「Interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(119ページ目) - Weblio英語例文検索

This manufacturing method of a semiconductor device is performed by a method, wherein a polysilicon film 13 is formed in a contact hole 12 formed in a first interlayer insulating film 11 on a silicon substrate 10, in such a way that the upper part of the film 13 is left in the hole 12.例文帳に追加

シリコン基板１０上の第１の層間絶縁膜１１に形成されたコンタクトホール１２に、その上部が残るようにポリシリコン膜１３を形成した後、ポリシリコン膜１３上に堆積されたコバルト膜に対して熱処理を行なって、ポリシリコン膜１３の表面部にコバルトシリサイド層１５を形成する。 - 特許庁

To provide a prepreg which can give an FRP having neither internal voids nor surface pinholes and excellent in strength and external appearances and further in interlayer peeling resistance even by the molding under a low pressure of only a vacuum pressure without using an autoclave while retaining workability equal to that of a conventional prepreg.例文帳に追加

本発明は、従来のプリプレグ並みの作業性を維持しながら、オートクレーブを用いず、真空圧のみの低圧下での成形においても内部のボイドや表面のピンホールがなく、強度と外観に優れ、更に層間の耐剥離性に優れたＦＲＰを得ることができるプリプレグを提供することを課題とする。 - 特許庁

The semiconductor device has at least one thin-film transistor having a channel region 113n, a semiconductor layer having a crystalline region including a source region and a drain region 112, a gate insulating film 107 provided between a gate electrode 108n and a channel region, and an interlayer insulating film 117 on the semiconductor layer.例文帳に追加

半導体装置は、チャネル領域１１３ｎ、ソース領域およびドレイン領域１１２を含む結晶質領域を備えた半導体層と、ゲート電極１０８ｎとチャネル領域との間に設けられたゲート絶縁膜１０７と、半導体層上の層間絶縁膜１１７とを有する少なくとも１つの薄膜トランジスタを備える。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device includes an element manufacturing process wherein a semiconductor element is formed on a semiconductor substrate 10 and an interlayer film formation process wherein a LOCOS oxide film 12 having an opening at a desired position is formed as a constituent component of the semiconductor device on the surface RS of the semiconductor substrate 10.例文帳に追加

当該半導体装置の製造方法は、半導体基板１０に半導体素子を作製する素子作製工程と、当該半導体装置の構成要素として、所望の位置で開口するＬＯＣＯＳ酸化膜１２を半導体基板１２の表面ＲＳに形成する層間膜形成工程とを備える。 - 特許庁

This synthetic resin sheet is a laminated sheet composed of a sheet made from a composition as an interlayer and two olefin resin thin films bonded on both sides thereof, where the composition comprises 30-70 pts.wt. of an elastomer obtained by hydrogenating a block copolymer of a vinyl aromatic compound and a conjugated diene compound, and 70-30 pts.wt. of an olefin resin.例文帳に追加

ビニル系芳香族化合物と共役ジエン化合物とのブロック共重合体をさらに水素添加して得られたエラストマー３０〜７０重量部と、オレフィン樹脂７０〜３０重量部とからなる組成物製シートを中間層とし、その両側にオレフィン樹脂の薄膜を貼り合わせて積層シートとする。 - 特許庁

More specifically, the plug PLG has the upper surface presenting an upward convex domed shape, an upper end of a barrier conductor film BF1 is higher than the upper surface of the contact interlayer dielectric CIL, and an upper end of a tungsten film WF is further higher than the upper end of the barrier conductor film BF1.例文帳に追加

つまり、プラグＰＬＧは、上面が上に凸のドーム形状となっており、コンタクト層間絶縁膜ＣＩＬの上面の高さよりもバリア導体膜ＢＦ１の上端部の高さが高く、かつ、タングステン膜ＷＦの上端部の高さはバリア導体膜ＢＦ１の上端部の高さよりも高くなっている。 - 特許庁

To provide a CMOS integrated circuit, which that has a plurality of row region portions 2 arranged longitudinally and laterally and includes a plurality of wiring layers and in which interlayer wiring lines are connected via a via, capable of having higher wiring efficiency, a smaller chip size, and improved working speed by improving the patterns of a power source and a ground.例文帳に追加

複数のロウ領域部２が縦横に配置され、複数の配線層を備え、層間配線がヴィアを介して接続されたＣＭＯＳ集積回路において、電源、接地のパターンを改良し、配線効率を上げ、チップサイズを小さくでき、動作速度を向上できる集積回路を提供する。 - 特許庁

Deposition temperatures of the HDP films 16 and 18 as interlayer insulating films are controlled to ≤365°C, preferably to the temperature range of 335 to 365°C, or more preferably to 350°C, and the deterioration in dark current and the increase in fine white flaws can be thereby suppressed to prevent the picture quality from deteriorating.例文帳に追加

層間絶遠膜であるＨＤＰ膜１６，１８のデポジション温度を、摂氏３６５度以下、好ましくは、摂氏３３５度〜摂氏３６５度の温度範囲、さらに好ましくは、３５０度に制御することにより、暗電流の劣化および微小白傷の増加を抑制することができて画質劣化を防止する。 - 特許庁

In the multilayer optical recording medium, the many recording layers configure a plurality of recording layer groups each comprising a predetermined number of recording layers, a gap layer is formed between the plurality of recording layer groups, and a distance between the plurality of recording layer groups, which corresponds to a thickness of the gap layer is made longer than a maximum interlayer distance of the predetermined number of recording layers.例文帳に追加

多数の記録層は各々が所定数の記録層からなる複数の記録層群を構成し、複数の記録層群の間にはギャップ層が形成され、ギャップ層の厚さである複数の記録層群の群間距離は、所定数の記録層の最大層間距離より長くされた多層光記録媒体。 - 特許庁

To provide a positive photosensitive resin composition excellent in developability, excellent also in transparency, solvent and heat resistances, showing good insulation even after storage, and excellent in fitness for ITO; to provide a cured film excellent in transparency, solvent and heat resistances; and to provide an interlayer dielectric excellent in insulation and fitness for ITO.例文帳に追加

現像性に優れ、透明性、耐溶剤性、耐熱性にも優れ、保存しても絶縁性が良好で、ＩＴＯ適性の優れたポジ型感光性樹脂組成物を提供し、透明性、耐溶剤性、耐熱性に優れた硬化膜を提供し、絶縁性、およびＩＴＯ適性に優れた層間絶縁膜を提供する。 - 特許庁

In a liquid crystal display device in which a liquid crystal layer which exhibits a blue phase is sandwiched between a first substrate and a second substrate, a pixel electrode layer is electrically connected to a drain electrode layer of a transistor and a common electrode layer is electrically connected to a conductive layer formed by the same step as the drain electrode layer via an interlayer film.例文帳に追加

第１の基板と第２の基板とでブルー相を示す液晶層を挟持する液晶表示装置において、層間膜を介して画素電極層はトランジスタのドレイン電極層と、共通電極層はドレイン電極層と同工程で形成される導電層と電気的に接続する。 - 特許庁

The method of manufacturing the printed circuit board includes: laminating a buildup layer 120 on a base substrate 110 including a circuit layer 115 connected with a first via 114 penetrating an insulating layer; processing a viahole 160 penetrating the buildup layer 120 including at least a part of the first via 114; and forming an interlayer connection member 162 in the viahole 160.例文帳に追加

絶縁層に貫設された第１ビア１１４と連結された回路層１１５が形成されたベース基板１１０にビルドアップ層１２０を積層し、第１ビア１１４の少なくとも一部を含むビルドアップ層１２０を貫くビアホール１６０を加工し、ビアホール１６０に層間連結部材１６２を形成する。 - 特許庁

To provide a positive photosensitive resin composition for an organic insulating film having a wide development margin and forming an interlayer insulating film excellent in transparency, solvent resistance, heat resistance, insulation stability and fitness for ITO, an organic insulating film using the same, and an organic EL display device and a liquid crystal display device including the organic insulating film.例文帳に追加

現像マージンが広く、且つ、透明性、耐溶剤性、耐熱性、絶縁安定性、及びＩＴＯ適性に優れた層間絶縁膜を形成しうる有機絶縁膜用ポジ型感光性樹脂組成物、それを用いた有機絶縁膜、該有機絶縁膜を具備する有機ＥＬ表示装置及び液晶表示装置の提供。 - 特許庁

To provide a radiation curable resin composition with excellent reactivity, and a prepreg for molding a composite material and members comprising the resin and a fiber reinforcement usable especially in the aeronautical or space field, and especially, a resin composition having compression characteristics and interlayer shear strength superior to those of conventional ones and advantageous in terms of cost.例文帳に追加

反応性に優れた放射線硬化樹脂組成物、及びこの樹脂と繊維強化材とからなる、特に航空・宇宙分野で利用可能な複合材料・部材を成形するためのプリプレグ、特に、従来のものよりも圧縮特性や層間せん断強度に優れ、且つ、コスト的にも有利な樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

A source electrode 107 is formed of a first metal layer 1071 of MoW and a second metal layer 1072 of Al, on which a coating type insulating film 109 is formed, and further a common electrode 110, an interlayer insulating film 111 and a pixel electrode 112 are formed on the coating type insulating film 109.例文帳に追加

ＭｏＷによる第１金属層１０７１とＡｌによる第２の金属層１０７２で形成されるソース電極１０７の上に塗布型絶縁膜１０９が形成され、塗布型絶縁膜１０９の上にコモン電極１１０、層間絶縁膜１１１、画素電極１１２が形成されている。 - 特許庁

To give excellent ink absorptivity, ink fixing property, water resistance and bleeding resistance, and also enable clear image to be further retained with respect to an ink jet medium to be recording with a dye-fixing layer formed consisting of an interlayer and bonding agent for acceptably retaining water soluble dye through an intercalation reaction.例文帳に追加

水溶性染料をインターカレーション反応により受容保持する層間化合物と結着剤とからなる染料定着層が形成されてなるインクジェット用被記録媒体に対し、良好なインク吸収性、インク定着性、耐水性及び耐にじみ性を付与し、更に鮮明な画像を保持可能とする。 - 特許庁

The electrooptic device further includes a counter electrode 21 disposed opposite to the pixel electrode and a conductive film 6ax which is arranged in the under layer side via an interlayer insulation film 43 from the plurality of pixel electrodes, is disposed on at least a part in the first and second gap regions and is supplied with a prescribed potential.例文帳に追加

更に、第２基板上に、画素電極と対向配置された対向電極（２１）と、複数の画素電極よりも層間絶縁膜（４３）を介して下層側に配置され、第１及び第２間隙領域内の少なくとも一部に設けられると共に所定電位が供給される導電膜（６ａｘ）とを備える。 - 特許庁

A tire cord comprises a polyester fiber, the polyester fiber comprises laminar nanoparticles having side lenths of 5-100 nm and an interlayer spacing of 1-5 nm, the laminar nanoparticle is composed of a compound comprising a metal element, especially at least one metal element selected from the group consisting of Zn, Mn, Co and Mg.例文帳に追加

ポリエステル繊維から構成されたタイヤコードで、該ポリエステル繊維が１辺の長さが５〜１００ｎｍ、層間間隔が１〜５ｎｍである層状ナノ粒子を含み、該層状ナノ粒子は金属元素、特にＺｎ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｍｇの群から選ばれる１種以上の金属元素を含む化合物から構成されている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a module having a built-in component which can sufficiently expose a terminal electrode of a surface mounting component in an insulating resin layer without damaging the electrode without largely depending on the irradiation amount of a laser beam, and can unfailingly connect an interlayer connection conductor to the terminal electrode of the surface mounting component.例文帳に追加

レーザー光の照射量に大きく依存することなく、表面実装型部品の端子電極を傷つけることなく絶縁樹脂層において十分に露出させて、層間接続導体と表面実装型部品の端子電極を確実に接続することができる部品内蔵モジュールの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a biaxially oriented self-tack protective film for in-mold lamination which shows excellent transparency and appearance property without the generation of interface irregularities or interlayer void, and also without the generation of floating or peeling to an adherend during high temperature fabrication, and for these advantages, enables an easy visual product inspection of the adherend, and exhibits an insignificant tack acceleration under high temperatures.例文帳に追加

界面ムラや層間ボイドの発生が無く透明性・外観特性に優れ、高温加工時の被着体との浮きや剥がれも発生しないために、被着体の目視での検品が容易であり、かつ高温下での粘着力昂進が小さいインモールドラミネーション用二軸延伸自己粘着性プロテクトフィルムを提供する。 - 特許庁

To provide a heat-shrinkable laminated film which excels in heat shrinkage characteristics, transparency, and interlayer adhesion at an ordinary temperature, is hard to peel even if treated at a high temperature, is restrained from whitening that occurs when bending the film during processing or the like, and is suitably used for a shrink package, shrink binding package, a shrink label, or the like.例文帳に追加

熱収縮特性、透明性、常温における層間接着に優れ、高温で処理しても剥離しにくく、かつ、加工時等にフィルムを折り曲げた際に生じる白化を抑制した、収縮包装、収縮結束包装や収縮ラベル等の用途に適した熱収縮性積層フィルムの提供。 - 特許庁

The curable composition for the interlayer film of the laminated glass contains a polymer (A) whose main chain includes an alkyl acrylate monomer unit and/or an alkyl methacrylate monomer unit and which contains at least one group including hydrolyzable silicon per one molecule, a silane coupling agent (B) and a tin catalyst and/or a titanium catalyst (C).例文帳に追加

主鎖がアクリル酸アルキルエステル単量体単位および／またはメタクリル酸アルキルエステル単量体単位を含み、加水分解性ケイ素含有基を１分子あたり少なくとも１個有する重合体（Ａ）と、 シランカップリング剤（Ｂ）と、 スズ触媒および／またはチタン触媒（Ｃ）とを含有する合わせガラス中間膜用硬化性組成物。 - 特許庁

To provide an antireflection film excellent in weather resistance and durability which does not cause natural interlayer peeling between a UV-curing hard coat resin layer and an antireflection layer due to changes with time or easy interfacial peeling between the UV-curing hard coat resin layer and the antireflection film by a pressure-sensitive adhesive tape.例文帳に追加

経年変化により紫外線硬化型ハードコート樹脂層と反射防止層との層間で自然剥離や、粘着テープにより容易に紫外線硬化型ハードコート樹脂層と反射防止膜層との間で界面剥離が発生することのない耐候性、耐久性に優れた反射防止フィルムの提供。 - 特許庁

The toner contains at least a colorant, a binder resin and a release agent, wherein the toner contains an organic modified layered inorganic mineral prepared by modifying at least a part of interlayer ions with organic ions, and the modification rate of the organic ions X [%] in the organic modified layered inorganic mineral satisfies 50≤X<100.例文帳に追加

少なくとも着色剤、結着樹脂、離型剤を有するトナーにおいて、該トナーは、層間のイオンの少なくとも一部を有機物イオンで変性した有機変性層状無機鉱物を含有し、該有機変性層状無機鉱物中の有機物イオン変性率Ｘ〔％〕が、５０≦Ｘ＜１００であることを特徴とする。 - 特許庁

The interlayer film for the heat-shielding laminated glass contains a matrix resin, a plasticizer, and tin-doped indium oxide fine particles each having a surface coated with an amorphous (noncrystalline) indium oxide and/or antimony-doped tin oxide fine particles each having a surface coated with an amorphous(noncrystalline) tin oxide.例文帳に追加

マトリックス樹脂、可塑剤、並びに、アモルファス状（非結晶質）酸化インジウムにより表面が被覆された錫ドープ酸化インジウム微粒子及び／又はアモルファス状（非結晶質）酸化錫により表面が被覆されたアンチモンドープ酸化錫微粒子を含有することを特徴とする遮熱合わせガラス用中間膜。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which an inexpensive and highly reliable high integrated circuit can be formed by suppressing an excessive facility investment, keeping a high productivity and forming physically and electrically appropriate connection in an interlayer wiring with a multilayer wiring structure using a wiring material made mainly of Cu.例文帳に追加

余剰な設備投資を抑制し、かつ高い生産性を保持して、Ｃｕを主成分とする配線材を用いた多層配線構造の配線層間において、物理的、電気的に良好な接続を形成することによって、安価で信頼性の高い高集積回路となる半導体装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a silicon substrate 1 which has a principal plane 1a and has an active element region 101 where a semiconductor element is formed and a cut region 102 extended around the active element region 101, both of which are defined on the principal plane 1a; and an interlayer insulating film 2 formed on the principal plane 1a.例文帳に追加

半導体装置は、主表面１ａを有し、主表面１ａ上に、半導体素子が形成された能動素子領域１０１と、能動素子領域１０１の周りに延在する切断領域１０２とが規定されたシリコン基板１と、主表面１ａ上に形成された層間絶縁膜２とを備える。 - 特許庁

The transparent pixel electrode 8 is connected to the drain electrode 6 via a contact hole 9 formed in the interlayer insulating film 7, and the contact hole 9 is formed so that the diameter is increasing from the drain electrode 6 toward the transparent pixel electrode 8, and the inner peripheral part of the opening has a curvature of 0.5 to 2.0 μm.例文帳に追加

透明画素電極８とドレイン電極６とが、層間絶縁膜７に形成されたコンタクトホール９を介して接続され、コンタクトホール９が、ドレイン電極６から透明画素電極８に向けて拡径に形成され、開口内縁部が０．５乃至２．０μｍの曲率を有するように形成されている。 - 特許庁

Since this panel is formed by sewing both plate materials by penetrating through a large number of holes arranged in the two plate materials oppositely arranged with the clearance by an FRP material having continuous reinforced fiber and a matrix resin, strength (the so-called interlayer strength) against separation and shearing between plates can be increased.例文帳に追加

連続した強化繊維とマトリックス樹脂を有するＦＲＰ材により、間隙をもって対向して配置された２枚の板材に設けられた多数の孔を貫通して両板材を縫いつけてパネルとしたから、板と板との間のはく離及びせん断に対する強度（いわゆる層間強度）を大きくすることができる。 - 特許庁

On the upper surface of a second interlayer insulation layer 7, a second local interconnect line 8 connecting the source region 4A of an MOS transistor T with the lower electrode layer 10A of a ferroelectric capacitor C and connecting a part of the gate electrodes 3A and 3C of the MOS transistor T with the uppermost layer interconnect line 12 is formed.例文帳に追加

また、第二の層間絶縁層７の上面に、ＭＯＳトランジスタＴのソース領域４Ａと強誘電体キャパシタＣの下部電極層１０Ａとを接続し、且つ、ＭＯＳトランジスタＴの一部のゲート電極３Ａ、３Ｃと最上層配線１２とを接続する第二の局所配線８を形成する。 - 特許庁

To provide a photosensitive siloxane composition which excels in stability when allowed to stand after exposure, causes no pattern drooping during heat curing, has such properties as high resolution, high heat resistance and high transparency after heat curing, and is used for forming a planarizing film for a TFT substrate, an interlayer insulation film and a core or clad material of an optical waveguide.例文帳に追加

露光後放置安定性に優れ、熱硬化中にパターンだれが生じることなく、熱硬化後に高解像度、高耐熱性、高透明性の特性を有する、ＴＦＴ基板用平坦化膜、層間絶縁膜、光導波路のコアやクラッド材の形成に用いられる感光性シロキサン組成物を提供する。 - 特許庁

Organic SOG films 6 and 13 of specific permittivity 3.0 or below are used for insulating the adjacent wirings from each other in a second wiring layer M2 and a third wiring layer M3 which are set minimum in line width and laid out short in length resting on a layout rule, by which the adjacent wiring layers can be lessened in interlayer capacitance between them.例文帳に追加

レイアウトルールの最小線幅で加工され、短距離引き回し配線である第２層配線Ｍ_2 および第３層配線Ｍ_3 では、隣接配線間の絶縁に比誘電率が約３. ０以下の有機ＳＯＧ膜６，１３を用いることによって、隣接配線間の層間容量を小さくする。 - 特許庁

The interlayer insulating film 10 is formed of a plurality of layers composed of an BPSG insulating film 10a and a TEOS film 10b, and the BPSG insulating film 10a is covered with the TEOS film 10b, so that the BPSG insulating film 10a is not in contact with a base wiring electrode 12a included in a source electrode 12.例文帳に追加

層間絶縁膜１０をＢＰＳＧ絶縁膜１０ａとＴＥＯＳ膜１０ｂとによる複数層で構成し、ＢＰＳＧ絶縁膜１０ａをＴＥＯＳ膜１０ｂにて覆うことで、ＢＰＳＧ絶縁膜１０ａがソース電極１２に含まれる下地配線電極１２ａと接しない構造とする。 - 特許庁

To provide an excellent polishing pad and a polishing device suppressing exfoliation of copper from an interlayer insulating film and hardly causing dishing in metal wiring in the polishing pad for use in forming a flat face on glass, a semiconductor, a dielectric/metal complex, an integrated circuit, or the like.例文帳に追加

本発明は、ガラス、半導体、誘電／金属複合体及び集積回路等に平坦面を形成するのに使用される研磨用パッドにおいて、層間絶縁膜からの銅の剥離を抑制し、金属配線でのディッシングが起こりにくい優れた研磨パッドおよび研磨装置を提供せんとするものである。 - 特許庁

Also, a contact hole 8 is formed in a first interlayer insulating film 4, and the high melting point metal silicide is accumulated on the whole face, and the patterning of the high melting point metal silicide is carried out without operating etching- back, and metallic wirings including the bit lines 12 are formed so that a manufacturing process can be shortened in time.例文帳に追加

また、第１層間絶縁膜４にコンタクト孔８を形成し高融点金属シリサイドを全面に堆積させた後にエッチバックを行うことなく、そのまま高融点金属シリサイドのパタ−ニングを行い、ビット線１０を含む金属配線を形成しているので製造工程を短縮できる。 - 特許庁

A wiring groove is provided to the BCB films 6 and 8, and the ALCAPTM 7 of the interlayer insulating film of laminated structure, a connection hole is provided from the bottom of the wiring groove and penetrating through the ALCAPTM 5 and the BCB film 4 functioning as an etching stopper for the connection hole, and an upper dual damascene wiring 9 and upper damascene wiring 9a are formed.例文帳に追加

このような積層構造の層間絶縁膜に対して、配線溝がＢＣＢ膜６，８とＡＬＣＡＰ^TM７に形成され、この配線溝底からＡＬＣＡＰ^TM５と接続孔のエッチングストッパーであるＢＣＢ膜４を貫く接続孔が形成され、上層デュアルダマシン配線９、上層ダマシン配線９ａが形成される。 - 特許庁

To provide a photoreceptor which is free of cracking of a charge transport layer even in long-term repetitive use under high stress, ensures stable potential, improves the fingerprint resistance of the charge transport layer, suppresses occurrence of grainy surface stains even after wear of a photosensitive layer, and improves interlayer adhesiveness, with respect to an organic electrophotographic photoreceptor.例文帳に追加

有機電子写真感光体において、応力が大きい状態で長期繰返し使用において電荷輸送層にクラックを生ぜず、電位が安定し、電荷輸送層の耐指紋性を向上させ、感光層が摩耗した場合でも粒状地汚れの発生が低減され、層間の接着性が向上した感光体を提供する。 - 特許庁

An adhesion of the interlayer to the fuel electrode is increased since the former has the same components as the latter, and further, the contact area with the electrolyte is increased by the uneven surface formed by the screen printing, which intensifies its adhesion increasing its conductivity accordingly.例文帳に追加

中間層は燃料極と同等の成分であることから燃料極との密着性が高まり、しかもスクリーン印刷法により中間層を形成したことにより、表面に凹凸が形成されることから電解質との接触面積を増大でき、しかも密着させることができ電導性を高められる。 - 特許庁

A solution containing an adamantane derivative (10a) having an aldehyde group and an aromatic amine derivative (10b) is coated on a substrate, and thereafter the substrate is subjected to heat treatment in an atmosphere containing oxygen to form an interlayer insulating film as an organic polymer film (10d) having an adamantine skeleton and a benzoxazole skeleton.例文帳に追加

アルデヒド基を有するアダマンタン誘導体（１０ａ）と芳香族アミン誘導体（１０ｂ）とを含む溶液を基板上に塗布した後に、酸素を含有する雰囲気下において熱処理を行なうことにより、アダマンタン骨格とベンツオキサゾール骨格とを有する有機高分子膜（１０ｄ）よりなる層間絶縁膜を形成する。 - 特許庁

A plug electrode extending from a semiconductor substrate to the upper surface of an interlayer insulation film is divided into a first plug electrode 5 and a second plug electrode 13 which are then connected by an LI layer 7a, and an LI layer 7b is laid under an alignment mark 15 and used as an etching stopper layer.例文帳に追加

半導体基板から層間絶縁膜の上面に至るプラグ電極を第１プラグ電極５と第２プラグ電極１３とに分け、第１プラグ電極５と第２プラグ電極１３とをＬＩ層７ａで繋ぐと共に、ＬＩ層７ｂを合わせマーク１５の下に敷いてエッチングストッパ層として使用する。 - 特許庁

An opening is provided to a part of the light blocking film 12 deposited on the circuit element to serve as a cross wiring section 16, a cross electrode 18 is formed of a wiring layer at the same level with the light blocking film 12, and a cross wiring consisting of first electrode wirings 17a and 17c and an electrode wiring 17b can be realized by an interlayer connection.例文帳に追加

回路素子部１５の遮光膜１２の一部を開口して交差配線部１６とし、遮光膜１２と同じレベルの配線層で交差電極１８を形成し、層間接続により第１層目の電極配線１７ａ、１７ｃと電極配線１７ｂとのクロス配線を実現する。 - 特許庁

To suppress troubles of allowing insulative reaction byproducts to adhere on the surface of an underlying Cu interconnections exposed on the bottoms of interconnection grooves, and allowing a silicon carbide film and an organic insulating film exposed on the sidewalls of interconnection grooves to be side-etched, in forming interconnection grooves on the underlying Cu interconnections by dry-etching an interlayer insulating film.例文帳に追加

層間絶縁膜をドライエッチングして下層のＣｕ配線の上部に配線溝を形成する際、配線溝の底部に露出した下層のＣｕ配線の表面に絶縁性の反応物が付着したり、配線溝の側壁に露出した炭化シリコン膜や有機絶縁膜がサイドエッチングされるという不具合を抑制する。 - 特許庁

To provide an interlayer dielectric formed by using an insulating material, which has a low dielectric constant and is superior in heat resistance, thermal conductivity, and mechanical strength, and has a low thermal expansion coefficient, and is capable of restraining the diffusion of metal constituting a wiring material into an insulating film, and provide a semiconductor device composed of this.例文帳に追加

低誘電率であって、耐熱性、熱伝導性及び機械強度に優れ、熱膨張係数が低くて配線材料である金属の絶縁膜中への拡散を抑制できる絶縁材料によって形成された層間絶縁膜及びこれにより構成された半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition which has high sensitivity, realizes a pattern with a high film remaining rate when developed and after cured, has excellent resolution and a pattern profile of a micro pattern, and has high heat resistance and mechanical performance required for the usage for a surface protective film and an interlayer insulating film of a semiconductor element.例文帳に追加

高感度で現像時及びキュア後において高残膜率のパターンを得られ、同時に微細パターンの解像性及びパターン形状に優れ、さらには、半導体素子の表面保護膜、層間絶縁膜用途として要求される耐熱性と力学的性能をも高レベルで満足する感光性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

In a semiconductor device 1, an underlaying insulating film 250, an interlayer insulating film 220, and an upper layer insulating film 260 are almost constant in the film thickness, and in a first wiring layer 210, a film thickness d11 at an intersection part 280 with a second wiring layer 230 is thinner than a film thickness d12 of its peripheral part.例文帳に追加

半導体装置１において、下地絶縁膜２５０、層間絶縁膜２２０、および上層絶縁膜２６０は、その膜厚が略一定であるが、第１の配線層２１０は、第２の配線層２３０との交差部分２８０での膜厚ｄ１１がその周辺部分の膜厚ｄ１２よりも薄い。 - 特許庁