「Interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(107ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an automobile friction material capable of preventing interlayer separation from occurring even under severe friction for a long time, and having characteristics such as a high dynamic friction coefficient in a surface layer part of a friction face side and a high heat conduction restraint property in a surface layer part of the other face side.例文帳に追加

長時間の激しい摩擦下でも層間剥離を起こすことがなく、また、摩擦面側の表層部では高い動摩擦係数、他方の面側の表層部では高い熱伝導抑制性などの特性を有する自動車用摩擦材料を提供する。 - 特許庁

A substrate is prepared wherein the surface of an embedded wiring formed inside an interlayer dielectric is selectively covered with a wiring protective film, the surface of the substrate is pre-cleaning by wet processing using a cleaning liquid, and then an insulation film is formed on the surface of the pre-cleaned substrate.例文帳に追加

層間絶縁膜の内部に形成した埋込み配線の表面を配線保護膜で選択的に覆った基板を用意し、洗浄液を用いたウェット処理で基板の表面を前洗浄し、前洗浄後の基板の表面に絶縁膜を形成する。 - 特許庁

The second region Ra2 overlaps with at least a part of the first region Ra1 when seen in plane view, is not coupled with the first region Ra1 by vias, and sandwiches the second interlayer insulating film ID2a between it and the first region Ra1.例文帳に追加

第２の領域Ｒａ２は、平面視において第１の領域Ｒａ１の少なくとも一部と重なり合い、かつ第１の領域Ｒａ１とビアによって接続されておらず、かつ第１の領域Ｒａ１との間に第２の層間絶縁膜ＩＤ２ａを挟んでいる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor element through stable glow discharge plasma treatment, by continuously generating a uniform glow discharge plasma under a pressure close to the atmospheric pressure, when manufacturing an interlayer insulating film and/or a passivation film in the step of manufacturing the element.例文帳に追加

半導体素子の製造工程における層間絶縁膜及び／又はパシベーション膜の製造において、大気圧近傍の圧力下で均一なグロー放電プラズマを継続して発生させ、安定してグロー放電プラズマ処理により製造する方法の提供。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device having the opening with a tapered portion of an oxide-based interlayer insulating film, capable of obtaining wiring dimensions as designed and improved step coverage, without enlarging the diameter of the opening of the insulating film in an etching process.例文帳に追加

エッチング工程において絶縁膜の径を広げることなく、設計通りの配線寸法と、かつ良好なステップカバレージとを得ることができる、テーパー部を有した酸化物系層間絶縁膜の開口部を持つ半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In a resin mold coil prepared by winding winding conductors 1 and interlayer insulating sheets 2 and then having a molding resin 4 filled into upper and lower end faces, at least one of upper and lower end portions 21 and 22 of each sheet 2 projects from a coil end face insulating member 3.例文帳に追加

巻線導体１と層間絶縁紙２とを巻回し、上下端面にモールド樹脂４を充填してなる樹脂モールドコイルにおいて、層間絶縁紙２の上下端部２１，２２の少なくとも一方は、コイル端面部絶縁部材３より突出している。 - 特許庁

To provide a magnetic storage device which can ensure a sufficient adhesion between an interlayer insulating film (Low-k film) having a low dielectric constant and a magnetic resistance element, and can reduce an adverse influence on element characteristics caused by a peculiar magnetostriction phenomenon included in the magnetic resistance element.例文帳に追加

低誘電率を持つ層間絶縁膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）と磁気抵抗素子との間に十分な密着性を確保でき、磁気抵抗素子が持つ特有の磁歪現象による素子特性への悪影響を低減できる磁気記憶装置を提供する。 - 特許庁

The lattice type conductor layer wherein a roughened layer 5 is formed on a side surface is formed on a substrate of a multilayer printed wiring board, so that cracks which are generated by difference of thermal expansion coefficients of the conductor layer and the interlayer resin insulating layer on an interface of them are restrained.例文帳に追加

多層プリント配線板の基板上に、その側面に粗化層５が形成された格子状の導体層を形成することにより、導体層と層間樹脂絶縁層の境界で両者の熱膨張率差に起因して発生するクラックを抑制する。 - 特許庁

To provide a laminated decorative sheet good in embossing processability, excellent in the wear resistance and scratch resistance of the sheet surface, hard to slip because the coefficient of dynamic friction is large, excellent in solvent resistance and interlayer adhesion at high temperatures, and in addition good in three-dimensional moldability.例文帳に追加

エンボス加工性が良好で、シート表面の耐摩耗性と耐傷付き性に優れ、動摩擦係数が大きいために滑りにくく、耐溶剤性と高温における層間密着性に優れ、さらに三次元成形性も良好である積層化粧シートを提供する。 - 特許庁

A discontinuity region 30' in which orientation directions of liquid crystal molecules in the liquid crystal layer controlled with the rivet 16 are discontinuous with respect to orientation directions of the liquid crystal molecules in the liquid crystal layer on the inclined face of the interlayer insulating film is present in the aperture part 53.例文帳に追加

開口部５３には、リベット１６により規制される液晶層の液晶分子の配向方向が、層間絶縁膜の傾斜面における液晶層の液晶分子の配向方向に対して不連続となる不連続領域３０′が存在する。 - 特許庁

At least one of the solar battery cell separation regions includes: a first separation groove extending through the first electrode layer; and a second separation groove extending through the first photoelectric conversion layer, which is filled into the first separation groove, and the interlayer.例文帳に追加

太陽電池セル分離領域の少なくとも１つは、第１の電極層を通して伸張する第１の分離溝と、第１の分離溝内に充填された第１の光電変換層及び中間層を通して伸張する第２の分離溝とを具備する。 - 特許庁

To provide: an insulating film, suitable to be used as an interlayer insulating film for a semiconductor element and so on, excellent in film characteristics such as dielectric characteristics, especially in mechanical strength; and a manufacturing method capable of efficiently manufacturing the insulating film.例文帳に追加

本発明は、半導体素子などにおける層間絶縁膜として使用するのに適し、誘電特性などの膜特性、特に、機械強度に優れた絶縁膜、および、該絶縁膜を効率よく製造することができる製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide an epoxy resin coating composition which has a satisfactory corrosionproof property and has the excellent interlayer adhesion to the top-coating film even applied at a long-period interval and which can form a film to give the excellent crack resistance and delamination resistance to the top-coating film.例文帳に追加

十分な防食性を有し、かつ長期のインターバルで塗布しても、上塗り塗膜との層間付着性に優れ、さらに上塗り塗膜の耐割れ性や耐はがれ性に優れた塗膜を形成することができるエポキシ樹脂塗料組成物を提供する。 - 特許庁

To prevent uncontrolled position adjustment aperture etching that arises in a scribe region in the process of forming contact holes in an interlayer insulating film, penetrating an A1_2O_3 film when a semiconductor device with a ferroelectric capacitor protected by the A1_2O_3 film is manufactured.例文帳に追加

Ａｌ_2Ｏ_3膜で保護された強誘電体キャパシタを有する半導体装置の製造時に、前記Ａｌ_2Ｏ_3膜を貫通して層間絶縁膜中のコンタクトホールを形成する工程においてスクライブ領域で生じる、位置合わせ開口部のエッチングの暴走を阻止する。 - 特許庁

To provide a composition capable of forming a silicone-based film suited for use as an interlayer insulating film of a semiconductor element or the like and having an adequate uniform thickness and excellent in dielectric constant characteristics and film strength, and an insulating film and to provide a method for producing the film.例文帳に追加

半導体素子などにおける層間絶縁膜として使用するのに適した、適当な均一な厚さを有するシリコーン系膜が形成可能な、しかも誘電率特性、膜強度に優れた組成物、絶縁膜、およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To make an interlayer connection between bus bars respectively arranged and fixed on the front and rear surfaces of an insulating substrate easier and inexpensive, and at the same time, to improve the economy of the bus bars by improving the latitude in design and dimensional accuracy of the bars.例文帳に追加

絶縁基板の表裏両面にそれぞれ配置固定している両バスバーの層間接続を簡易にして、しかも低コストで接続することができるようにすると共に、上記バスバーの設計及び寸法精度の自由度を高めて、経済性を向上させる。 - 特許庁

After a gate insulating film 2 and a first lower electrode 3 are formed on the channel area 6 of a silicon substrate 1, a BPSG interlayer insulating film 7 is formed on the substrate 1 so as to cover the electrode 3 and insulating film 2 and a contact hole 8 is made on the insulating film 7.例文帳に追加

シリコン基板１のチャネル領域６上にゲート絶縁膜２及び第１の下部電極３が形成され、第１の下部電極３及びゲート絶縁膜２を覆うようにシリコン基板１上にＢＰＳＧからなる層間絶縁膜７が形成される。 - 特許庁

A contact hole 12a is first formed by performing dry etching on an interlayer insulator film 12, thereafter, a barrier layer 14 consisting of TiN and an adhesive layer 15 consisting of Ti are sequentially deposited over the entire surface including the bottom surface and peripheral surface of the contact hole 12a.例文帳に追加

まず、層間絶縁膜１２に対してドライエッチングを行なってコンタクトホール１２ａを形成し、その後、該コンタクトホール１２ａの底面及び周面を含む全面にわたって、ＴｉＮよりなるバリア層１４及びＴｉよりなる密着層１５を順次堆積する。 - 特許庁

As the result, during a heat treatment process after the formation of the Cu seed film 10 and the Cu plating film 11, it can be prevented that Cu is diffused anomalously from the Cu seed film 10 and the Cu plating film 11 into the interlayer insulating film 6 to change the device properties.例文帳に追加

その結果、Ｃｕシード膜１０やＣｕめっき膜１１を形成した後の工程における熱処理中に、Ｃｕシード膜１０やＣｕめっき膜１１からＣｕが層間絶縁膜６中に異常拡散して、デバイス特性を変動させることを防止できる。 - 特許庁

Furthermore, a metal film is formed on the semiconductor thin film 5, with an interlayer insulation film interposed in between to block the source region side and drain region side, and the metal film is patterned to make wirings 8D, 8S and 8Z so that the channel region does not become blocked.例文帳に追加

更に、半導体薄膜５の上に層間絶縁膜を介して金属膜を成膜し、ソース領域側及びドレイン領域側を遮閉する一方、チャネル領域を遮閉しない様に金属膜をパタニングして配線８Ｄ，８Ｓ，８Ｚに加工する。 - 特許庁

The extra buried metal is removed by chemical- mechanical polishing to form a plug and a wiring, and then the resist pattern is removed to form an interlayer insulating film which includes an exposed plug and wiring on the first wiring 2 and made of SOG on the substrate 1.例文帳に追加

埋め込んだ金属の余剰分を化学機械的研磨で除去してプラグ及び配線を形成した後、レジストパターンを除去し、第１の配線２上に露出されたプラグ及び配線を含み基板１上にＳＯＧからなる層間絶縁膜を形成する。 - 特許庁

The reflective liquid crystal display device is constructed by alternately stacking first to fourth metal layers 2 to 5 and A to D interlayer films 6 to 9 on a semiconductor substrate 1 and forming a liquid crystal layer 10 and a counter (transparent) electrode 11 on the uppermost layer.例文帳に追加

反射型液晶表示装置は、半導体基板１上に第１メタル層２〜第４メタル層５とＡ層間膜６〜Ｄ層間膜９とが交互に積層され、最上層に液晶層１０と対向電極（透明）１１とを形成することで構成されている。 - 特許庁

A capacitor opening is provided inside a first interlayer insulating film 7 formed on a substrate 1; and a capacitor element is provided which is composed of a lower electrode 8, a capacitance insulating film 9, and an upper electrode 10 that are all formed on the bottom and side of the opening.例文帳に追加

基板１上に形成された第１の層間絶縁膜７内にキャパシタ開口部が設けられ、キャパシタ開口部の底面及び側面上に形成された下部電極８、容量絶縁膜９、及び上部電極１０からなる容量素子を備えている。 - 特許庁

To provide a densified multilayer printed wiring board of high reliability that is easy to manufacture by utilizing a B2it method in which a conductive paste is printed on a metal foil to form a bump, and then the bump is made to pierce through an organic insulating film for interlayer connection of a multilayer wiring.例文帳に追加

導電ペーストを金属箔に印刷してバンプを形成しバンプに有機絶縁膜を貫通させて多層配線の層間接続を行うＢ^2 ｉｔ法を用いて、信頼性が高く、高密度化された製造が容易な多層プリント配線板を提供する。 - 特許庁

Hereupon, even when heating the intermediate film, hydrogen atoms are so fed sufficiently from the interlayer dielectric 25 formed by using the hydrogenized silicon nitride film to the defective levels present between an active layer 12 and the gate dielectric 21, as to be able to flatten the thin-film transistor without deteriorating its characteristics.例文帳に追加

中間膜を加熱した際でも、活性層12とゲート絶縁膜21との間の欠陥準位に水素化窒化シリコン膜により形成した層間絶縁膜25から水素原子を充分に供給するので、特性を劣化させることなく平坦化が可能になる。 - 特許庁

Next, an interlayer insulation film 108 is formed so as to form porosities 107 relative to the first metal layer 103 as the first wiring, and the surface is flattened to form a second wiring connected to a plug composed of the second metal layer 104.例文帳に追加

その後、第１の配線である第１の金属層１０３の間に空孔１０７が形成されるように層間絶縁膜１０８を形成し、その表面を平坦化して第２の金属層１０４からなるプラグに接続される第２の配線を形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for an electronic component packaging structure, in which an electronic component is embedded in an interlayer insulation film on a wiring substrate, for easily eliminating difference in level resulting from the thickness of the electronic component to obtain a flat surface.例文帳に追加

電子部品が配線基板上の層間絶縁膜に埋設された構造を有する電子部品実装構造において、電子部品の厚みに起因する段差を容易に解消して平坦化することができる電子部品実装構造の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide copper foil with a resin for a printed wiring board which can laminate at a relatively low temperature, has sufficient adhesive properties to a conductor and can form an interlayer insulating resin layer of high heat resistance, a low dielectric constant, a low dielectric tangent, low water absorption, and flame retardancy.例文帳に追加

比較的低温でラミネートすることができ、導体との充分な密着性を有し、しかも高耐熱性、低誘電率、低誘電正接、低吸水率、難燃性の層間絶縁樹脂層を形成できるプリント配線基板用樹脂付き銅箔を提供する。 - 特許庁

In the thermal transfer sheet 10 comprising a photothermal conversion layer 14 and an image forming layer 16 provided on a support 12, an interlayer adhesive force between the layer 14 and the layer 16 is 2 to 10 g/cm.例文帳に追加

支持体１２上に、光熱変換層１４と画像形成層１６とを設けた熱転写シートにおいて、前記光熱変換層１４と前記画像形成層１６との層間密着力が２ｇ／ｃｍ以上１０ｇ／ｃｍ以下である熱転写シート１０である。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device that prevents an insulating film at an upper end of a dummy gate electrode from being lost and also prevents an insulating film at an upper end of a cell gate electrode from being removed too much when an interlayer insulating film is flattened by a CMP method.例文帳に追加

ＣＭＰ法によって層間絶縁膜を平坦化するときに、ダミーゲート電極の上端部の絶縁膜が消失するのを防ぐと共に、セルゲート電極の上端部の絶縁膜が取り除かれ過ぎるのを防ぐ半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a CMP polishing agent capable of efficient and high-speed polishing with reduced influence of pattern density dependency and easy polishing process management without polishing scratches, with respect to CMP technology for smoothening an interlayer dielectric film, a BPSG film, and a shallow-trench-isolation insulation film.例文帳に追加

層間絶縁膜、ＢＰＳＧ膜、シャロートレンチ分離用絶縁膜を平坦化するＣＭＰ技術において、パターン密度依存の影響を少なく、効率的、高速に、研磨傷なく、かつ研磨プロセス管理も容易に、研磨できるＣＭＰ研磨剤を提供する。 - 特許庁

In the CFRP molded body 1, the pins 5 are inserted into the plurality of holes 4 formed on the resin bodies 3 to be laid between the carbon fiber layers 2, are fixed and, as the result, the interlayer toughness of the CFRP molded body 1 can be improved.例文帳に追加

ＣＦＲＰ成形体１においては、炭素繊維層２間に掛け渡されるように樹脂体３に形成された複数の孔４にピン５が挿入されて固定されることになるので、ＣＦＲＰ成形体１の層間靭性を向上させることができる。 - 特許庁

A passive component 3A and an active component 3B are temporarily held by an inductive paste 9A filled inside a via hole 8 formed on a first substrate 1, together with a segmentalized interlayer connecting member 4 in which wiring circuits 24 at both sides are made continuous by plated through-holes 25.例文帳に追加

第１基板１に形成されたビアホール８内に充填された導電性ペースト９Ａに、受動部品３Ａと能動部品３Ｂと両面の配線回路２４がメッキスルーホール２５にて導通された個片化されてなる層間接続部材４とを仮保持させる。 - 特許庁

The conductive paste 14A is brought into contact with another wiring circuit 24 of the interlayer-connecting member 4 to laminate the second substrate 2, in such manner as to sandwich the insulating embedded member 5 with the first substrate 1 and the second substrate 2; and thereafter, the elements are compressively bonded.例文帳に追加

絶縁性埋め込み部材５を第１基板１と第２基板２とで挟み込むようにして、層間接続部材４の他方の配線回路２４に導電性ペースト１４Ａを接触させて第２基板２を積層した後、これらを加熱圧着する。 - 特許庁

To provide a permanent pattern forming method by which permanent patterns such as a protective film, an interlayer insulation film and a solder resist pattern can be efficiently formed with high definition, by improving exposure performance without incurring a cost increase of an apparatus and a reduction of exposure speed.例文帳に追加

装置のコストアップや、露光速度の低下を招くことなく、露光性能を向上させることにより、保護膜、層間絶縁膜、及びソルダーレジストパターンなどの永久パターンを高精細に、かつ、効率よく形成可能な永久パターン形成方法を提供する。 - 特許庁

Further, since the substrate temperature is raised to 500°C, a silicon oxide layer having high reliability as an interlayer insulating layer 211 is formed without generating the hillock in the AlNd layer 203, and thereby a highly reliable TFT 220 is provided.例文帳に追加

また、基板温度を５００℃まで上げられることから、層間絶縁層２１１として信頼性が高い酸化シリコン層をＡｌＮｄ層２０３にヒロックを発生させることなく形成することができ、信頼性が高いＴＦＴ２２０を提供することが可能となる。 - 特許庁

To prevent tips of spring parts from breaking through an interlayer paper when the continuous body of an adsorbed member to hold a surface mounted connector is wound on a reel, and also to achieve the adsorbed member by which terminal parts of a connector can be protected when the connector is held and housed in a carrier tape.例文帳に追加

表面実装型コネクタを保持する被吸着部材の連続体をリールに巻き取る際、ばね部の先端が層間紙を突き破らず、また、コネクタを保持してキャリアテープに収容したときにコネクタの端子部を保護できる被吸着部材の実現。 - 特許庁

By checking which coplanar line has a resonance frequency corresponding to the frequency of the high-frequency circuit fluctuated in the characteristics, the direction of the interlayer displacement and the amount of displacement caused in the ceramic multilayer substrate fluctuated in the characteristics of the high-frequency circuit can be checked.例文帳に追加

特性が変動した高周波回路の周波数がいずれのコプレーナ線路の共振周波数と一致するかを測定することで、高周波回路の特性が変動したセラミック多層基板で生じている層間ずれの方向とずれ量の確認が行える。 - 特許庁

The layered double hydroxide comprises: a fundamental layer of a metal double hydroxide expressed by formula (I): Mg_1-xAl_x(OH)_2 (wherein, x is 0.2 to 0.33); and an accumulation in which magnesium phenoxyacetate and interlayer water are intercalated into the middle of the fundamental layer.例文帳に追加

式（Ｉ）： Ｍｇ_１−ｘＡｌ_ｘ（ＯＨ）_２ （Ｉ）（式中、ｘは０．２ないし０．３３である。）の金属複水酸化物の基本層と、フェノキシ酢酸マグネシウムおよび層間水が該基本層の中間にインタカレートされている累積物よりなる層状複水酸化物。 - 特許庁

In this manufacturing method, a photosensitive silazane film 52 is exposed and developed, and a hard mask 52A which is formed of the photosensitive silazane film 52 and regulates positions of a wiring pattern and a contact hole 60 of a wiring layer 66A is formed on an interlayer insulating film 50.例文帳に追加

本製造方法では、感光性シラザン膜５２を露光及び現像することにより、層間絶縁膜５０上に、配線層６６Ａの配線パターン及び接続孔６０の位置を規定する、感光性シラザン膜５２からなるハードマスク５２Ａを形成する。 - 特許庁

The X side clock signal line 92 and the X side inversion clock signal line 93 are respectively formed from the conductive films existing in the positions different from each other via interlayer insulating film and overlap on each other at least partly when flatly viewed on a TFT array substrate 10.例文帳に追加

Ｘ側クロック信号線９２及びＸ側反転クロック信号線９３は、層間絶縁膜を介して互いに異なる層に位置する導電膜から夫々形成され、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て少なくとも部分的に互いに重なる。 - 特許庁

A top wiring layer 8 connected to the tungsten plug 6' is formed on an interlayer dielectric 3 after an oxide layer including a grinding chip 7 is removed by performing dry etching or wet etching of the oxide layer including the grinding chip 7 formed on the tungsten plug 6'.例文帳に追加

タングステンプラグ６´上に形成された研磨屑７を含む酸化層のドライエッチングまたはウェットエッチングを行うことにより、研磨屑７を含む酸化層を除去してから、タングステンプラグ６´に接続された上層配線層８を層間絶縁膜３上に形成する。 - 特許庁

Since internal stress caused when heat treatment is performed can be reduced by forming the light shielding layer 120 using the three layered structure and tensile stress between the light shielding film 120 and the interlayer insulating film or the semiconductor layer is reduced, the occurrence of the cracks can be prevented.例文帳に追加

遮光膜１２０を三層構造とすることで、熱処理の際に発生する内部ストレスを減少させることができ、遮光膜１２０と層間絶縁膜や半導体層との間の引っ張り応力が低減されるため、クラックの発生を防止することができる。 - 特許庁

A first interlayer insulating film 15 is deposited on a semiconductor substrate 11 on which a transistor having a gate electrode 13a, etc., is formed and a capacitor section of a memory cell composed of storage node electrodes, etc., or a conductor wiring is formed on the insulating film 15.例文帳に追加

ゲート電極１３ａ等を有するトランジスタが形成されている半導体基板１１の上に、第１の層間絶縁膜１５を堆積し、第１の層間絶縁膜１５の上に、ストレージノード電極等からなるメモリセル容量部又は導体配線を形成する。 - 特許庁

To suppress an increase in a leak current between Cu wirings due to a reducing process of the Cu wiring, which is carried out in order to remove oxide films formed on the surface of the Cu wiring after the Cu wiring is formed so as to be embedded in the surface of an interlayer insulating film.例文帳に追加

層間絶縁膜の表面にＣｕ配線を埋込み形成した後、Ｃｕ配線の表面に形成された酸化膜を除去する目的で行う、Ｃｕ配線の還元処理に起因するＣｕ配線間のリーク電流の増大を抑制すること。 - 特許庁