「Interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(117ページ目) - Weblio英語例文検索

For example, slip characteristic of a finger surface is designed such that the rotation center comes to the midpoint by providing a concentric irregular shape on the interlayer part of the skin member having multi-layer structure provided at the tip end part of the finger, and applying the directional characteristic to the shear elasticity of the skin member.例文帳に追加

例えば、フィンガの先端部に設けられた多層構造の皮膚部材の層間部に同心円状の凹凸形状を設け、皮膚部材のせん断弾性に方向特性を持たせることによって、回転中心がフィンガの先端部の中央に来るようフィンガ表面のすべり特性を設計する。 - 特許庁

The polybenzazole film improved in resistance to interlayer separation is prepared by forming a non-liquid crystalline polybenzazole dope (e.g. one prepared by diluting a high-concentration liquid crystalline polybenzazole dope with a solvent) into a film and coagulating this film in a coagulating liquid (e.g. an aqueous metal salt solution).例文帳に追加

例えば、高濃度の液晶性ポリベンゾアゾールドープを溶媒で希釈する方法で得た非液晶性ポリベンゾアゾールドープをフィルム状に成形し、それを、例えば金属塩水溶液の凝固液の中ので凝固させて得られることを特徴とするポリベンゾアゾールフィルムによって耐層間剥離性を改善する。 - 特許庁

First wiring 212 is formed on the element forming region Rlogic of a first liner insulating film 201 deposited on a semiconductor substrate, a first interlayer insulating film 202, and a first cap insulating layer 203 while a first column 214 is formed in a seal ring forming region Rseal.例文帳に追加

半導体基板上に堆積された第１のライナー絶縁膜２０１、第１の層間絶縁膜２０２、第１のキャップ絶縁膜２０３の素子形成領域Ｒｌｏｇｉｃに第１の配線２１２を形成し、シールリング形成領域Ｒｓｅａｌに第１の支柱２１４を形成する。 - 特許庁

By short-circuiting prescribed wires 4 among different insulation plates 7a, 7b, 7c for interlayer connection while letting plural penetrating connection conductors 8 penetrate appropriately, to the plates 7a, 7b, 7c that are piled up the wire harness for vehicle of a desired harness circuit can be formed.例文帳に追加

上下に積み重ねられた複数の層間接続用絶縁プレート7a,7b,7cに複数の貫通接続導体８を適宜貫通させて異なる層間接続用絶縁プレート7a,7b,7c間の所定の電線４同士を短絡することにより、車両用ワイヤハーネス３は所望のハーネス回路を形成している。 - 特許庁

To provide a single-sided printed wiring board which is excellent in interlayer connection reliability and suitable for efficiently manufacturing a high-density multilayer printed wiring board of IVH structure in high yield, and a manufacturing method thereof for solving troubles attendant on the formation of a viahole by laser processing.例文帳に追加

レーザ加工によるビアホール形成に伴う問題点を解消し、ＩＶＨ構造の高密度多層プリント配線板を高い歩留りで効率よく製造するのに好適な層間接続信頼性に優れた片面プリント配線板およびその製造方法を提案すること。 - 特許庁

The semiconductor device includes a plurality of trenches 105, a plurality of gate electrodes 102, a plurality of diffusion layers 107, an interlayer insulating film 103, an electrode layer 110, a plurality of concave parts 108, 109 formed on the electrode layer 110, a solder layer 111, and a conductive plate 113.例文帳に追加

本発明にかかる半導体装置は、複数のトレンチ１０５、複数のゲート電極１０２、複数の拡散層１０７、層間絶縁膜１０３、電極層１１０、電極層１１０に形成された複数の凹部１０８，１０９、半田層１１１、並びに導電板１１３を備える。 - 特許庁

The substrate is further provided thereon with storage capacitors (70) electrically connected to the TFTs and the pixel electrodes, shielding layers (400) arranged between the data lines and the pixel electrodes, and interlayer insulating films (43) arranged as a substrate of the pixel electrodes, making a portion of the laminated structure.例文帳に追加

この基板上には更に、ＴＦＴ及び画素電極に電気的に接続された蓄積容量（７０）と、データ線及び画素電極間に配置されたシールド層（４００）と、前記画素電極の下地として配置された層間絶縁膜（４３）とが、前記積層構造の一部をなして備えられている。 - 特許庁

A transparent second relay layer 400 is electrically connected to an upper capacitance electrode 300 via a contact hole 85 and a transparent pixel electrode 9aa is electrically connected to the second relay layer 400 via a contact hole 86 penetrating a fourth interlayer insulating film 44.例文帳に追加

透明な第２中継層４００は、コンタクトホール８５を介して上部容量電極３００に電気的に、透明な画素電極９ａａは、第４層間絶縁膜４４を貫通するコンタクトホール８６を介して第２中継層４００に電気的に接続されている。 - 特許庁

To provide a means by which a heat-shielding ceramic film having a columnar structure caused by the cracks in the thickness direction is efficiently and surely deposited on a surface of a heat-resistant component used under severe conditions at low cost, and the interlayer delamination caused by the heat shock is sufficiently prevented.例文帳に追加

苛酷な条件下で使用される耐熱部品の表面に、厚み方向の割れによる柱状組織を有する熱遮蔽セラミック皮膜を低コストで能率よく確実に形成し、熱衝撃による界面剥離に対する充分な防止効果を発揮させる手段を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device has a metal-insulating film-semiconductor (MIS) structure wherein the deuterium-element concentration is not smaller than 1×10^19/cm^-3 present near such films or layers formed in a semiconductor device as a semiconductor substrate, a gate insulating film, an interlayer insulating film, a wiring layer, and a protective insulating film.例文帳に追加

半導体基板とゲート絶縁膜、層間絶縁膜、配線層、保護絶縁膜等の半導体装置に形成される膜又は層の界面近傍での重水素元素濃度が1x10^19cm^-3以上であることを特徴とする金属−絶縁膜−半導体（MIS）構造を有する半導体装置。 - 特許庁

An interlayer connection portion 23 is preferably formed to be connected between, for example, a first conductive portion 21a formed on a first insulating portion 11a and a first conductive portion 21b formed on a different first insulating portion 11b disposed superposingly with the first insulating portion 11a.例文帳に追加

層間接続部２３は、例えば、第一絶縁部１１ａに形成された第一導電部２１ａと、第一絶縁部１１ａに重ねて配された別な第一絶縁部１１ｂに形成された第一導電部２１ｂとの間を接続するように形成されていればよい。 - 特許庁

The optical disk device 1 receives first-order reflection light beams LR1A and LR1B in light receiving regions D2A and D2B of a light receiving part D disposed so as to avoid a stray light pattern W of an interlayer stray light beam LN and generates a pull-in signal PI1.例文帳に追加

また光ディスク装置１は、１次光のうち反射光ビームＬＲ１Ａ及びＬＲ１Ｂを、層間迷光ビームＬＮの迷光パターンＷを避けるよう配置された受光部Ｄ２の受光領域Ｄ２Ａ及びＤ２Ｂによりそれぞれ受光し、プルイン信号ＰＩ１を生成する。 - 特許庁

To provide a resin composition having a low dielectric constant, excellent in patterning precision and adhesion to a substrate, developable with water or a diluted alkali solution, and suitable for forming a solder resist for a printed wiring board or an IC package, or an interlayer insulating layer or the like, and to provide a photosensitive film using this resin composition.例文帳に追加

パターン精度、基板との密着性に優れ、水又は希アルカリ溶液で現像ができ、プリント配線基板やＩＣパッケージ用のソルダーレジストや層間絶縁層等の形成に適する低誘電率樹脂組成物及びこれを用いた感光性フイルムを提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor device comprises: an opening part forming process in which the opening part is formed on an interlayer insulating film 320 provided on a semiconductor substrate 100; a barrier layer forming process for forming a barrier layer 340 on the upper face of the opening part; and a wiring seed layer forming process for forming a wiring seed layer on the barrier layer 340.例文帳に追加

半導体基板１００上に設けられた層間絶縁膜３２０に開口部を形成する工程と、開口部上面にバリア層３４０を形成するバリア層形成工程と、バリア層３４０上に配線シード層を形成する配線シード層形成工程を有する。 - 特許庁

To provide a coating agent capable of quickly expressing an adhesive property in the presence of water, excellent in interlayer close adhesion with a printed layer, and capable of preventing a skid of the label on opening a plug by closely bonding the label with the container, and a shrink label by using the coating agent and a container attached with the label.例文帳に追加

水存在下で速やかに接着性を発現でき、印刷層との層間密着性に優れ、且つラベルと容器とを密着させて開栓時のラベルの空回りを防ぐことができるコーティング剤、該コーティング剤を用いたシュリンクラベル及び該ラベルを装着した容器を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor integrated circuit wafer having an SiOC film as its interlayer insulator film 12 includes a process of forming a modified layer 13 on the surface of the SiOC film.例文帳に追加

層間絶縁膜１２としてＳｉＯＣ膜を有する半導体集積回路ウエハの製造方法であって、前記ＳｉＯＣ膜を形成するとともにＳｉＯＣ膜の表面に改質層１３を形成する工程を含むことを特徴とする半導体集積回路ウエハの製造方法。 - 特許庁

This semiconductor device has an embedded-wiring structure, and a third interlayer insulation film 6b provided in the periphery of a first embedded metal wiring 15 is formed out of a silicon carbide film, whose film quality is improved by projecting on it a gas plasma which contains nitrogen ions and ammonia ions.例文帳に追加

この半導体装置は、埋め込み配線構造を有しており、埋め込まれる第一の金属配線１５の周囲に設けられる第三の層間絶縁膜６ｂが、窒素イオンおよびアンモニアイオンを含むガスプラズマが照射されて膜質改善されたシリコン炭化膜によって形成されている。 - 特許庁

To enhance transparency a heat insulating property and to improve electromagnetic wave transmittance and resistance to penetration by using an interlayer film suitably absorbing infrared rays.例文帳に追加

赤外線を好適に吸収することができるため遮熱性に優れるとともに、透明性が良好な合わせガラス用中間膜、及び、該合わせガラス用中間膜を用いてなる遮熱性及び透明性に優れるとともに、電磁波透過性及び耐貫通性に優れる合わせガラスを提供する。 - 特許庁

The interlayer film for the heat-shielding laminated glass contains a matrix resin, a plasticizer, and tin-doped indium oxide fine particles each having a surface coated with an insulative metal oxide and/or antimony-doped tin oxide fine particles each having a surface coated with an insulative metal oxide.例文帳に追加

マトリックス樹脂、可塑剤、並びに、絶縁性金属酸化物により表面が被覆された錫ドープ酸化インジウム微粒子及び／又は絶縁性金属酸化物により表面が被覆されたアンチモンドープ酸化錫微粒子を含有することを特徴とする遮熱合わせガラス用中間膜。 - 特許庁

To easily artificially produce degenerated bentonite for elucidating the dynamic/hydraulic characteristics of bentonite degenerated by an ion exchange reaction between interlayer cations of a bentonite-based artificial barrier material and cations existing in the adjacent zone of the material; and to provide the degenerated bentonite for a test for the elucidation.例文帳に追加

ベントナイト系人工バリア材料の層間陽イオンと，該材料の隣接帯域に存在する陽イオンとの間で行われるイオン交換反応によって変質するベントナイトの力学・水理特性を解明するために，変質ベントナイトを人工的に製造し易くし，これを該解明のための試験に供する。 - 特許庁

The ink jet record medium is formed on the base material 2 with a dye fastness layer 1 consisting of an interlayer compound and binding agent that acceptance retains a water soluble compound by an intercalation reaction, wherein the dye fastness layer 1 is contained with polyglycerol fatty acid ester.例文帳に追加

基材２上に、水溶性染料をインターカレーション反応により受容保持する層間化合物と結着剤とからなる染料定着層１が形成されてなるインクジェット用被記録媒体において、染料定着層１にポリグリセリン脂肪酸エステルを含有させる。 - 特許庁

This composition for an interlayer insulating film includes silica precursor containing a specific amount of silicon atoms derived from 2 and/or 3 functional alkoxysilane with respect to the silicon atoms derived from 4 functional alkoxysilane, a specific block copolymer, a specific solvent and moreover acid, as needed.例文帳に追加

４官能性のアルコキシシランに由来する珪素原子に対して２及び／又は３官能性のアルコキシシランに由来する珪素原子を特定量含むシリカ前駆体と、特定のブロックコポリマーと、特定の溶媒、更に、必要に応じて酸を包含する層間絶縁性膜用の組成物。 - 特許庁

To provide a method for forming a contact hole and a spacer capable of preventing a contact failure due to a mask misalignment, preventing void occurrences in an interlayer insulation film of an adjacent conducive patterns and reducing a parasitic capacitance between semiconductor devices.例文帳に追加

マスク誤整列によるコンタクト不良を防止し、隣接する導電膜パターン間の層間絶縁膜内にボイドが発生することを防止でき、導電膜パターン間の寄生キャパシタンスを減少させることのできる、半導体装置のコンタクト孔及びスペーサ形成方法を提供する。 - 特許庁

The heat-resistant filler composed of an organic-clay composite whose dispersibility is not reduced by heating is produced by subjecting an interlayer inorganic cation of a swellable layered silicate to a cation exchange treatment using a carboxyalkyl-tris(4-phenoxyphenyl)phosphonium salt being a new compound.例文帳に追加

膨潤性層状ケイ酸塩の層間の無機カチオンを、新規化合物であるカルボキシアルキルトリス（４−フェノキシフェニル）ホスホニウム塩を用いて作製することで、加熱によっても分散性の低下が少ない有機粘土複合体からなる耐熱性フィラーが得られることを見出した。 - 特許庁

The method comprises the step of providing the substrate (12) comprising cobalt or a cobalt-chromium alloy: an interlayer (16) consisting essentially of at least one of hafnium, manganese, niobium, palladium, zirconium, titanium, or alloys or combinations thereof; and the porous tantalum structure (10).例文帳に追加

本方法は、コバルトまたはコバルトクロム合金を含む基板（１２）と、必須的にハフニウム、マンガン、ニオブ、パラジウム、ジルコニウム、チタンのうち少なくとも１つ若しくはそれらの合金またはそれらの組み合わせからなる中間層（１６）と、多孔性のタンタル構造体（１０）と、を用意する段階を備える。 - 特許庁

Then, a p-type conductive diffusion preventing layer 31 for preventing the diffusion of a diffusion layer 23a is configured to be formed by CB Halo Ion Implantation process using the second interlayer film 35 as a mask while a first side wall insulation film exposed within the contact hole 25a is separated.例文帳に追加

そして、コンタクト孔２５ａ内に露出する第１の側壁絶縁膜を剥離した状態で、第２の層間膜３５をマスクに、ＣＢハロー・Ｉ／Ｉにより、拡散層２３ａの拡散を防止するためのｐ導電型の拡散防止層３１を形成する構成となっている。 - 特許庁

After that, a gate insulating film 224, a gate electrode 225, source, channel formation, and drain regions 218a, 218b, and 218c, an interlayer insulating film 226, contact holes 227 and 228, and source and drain electrodes 229 and 230, are formed.例文帳に追加

その後、ゲート絶縁膜２２４を形成し、ゲート電極２２５を形成し、ソース領域２１８ａとチャネル形成領域２１８ｂとドレイン領域２１８ｃを形成し、層間絶縁膜２２６を形成し、コンタクト・ホール２２７、２２８を形成し、ソース電極２２９とドレイン電極２３０を形成する。 - 特許庁

The multilayer printed wiring board 10 having such structure as disclosed above results in forming a plurality of function elements such as a resistor and the like between a plurality of first laminated insulating portions 11 by forming the interlayer connection portion 23 between the first insulating portions 11a and the first insulating portions 11b.例文帳に追加

このような構成の多層プリント配線板１０によれば、第一絶縁部１１ａと第一絶縁部１１ｂとの間に層間接続部２３を形成することで、積層された複数の第一絶縁部１１の間に、抵抗体などの機能素子を形成することができる。 - 特許庁

Thereby, only the second relay layer 400 and the pixel electrode 9aa can be reliably electrically connected without being affected by formation accuracy of the contact hole 85 and patterning accuracy of the second relay layer 400 extended from the contact hole 85 along the surface of a third interlayer insulating film 43.例文帳に追加

これにより、コンタクトホール８５の形成精度及びコンタクトホール８５から第３層間絶縁膜４３の表面に沿って延びる第２中継層４００のパターニング精度等に影響されることなく、確実に第中継層４００及び画素電極９ａａのみを電気的に接続できる。 - 特許庁

To readily and with excellent reliability ensure a contact area between a plug and an upper layer wiring layer even if the upper layer wiring layer is formed in border-less structure, in a semiconductor device of a multilayer wiring structure in which upper and lower wiring layers formed across an interlayer oxide film are connected to each other via the plug.例文帳に追加

層間酸化膜を挟んで形成される上下配線層をプラグを介して接続した多層配線構造の半導体装置において、上層配線層がボーダレス構造となっても、容易で信頼性良くプラグと上層配線層との接触面積を確保する。 - 特許庁

To eliminate, in use of a brace erected on an optional layer within a frame as a suspension member for supporting an intermediate layer, the difference in rigidity between the layer with the brace erected thereon and a layer free from the brace to avoid damage in the layers by interlayer deformation resulting from the difference in rigidity.例文帳に追加

架構内の任意の層に架設されるブレースを、中間層を支持させる吊り材として利用した場合に、ブレースが架設された層と架設されない層との間で剛性の差を生じさせず、剛性の差に起因する層間変形による層内の損傷を回避する。 - 特許庁

An electrode pad 7 and wiring 7' are formed on an interlayer insulating film 4 via a barrier metal film 5, the barrier metal film 5 is left around the electrode pad 7, and a barrier metal eliminated region 6 where the barrier metal film 5 is removed from under the electrode pad 7 is provided on the barrier metal film 5.例文帳に追加

層間絶縁膜４上にバリアメタル膜５を介して電極パッド７および配線７´を形成し、電極パッド７の周囲にバリアメタル膜５が残るようにして、電極パッド７下のバリアメタル膜５が除去されたバリアメタル除去領域６をバリアメタル膜５に形成する。 - 特許庁

After a conductive material has been embedded in a wiring groove, when an excess portion of the conductive material is removed with a CMP method, a polishing agent is dispersed through a groove formed by the dummy pattern 41, so that polishing amounts of the conductive material and the third interlayer insulation film become uniform.例文帳に追加

配線溝に導電性材料を埋め込んだ後に、ＣＭＰ法により余分な導電性材料を除去するときは、ダミーパターン４１に形成された溝を通って研磨剤が分散されるので、導電性材料や第３層間絶縁膜の研磨量が均一になる。 - 特許庁

Copper barrier/copper seed layers 4 are deposited on a support substrate, for example, an interlayer derivative layer ILD by the metal-insulator- metal(MIM) capacitor manufacturing method, a derivative 8 is formed on the copper barrier/copper seed layers 4, and a metal layer 9 is formed on the derivative 8.例文帳に追加

金属−絶縁物−金属（ＭＩＭ）キャパシタの製造方法で、支持基板たとえば層間誘導体層ＩＬＤ上に銅バリア／銅シード層４を堆積し、この銅バリア／銅シード層４上に誘導体８を形成し、この誘導体８上に金属層９を形成する。 - 特許庁

To provide a radiation sensitive resin composition suiting application in a surface protective layer, an interlayer insulation film, and an insulation film for a high density packaging board capable of very thick application and alkali development, and capable of providing a hard object with high resolution, superior tensile elongation after fracture, and superior heat resistance.例文帳に追加

高膜厚塗布及びアルカリ現像が可能であるとともに、解像度の高く、引張破断伸びに優れかつ耐熱性に優れた硬化物を得ることが可能な、表面保護膜、層間絶縁膜、及び高密度実装基板用絶縁膜用途に適した感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a photosensitive transfer material used in manufacture of a photomask, in which air bubbles are prevented from entering in lamination and a temporary support is released well from the interface of an interlayer uniformly and with excellent reproducibility subsequent to the lamination on a desired surface of a light transmitting substrate.例文帳に追加

フォトマスクの製造に用いられ、ラミネート時の気泡混入を防止でき、所望の光透過性基材の表面に積層された後の仮支持体の剥離を、中間層との界面において均一かつ再現性よく行い得る感光性転写材料を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing easily and simply a multi-layered product excellent in interlayer adhesion force and cold shock property, laminated by polyamide and fluorine-containing ethylenic polymer, by a simultaneous multi-layer coextruding method, without requiring any additional process and without any specific limited adhesive material.例文帳に追加

ポリアミドと含フッ素エチレン性重合体とを積層してなる層間接着力や低温衝撃性に優れた多層積層体を、同時多層共押出し法によって、付加的工程の必要や特定の接着性材料に限定されることなしに容易かつ簡易に製造する方法を提供する。 - 特許庁

This semiconductor device has a gate electrode comprising a conductor layer, a first insulating film and a second insulating film having an etching selection ratio lower than that of the first insulating film, a sidewall comprising the second insulating film formed on the side surface of the gate electrode and an interlayer insulating film coating them.例文帳に追加

導電体層、第１の絶縁膜、第１の絶縁膜よりエッチング選択比の小さい第２の絶縁膜からなるゲート電極と、ゲート電極側面に形成された第２の絶縁膜からなるサイドウォールと、それらを被覆する層間絶縁膜とを有する半導体記憶装置。 - 特許庁

The third insulating film (150) is formed to be used as a top oxide film of a dielectric film between the floating gate and the control gate of a NAND flash device, and in a production process of a capacitor, as an interlayer insulating film between the lower electrode of the capacitor and the upper electrode of the capacitor, preferably formed of an HTO oxide layer.例文帳に追加

第3の絶縁膜(150)は、NANDフラッシュ素子のフローティングゲートとコントロールゲートとの間の誘電体膜の上部酸化膜、キャパシタ製造工程ではキャパシタの下部電極とキャパシタの上部電極との間の層間絶縁膜として用いるために形成され、望ましくはHTO酸化膜で形成する。 - 特許庁

To obtain a hardenable pressure-sensitive adhesive composition having a small volume shrinkage ratio when curing and exhibiting excellent adhesive properties, to prepare a sheet for manufacturing optical discs, which gives an optical disc suppressed in warpage and exhibits excellent adhesive properties to an adherend layer, and to provide an optical disc hardly undergoing warpage and exhibiting excellent interlayer adhesion.例文帳に追加

硬化時の体積収縮率が小さく、接着性に優れた粘接着剤組成物、得られる光ディスクの反りを抑制することができ、被接着層との接着性に優れた光ディスク製造用シート、反りが小さく、層間接着性に優れた光ディスクを提供する。 - 特許庁

To solve a problem that when a film such as a resist film or an interlayer insulating film is conventionally formed, it is difficult to make the film thickness uniform; for example, when an SOD film is formed using a spin coater, the film thickness is nonuniform as shown in Fig.(a), and remains as it is.例文帳に追加

従来のレジスト膜や層間絶縁膜の成膜を行う場合には、膜厚を均一に整えることが難しく、例えばスピンコータを用いるＳＯＤ膜を塗布すると、図９の（ａ）に示すようにＳＯＤ膜の膜厚が不均一になり、この状態がそのまま残る。 - 特許庁

Ultrasonic bonding can be performed, by setting the thickness of an electrode film 7 of a semiconductor chip 100 to 3.5 μm to 10 μm, allowing no crack to be generated in an interlayer insulating film 6 and an n-semiconductor substrate 1, even if a diameter of the bonding wire (aluminum wire 12) is made as thick as 300 μm or more.例文帳に追加

半導体チップ１００の電極膜７の厚みを３．５μｍから１０μｍにすることで、ボンディングワイヤ（アルミワイヤ１２）の直径を３００μｍ以上に太線化しても、層間絶縁膜６やｎ半導体基板１にクラックを発生させることなく、超音波ボンディングできる。 - 特許庁

According to an embodiment, a semiconductor device includes a first main electrode, a semiconductor layer, a first conductivity type base layer, a second conductivity type base layer, gate trenches, a first conductivity type semiconductor region, a second main electrode, a gate insulator film, a gate electrode, and an interlayer film.例文帳に追加

実施形態によれば、半導体装置は、第１の主電極と、半導体層と、第１導電形ベース層と、第２導電形ベース層と、ゲートトレンチと、第１導電形半導体領域と、第２の主電極と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、層間膜とを備えている。 - 特許庁

Hereby, as hydrogen diffused from the interlayer dielectric 7 is trapped in the film 14 and moreover, the effect of the hydrogen trapped in the film 14 is stopped by the film 13 inserted between the film 14 and the element 12, a variation of the characteristics of the element can be inhibited.例文帳に追加

層間絶縁膜から拡散した水素を水素侵入防止膜中にトラップし、さらに、水素侵入防止膜と素子の間に挿入したシリコン酸化膜により、水素侵入防止膜にトラップされた水素の影響を遮断するため、素子の特性変動を抑制することができる。 - 特許庁

Further, it has impurity capture layers 21, 22, 23, 24 containing both or either of chlorine and fluorine in at least one of the upper layer of the multi component glass substrate 1, the upper layer of the contamination-preventing insulating film 21, the upper layer of the gate insulating film 6, and the upper layer of the interlayer isolation insulating film 8.例文帳に追加

さらに、前記多成分ガラス基板１の上層、前記汚染防止絶縁膜２１の上層、前記ゲート絶縁膜６の上層、前記層間分離絶縁膜８の上層の少なくとも一つに、塩素とフッ素の双方または片方を含む不純物捕獲層２１，２２，２３，２４を有している。 - 特許庁