで積層状に構成した積層体であって、層間の熱流動ネックを招くことなく積層体の全厚に及ぶ良好な熱伝導を確保することができる簡易な構成の複合熱伝導部材を提供する。 - 特許庁

The source electrode Ts (or the wiring layer L2 formed integrally with the source electrode Ts) of a thin film transistor TFT provided on an insulating substrate 11 and a transparent electrode ELP provided on an interlayer insulating film 13 covering the thin film transistor TFT are electrically connected via a conductive layer Lm provided on the substrate 11.例文帳に追加

絶縁性の基板１１上に設けられる薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極Ｔｓ（又は、ソース電極Ｔｓと一体的に形成された配線層Ｌ２）と、該薄膜トランジスタＴＦＴを被覆する層間絶縁膜１３上に設けられる透明電極ＥＬＰとが、基板１１上に設けられた導電層Ｌｍを介して、電気的に接続されている。 - 特許庁

This plane display device is constituted by forming a semiconductor layer and auxiliary capacitor electrodes in the same layer on a glass substrate, forming a gate insulating film atop the same, forming gate electrodes and auxiliary capacitor feeder lines in the same layer atop the same, forming an interlayer insulating film atop the same and forming source electrodes and drain electrodes atop the same.例文帳に追加

本発明の平面表示装置は、ガラス基板上に半導体層と補助容量電極とを同層に形成し、その上面にゲート絶縁膜を形成し、その上面にゲート電極と補助容量給電線とを同層に形成し、その上面に層間絶縁膜を形成し、その上面にソース電極とドレイン電極を形成する。 - 特許庁

There is employed the method of forming, by a plasma CVD method, the low-permittivity interlayer insulation film with the ratio of carbon to silicon of 2.5 or larger and specific permittivity of 3.8 or lower and characterized in that hydrocarbon is not used as an insulation film material when forming the film by the plasma CVD method.例文帳に追加

また、プラズマＣＶＤ法によって、珪素に対する炭素の比率が２．５以上であり、かつ比誘電率が３．８以下である低誘電率層間絶縁膜の成膜方法であって、前記プラズマＣＶＤ法によって成膜する際に、絶縁膜材料として炭化水素を用いないことを特徴とする低誘電率層間絶縁膜の成膜方法を採用する。 - 特許庁

To provide a layered structure, especially for a printed wiring board, that prevents a reduction in resolution and achieves excellent adhesion to an underfill resin section and a molded resin section, while keeping the coefficient of linear thermal expansion of the entire photosensitive resin layer as low as possible, and to provide a photosensitive dry film used as a solder resist, an interlayer resin insulation layer or the like in the layered structure.例文帳に追加

感光性樹脂層全体として線熱膨張係数をできるだけ低く維持できると共に、解像性の低下もなく、アンダーフィル樹脂部やモールド樹脂部との密着性に優れた積層構造体、特にプリント配線基板等の積層構造体、及びそのソルダーレジストや層間樹脂絶縁層等として用いられる感光性ドライフィルムを提供する。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition which can be heated and sintered at a low temperature and in a short time and has a high sensitivity with respect to radiation and the curing film obtained from which has a heat resistance, transparency and solvent resistance, is therefore suitably used for forming a spacer, a protection film, and an interlayer dielectric film of a flexible display and is excellent in terms of storage stability.例文帳に追加

低温かつ短時間での加熱・焼成が可能であると共に、高い放射線感度を有し、得られた硬化膜は耐熱性、透明性，耐溶剤性を有することで、フレキシブルディスプレイのスペーサー、保護膜、層間絶縁膜等の形成に好適に用いられ、さらに保存安定性に優れた感放射線性樹脂組成物を提供することである。 - 特許庁

In a display area and a control area formed more on the inner side than a terminal 200, at parts where a video signal line DL or wiring G1, G2 formed in the same layer as the video signal line and a scanning line GL or the wiring formed in the same layer as the scanning line cross, an interlayer insulating film and an a-Si film are interposed therebetween to perform insulation.例文帳に追加

端子２００よりも内側に形成された表示領域および制御領域においては、映像信号線ＤＬ、あるいは映像信号線と同層で形成された配線Ｇ１、Ｇ２と、走査線ＧＬ、あるいは走査線と同層で形成された配線が交差する部分においては、間に層間絶縁膜とａ−Ｓｉ膜を介して絶縁する。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition which facilitates forming of silica based coating as an interlayer insulating film, is excellent in storage stability, is comparatively inexpensive, and is excellent in heat resistance, crack resistance, resolution, and transparency, to provide a forming method of the silica based coating using the photosensitive resin composition, and to provide a semiconductor device, a flat panel display and an electronic device member comprising the silica based coating.例文帳に追加

層間絶縁膜としてシリカ系被膜の形成が容易で保存安定性に優れ、比較的安価で、耐熱性、クラック耐性、解像性及び透明性に優れる感光性樹脂組成物、それを用いたシリカ系被膜の形成方法、シリカ系被膜を備える半導体装置、平面表示装置及び電子デバイス用部材の提供。 - 特許庁

To provide an interlayer dielectric planarization process in manufacturing a semiconductor device having no factor of specific variations in rotational polishing such as CMP method and using no planarization film such as an inorganic SOG film risking a shrink or an impurity gas generation with an etch back method or the like.例文帳に追加

半導体装置の製造における層間絶縁膜の平坦化プロセスとして、ＣＭＰ法のように回転研磨固有のばらつき要因を有したりせず、かつ、エッチバック法のように収縮や不純物ガスを発生させたりするおそれのある無機ＳＯＧ膜のような平坦化膜を使用することのない、新しい層間絶縁膜平坦化プロセスを提供する。 - 特許庁