「Interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(112ページ目) - Weblio英語例文検索

This wiring structure 40 is constituted by a lower wiring 44 formed on a base insulating film 42, an interlayer insulating film 46 formed on the wiring 44, a contact 48 which penetrates the layer 46, an upper wiring 50 connected with the wiring 44 via the contact 48.例文帳に追加

本配線構造４０は、下地絶縁膜４２上に形成された下層配線４４と、下層配線４４上に成膜された層間絶縁膜４６と、層間絶縁膜４６を貫通するコンタクト４８と、コンタクト４８を介して下層配線４４と接続された上層配線５０とを備える。 - 特許庁

To provide a multilayer circuit board (motherboard or semiconductor chip mounting board) capable of ensuring high bonding strength between an interlayer insulating layer and wiring without forming an unevenness having a thickness of almost exceeding 1 μm and efficiently transmitting a high-speed electric signal, and to provide a method of manufacturing a semiconductor package or the like.例文帳に追加

配線の表面に１μｍを超す程度の凹凸を形成することなく層間絶縁層と配線の接着強度が確保でき、高速電気信号を効率よく伝送可能な多層回路基板（マザーボード、半導体チップ搭載基板）と半導体パッケージ等の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device, which forms a highly reliable wiring structure by solving the problem at the time of using xerogel or fluororesin for the interlayer insulating film between wirings for reducing the interwiring capacitance, the problem, when misalignment occurs, and others.例文帳に追加

配線間容量を低減するために配線間の層間絶縁膜にキセロゲルもしくはフッ素樹脂を用いた際の問題点、ミスアライメントを生じた場合の問題点等を解決して信頼性の高い配線構造を形成する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a reliable contact plug for preventing the short-circuiting between the contact plug and bit wiring by applying a material, where the ratio of etching speed to that of a silicon nitride film becomes at least 100, to an interlayer film for forming a self-alignment contact plug.例文帳に追加

自己整合コンタクトプラグを形成する層間膜に、窒化シリコン膜のエッチング速度に対するエッチング速度比が１００以上となる材料を適用し、コンタクトプラグとビット配線のショートを防止する信頼性の高いコンタクトプラグの形成方法を提供することにある。 - 特許庁

When information, recorded at constant linear velocity in a multilayer disk, is reproduced, in accessing from an inner circumference toward an outer circumference, in S106, radius movement is performed first, and conversely, in accessing from the outer circumference toward the inner circumference, in S102, the interlayer movement is performed first.例文帳に追加

多層ディスクに線速一定で記録された情報を再生する場合、内周から外周に向かってアクセスするときは、Ｓ１０６において半径移動を先に行い、逆に外周から内周に向かってアクセスするときは、Ｓ１０２において層間移動を先に行う。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method which an suppress an increase in the contact resistance of an Al alloy wire in a connection hole, by preventing products of reaction on Al from being formed, when etching for forming the connection hole in an interlayer insulating film is carried out.例文帳に追加

層間絶縁膜に接続孔を形成するためのエッチングを施す際にＡｌとの反応生成物の形成を防止することにより、接続孔内におけるＡｌ合金配線のコンタクト抵抗の増加を抑制できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Next, the NiFe magnetic layer 13 on the bottom surface of the connection hole 30 and the groove 31 for wiring, and on the surface of an interlayer insulating film 11 is selectively removed by varying the film-forming condition with the use of the identical NiFe chamber of the identical PVD device.例文帳に追加

次に、同一のＰＶＤ装置の同一のＮｉＦｅチャンバを用いて、成膜条件を変更することにより、接続孔３０及び配線用溝３１の底面上及び層間絶縁膜１１の表面上におけるＮｉＦｅ磁性層１３を選択的に除去する。 - 特許庁

To enable to easily realize low oxide concentration in the atmosphere of a processing chamber, and to adequately heat treat especially an organic material of a coating film in a low permittivity (Low-k) interlayer insulating film formed on a substrate, which has been conventionally impossible to perform.例文帳に追加

半導体基板の熱処理装置及び熱処理方法において、処理室内雰囲気の低酸素濃度化を容易に実現し、従来では困難であった、基板上に形成する低誘電率（Low-k）層間絶縁膜で、特に塗布膜系の有機材料を適正に加熱処理することを可能とする。 - 特許庁

Since an insulation film containing hydrogenation polysiloxane is employed as the interlayer insulation film 103 and etching is carried out using etching gas containing at least fluorocarbon gas and oxidation based gas, such a structure as the deterioration layer 105 of hydrogenation polysiloxane on the processing surface is thick at the upper part and thin at the lower part is obtained.例文帳に追加

水素化ポリシロキサンを含む絶縁膜を層間絶縁膜１０３として用い、エッチングガスとしてフロロカーボンガスと酸化系ガスを少なくとも含むエッチングにより加工するため、水素化ポリシロキサンの加工面での変質層１０５が上部で厚く、下部で薄い構造が得られる。 - 特許庁

In the multilayer printed-wiring board, a prepreg, having a via hole that is filled with a conductive substance, is inserted and laminated between a plurality of double-sided multilayer circuit boards for adhesion and interlayer connection, thus making connection to the conductor circuits in the upper/lower double-sided multilayer circuit board.例文帳に追加

多層プリント配線板は、複数枚の積層用両面回路基板間に導電性物質で穴埋めされたビアホールを有するプリプレグを挿入、積層することにより接着、層間接続を行い、上下の積層用両面回路基板の導体回路に接続される。 - 特許庁

To provide a negative photosensitive resin composition which enables to form a pattern by irradiation with active energy rays, can form a protective film against etching, an interlayer dielectric and a surface protective film, and is excellent in sensitivity, resolution, pattern shape and alkali developability.例文帳に追加

活性エネルギー線の照射によりパターン形成が可能で、エッチングに対する保護膜、層間絶縁膜、表面保護膜を形成しうるネガ型感光性樹脂組成物であって、感度、解像性、パターン形状及びアルカリ現像性に優れるネガ型感光性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

The liquid crystal display device comprises a liquid crystal display panel having a configuration of holding a liquid crystal layer between an array substrate and a counter substrate, wherein the array substrate is provided with a pixel electrode EP connected to a switching element W and a counter electrode ET opposing the pixel electrode EP via an interlayer insulation film.例文帳に追加

アレイ基板と対向基板との間に液晶層を保持した構成の液晶表示パネルを備え、アレイ基板は、スイッチング素子Ｗに接続された画素電極ＥＰと、画素電極ＥＰと層間絶縁膜を介して対向する対向電極ＥＴと、を備えている。 - 特許庁

The synthetic resin molding has a three-layer structure composed of a front surface layer 5 formed of the first synthetic resin composition 2, a back surface layer 6 formed of the second synthetic resin composition 3 and the interlayer layer sheet 1 formed in an interface between the front surface layer 5 and the back surface layer 6 and integrated with the front surface layer 5 and the back surface layer 6.例文帳に追加

第１の合成樹脂組成物２よりなる表面層５と、第２の合成樹脂組成物３よりなる裏面層６と、表面層５と裏面層６との界面に設けられて表面層５及び裏面層６と一体となった界面層シート１の３層構造となっている。 - 特許庁

Then, the interlayer short-circuit is prevented by annealing, so that the laminated body can be formed in a heat-resistant way without breakage.例文帳に追加

アルミナまたはシリカを主成分とする無機系接着剤を、積層する電磁鋼板の層間に塗布もしくは電磁鋼板の打ち抜き側面に塗布し、加熱硬化により締結させ、その後、焼鈍を施すことにより、層間短絡を防止し、熱にも耐えて崩壊することのない積層体を形成させることができる。 - 特許庁

Recessed parts g are formed at the drain parts 31f and 31h disposed in the reflection display region and various kinds of layers of the capacitance line 35, an interlayer insulating film 15 and the like are formed on the drain parts 31f and 31h to form recessed and projecting surfaces corresponding to the recessed parts g of the drain parts at these layers.例文帳に追加

また、反射表示領域に配置されたドレイン部３１ｆ，３１ｈに凹部ｇを形成し、このドレイン部３１ｆ，３１ｈの上に容量線３５や層間絶縁膜１５等の各種の層を形成することで、これらの層にドレイン部の凹部ｇに対応した凹凸面を形成する。 - 特許庁

To provide a negative type radiation-sensitive composition that forms an interlayer insulating film of low relative dielectric constant and forms a good pattern of a few standing waves even on a ground substrate of high reflexibility of a reflectance of 1.0% or higher, and to provide a curing pattern and a forming method of the pattern.例文帳に追加

比誘電率の低い層間絶縁膜の形成が可能であり、反射率１．０％以上の高反射性の下地基板上においても、定在波の少ない良好なパターンを形成することができるネガ型感放射線性組成物、硬化パターン及びその形成方法を提供する。 - 特許庁

The electrooptic apparatus includes: a transistor (30) having a semiconductor layer (1a) and a gate electrode (31) on a substrate (10); a colored insulating film (14) formed on the upper layer side of the transistor; and a lower light shielding film (11) formed on the lower layer side of the transistor through an interlayer dielectric (12).例文帳に追加

電気光学装置は、基板（１０）上に、半導体層（１ａ）及びゲート電極（３１）を有するトランジスター（３０）と、該トランジスターより上層側に形成された有色絶縁膜（１４）と、トランジスターより層間絶縁膜（１２）を介して下層側に形成された下側遮光膜（１１）を備える。 - 特許庁

In the ion implanting step, when θ is the angle defined by the obliquely ion implanting direction and a normal of a surface of a semiconductor substrate 1 and D is the sum of the thickness of the mask layer 17 and the thickness of the interlayer insulating film 8, L1/D ≥tanθ>S1/D is satisfied.例文帳に追加

このイオン注入の工程において、斜めイオン注入の注入方向と半導体基板１表面の法線とがなす角度をθとし、マスク層１７の厚みと層間絶縁膜８の厚みとの和をＤとした場合に、Ｌ１／Ｄ≧ｔａｎθ＞Ｓ１／Ｄが満たされる。 - 特許庁

The MEMS device 100 includes: a substrate 10; interlayer insulating layers 30a, 30b, 30c formed above the substrate 10 and having a cavity 32; a functional element 20 contained in the cavity 32; and the fuse element 40 contained in the cavity 32 and electrically connected with the functional element 20.例文帳に追加

ＭＥＭＳ装置１００は、基板１０と、基板１０の上方に形成され、空洞部３２を有する層間絶縁層３０ａ，３０ｂ，３０ｃと、空洞部３２に収容された機能素子２０と、空洞部３２に収容され、機能素子２０と電気的に接続されたヒューズ素子４０と、を含む。 - 特許庁

To provide a metal surface treatment agent for roughening a surface of copper or copper alloy to a desired degree with a small amount of etching (amount of etching of 0.5 μm or less), so as to enhance adhesiveness between fine wires of copper or copper alloy and a resin such as a resist and an interlayer insulation material, and to provide a surface treatment method therefor.例文帳に追加

微細な銅または銅合金配線とレジストや層間絶縁材等の樹脂との密着性に優れる該銅または銅合金表面を低エッチング量（エッチング量０．５μｍ以下）で所望の程度に粗化するための金属表面処理剤および表面処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a transfer body without causing adhesion failure between a transfer film and a base body and interlayer separation of the transfer film, that is, the manufacturing method of the transfer body without breaking a transfer membrane when separating a separation film from the transfer film and without damaging the base body when separating a sticking roller and a separation roller.例文帳に追加

転写フィルムと基体の接着不良、転写フィルムの層間剥離のない転写体製造方法、転写フィルムから剥離フィルムを剥離させる際、転写膜の破壊がなく、貼付ローラー、剥離ローラーを離間の際、基体に損傷がない、転写体の製造方法。 - 特許庁

The substrate for interlayer insulation is composed of a polyester film specified by the followings: a centerline average roughness Ra at either surface of the film is in the range of 20-60 nm; the maximum height Rt is at most 500 nm; the thickness of the film is in the range of 20-100 μm.例文帳に追加

一方のフィルム表面の中心線平均粗さＲａが２０〜６０ｎｍの範囲であり、かつ最大高さＲｔが５００ｎｍ以下であり、フィルムの厚さが２０〜１００μｍの範囲であるポリエステルフィルムからなることを特徴とする層間絶縁用支持体。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for coating a viscous body, in which in a composite film laminated through the viscous body, the coating uniformity and the coating amount of the viscous body can be secured; the interlayer adhesivity and the design of printed patterns, and the coating appearance quality are maintained; and the productivity can be improved.例文帳に追加

粘性体を介して積層される複合フィルムおいて、該粘性体の塗工均一性、塗工量を確保し、層間接着性や印刷絵柄の意匠、塗工外観品質を維持し、且つ生産性を向上させることができる粘性体の塗工方法および塗工装置を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device is equipped with: a plurality of oxygen barrier films 16; and a capacitor 21 formed of a lower electrode 17, the capacitive insulating film 19 and an upper electrode 20; and an interlayer insulating film 22 formed to cover the plurality of capacitors 21 on the plurality of oxygen barrier films 16.例文帳に追加

半導体装置は、複数の酸素バリア膜１６と、複数の酸素バリア膜１６の各々の上に、下部電極１７、容量絶縁膜１９及び上部電極２０からなるキャパシタ２１と、複数のキャパシタ２１を覆うように形成された層間絶縁膜２２とを備えている。 - 特許庁

To stabilize electrical properties and improve reliability of a resin circuit board manufactured through each step of creating a laminate by laminating a plurality of thermoplastic resin sheets provided with an in-plane conductor pattern and an interlayer conductor pattern, and performing a heat treatment and a pressure treatment on the laminate.例文帳に追加

面内導体パターンおよび層間導体パターンが設けられた、複数の熱可塑性樹脂シートを積み重ねることによって、積層体を作製し、この積層体を熱処理・加圧処理する、各工程を経て製造される、樹脂回路基板の電気特性の安定化および信頼性の向上を図る。 - 特許庁

To provide a interlayer insulating layer for display elements which has a high radiation sensitivity and high flatness (film thickness uniformity) without coating irregularities and to provide a positive radiation sensitive composition for a injection nozzle coating method which allows high-speed coating.例文帳に追加

本発明は、高い放射線感度を有し、また塗布ムラのない高度な平坦性（膜厚均一性）を有する表示素子用層間絶縁膜を形成することができ、さらに高速塗布が可能な吐出ノズル式塗布法用ポジ型感放射線性組成物を提供することを目的とする。 - 特許庁

The positive photosensitive resin composition is applied onto the interlayer insulating film 4 and the second conductor layer 7 by a spin coating method, dried, irradiated with light through a mask patterned to form windows 6c in predetermined parts, and developed with an aqueous alkali solution to form a pattern.例文帳に追加

本発明によるポジ型感光性樹脂組成物をスピンコート法にて層間絶縁膜４及び第２導体層７上に塗布、乾燥し、所定部分に窓６Ｃを形成するパターンを描いたマスク上から光を照射した後、アルカリ水溶液にて現像してパターンを形成する。 - 特許庁

The interlayer insulating film 30 includes first insulation parts 31 having a plurality of first via holes 35, second insulation parts 32 having a plurality of second via holes 36, and third insulation parts 33 interposed between the first insulation parts 31 and second insulation parts 32 and having flat upper surfaces.例文帳に追加

層間絶縁膜３０は、複数の第１ビアホール３５を有する第１絶縁部３１と、複数の第２ビアホール３６を有する第２絶縁部３２と、第１絶縁部３１と第２絶縁部３２との間に位置し、上面が平らな第３絶縁部３３とを備える。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition which can be suitably used for forming a spacer, protection film and interlayer dielectric, etc. of a flexible display which are capable of rapid and low-temperature heating and calcination, and have a high radiation sensitivity and a low linear thermal expansion coefficient.例文帳に追加

低温かつ短時間での加熱・焼成が可能であると共に、高い放射線感度を有し、低線熱膨張係数を示す、フレキシブルディスプレイのスペーサー、保護膜、層間絶縁膜等の形成に好適に用いられる感放射線性樹脂組成物を提供することである。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging element that improves the efficiency of light condensing on a semiconductor region functioning as a photoelectric conversion portion by reducing a thickness of an interlayer insulating film on the photoelectric conversion portion of the pixel by an easy method, a method of manufacturing the same, and an imaging device.例文帳に追加

簡便な方法で画素の光電変換部の上にある層間絶縁膜の厚さを低減することで、光電変換部として機能する半導体領域への集光効率を向上する固体撮像素子及びその製造方法と撮像装置を提供する。 - 特許庁

A capacitor C is composed by a lower electrode L1a formed of a first wiring layer L1, an upper electrode L2a formed of a second wiring layer L2, and an interlayer insulating film 12a interposed thereby, and is formed between a substrate 10 and a pad 5 on a pad arrangement region 4.例文帳に追加

パッド配置領域４上で基板１０とパッド５との間には、第１の配線層Ｌ１に形成された下部電極Ｌ１ａと、第２の配線層Ｌ２に形成された上部電極Ｌ２ａと、それらに挟まれた層間絶縁膜１２ａとから構成されるキャパシタＣが形成されている。 - 特許庁

To provide a photosensitive siloxane composition having high heat resistance, high transparency and a low dielectric constant, capable of forming a cured film with a pattern having high chemical resistance and good resolution, and being used for forming a planarizing film for a TFT substrate, an interlayer insulation film or a core or cladding material of an optical waveguide.例文帳に追加

高耐熱性、高透明性、低誘電率性の特性を併せ持ち、かつ耐薬品性が高く、良好な解像度のパターンを有する、ＴＦＴ基板用平坦化膜、層間絶縁膜、あるいは光導波路のコアやクラッド材の形成に用いられる感光性シロキサン組成物を提供する - 特許庁

Since the setting of the new other through hole can be realized without changing a wiring pattern once determined, the resistance of interlayer connection can be made low, the electromigration resistance can be improved, and the yield of the circuit can be improved, while not deteriorating the characteristics of a semiconductor integrated circuit.例文帳に追加

一度決定した配線のパターンを変化させることなく新たに他のスルーホールの設定を行うことで、半導体集積回路の特性を損なうことなく層間接続の低抵抗化、エレクトロマイグレーション耐性の向上、半導体集積回路の歩留まりの向上を実現できる。 - 特許庁

In this carbon material, an average particle diameter (D50) is 6-20 μm, a specific surface area measured with a BET method is 3 m^2/g or below, an interlayer distance d value (002) in X-ray diffraction is 0.3360-0.3395 nm, and a thickness La of a crystallite in an α-axis direction is 60-300 nm.例文帳に追加

この炭素材は、平均粒径（Ｄ５０）が６〜２０μｍ、ＢＥＴ法により測定される比表面積が３ｍ^２／ｇ以下、Ｘ線回折における層間距離ｄ値（００２）が０．３３６０〜０．３３９５ｎｍ、ａ軸方向の結晶子の厚みＬａが６０〜３００ｎｍである。 - 特許庁

The active matrix substrate further has an auxiliary capacitance common wiring connected to the auxiliary capacitance common electrodes, an upper conductive layer electrically connected to the auxiliary capacitance common wiring and an interlayer insulating layer provided between the pixel electrodes and the auxiliary capacitances and between the upper conductive layer and the auxiliary capacitances.例文帳に追加

アクティブマトリクス基板は、さらに、補助容量共通電極に接続された補助容量共通配線と、補助容量共通配線に電気的に接続された上層導電層と、画素電極および上層導電層と補助容量との間に設けられた層間絶縁層とを有する。 - 特許庁

The proton conductor is provided with a plurality of proton conductive oxide layers laminated on one surface of a hydrogen-permeable metal layer, and a proton conducting interlayer of its crystal lattice constant from 0.86 to 1 time of a metal layer structuring material is arranged between the metal layer and the oxide layer.例文帳に追加

水素透過性金属層の一方の面上に複数のプロトン伝導性酸化物層が積層され、この金属層と酸化物層との間に、その結晶格子定数が金属層構成材料のそれの０．８６倍以上１倍未満のプロトン伝導性中間層が配置されたプロトン伝導体。 - 特許庁

To provide a method for producing a porous film comprising a polybenzazole-based polymer having excellent heat resistance, mechanical strengths, smoothness, interlayer separation resistance and penetrability of a functional agent, and a composite ion exchange film composited with an ion exchange resin.例文帳に追加

本発明は、優れた耐熱性、機械的強度、平滑性、耐層間剥離性および機能性剤の含浸性を兼ね備えたポリベンゾアゾール系ポリマーよりなる多孔膜およびその製造方法、さらにはイオン交換樹脂と複合した複合イオン交換膜を提供するものである。 - 特許庁

CURABLE RESIN COMPOSITION, ITS CURED PRODUCT, METHOD FOR PRODUCING PHOSPHORUS ATOM-CONTAINING PHENOL RESIN, RESIN COMPOSITION FOR PRINTED WIRING BOARD, PRINTED WIRING BOARD, RESIN COMPOSITION FOR FLEXIBLE WIRING BOARD, RESIN COMPOSITION FOR SEMICONDUCTOR SEALING MATERIAL, AND RESIN COMPOSITION FOR INTERLAYER INSULATION MATERIAL FOR BUILDUP BOARD例文帳に追加

硬化性樹脂組成物、その硬化物、リン原子含有フェノール樹脂の製造方法、プリント配線基板用樹脂組成物、プリント配線基板、フレキシブル配線基板用樹脂組成物、半導体封止材料用樹脂組成物、及びビルドアップ基板用層間絶縁材料用樹脂組成物 - 特許庁

To provide the method of manufacturing a multilayer circuit board, by which outer layer boards can be properly laminated without filling gaps such as inner via holes, etc., formed in inner layer circuit boards in order to have the interlayer electrical continuities between wiring patterns with resin.例文帳に追加

層間の配線パタ−ン相互の導通を図る為に形成されるインナ−・ビアホ−ル等の空隙が内層回路基板に形成される場合でも、その空隙に対して樹脂埋めを行うことなく外層基板を好適に積層処理可能な多層回路基板の製造法を提供する。 - 特許庁

The multilayer printed wiring board that can be bent easily and does not cause the cutting of a conductor and interlayer separation at a multilayer lamination regardless of repeated bending, by using double-sided roughened copper foil to a flexible insulating sheet, or performing the roughening treatment to a circuit surface.例文帳に追加

可撓性絶縁シートに両面粗化銅箔を使用、あるいは回路表面を粗化処理することにより、容易に折り曲げることが可能で、さらに繰り返し折り曲げても導体の切断や多層積層部分における層間剥離の発生しない優れた多層プリント配線板を実現できる。 - 特許庁

To provide a thin film semiconductor device and a display unit with excellent properties in stability by covering a polycrystalline silicon film with an interlayer insulating film, which has a high-level blocking function against contaminants and can repair defects of the polycrystalline silicon film caused by hydrogen supply.例文帳に追加

汚染物質に対するブロッキング作用が高く、かつ水素供給による多結晶シリコン膜の欠陥補修も可能な層間絶縁膜によって多結晶シリコン膜を覆うことにより、安定的に優れた特性を有する薄膜半導体装置および表示装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

Thus, the second bump electrodes 24 surfaces are cleaned, the surface of the intermediate board 22 made of polyimide resin is chemically activated to obtain good electric characteristics of interlayer connections, and the adhesion of a sealing material is improved in resin sealing to the intermediate board.例文帳に追加

これにより、第２突起電極２４の表面が清浄化されると共に、ポリイミド樹脂からなる中間基板２２の表面が化学的に活性化され、良好な層間接続部の電気特性が得られると共に、樹脂封止の際の封止材料と中間基板との密着性が向上する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a printed wiring board to form a flat and smooth substrate having through holes and conductive circuits and assuring excellent connection property and reliability by forming on the substrate an interlayer resin insulation layer and upper layer conductive circuit.例文帳に追加

スルーホールおよび導体回路を有する平滑な基板を形成することができ、その結果、その上に層間樹脂絶縁層や上層導体回路を形成することにより、接続性及び信頼性に優れたプリント配線板とすることができるプリント配線板の製造方法を提供すること。 - 特許庁

Further, an interlayer insulating film 7 is formed on a surface of the n^--type substrate 1, and through contact holes 7a and 7b, a cathode electrode 8 is electrically connected to the n^+-type doped Poly-Si 5 and an anode electrode 9 is electrically connected to the p^+-type impurity layer 2.例文帳に追加

また、ｎ^-型基板１の表面に、層間絶縁膜７を形成し、コンタクトホール７ａ、７ｂを通じて、ｎ^+型ドープトＰｏｌｙ−Ｓｉ５と電気的に接続されるようにカソード電極８を備えると共に、ｐ^+型不純物層２と電気的に接続されるようにアノード電極９を備える。 - 特許庁

Since a top surface of a second interlayer insulation film 3 and that of a first wiring 11 made of copper are different from each other in height, a step is formed at a position corresponding to a position of the first wiring 11 on the top surface of a three-layer film constituting an MIM capacitive element 13 on the level difference.例文帳に追加

第２の層間絶縁膜３の上面と銅を材料とする第１の配線１１の上面との高さが互いに異なるので、その上のＭＩＭ容量素子１３を構成する３層膜の上面には、第１の配線１１の位置に対応した位置に段差が形成される。 - 特許庁