「Interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(115ページ目) - Weblio英語例文検索

To realize a highly reliable method of forming a wiring, capable of forming a wiring with a high aspect ratio and preventing variation in device characteristics due to diffusion of a wiring material in an interlayer insulating film, in a composite integrated circuit in which a power element and a non-power element are formed on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上にパワー素子と非パワー素子とが形成された複合集積回路において、アスペクト比が高い配線を形成するとともに、配線材料が層間絶縁膜中に拡散してデバイス特性の変動などが生じない信頼性の高い配線形成方法を実現する。 - 特許庁

To provide an electronic component built-in substrate, along with a manufacturing method thereof and an inspection method therefor, capable of readily and accurately inspecting an interlayer connection of a multilayer printed wiring board, regardless of the kind of removing method of insulating layer, without having to carry out cross-section analysis of a finished product of the multilayer printed wiring board.例文帳に追加

多層プリント配線基板の完成品の断面解析を行わず、絶縁層の除去方法の種類を問わずに、多層プリント配線基板の層間接続を簡便且つ精確に検査可能な電子部品内蔵基板、その製造方法、及びその検査方法を提供する。 - 特許庁

After the formation of first electrodes 2 and second electrodes 3 at the growth starting side end sections and the growth terminating side end sections of the carbon nanotubes 1, interlayer insulating films 9 are formed, and then the semiconductor device 100 is completed, with a logic circuit comprising an n-type FET (field effect transistor) 20n and a p-type FET 20p mounted thereon.例文帳に追加

カーボンナノチューブ１の成長起点側及び終点側の端部に第１及び第２の電極２，３を形成した後、層間絶縁膜９を成膜し、ｎ型ＦＥＴ２０ｎ及びｐ型ＦＥＴ２０ｐからなる論理回路を実装した半導体装置１００を完成する。 - 特許庁

This display device is equipped with the data signal wiring DL to supply a display signal to the thin film electron source ELS, and the scan signal wiring GL crossing the data signal wiring DL through the interlayer insulating layers INS1, INS2 to impress a scan signal on the thin film electron source on the inner surface of a cathode substrate SUB1.例文帳に追加

カソード基板SUB1の内面に、薄膜電子源ＥＬＳに表示信号を供給するデータ信号配線ＤＬと、このデータ信号配線DLとは層間絶縁層ＩＮＳ1,ＩＮＳ2を介して交叉し、薄膜電子源ＥＬＳに走査信号を印加する走査信号配線ＧＬとを備える。 - 特許庁

A repeater is formed on or under a wiring, disposed between interlayer films in the form of a polysilicon transistor or a single-crystalline SOI transistor, the repeater is provided above a global wiring 70 layer or on a device layer threrebelow, thus suppressing increase in the area of a chip and reducing signal delay for high-speed operation.例文帳に追加

リピータを、層間膜に挟まれた配線の上方又は下方にポリシリコントランジスタ又は単結晶ＳＯＩトランジスタにより形成し、リピータをグローバル配線層の上方又は下方のデバイス層に設けることで、チップ面積の増大が抑制され信号遅延を低減し高速動作が可能となる。 - 特許庁

To provide a reliable method of forming a contact plug for preventing short-circuiting between the contact plug and a word line or between the contact plug and a bit line by using a material having an etching speed ratio of 100 or larger for etching speed of a silicon oxide film as an interlayer film forming the self-aligned contact plug.例文帳に追加

自己整合コンタクトプラグを形成する層間膜に、酸化シリコン膜のエッチング速度に対するエッチング速度比が１００以上となる材料を適用し、コンタクトプラグとワード配線、あるいはコンタクトプラグとビット配線のショートを防止する信頼性の高いコンタクトプラグの形成方法を提供する。 - 特許庁

In the solid-state image pickup device, for which an n-type photoelectric conversion region 303, is formed inside a p^--type well region 302, a light-shielding film 315 and a transparent conductive film 321 are formed via a second interlayer insulation film 314 on the n-type photoelectric conversion region 303.例文帳に追加

Ｐ^-型ウェル領域３０２内にＮ型光電変換領域３０３が形成された固体撮像装置において、Ｎ型光電変換領域３０３上に第２層間絶縁膜３１４を介して遮光膜３１５および透明導電膜３２１を形成する。 - 特許庁

The surface of a pixel capacity region on the surface of a substrate is made finely rugged by sandblast, a reflecting layer comprising an Al-Nd alloy is formed on the whole surface of the substrate, SiO_2 is laminated on the reflecting layer to form an interlayer insulating layer, and a transparent electrode is formed on the insulating layer.例文帳に追加

基板表面の画素容量領域表面にサンドブラスト法により微細な凹凸を形成し、基板全面にＡｌ−Ｎｄ合金からなる反射層を形成し、反射層の上はＳｉＯ２を積層して層間絶縁層を形成し、層間絶縁層の上には透明電極を形成する。 - 特許庁

Even when conductive thin lines 10 are formed in the case of forming the contact plugs 9 due to the presence of the voids 8, conductive thin wires 10 are exposed by removing the interlayer insulation film 7, and thereafter the conductive thin wires 10 are removed by etching.例文帳に追加

ボイド８の存在に起因してコンタクトプラグ９を形成する際に導電性細線１０が形成された場合であっても、層間絶縁膜７を除去することによって導電性細線１０を露出させた後に、導電性細線１０をエッチングによって除去する。 - 特許庁

Otherwise, on the element substrate, the opening ratio of a pixel electrode is heightened by disposing an interlayer insulating film so as to improve the contrast and, at the same time, contact holes of the pixel electrodes are provided on a portion of the parts corresponding to the boundary regions so as to shield light and to reduce the light leakage.例文帳に追加

或いは、素子基板上において、層間絶縁膜を配置することで画素電極の開口率を高くしてコントラストを向上すると共に、境界領域に相当する部分の一部に画素電極のコンタクトホールを設けることによって遮光され光漏れを低減する。 - 特許庁

A booster circuit comprises a gate insulating film provided on the surface of a silicon substrate 1, a first gate electrode 5 provided on the insulating film, an interlayer insulating film provided on the electrode 5, and a second gate electrode 6 provided on the insulating film in such a manner that the electrode 5 is fixed to a reference voltage.例文帳に追加

シリコン基板１の表面上にゲート絶縁膜を設け、ゲート絶縁膜上に第１のゲート電極５を設け、第１のゲート電極５上に層間絶縁膜を設け、層間絶縁膜上に第２のゲート電極６を設け、第１のゲート電極５を基準電位に固定する。 - 特許庁

Furthermore, a third interlayer insulating film 212 is formed, then a capacitor linking connection hole 213 is formed by taking advantage of a part of the third insulating film on the capacitor and a part of the third and second insulating film on the pad, and a buried local interconnection wire 214 is formed of a second conductive layer.例文帳に追加

さらに第３層間絶縁２１２を形成後、キャパシタ上の第３絶縁膜の一部とパッド上の第３、第２絶縁膜の一部をして、キャパシタ連結用接続孔２１３を形成し、それを第２伝導層で埋込み局所的相互接続線２１４を形成する。 - 特許庁

In more detail, trenches 134 are formed along the external periphery of the light-receiving section 4 on interlayer insulating films 92, 96 and 100 below Al layers 94, 98 and 102 laminated on the wiring structure layer 90, the Al layers are embedded in the trenches to form a plug 136 extending along the periphery.例文帳に追加

具体的には、配線構造層９０に積層される各Ａｌ層９４，９８，１０２の下の層間絶縁膜９２，９６，１００に受光部４の外周に沿ってトレンチ１３４を形成し、これらトレンチに各Ａｌ層を埋め込んで、周に沿って延在するプラグ１３６を形成する。 - 特許庁

Resistor paste 9 is buried into an interlayer insulation film 22, and the resistor paste 9, a conductor part 61 of a first conductor layer, and a conductor part 62 of a second conductor layer are brought into contact with the resistor paste 9, thus composing a resistance element with a part in contact with the conductor part as an electrode.例文帳に追加

層間絶縁膜２２中に抵抗体ペースト９を埋設し、この抵抗体ペースト９と、第１の導体層の導体部６１と第２の導体層の導体部６２は抵抗体ペースト９に接触し、導体部と接触する部分を電極として抵抗素子を構成する。 - 特許庁

A plurality of dummy patterns 8c for CMP formed on the interlayer insulating film 6 are connected to the first and second conductive impurity regions 5c, 5d for discharge via the first and second connecting holes 6c, 6d, respectively, and these are also connected with each other.例文帳に追加

層間絶縁膜６上に形成された複数のＣＭＰ用ダミーパターン８ｃは、第１及び第２の接続孔６ｃ、６ｄそれぞれを介して第１導電型及び第２導電型の放電用不純物領域５ｃ，５ｄそれぞれに接続し、また互いに接続している。 - 特許庁

To provide a translucent liquid crystal display device wherein adhesiveness between an organic interlayer film or an insulating layer made of SiN and an ITO layer is improved and electrochemical corrosion is eliminated and which has a transparent conductive layer made of the ITO layer whose end surface has a normal taper shape.例文帳に追加

有機層間膜ないしはＳｉＮからなる絶縁層とＩＴＯ層との間の密着性を改善するとともに電蝕が生じないようにした、端面が順テーパ状のＩＴＯ層からなる透明導電層を有する半透過型液晶表示装置を提供すること。 - 特許庁

Since an atomized powder 32 with an inferior sintering property is included at a ratio of 20 (%) or more against the total conductive powder, when forming wiring and interlayer connecting conductor, calcination contraction is suppressed by that atomized powder 32 which hardly changes its volume before and after sintering.例文帳に追加

焼結性の劣るアトマイズ粉末３２は導電性粉末全体に対して20(％)以上の割合で含まれていることから、配線および層間接続導体を形成するに際して、焼結前後で殆ど変化しないそのアトマイズ粉末３２によって焼成収縮が抑制される。 - 特許庁

An end portion E4 of the auxiliary electrode 150 is formed so as to be located on the outer side than an end portion E1 of the common electrode 72 within a surface of a substrate 10, and the end portion E1 of the common electrode 72 is formed so as to be located on the inner side than an end portion E2 of the second interlayer insulating film 35.例文帳に追加

補助電極１５０の端Ｅ４は、共通電極７２の端Ｅ１よりも基板１０の面内において外側に位置するよう形成され、共通電極７２の端Ｅ１は、第２層間絶縁膜３５の端Ｅ２よりも内側に位置するよう形成される。 - 特許庁

A semiconductor device is provided with a semiconductor chip, where the electrode part is sequentially formed on an element forming face 15a of a semiconductor substrate 15 via an interlayer insulating film 17, and a conductor member bonded to a Ni layer via a bonding member having electrical conductivity.例文帳に追加

半導体基板１５の素子形成面１５ａ上に、層間絶縁膜１７を介して、電極部が順に形成された半導体チップと、電気伝導性を有する接合部材を介して、Ｎｉ層と接合された導体部材とを備える半導体装置の構造を以下のようにする。 - 特許庁

To provide a composition for a semiconductor interlayer insulating film, which contains an organopolysilsesquioxane compound, is excellent in storage stability and gives an insulating film with a low dielectric constant when applied on a semiconductor, and a process for producing the organopolysilsesquioxane compound.例文帳に追加

保存時の安定性に優れ、半導体上に塗布・成膜して得られる絶縁膜の誘電率が極めて低いオルガノポリシルセスキオキサン化合物を含む半導体層間絶縁膜用組成物および該オルガノポリシルセスキオキサン化合物の製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

In addition, antistatic contact hole 5 is formed, an electrification protection groove 6 is formed on the interlayer insulation film on the electrification protection contact hole 5, and a cell plate electrode 7 is formed so as to cover the whole face of the memory cell part area and the antistatic capacitor part.例文帳に追加

また、帯電保護用コンタクト孔５が形成され、帯電保護用コンタクト孔５上であって層間絶縁膜に帯電保護用溝６が形成され、セルプレート電極７が上記メモリセル部領域の全面および帯電保護キャパシタ部を被覆するように形成されている。 - 特許庁

By pouring a filling material A containing a reinforcement material into a space 12 (e.g., interlayer exfoliation part) formed inside the composite material, cutting work and preparation of repair material which are required in the conventional art are made unnecessary, production of waste is suppressed, and the repairing processes are simplified.例文帳に追加

強化材を含有する充填材Ａを、複合材料１０内に形成された隙間（例えば層間はく離部）１２に注入することで、従前のような切削作業、修復材料の準備を不要とし、廃棄物の発生を抑制して、修復工程の簡素化を図ることができる。 - 特許庁

To provide a resin composition having a small dielectric constant, excellent in pattern accuracy and adhesiveness to a substrate, capable of developing with water or a diluted alkaline solution, and suitable for forming a printed circuit board, a solder resist for IC package or a interlayer dielectric layer or the like, and a photosensitive film using the resin composition.例文帳に追加

パターン精度、基板との密着性に優れ、水又は希アルカリ溶液で現像ができ、プリント配線基板やＩＣパッケージ用のソルダーレジストや層間絶縁層等の形成に適する低誘電率樹脂組成物及びこれを用いた感光性フイルムを提供する。 - 特許庁

Since a conductive paste is subjected to screen print on a ceramic green sheet 2, the coil conductor pattern 3a is formed so that the connection land 5 overlaps with a through hole provided to the ceramic green sheet 2, and at the same time the interlayer connection via hole 4 is formed by charging the through hole with the conductive paste.例文帳に追加

そして、導電ペーストをセラミックグリーンシート２上にスクリーン印刷することによって、セラミックグリーンシート２に設けた貫通孔に接続ランド５が重なるようにコイル導体パターン３ａを形成すると同時に、貫通孔に導電ペーストを充填して層間接続用ビアホール４を形成する。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition excellent in coating properties from which a silica based film used as an interlayer insulating film is relatively easily formed, wherein the formed silica based film being excellent in heat resistance, resolution properties, and transparency, and a method of forming the silica based film using the same.例文帳に追加

塗布性に優れ、層間絶縁膜として用いることのできるシリカ系被膜の形成が比較的容易であり、かつ形成されるシリカ系被膜が耐熱性、解像性及び透明性に優れる感光性樹脂組成物及びそれを用いたシリカ系被膜の形成方法を提供すること。 - 特許庁

The through-hole 21 for interlayer connection bored in a sheet 16 where the beltlike coil conductor pattern 14 is formed is such that the area of one opening 21a is larger than the area of the other opening 21b and the axis slant to the other end side of the beltlike coil conductor pattern 14.例文帳に追加

帯状コイル導体パターン１４が形成されているシート１６に設けた層間接続用貫通孔２１は、一方開口部２１ａの面積が他方開口部２１ｂの面積より大きく、かつ、軸心が帯状コイル導体パターン１４の他端側に傾いている。 - 特許庁

In a substrate polishing method, a polishing rate R_S when a convex 4 in an interlayer insulating film 3 is polished is calculated by showing the rate in a relation of a polishing rate R when a flat face is polished after the convex 4 is removed, the pattern density D of metal wiring 2 and a correction factor K.例文帳に追加

本発明の基板研磨方法では、層間絶縁膜３における凸部４を研磨するときの研磨レートＲ_Sを、凸部４を除去した後に平坦な面を研磨するときの研磨レートＲと、金属配線２のパターン密度Ｄと、補正係数Ｋとの関数で示すことにより算出する。 - 特許庁

Further, in the resin film 11, the surface roughness of the interlayer insulating film 10 can be smoothened, the alignment defects of liquid crystal and those of liquid crystal molecules caused by non-uniform electric field can be prevented, and minute defects of the light emitting device caused by the surface roughness of the pixel electrode 12 can be suppressed.例文帳に追加

さらに、樹脂膜１１は層間絶縁膜１０の表面荒れを平坦化し、液晶分子の配向不良や不均一電界による液晶分子の配向不良を防ぎ、画素電極１２の表面荒れに起因する発光装置の微小欠陥を抑制することができる。 - 特許庁

A plurality of the layers (first to fifth layers) that use at least any one of semiconductor films or conductor films are formed on a TFT substrate 10, and further, a ground insulating film 12 and first to third interlayer insulating films 41 to 43 are, respectively formed between the respective layers.例文帳に追加

ＴＦＴ基板１０に、半導体膜或いは導電体膜の少なくとも何れかを用いた複数の層（第１〜第５層）が形成され、さらに、各層の層間に下地絶縁膜１２及び第１〜第３層間絶縁膜４１〜４３がそれぞれ形成されている。 - 特許庁

To provide a composition for forming an insulation film that is suitable for use as an interlayer insulation film in a semiconductor element device, or the like, can form a film having an appropriate and uniform thickness, and has improved film characteristics of permittivity, Young's modulus, or the like, and to provide an insulation film manufacturing method.例文帳に追加

半導体素デバイスなどにおける層間絶縁膜として使用するのに適した、適当な均一な厚さを有する膜が形成可能な、しかも誘電率、ヤング率等の膜特性に優れた絶縁膜形成用組成物および絶縁膜製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, including an interlayer insulating layer having a dielectric constant of about 1, which is capable of realizing at least one of formation of a proper shape of lines and the prevention of deterioration in the lines, even after the formation of air gaps.例文帳に追加

比誘電率が約１の層間絶縁層を備える半導体装置において、配線を良好な形状で形成すること、及びエアギャップ形成後においても配線の変質を抑制することの少なくともいずれか一方を実現できる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The positive photosensitive resin composition is applied on the interlayer insulation film 4 and the second conductor layer 7 by a spin coating method, the composition is dried and irradiated with light through a mask patterned so as to form a window 6C in a predetermined portion, and a pattern is formed by development with an alkaline aqueous solution.例文帳に追加

本発明によるポジ型感光性樹脂組成物をスピンコート法にて層間絶縁膜４及び第２導体層７上に塗布、乾燥し、所定部分に窓６Ｃを形成するパターンを描いたマスク上から光を照射した後、アルカリ水溶液にて現像してパターンを形成する。 - 特許庁

This interlayer for laminated glass is obtained by film formation of a resin composition comprising 100 pts.wt. of a polyvinyl acetal resin, 20-60 pts.wt. of triethylene glycol di-2-ethylhexanoate, and 0.01-0.1 pt.wt. of a magnesium carboxylate mixture (the weight ratio: magnesium 2-ethylacetate/magnesium acetate = 0.5-3).例文帳に追加

ポリビニルアセタール樹脂１００重量部、トリエチレングリコールジ２−エチルヘキサノエート２０〜６０重量部及びカルボン酸のマグネシウム塩混合物（２−エチル酢酸マグネシウム／酢酸マグネシウム（重量比）＝０．５〜３）０．０１〜０．１重量部を含有する樹脂組成物が製膜されて成る合わせガラス用中間膜、同ガラス。 - 特許庁

Outline of an opening 17 in the cover layer 15 of a mother board printed wiring board 11 is made smaller than the outline of a resin substrate 21 provided with a wiring circuit on one side, and the entire circumference of the contour of an interlayer adhesion layer 24 of the resin substrate 21 and the cover layer 15 around the opening 17 are overlapped.例文帳に追加

マザーボードプリント配線板１１のカバー層１５の開口部１７の外形を片面配線回路付き樹脂基材２１の外形よりも小さくし、樹脂基材２１の層間接着層２４の外郭全周を開口部１７の周りのカバー層１５とオバーラップさせる。 - 特許庁

In the method of manufacturing the semiconductor device, for example, a semiconductor substrate 10 having a second insulating film (interlayer insulating film 30) formed thereon is placed in an annealing furnace subjected to annealing treatment at a temperature of 600°C or higher, and thereafter the semiconductor substrate is removed from the annealing furnace in a gas atmosphere containing an oxygen gas.例文帳に追加

例えば、第２絶縁膜（層間絶縁膜３０）が形成された半導体基板１０をアニール炉に入れ６００℃以上のアニール処理を施した後、酸素ガスが含まれるガス雰囲気下で前記半導体基板を前記アニール炉から取り出す半導体装置の製造方法。 - 特許庁

To provide a semiconductor apparatus having a wiring structure under a bump for reducing the probability of the occurrence of a crack in a semiconductor chip to solve the problem of delamination of interlayer film due to the occurrence of a crack in an LSI wiring layer in a UBM lower layer immediately under the solder bump in an outer periphery of the LSI chip.例文帳に追加

ＬＳＩチップ外周の半田バンプ直下のＵＢＭ下層の、ＬＳＩ配線層に、クラックが発生し、層間膜の剥離が発生する問題を解決するため、半導体チップに発生するクラックの確率を低減する、バンプ下の配線構造を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a developer for photosensitive polyimides, with which polyimide patterning for interlayer insulating films for multi-layered circuit boards and for α-ray shield layers, buffer coat layers and others for semiconductor memory devices is attained within a shorter period of time than with conventional developers and with which high resolution of developed patterns is ensured.例文帳に追加

本発明は、多層配線板用の層間絶縁膜や半導体メモリー素子用のα線遮蔽膜、バッファーコート膜などのポリイミドパターン加工を従来と比較し短時間にて行え、現像パターンの解像度が高い感光性ポリイミド用現像液を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a metal-insulation film-semiconductor (MIS) structure having a heavy hydrogen concentration equal to or more than 1×10^19 cm^-3 in the neighborhood of an interface between a semiconductor substrate and films or layers formed in the semiconductor device such as a gate insulation film, an interlayer insulation layer, and a protective insulation film.例文帳に追加

半導体基板とゲート絶縁膜、層間絶縁膜、配線層、保護絶縁膜等の半導体装置に形成される膜又は層の界面近傍での重水素元素濃度が1x10^19cm^-3以上であることを特徴とする金属−絶縁膜−半導体（MIS）構造を有する半導体装置とする。 - 特許庁

An opening 71 of a solder resist layer 70 is formed such that the opening 71 overlaps a peripheral portion of a solder pad 75 by 5 μm and overlapping thickness thereof is 20 μm; and therefore, the solder pad 75 does not come off from an interlayer insulating layer 150 and the connection reliability is improved.例文帳に追加

ソルダーレジスト層７０の開口７１を、半田パッド７５の周辺部に５μｍ重なり、且つ、重なりの厚みを２０μｍになるように形成してあるため、半田パッド７５が層間樹脂絶縁層１５０から剥離することがなくなり、接続信頼性が向上する。 - 特許庁

A light-shielding film 2 having a mesh structure in which a light-shielding material 21 is disposed like a mesh is disposed on the main surface of an interlayer insulating film 1 corresponding to the upper portion of an n-type source region 104 and a p-type impurity region 105 which constitute a photodiode PD.例文帳に追加

フォトダイオードＰＤを構成するＮ型ソース領域１０４およびＰ型不純物領域１０５の上部に対応する層間絶縁膜１の主面上には、遮光体２１が網目状に配設されて網目状構造を有する遮光膜２が配設されている。 - 特許庁

Crack resistance is improved in the first and the second interlayer insulating films 13 and 14 because of the adhesiveness of the PSG films 13a and 14a, and the thermal diffusion of phosphorus out of the PSG films 13a and 14a into the semiconductor layer 1a is prevented by the NSG films 13b and 14b.例文帳に追加

これにより、ＰＳＧ膜１３ａ，１４ａの粘性によって第１，第２層間絶縁膜１３，１４のクラック耐性を向上させるとともに、ＮＳＧ膜１３ｂ，１４ｂによってＰＳＧ膜１３ａ，１４ａ中のリンが半導体層１ａに熱拡散されることを防止する。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of conducting dry etching at an upper interlayer insulating film 7 for the stopper film 6 with a resist pattern 11, as a mask under the conditions of higher selective etching selection ratio of 10 or more than prior art, and etching the film 7 to the film 6, thereby forming the wiring groove 12.例文帳に追加

レジストパターン１１をマスクとして、上部層間絶縁膜７が溝用ストッパー膜６に対して、従来よりさらに高選択な、エッチング選択比が１０以上の条件でドライエッチングを行い、上部層間絶縁膜７を溝用ストッパー膜６までエッチングして配線溝１２を形成する。 - 特許庁

The display device is formed by dividing any of the wiring at the crossing parts of electrode lines such as scanning lines and signal lines, and power source lines and other wiring, and also connection lines for connecting the divided wiring via a gate insulating layer or an interlayer dielectric and the other kinds of insulating layers are formed.例文帳に追加

走査線や信号線等の電極線と電源線他の配線との交差部において何れかの配線を分断して形成すると共に、ゲート絶縁層または層間絶縁層と他の種類の絶縁層とを介して分断された配線を接続する接続線を形成する。 - 特許庁

To reduce the number of steps required for forming solder balls 12 for connecting bumps 6 of a wiring circuit board 2 using the bumps 6 as an interlayer connecting means to another board, e.g. a wiring layer 16 of a printed circuit board 14 to achieve low-cost manufacturing of the wiring circuit board 2.例文帳に追加

バンプ６を層間接続手段とする配線回路基板２のバンプ６と他の基板、例えばプリント回路基板１４の配線層１６等との間を接続する半田ボール１２の形成に要する工程を少なくすることのでき、延いては配線回路基板２の低価格化を図る。 - 特許庁

To provide a low dielectric constant resin composition excellent in pattern precision and adhesion to a substrate, developable with water or a dilute alkali solution and suitable for use in the formation of a soldering resist, an interlayer dielectric or the like for a printed wiring board and an IC package and to provide a sensitive film using the resin composition.例文帳に追加

パターン精度、基板との密着性に優れ、水又は希アルカリ溶液で現像ができ、プリント配線基板やＩＣパッケージ用のソルダーレジストや層間絶縁層等の形成に適する低誘電率樹脂組成物及びこれを用いた感光性フイルムを提供する。 - 特許庁