「Interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(116ページ目) - Weblio英語例文検索

A gate electrode 105 is made on a substrate 101 and is covered with a spacer 107 and a thermal oxide film 109, and then a first interlayer insulating film 114 is made and flattened, and this is patterned and etched and it is filled with a embedding landing pad 117 of polysilicon thereby being flattened.例文帳に追加

基板１０１上にゲート電極１０５を形成してスペーサ１０７、熱酸化膜１０９で覆いこの後に第１層間絶縁膜１１４を形成して平坦化し、これをパターニングしてエッチングし、ポリシリコンの埋め込みランデングパット１１７を充填して平坦化する。 - 特許庁

In a conductive film forming step, a light-reflective conductive film 9 for forming a pixel electrode 9a on an upper-surface side of the interlayer dielectric 8 is formed and then the light-reflective conductive film 9 is polished from the upper surface in a polishing step to expose the projection streak portions 8f.例文帳に追加

そして、導電膜形成工程において、層間絶縁膜８の表面側に画素電極９ａを形成するための光反射性導電膜９を形成した後、研磨工程において、光反射性導電膜９を表面から研磨して突条部８ｆを露出させる。 - 特許庁

A multilayer insulating film consisting of a first insulating film 33, a first hydrogen barrier film 34, and a second insulating film 35 is formed on the first interlayer insulating film 20 on the periphery of the first plug electrode 21, and a second contact hole H2 is formed by etching the multilayer insulating film.例文帳に追加

次に、この第１プラグ電極２１周辺の第１層間絶縁膜２０上に第１絶縁膜３３と第１水素バリア膜３４と第２絶縁膜３５とからなる積層構造の絶縁膜を形成し、この積層構造の絶縁膜をエッチングして、第２コンタクトホールＨ２を形成する。 - 特許庁

In the liquid crystal device, an interlayer insulation layer 191 on the lower layer side of an active matrix substrate AM and a protective film 45 equivalent to a substrate for an alignment layer 46 and a protective film equivalent to a substrate for an alignment layer of a counter substrate OP are all insulation layers formed with a polysilazane coated film.例文帳に追加

液晶装置１において、アクティブマトリクス基板ＡＭの下層側層間絶縁膜１９１、および配向膜４６の下地に相当する保護膜４５と、対向基板ＯＰの配向膜４７の下地に相当する保護膜４４は、いずれもポリシラザン塗布膜から形成した絶縁膜である。 - 特許庁

To provide a porous film having excellent adhesion to a substrate, excellent characteristics of a dielectric constant, hardness and the like and reduced change of dielectric constant with passage of time and suitable for usage as an interlayer insulating film in a semiconductor element device and the like and to provide a composition for manufacturing the porous film.例文帳に追加

基板との密着性に優れ、誘電率、硬度等の諸特性に優れ、誘電率の経時変化が小さく、半導体素子デバイスなどにおける層間絶縁膜として使用するのに適した多孔質膜、およびその多孔質膜を製造する組成物を提供する。 - 特許庁

The interlayer insulating layer 7 on a conductor (winding conductor) 4a of each layer of the field winding 4 contains an inorganic compound selected from an oxide, a nitride and a carbide, as at least part of the constituent components, and is bonded on the winding conductor 4a adjacent on one side.例文帳に追加

界磁巻線４の各層の導体（巻線導体）４ａに層間絶縁層７は、酸化物、窒化物および炭化物から選ばれる無機化合物を構成成分の少なくとも一部として含有しており、隣接する一方の巻線導体４ａに接着されている。 - 特許庁

In the liquid crystal display device, a second metal film 76b as an upper electrode of a TFD element 70 is overhung inward from a frame part of an aperture 230 along three sides 231, 232, 233 of the aperture 230 of an interlayer insulating film 23 in pixels 51 (R), 51(G) and 51(B).例文帳に追加

液晶装置において、画素５１（Ｒ）、５１（Ｇ）、５１（Ｂ）では、ＴＦＤ素子７０の上電極としての第２金属膜７６ｂが層間絶縁膜２３の開口部２３０の３つの辺２３１、２３２、２３３に沿って、開口部２３０の縁部分より内側に張り出している。 - 特許庁

A conductor pattern 4 is formed on one surface of a resin film 2 made of thermoplastic resin, and the IC chip 3 having an electrode 3b is mounted on a single-sided conductor pattern film 7 including a viahole 5 where an interlayer connecting material 6 is filled on a desired position of the conductor pattern 4 as a base.例文帳に追加

熱可塑性樹脂からなる樹脂フィルム２の片面上に導体パターン４と、当該導体パターン４を底部とし所望の位置に層間接続材料６が充填されたビアホール５とを備える片面導体パターンフィルム７上に、電極３ｂを有するＩＣチップ３を搭載した。 - 特許庁

The interlayer film 4, interposed between a conductor film 3 for the floating gate and a conductor film 5 for the control gate, is constituted of a superposed film, having 4-layered structure consisting of a silicon nitride film 4a arranged at the lowermost layer, a silicon oxide film 4b, a silicon nitride film 4c and a silicon oxide film 4d.例文帳に追加

浮遊ゲート用の導体膜３と制御ゲート用の導体膜５との間に介在する層間膜４を、最下層にシリコン窒化膜４ａを配置したシリコン窒化膜４ａ、シリコン酸化膜４ｂ、シリコン窒化膜４ｃおよびシリコン酸化膜４ｄからなる４層構造の重ね膜で構成する。 - 特許庁

The electro-optical device is provided with: a substrate (10); a plurality of reflection type pixel electrodes (9a) arranged apart from each other with gap areas (D1, D2) on a display area (10a) on the substrate; and an interlayer insulating film (42) laminated on a layer side lower than these plurality of pixel electrodes.例文帳に追加

電気光学装置は、基板（１０）と、該基板上の表示領域（１０ａ）に、相互に間隙領域（Ｄ１、Ｄ２）を隔てて配置された複数の反射型の画素電極（９ａ）と、この複数の画素電極よりも下層側に積層された層間絶縁膜（４２）とを備える。 - 特許庁

A fourth interlayer insulation film 44 is formed so as to cover a third relay electrode 402 therewith and to have a film thickness larger than the height of a protrusion part 201 and, thereafter, is flattened such that an extension part 402c extended to the upper surface of the protrusion part 201 among the third relay electrode 402 is exposed.例文帳に追加

第４層間絶縁膜４４は、第３中継電極４０２を覆い、且つ突部２０１の高さより厚い膜厚を有するように形成された後、第３中継電極４０２のうち突部２０１の上面に延びる延在部４０２ｃが露出するように平坦化処理が施されている。 - 特許庁

A conductive material film 7 is formed on the interlayer insulating film 3 so as to bury the interior of the trench pattern 3a, and the conductive material film 7 is polished and removed from the surface side, thereby forming embedded wiring 7a in which the conductive material film 7 is left only in the trench pattern 3a.例文帳に追加

溝パターン３ａ内が埋め込まれるように層間絶縁膜３上に導電性材料膜７を成膜し、導電性材料膜７を表面側から研磨除去することにより溝パターン３ａ内のみに導電性材料膜７を残した埋込配線７ａを形成する。 - 特許庁

Since an interlayer insulator film whose thickness is about 1 to 5 μm exist between the gate wiring 2a and the connection wiring 9b, there is little likelihood that the short circuit between the gate wiring 2a and the connection wiring 9b is generated and, as a result, the generation of defects due to dielectric breakdown by static electricity is reduced sharply.例文帳に追加

ゲート配線２ａと接続配線９ｂ間は約１〜５μｍの膜厚の層間絶縁膜が介在しているため、ゲート配線２ａと接続配線９ｂ間のショートが発生する可能性はほとんどなく、静電気等による絶縁破壊による不良発生が大幅に低減される。 - 特許庁

After a connecting hole 4 is formed through an interlayer insulating film 2 formed on a semiconductor substrate 1, a connecting hole plug 6 is formed by forming a conductive film on the insulating film 2, in such a way that the hole 4 can be filled with the conductive film and removing the conductive film except for the part of the film in the hole 4.例文帳に追加

半導体基板１上の層間絶縁膜２に接続孔４を形成し、層間絶縁膜２上に、接続孔４に埋め込むようにして導電膜５を形成し、接続孔４の内部以外の導電膜５を除去して接続孔プラグ６を形成する。 - 特許庁

The BPSG film 6d of a high B density is formed as an interlayer insulation film on the bit line 8, an opening part 18 is formed at the upper layer position of the bit line contact hole 7 of the BPSG film 6d, and then the opening part 18 is transformed into a void 19, whose upper part is closed by high temperature heat treatment.例文帳に追加

ビット線８上に層間絶縁膜としてＢ濃度の高いＢＰＳＧ膜６ｄを形成し、このＢＰＳＧ膜６ｄのビット線コンタクトホール７の上層位置に開口部１８を形成した後、高温熱処理により、開口部１８を上部を閉じた空洞１９に変成させる。 - 特許庁

A memory cell has an insulating film 13 formed over the entire surface on an interlayer insulating film 4 including a bit line portion BL1, and also has, on the insulating film 13, a high-magnetic-permeability film 14 formed in a region corresponding to a formation position of the bit line portion BL1 and a high-magnetic-permeability film 12.例文帳に追加

メモリセルにおいて、ビット線部ＢＬ１を含む層間絶縁膜４上の全面に絶縁膜１３が形成され、絶縁膜１３上に、平面視してビット線部ＢＬ１及び高透磁率膜１２の形成位置に対応する領域に高透磁率膜１４が形成される。 - 特許庁

An interlayer perforated plate which is formed of a perforated plate with a slightly smaller diameter than a diameter of a hole of a barrier wall perforated plate is provided on a air discharge layer of a drying passage for constituting the drying part of the circulating grain dryer with a short distance in parallel with the barrier wall perforated plate for partitioning the air discharge layer and a drying layer.例文帳に追加

循環穀物乾燥装置の乾燥部を構成する、乾燥通路の排風層に、排風層と乾燥層を仕切る隔壁多孔板と平行に若干の距離をもって、隔壁多孔板の孔の径より、若干小径の多孔板で構成される層内多孔板を設ける。 - 特許庁

First, vapor-phase method carbon fibers having a mean fibrous diameter of 200 nm or less, an aspect ratio of 5 to 500, the interlayer distance of a crystalline structure of 0.340 nm or less, and a thermal conductivity at 25°C of 400 W/(m K) or more, are mixed with an easily graphitized carbide in 0.1 to 20 mass%.例文帳に追加

一つは易黒鉛化性炭素化物に平均繊維径が２００ｎｍ以下、アスペクト比が５〜５００、結晶構造の層間距離が０．３４０ｎｍ以下、２５℃における熱伝導率が４００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上である気相法炭素繊維を０．１〜２０質量％混合する。 - 特許庁

To provide a curable resin composition for coating capable of forming a low dielectric interlayer insulating film in which even signals in high frequency circuit are hardly attenuated, a multilayer printed circuit board and a printed circuit board having a cured coating of the same, and a dry film having a semi-cured coating of the same.例文帳に追加

回路の高周波数化に伴う信号の減衰し難い低誘電性の層間絶縁膜を形成できる塗工用硬化性樹脂組成物、その硬化塗膜を有する多層プリント配線板、プリント配線板及びその半硬化状態の塗膜を有するドライフィルムを提供すること。 - 特許庁

The PVA-based fiber is composed of a PVA-based polymer and a phyllosilicate finely dispersed in the polymer and has ≥20Å average interlayer distance of the phyllosilicate measured by a wide angle x-ray diffraction and has ≥40% crystallinity and ≥60% degree of orientation.例文帳に追加

ＰＶＡ系ポリマーと、ポリマー中に微細に分散した層状ケイ酸塩からなり、広角Ｘ線回折で測定した層状ケイ酸塩の平均層間距離が２０Å以上であり、かつ結晶化度が４０％以上、配向度が６０％以上であることを特徴とするＰＶＡ系繊維。 - 特許庁

NEW PHOSPHORUS ATOM-CONTAINING PHENOL RESIN AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME, CURABLE RESIN COMPOSITION AND CURED PRODUCT THEREOF, RESIN COMPOSITION FOR PRINTED WIRING BOARD, PRINTED WIRING BOARD, RESIN COMPOSITION FOR FLEXIBLE WIRING BOARD, RESIN COMPOSITION FOR SEMICONDUCTOR SEALING MATERIAL, AND RESIN COMPOSITION FOR INTERLAYER INSULATING MATERIAL FOR BUILDUP SUBSTRATE例文帳に追加

新規リン原子含有フェノール樹脂、その製造方法、硬化性樹脂組成物、その硬化物、プリント配線基板用樹脂組成物、プリント配線基板、フレキシブル配線基板用樹脂組成物、半導体封止材料用樹脂組成物、及びビルドアップ基板用層間絶縁材料用樹脂組成物 - 特許庁

The gate-drain capacity can be reduced by forming a Low-k film 12 as a low dielectric constant interlayer insulating film is formed between a gate electrode 10 formed on side walls of trenches 6 and 7 and a drain plug 15 in the trenches 6 and 7, thereby improving the switching characteristics.例文帳に追加

トレンチ６、７側壁に形成したゲート電極１０とトレンチ６、７内のドレインプラグ１５間に、低誘電率層間絶縁膜であるＬｏｗ−ｋ膜１２を形成することで、ゲート−ドレイン間容量を低減してスイッチング特性を向上させることができる。 - 特許庁

In a region S where the light-receiving surface of a photodiode is located, respective layers are removed when first wiring 15 and second wiring 17 are patterned and respective layers are also removed after a second interlayer insulation film 13 and a cover insulation film 18 are formed, respectively.例文帳に追加

フォトダイオードの受光面が位置する領域Ｓでは、第１の配線１５および第２の配線１７をパターニングする際にそれぞれの層が除去され、第２の層間絶縁膜１３およびカバー絶縁膜１８をそれぞれ形成した後にもそれぞれの層が除去される。 - 特許庁

Also, a contact hole 10 is formed in an interlayer insulating film 9, and the high melting point metal silicide is accumulated on the whole face, and the patterning of the high melting point metal silicide is carried out, without etching-back, and metallic wirings including the bit lines 12 are formed so that a manufacturing process can be shortened in time.例文帳に追加

また、層間絶縁膜９にコンタクト孔１０を形成し高融点金属シリサイドを全面に堆積させた後にエッチバックを行うことなく、そのまま高融点金属シリサイドのパタ−ニングを行い、ビット線１２を含む金属配線を形成しているので製造工程を短縮できる。 - 特許庁

This mica composite is obtained by ion exchange of 10-95 eq.% of exchangeable cations among the interlayer ions of a swellable synthetic mica with at least one kind of ions selected from the group consisting of K, Ba, Cu, Ag, Te, Bi, Pb, Ce, Fe, Mo, Nb, W, Sb, Sn, V, Mn, Ni, Co, Zn, Zr and Ti ions.例文帳に追加

膨潤性合成雲母の層間イオンのうち、交換性陽イオンの１０〜９５当量％を、Ｋ，Ｂａ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｔｅ，Ｂｉ，Ｐｂ，Ｃｅ，Ｆｅ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｗ，Ｓｂ，Ｓｎ，Ｖ，Ｍｎ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｚｎ，ＺｒおよびＴｉからなる群から選ばれる１種または２種以上のイオンとイオン交換させて得られる合成雲母複合体により課題を解決できる。 - 特許庁

Furthermore, a process is provided, where an oxide film 301 as an interlayer insulating film is formed on an insulating film 102 and the gate electrode 201, so as to form a space with the undercuts of the gate electrode 201 through a CVD(chemical vapor deposition) method, which is carried out in an atmosphere of substantially one atmospheric pressure.例文帳に追加

さらに、実質的に１気圧の雰囲気下のＣＶＤ法により、ゲート電極２０１のアンダーカット部との間に空間を形成するように、１０２絶縁膜およびゲート電極上２０１に層間絶縁膜としての酸化膜３０２を形成する工程を有している。 - 特許庁

To provide a semiconductor element of dual-damascene interconnection structure, and manufacturing method of the element, in which there is solved the problem that a contact hole is not opened, and there is suppressed the problem that the permittivity of an interlayer insulation film is increased through use of an etching block layer so that the parasitic capacitance is in creased.例文帳に追加

コンタクトホールが開口されないという問題が解決でき、しかもエッチング阻止層を用いることにより、層間絶縁膜で誘電率が高くなって寄生キャパシタンスが増加するという問題が抑えられるデュアルダマシン配線構造の半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The interlayer conducting means formed on the insulating base material with the use of the copper foil with the silver coating layer uses the copper clad laminate as the conductor using the copper powder or the silver coated copper powder, or the mixed powder of the copper powder and the silver coated copper powder.例文帳に追加

そして、当該銀系被覆層付銅箔を用いて、絶縁基材に形成される層間導通手段は、銅粉又は銀コート銅粉若しくは銅粉と銀コート銅粉との混合粉を用いた導電体であることを特徴とする銅張積層板を用いるのである。 - 特許庁

Light shielding layers LS are arranged corresponding to pixel electrodes PE between a transparent substrate SUB 1 of an array substrate AS and an interlayer insulation film ILI, and apertures are partially opened at least at the areas facing both sides of the signal lines SL and that right in front of them.例文帳に追加

アレイ基板ＡＳの透明基板ＳＵＢ１と層間絶縁膜ＩＬＩとの間に、画素電極ＰＥに対応して配列すると共に、それぞれ信号線ＳＬの両脇の領域と向き合い且つその信号線ＳＬの正面の位置で少なくとも部分的に開口した遮光層ＬＳを設ける。 - 特許庁

More specifically, a contact hole CH1 is formed in an interlayer dielectric 107 on the gate electrode 104 extending on a glass substrate 100 on the outside of a polysilicon layer 102, and the auxiliary gate electrode 108 is electrically connected with the gate electrode 104 through the contact hole CH1.例文帳に追加

即ち、ポリシリコン層１０２の外のガラス基板１００上に延びたゲート電極１０４上の層間絶縁膜１０７にコンタクトホールＣＨ１が形成され、このコンタクトホールＣＨ１を通して、補助ゲート電極１０８がゲート電極１０４に電気的に接続されている。 - 特許庁

The fabrication method comprises a step for forming a metallization containing Cu by filling the trench of the interlayer insulation film with a metal containing Cu, and a step for forming an insulation film of an insulation material containing no oxygen selectively on the metallization containing Cu.例文帳に追加

また、層間絶縁膜の溝部にＣｕを含む金属を埋め込んでＣｕを含む金属配線を形成する配線形成工程と、上記Ｃｕを含む金属配線に酸素を含有しない絶縁材料からなる絶縁膜を選択的に形成する絶縁膜形成工程とを有する。 - 特許庁

To provide a gas barrier thermoplastic polyester-based resin laminated body capable of preventing interlayer peeling and suppressing opacification, a preform for stretch blow molding having the polyester-based resin laminated body, and a packaging container formed by molding the preform for stretch blow molding.例文帳に追加

層間剥離の防止と不透明化の抑制を可能としたガスバリア熱可塑性ポリエステル系樹脂積層体、加えてこのポリエステル系樹脂積層体を有する延伸ブロー成形用プリフォーム、さらには延伸ブロー成形用プリフォームを成形してなる包装用容器を提供する。 - 特許庁

In a wiring process of a semiconductor element comprising a low dielectricity interlayer insulating film, a substrate is cleaned in amine such as alkylamine, alkylene amine, cyclic amine, amine containing hydrokil group, amine containing nitril, and N-alkinated amine, and then, it is subjected to a resist peeling process.例文帳に追加

低誘電率層間絶縁膜を有する半導体素子の配線工程において、アルキルアミン類、アルキレンアミン類、環状アミン類、水酸基含有アミン類、ニトリル含有アミン類、及びこれらのアミンのＮ−アルキル化体等のアミンで基板を洗浄した後、レジスト剥離処理を行う。 - 特許庁

The inner peripheral surfaces of a wiring groove 12 and a connection hole 13, which are formed in interlayer insulating films 8 and 11 are covered with oxidation preventing films, such as SiN films 14 and 19, and thereafter, a Cu film is buried in the groove 12 and the hole 13 to form a Cu dual-damascene wiring.例文帳に追加

層間絶縁膜８、１１に形成される配線溝１２および接続孔１３の内周面を酸化防止膜、例えばＳｉＮ膜１４、９により覆った後、配線溝１２および接続孔１３にＣｕを埋め込んでＣｕデュアルダマシン配線を形成する。 - 特許庁

At this point, a pixel pitch is denoted as P, a total of overlapped capacity of the Sig line and the Vg line per one pixel as Ca, the overlapped area of the Sig line and the optoelectric converter per one pixel as S, the film width of the interlayer dielectric as d, a specific permittivity as ε, and a vacuum permittivity as ε_0.例文帳に追加

その際、画素ピッチをＰ、１画素におけるＳｉｇ線とＶｇ線の重なり容量の総和をＣａ、１画素におけるＳｉｇ線と光電変換素子の重なり面積をＳ、層間絶縁層の膜厚をｄ、比誘電率をε、真空誘電率をε０とする。 - 特許庁

To provide a transfer material installed with a transferring layer consisting of a layer formed on a surface having generally a low wetting property such as a releasing base film and a different layer formed thereon, and realizing a good interlayer close adhesion so as not to produce "cissing" or "pin hole" on the different layer.例文帳に追加

離型性ベースフィルム等の一般に低濡れ性の表面に形成される層と、その上に形成される別の層とからなる転写層が設けられた転写材において、良好な層間密着性を実現し、しかもその別の層に「はじき」や「ピンホール」等を生じさせないようにする。 - 特許庁

A MOSFET 1 includes an n^+SiC substrate 10, an n^-SiC layer 20, a p body 21, an n^+source region 22, a p^+region 23, a gate oxide film 30, a gate electrode 40, an interlayer insulating film 50, a contact electrode 80, a source electrode 60, and a drain electrode 70.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴ１は、ｎ^＋ＳｉＣ基板１０と、ｎ^−ＳｉＣ層２０と、ｐボディ２１と、ｎ^＋ソース領域２２と、ｐ^＋領域２３と、ゲート酸化膜３０と、ゲート電極４０と、層間絶縁膜５０と、コンタクト電極８０と、ソース電極６０と、ドレイン電極７０とを備えている。 - 特許庁

The first light shielding film 11a for shielding reflected light is disposed on the lower side of the semiconductor film 1a of the TFTs 30 and the second light shielding film 24 consisting of the same material as the material of the first light shielding film 11a is disposed via a first interlayer insulating film above the scanning lines 3a.例文帳に追加

ＴＦＴ（３０）の半導体膜（１ａ）の下側には、反射光を遮光する第１遮光膜１１ａが配設され、走査線３ａの上方には第１層間絶縁膜を介して第１遮光膜１１ａと同一材料からなる第２遮光膜（２４）が配設されている。 - 特許庁

To provide a positive dry film for solder resist capable of forming an interlayer insulation film, a planarizing film, a surface protective film, and an insulating film for a high-density mounting board excellent in resolution, adhesion and electric insulation, a cured product thereof, and a circuit board and electronic components with the cured product.例文帳に追加

解像性、密着性及び電気絶縁性に優れた層間絶縁膜、平坦化膜、表面保護膜、高密度実装基板用絶縁膜を形成しうるソルダーレジスト用ポジ型ドライフィルム及びその硬化物並びにそれを備える回路基板及び電子部品を提供する。 - 特許庁

The first impurity regions of the bulk transistor, the first impurity regions of the lower thin-film transistor, and the first impurity regions of the upper thin-film transistor, are electrically connected one another via a node plug through the first to third interlayer insulating films.例文帳に追加

前記バルクトランジスタの第１の不純物領域、前記下部薄膜トランジスタの第１の不純物領域、及び前記上部薄膜トランジスタの第１の不純物領域は前記第１ないし第３の層間絶縁膜を貫通するノードプラグを介して互いに電気的に接続される。 - 特許庁

In the same process as a process wherein the bit lines 6 is formed on a cell contact interlayer film 8 by etching, etching is so performed that the upper surface of the cell contact 9 which is not connected to the bit line 6 is made lower than the upper surface of the cell contact 9 connected to the bit line 6.例文帳に追加

そして、ビット線６をセルコンタクト層間膜８上にエッチングにより形成する工程と同一の工程において、ビット線６と接続しないセルコンタクト９の上面が、ビット線６と接続するセルコンタクト９の上面よりも低くなるようにエッチングする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a printed circuit board, which is effective in thinning of line and high precision of a circuit pattern in a build-up printed wiring board capable of high density wiring and high density mounting, by preventing thickening of etching margin of the circuit pattern caused by copper plating used in interlayer connection.例文帳に追加

高密度配線および高密度実装が可能なビルドアッププリント配線板において、層間接続のための銅めっきにより配線パターンのエッチング代が厚くなるのを阻止し、細線化と配線パターンの高精度化にも有効なプリント配線板の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

A first layer 14, which is a first resistor metal of thickness between 50 Å and 2 μm, is arranged on the interlayer 18, and further a second layer 16, which is a second resistor metal of thickness between 50 Å and 2 μm, is arranged on the first layer 14, which is the first resistor metal.例文帳に追加

５０Åと２μｍの間の厚さの第一抵抗金属である第一の層１４を中間層１８上に配置して、さらに５０Åと２μｍの間の厚さの第二抵抗金属である第二の層１６を第一抵抗金属である第一の層１４上に配置する。 - 特許庁

Then, the iridium oxide film 135, the iridium film 133 and the titanium nitride film 131 are etched into a prescribed shape, and the local wiring 130 of a three-layer structure is formed from the upper electrode of the ferroelectric capacitor 120 exposed from the contact hole to the second interlayer insulating film 143.例文帳に追加

そして、この酸化イリジウム膜１３５と、イリジウム膜１３３と、窒化チタン膜１３１とを所定形状にエッチングし、コンタクトホールから露出した強誘電体キャパシタ１２０の上部電極上から第２層間絶縁膜１４３上にかけて３層構造の局所配線１３０を形成する。 - 特許庁

To provide a method for producing semiconductor device, with which the electric characteristics of a semiconductor device can be improved by preventing connecting wiring on an interlayer insulating film from moving and short-circuiting with a metal electrode by a heat treatment process, and preventing a leak current from flowing.例文帳に追加

層間絶縁膜上の連結配線が熱処理工程により移動して金属電極とショートすることを防止し、漏洩電流が流れることを防ぎ、これにより半導体素子の電気的特性を向上させることができる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁