「Interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(111ページ目) - Weblio英語例文検索

Detection row wirings 5 extending in a line direction x as a long-side direction out of detection wirings 3 and 5 of a touch screen 1 of a touch panel are formed on detection column wirings 3 existing in a column direction y as a short-side direction through an interlayer insulating film.例文帳に追加

タッチパネルのタッチスクリーン１の検出用配線群３，５のうち、長辺方向である行方向ｘに延在する検出用行配線群５を、層間絶縁膜を介して、短辺方向である列方向ｙに延在する検出用列配線群３上に設ける。 - 特許庁

To prevent a side etching of the interface between layers of metal wiring and to reduce voids occurred when an interlayer insulation film is formed and to stabilize contact resistance even if a contact hole for connection with a metal wiring layered on the insulation film has a borderless structure.例文帳に追加

積層構造の金属配線界面のサイドエッチング発生を防止して、層間絶縁膜成膜時のボイドを抑制すると共に、その上層のメタル配線との接続のためのコンタクトホールがたとえボーダレス構造であっても、コンタクト抵抗を安定化させることを目的とする。 - 特許庁

The capacitive dielectric film 17 is formed along a bottom and a wall surface of an opening 15a for exposing an oxygen barrier film 14 provided on a second interlayer dielectric film 15, as a result a bent 17a that bends in a through direction of the conductive plug 13 is formed.例文帳に追加

また、容量絶縁膜１７は、第２の層間絶縁膜１５に設けられた酸素バリア膜１４を露出する開口部１５ａの底面及び壁面上に沿って形成されており、その結果、導電性プラグ１３の貫通方向に屈曲する屈曲部１７ａが形成される。 - 特許庁

The interlayer insulating film 7 has a contact hole 8' that reaches the surface of a drift region 12 passing through the interior of the opening 8 in the gate electrode 9, and part of the upper wiring 6 makes contact with the surface of the drift region 12 via the contact hole 8' to serve as a Schottky electrode.例文帳に追加

この層間絶縁膜７は、ゲート電極９の開口部８の内部を通ってドリフト領域１２の表面に達するコンタクトホール８’を有し、上部配線６の一部は、コンタクトホール８’を介してドリフト領域１２の表面に接触し、ショットキー電極として機能する。 - 特許庁

To provide a method and a device for manufacturing a laminated iron core obtaining sufficient caulking strength and preventing generation of defective parallelism and interlayer spaces of the laminated iron core even with a large iron core constituted of thin sheet iron core pieces.例文帳に追加

例えば、薄板の鉄心片で構成される大型の鉄心であっても、十分なかしめ強度を得ることができると共に、積層鉄心の平行度不良及び層間隙間の発生を防止することが可能な積層鉄心の製造方法及び製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a highly reliable composite substrate having no interlayer peeling, no bonding failure between a substrate and a resin layer as an intermediate layer and no crack etc., and no dimensional deviation in a via hole conductor formed on the resin layer as the intermediate layer and in the shape or positional accuracy of a thermal via.例文帳に追加

基板と中間層である樹脂層との間で、層間剥離、接着不良、クラック等がなく、更に、中間層である樹脂層に形成されたビアホール導体やサーマルビアの形状や位置精度に寸法ズレのない、信頼性に優れた複合基板を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing composition suitable for chemical machine polishing (CMP) for a semiconductor part such as a semiconductor substrate and an interlayer insulation film, a recording medium part and an optical part, flattening a surface of an object to be polished and capable of increasing a polishing speed, and a polishing method.例文帳に追加

半導体基板、層間絶縁膜などの半導体部品や、記録媒体部品および光学用部品などの化学的機械研磨（ＣＭＰ）に適し、被研磨物の表面を平坦にし、かつ研磨速度を高くできる研磨用組成物および研磨方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an electrode active material, a method for manufacturing it, an electrode and an energy storage device by which an interlayer distance of a carbon is dramatically increased with a simple process, large electrostatic capacity per volume is provided, and expansion of the electrode due to application of voltage is reduced.例文帳に追加

工程が単純でありながらも炭素の層間距離を飛躍的に拡大させ、体積当り静電容量が大きく、また電圧印加による電極の膨張を低減させる電極活物質の製造方法、電極活物質、電極、及びエネルギ貯蔵装置を提供する。 - 特許庁

The first and the second interlayer insulating films 13 and 14 for insulating the top and bottom layers of a semiconductor layer 1a constitute a multilayer structure comprising PSG films 13a and 14a, a semiconductor layer 1a, and NSG films 13b and 14b formed in between the PSG films 13a and 14a.例文帳に追加

半導体層１ａの下層及び上層を絶縁する第１，第２層間絶縁膜１３，１４を、ＰＳＧ膜１３ａ，１４ａと、半導体層１ａとＰＳＧ膜１３ａ，１４ａとの間に形成されたＮＳＧ膜１３ｂ，１４ｂとを有する多層構造で構成する。 - 特許庁

A transparent conductive film 42 made of ITO is formed on the entire upper surface of a second interlayer insulation film 37 having via holes 39, and a metallic film 45 reacting with a hydrochloric acid L for generating hydrogen gas P is formed in an etching region E of the conductive film 42 by applying zinc paste.例文帳に追加

ビアホール３９を有した第２層間絶縁膜３７上側全面にＩＴＯからなる透明導電膜４２形成し、同透明導電膜４２のエッチング領域Ｅに、塩酸Ｌと反応して水素ガスＰを生成する金属膜４５を、亜鉛ペーストを塗布することによって形成した。 - 特許庁

To provide a multilayer printed wiring board which allows for electrical inspection of whether or not the deviation of an inner layer pattern from an interlayer connection via falls within an allowable range, with a small number of detection units, without having an impact on the finish state of the inner layer pattern by etching.例文帳に追加

少ない検出部で、エッチング加工による内層パターンの仕上り状態に影響を受けることなく層間接続用ビアに対する内層パターンずれが、許容範囲内であるか否かを電気的に検査することが可能な多層プリント配線板を提供することを目的とする。 - 特許庁

The package substrate has a shape in which bottomed-holes having a plurality of shapes are formed and the interlayer connections are made in a plurality of layer, and also has a structure that the connections are made after a conductive process with only a single process of plating or with thick nonelectrolyte plating or with conductive paste.例文帳に追加

複数形状を有する非貫通孔の形状で、少なくとも、その層間接続方法が多段と成る形状を有し、且つその接続方法が導電化後、一回のめっき、或いは、厚付け無電解めっきや導電ペーストにより接続された構造を有するパッケージ基板。 - 特許庁

In this electro-optical device, a flattening film 80 is formed between electrodes 74, 75 and the like each of which is connected to the wiring formed on a junction board such as a flexible board and the like and a first interlayer insulating layer 284 is formed on the flattening film 80 and at edge parts of the electrodes 74, 75.例文帳に追加

フレキシブル基板等の中継基板に形成された配線に接続される電極７４，７５等の電極の間に平坦化膜８０が形成されており、平坦化膜８０上及び電極７４，７５の端部に第１層間絶縁層２８４が形成されている。 - 特許庁

To obtain a composition for forming a film which is curable at ≤450°C, provides a film having proper uniform thickness, dielectric constant characteristics, water absorption characteristics, excellent CMP resistance and a small void size, useful as interlayer dielectrics in a semiconductor element.例文帳に追加

４５０℃以下での硬化可能であり、得られる膜が適当な均一な厚さを有し、誘電率特性、吸水性特性に優れ、ＣＭＰ耐性に優れ、かつ空隙サイズが小さく、半導体素子などにおける層間絶縁膜として有用な、膜形成用組成物を提供する。 - 特許庁

This system is made executable as a series of works in the conventional manufacturing process of a multilayer wiring board so that the process can be simplified, and it is not necessary to use solder being an environmental load substance for inter-part or interlayer connection so that this multilayer wiring board can be made suitable even for an environment.例文帳に追加

本方式は従来の多層配線基板の製造工程の中で一連の作業として実施可能であるから、工程を簡略化できると共に、部品間や層間の接続に環境負荷物質である半田を使用しなくて済むことから環境問題に対しても好適である。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition excellent in high resolution, heat resistance, adhesion, electrical properties, thermal shock resistance, PCT resistance and electroless plating resistance required as a solder resist and an interlayer insulating material of a printed wiring board and as an electroless plating resist and having good storage stability.例文帳に追加

プリント配線板のソルダーレジストや層間絶縁材料、無電解めっきレジストとして要求される高解像度、耐熱性、密着性、電気特性、耐熱衝撃性、耐ＰＣＴ性、耐無電解めっき性に優れ、かつ保存安定性の良い感光性樹脂組成物を提供することにある。 - 特許庁

To provide a laminated glass and an interlayer film for the laminated glass which have high performance for mitigating the impact given externally and, particularly in the case of using it as glass for vehicles, have high performance for mitigating the impact when head comes into collision with the glass due to the occurrence of a bodily injury accident.例文帳に追加

外部から加えられた衝撃を緩和する性能に優れ、特に車両用のガラスとして使用した場合において、対人事故が発生して頭部が衝突したときの衝撃緩和性能に優れる合わせガラス及び合わせガラス用中間膜を提供する。 - 特許庁

To provide: an organic semiconductor device having suitable layer constitution that gives no damage to an active layer, especially, during the formation of an interlayer dielectric and through-hole processing in an active substrate composed of an organic transistor; a method of manufacturing the same; and an active matrix display device using the organic semiconductor device.例文帳に追加

有機トランジスタからなるアクティブ基板作製において、特に層間絶縁膜の形成やスルーホール加工によって活性層にダメージを与えない最適な層構成の有機半導体装置及びその製造方法、並びに該有機半導体装置を用いたアクティブマトリクス表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide a commutator for a motor and its manufacturing method, which is capable of significantly shortening work time and preventing occurrence of an interlayer short circuiting by reducing wire processing and bonding man-hours of jumper wires, and preventing a segment from swelling by a large amount to the outside, by eliminating a space of the jumper wires.例文帳に追加

渡り線の線処理及び接合工数を削減して、作業時間を大幅に短縮すると共にレアショートの発生を防止でき、さらに渡り線スペースを無くしてセグメントが外部に大きく膨らむのを防止できるモータ用整流子及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

Then, applying etching using a photo resist 110 formed with a first via-hole opening 111 and a second via-hole opening 112 with a wider base area than that of the first via-hole opening 111 to the interlayer insulation film 108 forms the first and second via-holes 113, 114.例文帳に追加

次いで、第一のビア用開口部１１１および第一のビア用開口部１１１よりも底面積の広い第二のビア用開口部１１２が形成されたフォトレジスト１１０を用いたエッチングにより、層間絶縁膜１０８に、第一のビアホール１１３と、第二のビアホール１１４を形成する。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition having good sensitivity, having high surface hardness and solvent resistance as well as excellent flatness (residual film rate), and to provide an interlayer insulating film for a display element and a method for forming the film, which is obtained from the above composition and does not induce display failure.例文帳に追加

良好な感度を有し、また表面硬度及び耐溶媒性に加え、優れた平坦性（残膜率）を有する感放射線性樹脂組成物、表示不良を引き起こさない当該組成物から得られる表示素子用層間絶縁膜及びその形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition which simultaneously achieves low temperature calcination and storage stability and has high radiation sensitivity, and to provide a cured film as an interlayer dielectric film, a protection film or a spacer, which is suitable for flexible display applications and is excellent in surface hardness, solvent resistance and dielectric constant.例文帳に追加

低温焼成と保存安定性とを両立し、かつ高い放射線感度を有する感放射線性樹脂組成物、及びフレキシブルディスプレイ用として好適な、表面硬度、耐溶媒性及び比誘電率に優れる層間絶縁膜、保護膜又はスペーサーとしての硬化膜の提供。 - 特許庁

A plurality of openings 33B are formed at predetermined intervals in the interlayer insulating film 29 formed directly under the bonding pad BP, and plugs 34 made of the same conductive film (W/TiN/Ti) as the plug 34 in a through hole 33A are buried in the respective openings 33B.例文帳に追加

ボンディングパッドＢＰの直下の層間絶縁膜２９には複数の開孔３３Ｂが所定の間隔を置いて形成されており、それぞれの開孔３３Ｂの内部にはスルーホール３３Ａの内部のプラグ３４と同じ導電膜（Ｗ／ＴｉＮ／Ｔｉ）からなるプラグ３４が埋め込まれている。 - 特許庁

To provide a thermoplastic resin-coated aluminum sheet which hardly generates an interlayer peeling and cracking in resin coating films and hardly generates a fissure in the resin coating films during drawing, squeezing, etc., and prevents the easy peeling of the resin coating films from the aluminum sheet, and a molding consisting of such aluminum sheet.例文帳に追加

絞り加工、しごき加工などの際に、層間剥離や樹脂被覆膜にクラックが発生し難く、樹脂被覆膜に亀裂が発生し難く、かつ、樹脂被覆膜がアルミニウム板から容易に剥離することがない熱可塑性樹脂被覆アルミニウム板、およびこのアルミニウム板よりなる成形体を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which a defect of a barrier metal film having a multilayer wiring structure is interpolated with a diffused barrier film by self-formation reaction between Mn of a CuMn layer and an interlayer insulating film, the specific resistance of a Cu layer on the CuMn layer being reduced.例文帳に追加

多層配線構造のバリアメタル膜の欠陥を、ＣｕＭｎ層のＭｎと層間絶縁膜との自己形成反応による拡散バリア膜で補間する半導体装置の製造方法において、ＣｕＭｎ層上のＣｕ層の比抵抗を低減する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

By covering a step that is caused between the lower lead electrode 3 and the substrate with the interlayer dielectric 5, when a conductive film for the lower electrode is deposited on the substrate and patterned by etching, there is not the fear that etching residue at the step caused by a conventional manufacturing method may be caused.例文帳に追加

下部引き出し電極３と基板との間に生じる段差部分を、層間絶縁膜５で覆うことにより、下部電極用の導体膜を基板上に堆積してエッチングによりパターニングする際、従来の製造方法では段差部分に生じていたエッチング残渣が生じるおそれがなくなる。 - 特許庁

The wiring 9 composed of a first metal layer 9a composed of an aluminum film or an aluminum alloy film and a second metal layer 9b composed of a silver film or a silver alloy film patterned in the same shape as that of the first metal layer 9a is formed on a second interlayer insulating film 8.例文帳に追加

第２層間絶縁膜８上には、アルミニウム膜又はアルミニウム合金膜からなる第１の金属層９ａ及び第１の金属層９ａと同一形状にパターン化された銀又は銀合金からなる第２の金属層９ｂからなる配線９が形成されている。 - 特許庁

An electrically conductive film is formed on the second interlayer insulating film 9, and patterned by dry etching to form an inspection signal input pad 14b connected to the other impurity region 5b and a switching signal input pad 14a connected to the gate electrode 4b.例文帳に追加

第２の層間絶縁膜９に導電膜を形成し、この導電膜をドライエッチングによりパターニングすることにより、他方の不純物領域５ｂに接続する検査信号入力用パッド１４ｂと、ゲート電極４ｂに接続するスイッチング信号入力用パッド１４ａとを形成する。 - 特許庁

To provide a multilayered structure comprising at least a polyester resin layer and a resin layer having a combination of adhesive and gas-barrier properties, which effectively prevents delamination from occurring even in a two-step blow molding process, and excels in appearance characteristics, interlayer adhesion and functionality.例文帳に追加

少なくともポリエステル樹脂層、及び接着性兼ガスバリヤー性樹脂層から成る多層容器において、２段ブロー成形法によっても層間剥離の発生が有効に抑制され、外観特性、層間接着及び機能性に優れた多層構造体を提供することである。 - 特許庁

The ferroelectric storage element having the structure covering at least a part of the ferroelectric thin film (4) and further covering an interlayer insulation film of BPSG(boron phosphorous silicate glass) small in the diffusion coefficient of hydrogen is provided by the lamination of Ti (9), the oxidation films (8) and (8').例文帳に追加

また、水素を吸蔵するＴｉ（９）と酸化膜（８）および（８’）の積層で強誘電体薄膜（４）の少なくとも一部を覆い、さらに水素の拡散係数が小さいＢＰＳＧ（boron phosphorus silicate glass）（１２）の層間絶縁膜で覆う構造を有する強誘電体記憶素子を提供する。 - 特許庁

Similarly, after a second side wall metal 8 is provided on the side wall within a trench 7 of a second interlayer dielectric 6 including a porous second low dielectric constant film 6b, a second etching stopper layer 6a is etched and an upper layer 9 is formed that connects to the via plug 5.例文帳に追加

同様に、多孔質の第２低誘電率膜６ｂを含む第２層間絶縁膜６のトレンチ７内の側壁に第２サイドウォールメタル８設けられた後に第２エッチングストッパー層６ａがエッチングされ上記ビアプラグ５に接続する上層配線９が形成される。 - 特許庁

Further, the method includes a stage of forming the storage capacitor on the interlayer dielectric so that the storage capacitor partially overlaps with the semiconductor layer and is electrically connected to the pixel-electrode-line-side source/drain region through the contact hole, and also has an in-groove part 70t overlapping the groove.例文帳に追加

更に、蓄積容量を、層間絶縁膜上に半導体層と部分的に重なるように且つ画素電極線側ソースドレイン領域とコンタクトホールを介して電気的に接続されるように形成すると共に、溝に重なる溝内部分（７０ｔ）を有するように形成する工程を含む。 - 特許庁

When the ITO film to be an pixel electrode 4 is deposited after that, oxygen transfer at the interface between the interlayer insulating film and the ITO film is prevented and side etching of the ITO at the interface can be suppressed, because the oxygen ratio of the film surface in the nitrogen plasma treatment is lower than that in oxygen plasma treatment.例文帳に追加

その後、絵素電極４となるＩＴＯ膜を成膜する際に、窒素プラズマ処理では膜表面の酸素割合が酸素プラズマ処理よりも低いため、層間絶縁膜とＩＴＯとの界面における酸素移動を防いで界面でのＩＴＯのサイドエッチングを抑制することができる。 - 特許庁

At the time of shift from the layer 1 to the layer 2 (S24:Y), the last laser power Pwr1 of the layer 1 adjusted by R-OPC is multiplied by the interlayer power ratio α, and is set to laser power at the time of shift to the layer 2 (S32), recording for the layer 2 is started with this power (S28).例文帳に追加

レイヤー１からレイヤー２への移行時（Ｓ２４：Ｙ）には、Ｒ−ＯＰＣにて調整されたレイヤー１の最終レーザパワーＰｗｒ１に層間パワー比率αを乗じてレイヤー２移行時のレーザパワーに設定し（Ｓ３２）、このパワーでレイヤー２に対する記録を開始する（Ｓ２８）。 - 特許庁

To provide a device for reducing a product cost as much as possible and attaining safety of work by wholly mechanizing respective operations of pulling-out and cutting of a winding adhesive tape, the formation of a loop, terminal fitting of the loop and sticking to interlayer paper, and promoting complete labor reduction in the work and an increase in efficiency.例文帳に追加

巻き接着テープの引き出し、切断、ループの形成、ループの端子嵌め着け、層間紙への貼り着けの各操作を総て機械化して、作業の完全な省力化と能率増進とを計ることにより、製品コストの可及的な低減と作業の安全化とが達成される装置を提供する。 - 特許庁

An end portion E4 of the auxiliary electrode 150 is formed to be located on the outer side of an end portion E1 of the common electrode 72 within a plane of a substrate 10, and the end portion E1 of the common electrode 72 is formed to be located on the inner side of an end portion E2 of the second interlayer insulating film 35.例文帳に追加

補助電極１５０の端Ｅ４は、共通電極７２の端Ｅ１よりも基板１０の面内において外側に位置するよう形成され、共通電極７２の端Ｅ１は、第２層間絶縁膜３５の端Ｅ２よりも内側に位置するよう形成される。 - 特許庁

A lower electrode 32, a ferroelectric-material thin film 34 and an upper electrode 36 are formed in this order on a substrate 10 to constitute a memory capacity 30, an interlayer insulating film 40 is formed covering the memory capacity 30, and polycrystal silicon TFT20 is formed on the insulating film 40.例文帳に追加

基板１０上に、下部電極３２、強誘電体薄膜３４及び上部電極３６がこの順に形成されてメモリ容量３０が構成され、該メモリ容量３０を覆って層間絶縁膜４０が形成され、該絶縁膜４０上に多結晶シリコンＴＦＴ２０が形成されている。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor storage device includes a first lamination portion 110 wherein a drain side selective transistor SDT and a source side selective transistor SST are formed on a semiconductor substrate 10, and a second lamination portion 120 wherein interlayer insulating layers 122 and first conductive layers 121 are alternately laminated.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、ドレイン側選択トランジスタＳＤＴ及びソース側選択トランジスタＳＳＴが半導体基板１０上に形成された第１積層部１１０と、層間絶縁層１２２及び第１導電層１２１が交互に積層された第２積層部１２０とを備える。 - 特許庁

To provide an easily openable composite film for packaging which is easily openable by interlayer releasing after heat cooking and has heat sealing strength durable to impact, etc., during transportation as a film for packaging used for such a content as foods and a packaging container.例文帳に追加

食品等の内容物に用いられる包装用材料として、層間剥離によって加熱調理後に容易に開封することができ、かつ、輸送時に衝撃等に耐えうる熱封緘強度を有する易開封性包装用複合フィルム並びに包装容器を提供する - 特許庁

To obtain a wiring having a reduced effective relative dielectric constant among wirings, high speed, and high reliability, since the film thickness of an insulating film liner can be thinned, even if the dielectric constant of an interlayer insulating film is reduced, while securing full EM resistance and TDDB lifetime among wirings.例文帳に追加

十分なＥＭ耐性および配線間ＴＤＤＢ寿命を確保しつつ、層間絶縁膜の低誘電率化を行っても絶縁膜ライナー膜厚を薄くすることができ、配線間の実効比誘電率Ｋｅｆｆを低減した高速で高信頼性な配線を得ることができる。 - 特許庁

After the reinforced seed layer is subjected to an electroless copper plating to fill the contact hole 14 and the inside of the wiring groove 15 with copper, a copper film exposed to the interlayer insulating film of the second layer is removed to form an embedded wiring having a dual-damascene structure.例文帳に追加

補強されたシード層１７Ａの上に銅の電解めっきを行なって、コンタクトホール１４及び配線溝１５の内部に銅膜を充填した後、第２層の層間絶縁膜の上に露出している銅膜を除去してデュアルダマシン構造を有する埋め込み配線を形成する。 - 特許庁

The number of contacts and the interlayer heat resistance are increased, the out-of-plane heat conduction leak (in the lamination direction) is reduced, and the heat insulation performance is maintained thereby.例文帳に追加

さらに、ＭＬＩの最外層の金属フィルムを他の構成品よりも大きく裁断し、それを最内層の金属フィルムに折り込み、端部を２回折り曲げて包絡する事で、接触箇所を増やし層間の熱抵抗を増大させ、面外（積層方向）の熱伝導リークを低減させて断熱性能を維持する。 - 特許庁

To provide a multilayered wiring board which is profitably manufactured at a lower cost through a simple manufacturing process by eliminating a process of filling through-holes with resin and carrying out a flattening operation and has the high reliability and durability of interlayer conductive connections, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

予めスルーホールに樹脂を充填して平坦化する工程を省略できるため、簡易な製造工程でコスト的に有利に製造でき、好ましくは層間の導電接続の信頼性と耐久性が高い多層配線基板、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a surface reformed alumina ceramic and its manufacturing method which is excellent in inter layer surface strength, without interlayer stress, and elastic/plastic discrepancy by changing its surface shape of grain boundary by applying grain boundary moving phenomena using chemical driving force.例文帳に追加

表面の粒界形状を変化させることで、層間界面強度に優れ、層間応力、弾性／塑性不一致のない表面層を化学駆動力による粒界移動現象を応用して形成する、表面改質されたアルミナセラミックスとその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a shrink film which has excellent shrink performance and compressive strength and high interlayer strength between film layers of a laminate, a shrink label which is manufactured from the shrink film at an excellent productivity and a container labeled with the label.例文帳に追加

優れた収縮特性と圧縮強度を有するシュリンクフィルムであって、さらに積層体のフィルム層間の層間強度が高い優れたシュリンクフィルムと、該フィルムを用いた、優れた生産性を有するシュリンクラベル及び該ラベルを装着したラベル付き容器を提供することにある。 - 特許庁