「Interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(118ページ目) - Weblio英語例文検索

The electromagnetic shielding sheet includes at least: a first shielding layer 1 and a second shielding layer 2 composed so as to shield an electromagnetic wave; and an interlayer 3 by which the first shielding layer 1 and the second shielding layer 2 can be positioned apart at a prescribed distance in a thickness direction.例文帳に追加

電磁波を遮断し得るように構成している第一の遮断層１と第二の遮断層２と、第一の遮断層１及び前記第二の遮断層２とを厚み方向に所定寸法離間させて位置付け得る介在層３とを少なくとも具備していることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a positive photosensitive relief pattern forming material for which an alkali developer can be used in a development process as a material for a surface protective film or an interlayer insulation film of a semiconductor device, and which ensures a low residual stress because of a low curing temperature and exhibits excellent heat resistance and mechanical characteristics.例文帳に追加

半導体装置の表面保護膜または層間絶縁膜材料用途として、現像工程でアルカリ現像液が使用でき、低いキュア温度により、残留応力が低く、優れた耐熱性、機械特性等を発現するポジ型感光性レリーフパターン形成材料を提供する。 - 特許庁

Then, an area between the gate structures adjacent each other is opened in each of the liner film and an interlayer insulating film in the second area arranged thinly with the gate structures Gb, to form the second contact hole 34r remaining with the liner film having the second film thickness in a bottom part.例文帳に追加

次に、ゲート構造体が疎に配置された第２領域におけるライナー膜及び層間絶縁膜に、互いに隣接するゲート構造体同士の間の領域を開口して、底部に第２の膜厚を有するライナー膜が残存する第２のコンタクトホール３４ｒを形成する。 - 特許庁

To provide a polishing composition suitable for chemical machine polishing (CMP) for a semiconductor part such as a semiconductor substrate and an interlayer insulation film and an optical part such as a recording medium part, flattening a surface of an object to be polished and capable of increasing the polishing speed, and a polishing method.例文帳に追加

半導体基板、層間絶縁膜などの半導体部品や、記録媒体部品および光学用部品などの化学的機械研磨（ＣＭＰ）に適し、被研磨物の表面を平坦にし、かつ研磨速度を高くできる研磨用組成物および研磨方法を提供すること。 - 特許庁

An area between gate structures adjacent each other is opened in each of the liner film 22b and an interlayer insulating film 23 in the first area arranged densely with the gate structures Gb, to form the first contact hole 28r remaining with the liner film having the first film thickness in a bottom part.例文帳に追加

ゲート構造体Ｇｂが密に配置された第１領域におけるライナー膜２２ｂ及び層間絶縁膜２３に、互いに隣接するゲート構造体同士の間の領域を開口して、底部に第１の膜厚を有するライナー膜が残存する第１のコンタクトホール２８ｒを形成する。 - 特許庁

In a solid-state imaging device in which an N-type photoelectric conversion region 303 is formed in a P^-type well region 302, a light-blocking film 315 and a transparent conductive film 321 are formed on the N-type photoelectric conversion region 303 through a second interlayer insulation film 314.例文帳に追加

Ｐ^-型ウェル領域３０２内にＮ型光電変換領域３０３が形成された固体撮像装置において、Ｎ型光電変換領域３０３上に第２層間絶縁膜３１４を介して遮光膜３１５および透明導電膜３２１を形成する。 - 特許庁

The printed wiring board comprises a core substrate 7; coating layers 61, 62 coating the surface; an upper conductive layer 51 and a lower conductive layer 52 provided at the upside and downside of the core substrate and coating layer via them; and an interlayer conductive part 2 for energizing the upper conductive layer and the lower conductive layer.例文帳に追加

コア基板７と，その表面を被覆する被覆層６１，６２と，コア基板及び被覆層を介してその上側及び下側に設けた上側導電層５１と下側導電層５２と，上側導電層と下側導電層との間の電気導通を行うための層間導電部２とからなる。 - 特許庁

To provide a positive radiation-sensitive resin composition having a sufficient sensitivity, to provide an interlayer insulating film that uses the positive radiation-sensitive resin composition, has a superior melt flow resistance, heat resistance, and solvent resistance and has a superior voltage holding ratio, and to provide a formation method thereof.例文帳に追加

本発明の目的は、十分な感度を有するポジ型感放射線性樹脂組成物、並びにこのポジ型感放射線性樹脂組成物を用い、優れた耐メルトフロー性、耐熱性及び耐溶媒性を有し、電圧保持率に優れる層間絶縁膜及びその形成方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a silver halide photographic sensitive material containing a general-purpose DIR coupler capable of producing a high edge effect and a high interlayer effect by releasing a development inhibitor without forming an azomethine dye after a coupling reaction with the oxidized body of a developing agent.例文帳に追加

現像主薬酸化体とのカップリング反応後、アゾメチン色素を形成することなく現像抑制剤を放出することにより、大きなエッジ効果および重層効果を発現することが可能な汎用性の高いDIRカプラーを含有するハロゲン化銀写真感光材料を提供すること。 - 特許庁

A passivation film 3 with an opening K where an Al electrode 1 being formed via an interlayer insulation layer 2 is partially exposed is formed on a wafer, and a wiring layer 7 that is connected to the Al electrode being exposed from the opening K and is exposed onto the wafer is formed.例文帳に追加

層間絶縁層２を介して形成されたＡｌ電極１の一部を露出する開口部Ｋを有したパッシベーション膜３をウエハ上に形成し、前記開口部Ｋから露出する前記Ａｌ電極１と接続され、ウエハ上面に延在する配線層７を形成する。 - 特許庁

In this manufacturing method of the photoelectric conversion device, a first electroconductor arranged in a first hole formed at the first interlayer insulation layer electrically connects a first semiconductor region to the gate electrode of an amplifying MOS transistor not through wiring included in a wiring layer.例文帳に追加

光電変換装置の製造方法において、第１の層間絶縁層に配された第１のホールに配された第１の導電体によって、第１の半導体領域と増幅用ＭＯＳトランジスタのゲート電極とが配線層に含まれる複数の配線を介さずに電気的に接続されている。 - 特許庁

To provide a filler composition for the space between layers which, when used in the three-dimensional stacking of semiconductor device chips, forms a highly thermally conductive interlayer filling layer simultaneously with the bonding of the solder bumps or the like of a semiconductor device chip to the land, a coating fluid, and a process for producing a three-dimensional integrated circuit.例文帳に追加

半導体デバイスチップの３Ｄ積層化において、半導体デバイスチップ間のはんだバンプ等とランドの接合と同時に、熱伝導性の高い層間充填層を形成する層間充填材組成物、塗布液及び三次元集積回路の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a semiconductor device in which level difference in each region on an interlayer insulating film formed on an interconnect line by polishing can be reduced even if a dense region and a sparse region exist in the interconnect line formed on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上に形成された配線に密の領域と疎の領域とがあったとしても、研磨によって、配線上に形成された層間絶縁膜上における各領域上の段差を少なくすることができる、半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

As a result, the pressure of evaporation gas is easily applied to a corner part of an upper part of the trimming element T and the pressure of the evaporation gas applied to a corner part of a lower part of the trimming element T decreases; thus, the occurrence of a crack 5 in the interlayer insulation film 2 in the lower part of the trimming element T can be prevented.例文帳に追加

その結果、トリミング素子Ｔの上辺のコーナー部に気化ガスの圧力がかかりやすくなり、トリミング素子Ｔの下辺のコーナー部にかかる気化ガスの圧力が小さくなるので、トリミング素子Ｔの下側の層間絶縁膜２のクラック５発生を防止できる。 - 特許庁

To provide a fuel tube which can make two characteristics such as low fuel permeability and pliability compatible by lamination and allows sufficient interlayer adhesion of an inner layer and an outer layer by self-adhesion without depending on an adhesive as an intermediary or adding it.例文帳に追加

積層によって燃料低透過性と柔軟性という二特性の両立を図ることができるだけでなく、接着剤を介したり含有させたりしなくても、内層と外層とが自己接着により十分な層間接着力で接着している燃料チューブを提供する。 - 特許庁

The insulating film 30 has an interlayer 30b formed of a mixture of a lowermost layer 30a and an uppermost layer 30c between the lowermost layer 30a composed of a bonding coat material such as Ni-Al and Ni-Cr and the uppermost layer 30a composed of alumina or spinel or mullite.例文帳に追加

絶縁被膜３０は、Ｎｉ−ＡｌやＮｉ−Ｃｒ等のボンディングコート材からなる最下層３０ａとアルミナ或いはスピネル或いはムライトからなる最上層３０ｃとの間に、最下層３０ａと最上層３０ｃとの混合体からなる中間層３０ｂを有している。 - 特許庁

Alternatively, the lower layer metallization can be prevented from spreading to an interlayer insulation film by forming a thick metal layer having high electrical conductivity, so as to exhibit high antidiffusion effect of lower layer metallization for embedding a level difference occurring at the opening in the anitidiffusion insulation film.例文帳に追加

また、拡散防止絶縁膜の開口部に生じる段差部を埋め込むように、電気伝導度が高く、かつ、下層配線金属の拡散防止効果の高い金属層を厚く形成することにより、下層配線金属の層間絶縁膜への拡散を防止することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a sidewall structure for reducing failure such as void when an interlayer insulating film is formed even if the clearance between a sidewall formed at the sidewall portion of the gate electrode of an MISFET and the sidewall of an adjacent MISFET is narrow, and to provide its fabrication process.例文帳に追加

ＭＩＳＦＥＴのゲート電極の側壁部に形成されるサイドウォールと、隣接するＭＩＳＦＥＴのサイドウォールとの間隔が狭くても、層間絶縁膜の形成時にボイド等の不良を低減させるためのサイドウォールの構造を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A via hole 60A formed on a lid plating layer 36a and having the greater part of its bottom formed in a part other than on a through hole 36 is subjected to a larger stress during a heat cycle as compared with a via hole 160 being formed in a second interlayer resin insulation layer 150.例文帳に追加

蓋めっき層３６ａの上に形成されているバイアホール６０Ａであって、その底部の大部分がスルーホール３６上以外の部分に形成されるバイアホール６０Ａは、第２の層間樹脂絶縁層１５０に形成されるバイアホール１６０よりヒートサイクル時に加わる応力が大きい。 - 特許庁

The film forming chamber is reduced in pressure, ammonia gas is introduced into the chamber, the specimen is heated as a pretreatment, and then ammonia gas and thin silicon film forming gas are introduced into the chamber, by which a silicon nitride film is formed on the lower electrode 25a and the interlayer insulating film.例文帳に追加

成膜室を減圧かつアンモニアガス雰囲気にした状態で試料に熱を加える前処理をした後、成膜室内にアンモニアガスおよびシリコン系薄膜形成用ガスを導入して、前記下部電極上および前記層間絶縁膜上にシリコン窒化膜を形成する。 - 特許庁

An anode electrode 10a and an interlayer insulating layer 10b are laminated in respective patterns by printing on a substrate 10, then a hole carrier layer 11, a luminescent layer 12, an electron carrier layer 13 and a cathode electrode 14 are laminated in this order by a vacuum deposition method using no metal mask.例文帳に追加

基板１０の上に、印刷によりアノード電極１０ａと層間絶縁層１０ｂとを、それぞれのパターンに積層した後に、正孔輸送層１１，発光層１２，電子輸送層１３，カソード電極１４を、この順序で、メタルマスクを用いない真空蒸着法にて積層する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a first conductive layer formed on a support substrate and a second conductive layer formed on an interlayer insulating layer are electrically connected each other via a contact hole, and which can reduce contact failure between the first conductive layers and the second conductive layers inexpensively, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

支持基板上に形成された第１導電層と、層間絶縁層上に形成された第２導電層とをコンタクトホールによって電気的に接続した半導体装置において、安価に、前記第１導電層と第２導電層とのコンタクト不良を抑制した半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

capacitances(70) each of which is electrically connected to the TFT and the pixel electrode and shield layers(400) each of which is arranged between the data line and the pixel electrode and interlayer insulator films(43) which are formed as underlay of the pixel electrodes are provided on the substrate while they are made to constitute portions of the layered structure.例文帳に追加

この基板上には更に、ＴＦＴ及び画素電極に電気的に接続された蓄積容量（７０）と、データ線及び画素電極間に配置されたシールド層（４００）と、前記画素電極の下地として配置された層間絶縁膜（４３）とが、前記積層構造の一部をなして備えられている。 - 特許庁

To provide an organopolysiloxane-based pollution preventive composite coat which is excellent in interlayer peel strength and also little in environmental load without containing an antifouling agent even on any coat (layer), wherein the composite coat comprises of an organopolysiloxane-based finish coat excellent in pollution prevention and a tie coat to be coated on its lower surface.例文帳に追加

汚染防除性に優れたオルガノポリシロキサン系フィニッシュコート、および、その下面に塗装されるタイコートからなる複合塗膜であって、層間剥離強度に優れ、かつ何れの塗膜（層）にも防汚剤を含有せず環境負荷の少ないオルガノポリシロキサン系防汚性複合塗膜を提供すること。 - 特許庁

To provide a negative photosensitive thermosetting transfer material, which can be used to form a stable and substantially transparent and colorless interlayer insulation film which is uniform in thickness and excellent in insulation property, form accuracy of a contact hole, preservation stability and solvent resistance, and a manufacturing method for a high-aperture liquid crystal display.例文帳に追加

均一厚であって、絶縁性及びコンタクトホールの形状精度に優れ、実質的に無色透明で保存安定性、耐溶剤性に優れた層間絶縁膜を安定的に形成し得るネガ型感光性熱硬化性転写材料及びハイアパーチャー型液晶表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Subsequently an interlayer insulating film and a spacer insulating film 117 formed on the entire surface are patterned, and self-alignment contact holes, making the semiconductor substrate 101 between the gate electrodes 107a expose, are formed, and spacers 117a are formed in the side wall of the gate electrodes 107a and the etching protecting film pattern 109a.例文帳に追加

その後全面に形成された層間絶縁膜及びスペーサ絶縁膜１１７をパターニングし、ゲート電極１０７ａの間の半導体基板１０１を露出させる自己整列コンタクトホールを形成し、ゲート電極１０７ａ及びエッチング阻止膜パターン１０９ａの側壁にスペーサ１１７ｓを形成する。 - 特許庁

This manufacturing method of the semiconductor device processes to form the gate insulating film 3a of a transistor to be inspected, the gate insulating film 3b of a switching transistor, gate electrodes 4a and 4b, two impurity regions 5b to be a source and a drain for the switching transistor, and a first interlayer insulating film 6.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置の製造方法では、被検査トランジスタのゲート絶縁膜３ａ、及びスイッチング用トランジスタのゲート絶縁膜３ｂ、ゲート電極４ａ，４ｂ、前記スイッチング用トランジスタのソース及びドレインとなる２つの不純物領域５ｂ、第１の層間絶縁膜６を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can correctly measure a wiring shape and a film thickness and a film quality of a wiring interlayer film in a monitor mark formation region which has less deviation with a function element formation region, and correctly measure overlay deviation between a lower layer pattern and an upper layer pattern in the monitor mark formation region.例文帳に追加

機能素子形成領域との乖離が少ないモニター用マーク形成領域において、配線形状並びに配線層間膜の膜厚・膜質を正確に計測し、かつモニター用マーク形成領域における下層パターンと上層パターンとの重ね合わせずれの正確な測定が可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

The liquid crystal display device is provided with a color filter substrate 11 and a TFT substrate 12 mutually opposed to each other at a prescribed interval and a columnar spacer 20 formed between the substrates 11 and 12 and an organic interlayer insulating film 39 is formed on the surface opposed to the color filter substrate 11 of the TFT substrate 12.例文帳に追加

本液晶表示装置は、所定の間隔をあけて相互に対向するカラーフィルタ基板１１及びＴＦＴ基板１２と、双方の基板１１、１２間に形成された柱状スペーサ２０とを備え、カラーフィルタ基板１１のＴＦＴ基板１２と対向する面に有機層間絶縁膜３９が形成されている。 - 特許庁

The method comprises selecting at least two arbitrary polymers having a weight-average molecular weight different from each other from the group consisting of a plurality kinds of polymers each having a different weight-average molecular weight and mixing the selected polymers in an appropriate mixing ratio so that the smectic liquid crystal phase has the desired interlayer distance.例文帳に追加

重量平均分子量が異なる複数種類の高分子からなる群の中から、スメクチック液晶相の層間隔が所望の層間隔となるように、重量平均分子量が互いに異なる任意の高分子を２種類以上選択し、選択した高分子の混合比を適宜変えて混合する。 - 特許庁

The protection layers 3 are laminated on the semiconductor chip 1 to cover an electrode pad 2, a top of the interlayer connection body 4 is connected to the electrode pad 2, and the wiring 5 is arranged on a surface opposite to a surface covering the electrode pad 2 of the protection layer 3.例文帳に追加

保護層３は、半導体チップ１に積層されて電極パッド２を覆うとともに、層間接続体４は、その先端が電極パッド２と接続され、且つ配線５は、保護層３の電極パッド２を覆う面とは反対側の面に配設されてなることを特徴とする半導体装置のパッケージ構造。 - 特許庁

The resin compound for the interlayer insulation layers of a multilayer circuit board manufactured by a buildup method includes an epoxy resin, a phenol-xylilene resin hardening agent, and barium sulfate as essential components, and contains a 5-15 mass parts phenol-xylilene resin hardening agent and 20-50 mass parts barium sulfate to 100 mass parts epoxy resin.例文帳に追加

エポキシ樹脂、フェノール・キシリレン樹脂硬化剤、および硫酸バリウムを必須成分として含み、エポキシ樹脂１００質量部に対し、フェノール・キシリレン樹脂硬化剤５〜１５質量部、硫酸バリウム２０〜５０質量部が含有されている、ビルドアップ工法で製造される多層回路基板の層間絶縁層用樹脂組成物。 - 特許庁

To provide a photosensitive composition used for forming an interlayer insulation film or the like of a semiconductor element and for forming a thick film pattern with irradiation of radiation or the like, has photosensitiveness, and enables a development without using a crosslinking agent, and to provide the semiconductor element using the photosensive composition.例文帳に追加

例えば半導体素子の層間絶縁膜等を形成するのに用いられ、感光性を有し、架橋剤を用いることなく現象が可能であり、かつ放射線等の照射により厚みのある膜パターンを形成することが可能な感光性組成物及び該感光性組成物を用いてなる半導体素子を提供する。 - 特許庁

Further, an interlayer insulating film 22 composed of silicon nitride film of 20-50 nm is laminated by a sputtering method using an RF power supply.例文帳に追加

ソース領域またはドレイン領域１２ｂ、１３ｂ、１４ｂに達するコンタクトホールを形成した後、層間絶縁膜２０上に上端部に曲面を有する感光性の有機絶縁物材料から成る層間絶縁膜２１を形成し、さらに、ＲＦ電源を用いたスパッタ法により２０〜５０ｎｍの窒化シリコン膜からなる層間絶縁膜２２を積層する。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING PHOSPHORUS-CONTAINING PHENOLS, NEW PHOSPHORUS-CONTAINING PHENOLS, NEW PHENOL RESIN, CURABLE RESIN COMPOSITION, CURED ARTICLE THEREOF, RESIN COMPOSITION FOR PRINTED WIRING BOARD, PRINTED WIRING BOARD, RESIN COMPOSITION FOR FLEXIBLE WIRING BOARD, RESIN COMPOSITION FOR SEALING MATERIAL OF SEMICONDUCTOR, AND RESIN COMPOSITION FOR INTERLAYER INSULATING MATERIAL FOR BUILD-UP SUBSTRATE例文帳に追加

リン原子含有フェノール類の製造方法、新規リン原子含有フェノール類、新規フェノール樹脂、硬化性樹脂組成物、その硬化物、プリント配線基板用樹脂組成物、プリント配線基板、フレキシブル配線基板用樹脂組成物、半導体封止材料用樹脂組成物、及びビルドアップ基板用層間絶縁材料用樹脂組成物 - 特許庁

To provide a polycrystalline thin film capable of preventing warpage of a substrate due to internal stress of the film, by thinning an interlayer while maintaining good crystal orientation; and to provide an oxide superconductor with high critical current density and a superb superconducting property.例文帳に追加

本発明は、良好な結晶配向性を維持しつつも中間層を薄膜化することで、膜の内部応力に起因する基板の反り返りを防止できる多結晶薄膜の提供と、臨界電流密度が高く超電導特性の良好な酸化物超電導導体を提供することを目的とする。 - 特許庁

To achieve a laminated type IEJ junction, without having to creating a mesa structure, since the deterioration of the film quality of an interlayer insulation film cannot be avoided due to the regulation of deposition temperature, in a process for utilizing the mesa structure when creating the lamination type IEJ junction regarding a high-temperature superconducting device.例文帳に追加

高温超電導体装置に関し、積層型ＩＥＪ接合を作成するに際し、メサ構造を利用するプロセスでは、堆積温度が規制されることに起因し、層間絶縁膜の膜質劣化を回避できないので、メサ構造を作成せずに積層型ＩＥＪ接合を実現することが基本になっている。 - 特許庁

An insulation member 40a composed of a hydrophilic material is formed in a region Z1 on the pixel electrode 34 and corresponding to a position where a metal frame 21GF for a gate electrode and an electrode 21C for gate connection are superposedly disposed and formed via a interlayer insulation film 32, and to an outer periphery part thereof, respectively.例文帳に追加

画素電極３４上であってゲート電極用メタルフレーム２１ＧＦとゲート接続用電極２１Ｃとが層間絶縁膜３２を介して互いに重なって配置形成される位置及びその外周縁部にそれぞれ対応する領域Ｚ１に親水性材料で構成された絶縁部材４０ａを形成した。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can reduce on-state resistance through a gate electrode (MOS gate) with a trench electrode structure expanding in the depth direction (vertical direction) of a substrate, and can suppress a leak current even if wiring is formed on the surface of the substrate with an interlayer insulating film between, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

基板深さ方向（縦方向）に伸長するトレンチ電極構造のゲート電極（ＭＯＳゲート）を通じて、オン抵抗の低減を図りながら、基板表面に層間絶縁膜を介して配線が形成された場合にあっても、リーク電流を抑制することのできる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

An anisotropic etching process carried out by the use of a magnetron etching device and an ashing process for removing a fluorocarbon polymer 14 produced in the above etching process are repeatedly carried out three times or so, by which a contact hole 13 is provided to the interlayer insulating film 9 so as to extend to a source/ drain region 6.例文帳に追加

多結晶Ｓｉ膜１０および内壁膜１２ａをマスクとして、マグネトロンエッチング装置を用いた異方性エッチングと、このエッチングで生じたフロロカーボンポリマー１４を除去するアッシングとを３回程度繰り返し行うことにより、層間絶縁膜９にソース／ドレイン領域６に達するコンタクトホール１３を形成する。 - 特許庁

To provide a foam sheet for polishing for a polishing pad used in surface flattening work to semiconductor device wafers for interlayer insulation film or metal wiring, in which polishing speed is high compared to conventional parts, and in which device surface flatness after polishing and uniformity in the wafer surface are balanced to realize high precision polishing.例文帳に追加

層間絶縁膜や金属配線等の、半導体のデバイスウエハの表面平坦化加工に用いられる研磨パッドにおいて、従来パッドに比べて研磨速度が速く、研磨後のデバイス表面の平坦性とそのウエハ面内均一性のバランスの良い、高精度な研磨を実現する研磨用発泡シートを提供する。 - 特許庁

On a polysilicon wiring 2 formed in ladder-like manner by a gate connection wiring part 245 for electrically connecting a plurality of gate electrode parts 21 to their both ends, respectively, there is formed a gate signal wiring 25 made of aluminum which extends in the direction in which the plurality of gate electrode parts 21 are arranged in parallel via an interlayer dielectric.例文帳に追加

複数のゲート電極部２１およびそれらの両端部をそれぞれ電気的に接続するゲート接続配線部２４によりはしご状に形成されたポリシリコン配線２上に、層間絶縁膜を介して、複数のゲート電極部２１が並ぶ方向に延びるアルミニウム製のゲート信号配線２５を形成する。 - 特許庁

The manufacturing method therefor comprises a forming process for forming a pattern including wiring, TFTs, or the like on the TFT array board, and a process for forming an interlayer insulating film by a high density plasma CVD on the top side of the projecting parts constructed by the presence of the above pattern in the gap area between pixel electrodes adjacent to each other.例文帳に追加

その製造方法は、ＴＦＴアレイ基板上に、配線やＴＦＴ等を含むパターンを形成する形成工程と、相隣接する画素電極の間隙となる領域に、上記パターンの存在によって構築された凸部の上側に、高密度プラズマＣＶＤによって層間絶縁膜を形成する工程とを含む。 - 特許庁

In the case a transparent insulating substrate 1 formed on a glass substrate 100 and a transparent insulating substrate formed on another glass substrate are stuck together, a region in an interlayer insulating film 33(16) formed on the glass substrate 100 other than that corresponding to the transparent insulating substrate 1 is removed by etching beforehand.例文帳に追加

ガラス基板１００上に形成された透明絶縁性基板１と他のガラス基板上に形成された透明絶縁性基板２２とを張り合わせる際、予めガラス基板１００に形成された層間絶縁膜３３（１６）における、透明絶縁性基板１以外の領域をエッチング除去しておく。 - 特許庁

To provide a multilayer wiring board in which in an electric connection in an interlayer between respective wiring layers of the multilayer wiring board, a wiring pitch for ensuring a via forming part is not widened and a wiring length or a wiring width is not increased, thereby not increasing a production size also, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

多層配線基板の各配線層の層間での電気的接続において、ビア形成部を確保するために配線ピッチを広げたり、配線長さや配線幅を増加させることがなく、かつこれにより、製品サイズも増加させることのない、多層配線基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁