「Interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(110ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a photosensitive resin composition excellent in such performances as sensitivity, transmittance, insulation, chemical resistance, flatness and coating property, having improved adhesiveness particularly to an inorganic material, and suitable for forming an interlayer dielectric in an LCD manufacturing process.例文帳に追加

感度、透過率、絶縁性、耐化学性、平坦性、コーティング性などの性能に優れているだけでなく、特に無機質材料との接着性が顕著に向上して、ＬＣＤ製造工程の層間絶縁膜を形成するのに適合する感光性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition having excellent high resolution, heat resistance, adhesion, electrical properties, thermal shock resistance, PCT resistance and electroless plating resistance required as a solder resist and an interlayer dielectric material of a printed wiring board and as an electroless plating resist.例文帳に追加

プリント配線板のソルダーレジストや層間絶縁材料、無電解めっきレジストとして要求される高解像度、耐熱性、密着性、電気特性、耐熱衝撃性、耐ＰＣＴ性、耐無電解めっき性に優れた感光性樹脂組成物を提供することにある。 - 特許庁

It also includes a hole formation process wherein a hole 11a reaching deep in the semiconductor substrate 10 is formed from the surface RS of the semiconductor substrate 10 using the LOCOS oxide film 12 formed in the interlayer film formation process as an etching mask.例文帳に追加

孔形成工程では、層間膜形成工程にて形成されたＬＯＣＯＳ酸化膜１２をエッチングマスクとして利用して、半導体基板１０の表面ＲＳから該半導体基板１０の深層に至る孔１１ａを形成する孔形成工程を備える。 - 特許庁

In an element substrate 10 of an electro-optic device 100, a stress relaxation film 46 formed from a doped silicon oxide film is formed between a third interlayer insulation film 44 formed from non-doped silicon oxide film and a pixel electrode 9a formed from an aluminum film or the like.例文帳に追加

電気光学装置１００の素子基板１０において、ノンドープシリコン酸化膜からなる第３層間絶縁膜４４と、アルミニウム膜等からなる画素電極９ａとの間にはドープトシリコン酸化膜からなる応力緩和膜４６が形成されている。 - 特許庁

Thus, the corner of the chip can physically be reinforced, so that the exfoliation from the corner of the chip upon dicing liable to take place between interlayer insulating films 62, 65, 69, 73 of low dielectric constant and barrier films 64, 68, 72, 76 such as thin SiCN film can be suppressed.例文帳に追加

これによって、チップのコーナー部を物理的に補強でき、低誘電率の層間絶縁膜６２，６５，６９，７３と薄いＳｉＣＮ膜のようなバリア膜６４，６８，７２，７６との間で起こりやすい、ダイシング時のチップのコーナー部からの剥がれを抑制できる。 - 特許庁

The magnetic thin film 15 comprises a pair of magnetic layers 7, 9 and a nonmagnetic intermediate layer 8 sandwiched between the pair of magnetic layers 7, 9, and is configured that sense current flows in the direction perpendicular to the pair of magnetic layers 7, 9 and a surface of the nonmagnetic interlayer 8.例文帳に追加

磁性薄膜１５は、一対の磁性層７，９と、一対の磁性層７，９の間に挟まれた非磁性中間層８と、を有し、センス電流が一対の磁性層７，９、及び非磁性中間層８の膜面に対して直交方向に流れるようにされている。 - 特許庁

A multilayer wiring structure is formed by laminating multiple layers of interlayer insulating films 15, 17, and 19 using a Low-k film having a porous structure to assure low dielectricity and laser dicing is conducted along a scribe line until the front surface of a semiconductor substrate 11 is exposed.例文帳に追加

低誘電性を確保するために多孔質な構造を有するＬow‐ｋ膜を用いた層間絶縁膜１５,１７,１９を多層に積層して多層配線構造を形成し、スクライブラインに沿ってレーザーダイシングを半導体基板１１表面が露出するまで行う。 - 特許庁

To obtain a vinyl acetal polymer having excellent water resistance and compatibility with a plasticizer, an interlayer for a laminated safety glass composed of the vinyl acetal polymer, a binder for ceramic molding, a binder for an ink and a coating material, and a heat developable photosensitive material.例文帳に追加

耐水性および可塑剤との相溶性に優れるビニルアセタール系重合体、並びに該ビニルアセタール系重合体からなる合わせガラス用中間膜、セラミック成形用バインダー、インキおよび塗料用バインダー、および熱現像性感光材料を提供する。 - 特許庁

The method includes steps of providing a semiconductor substrate on which a gate electrode pattern is formed, implementing many-time simultaneous vapor deposition and etching processes to form an interlayer dielectric film made up of multilayer HDP oxidized films so as to embed the gate electrode pattern.例文帳に追加

ゲート電極パターンが形成された半導体基板を提供する段階と、多数回の同時蒸着及びエッチング工程を行い、前記ゲート電極パターンが埋め込まれるように多層のＨＤＰ酸化膜からなる層間絶縁膜を形成する段階とを含む。 - 特許庁

The interlayer for the glass laminate contains a polyvinyl acetal resin, a plasticizer, a regulator of an adhesive force, and hydrotalcite, wherein the content of the hydrotalcite is ≥0.08 pt.wt based on 100 pts.wt. of the polyvinyl acetal resin.例文帳に追加

ポリビニルアセタール樹脂、可塑剤、接着力調整剤及びハイドロタルサイトを含有する合わせガラス用中間膜であって、前記ハイドロタルサイトの含有量が、前記ポリビニルアセタール樹脂１００重量部に対して、０．０８重量部以上である合わせガラス用中間膜。 - 特許庁

The semiconductor device of the embodiment includes a nickel silicide film 18 formed at a bottom 14 of a contact hole 12 formed on an interlayer insulation film 11 on a semiconductor substrate 10 containing silicon and connected with a contact plug 21 formed at the contact hole 12.例文帳に追加

実施の形態の半導体装置は、シリコンを含む半導体基板１０上の層間絶縁膜１１に形成されたコンタクトホール１２の底部１４に形成され、コンタクトホール１２に形成されるコンタクトプラグ２１と電気的に接続するニッケルシリサイド膜１８を有する。 - 特許庁

Between the sidewalls SW, voids are prevented from occurring inside the interlayer insulation film 7 and the liner insulation film 6 by contacting the liner insulation films 6 formed on respective lateral walls of the sidewalls SW to block a clearance between the sidewalls SW.例文帳に追加

サイドウォールＳＷ同士の間において、サイドウォールＳＷの側壁にそれぞれ形成されたライナー絶縁膜６を接触させてサイドウォールＳＷ間を閉塞させることにより、層間絶縁膜７とライナー絶縁膜６の内部にボイドが発生することを防ぐ。 - 特許庁

The organically modified layered silicate reinforcing material is obtained by carrying out the ion exchange reaction of a layered silicate having interlayer cation with a modifying agent and the material is cleaned with a hydrophilic organic solvent after the ion exchange reaction.例文帳に追加

層間陽イオンを有する層状珪酸塩と改質剤とのイオン交換反応によって得られる有機化層状珪酸塩強化材であって、上記イオン交換反応後に親水性有機系溶剤で洗浄されている有機化層状珪酸塩強化材。 - 特許庁

At least one portion of the channel region, source region, and drain region contains a catalyst element for accelerating crystallization; and the interlayer insulating film contains a gettering element having operation for attracting the catalyst element, and contains the catalyst element at higher concentration than that of the channel region.例文帳に追加

チャネル領域、ソース領域およびドレイン領域の少なくとも一部は、結晶化を促進する触媒元素を含み、層間絶縁膜は、触媒元素を引き寄せる作用を有するゲッタリング元素を含み、かつ、チャネル領域よりも高濃度で触媒元素を含む。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of organic electroluminescence (EL) device and an organic EL device capable of preventing the occurrence of failure due to contact hole when using such a structure that a pixel electrode is connected with a transistor element via the contact hole formed in an interlayer insulation film.例文帳に追加

層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介してトランジスタ素子に画素電極を接続した構造を採用した際、コンタクトホールに起因する不具合の発生を防止可能な有機ＥＬ装置の製造方法、および有機ＥＬ装置を提供すること。 - 特許庁

The semiconductor device is formed by forming an I/O buffer circuit pattern 2 on a semiconductor substrate 4, forming a through hole 10 for connecting the I/O buffer circuit pattern and the pad to an interlayer insulating film, and forming a first layer pad 8 of a double structure of an n-th metal wiring layer.例文帳に追加

半導体基板４上にＩ／Ｏバッファ回路パターン２を形成し、層間絶縁膜にＩ／Ｏバッファ回路パターンとパッドを接続するためのスルーホール１０を形成し、第ｎ番目の金属配線層にて２重構造の１重目のパッド８を形成する。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition not only excellent in performances such as sensitivity, heat resistance and resolution, but in particular, significantly improved in storage stability at a normal temperature and transmittance, and suitable for forming an interlayer insulating film for the process of manufacturing a LCD.例文帳に追加

感度、耐熱性、解像度などの性能が優れているだけでなく、特に常温貯蔵安定性及び透過率を顕著に向上させてＬＣＤ製造工程の層間絶縁膜を形成するのに適合した感光性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

Furthermore, a moisture-proof insulation film is formed only near the stem so as to cover the side face of the stem, and an interlayer dielectric having a dielectric constant lower than that of the moisture-proof insulation film is formed between the umbrella portion of the T-shaped gate electrode and the semiconductor substrate.例文帳に追加

また、Ｔ型ゲート電極の茎部の側面を覆う、茎部の近傍のみに設けられた防湿用絶縁膜と、Ｔ型ゲート電極の傘部と半導体基板の間に設けられた、防湿用絶縁膜よりも誘電率が低い層間絶縁膜とを有する。 - 特許庁

To provide a resin sheet for an automobile good in embossing processability and wear resistance, and when used as a floor sheet of an automobile, hard to have scratches on the surface and hard to slip because the coefficient of dynamic friction is large, and good in the interlayer adhesion even at high temperatures.例文帳に追加

エンボス加工性と耐摩耗性が良好であり、自動車のフロアシートとして使用したとき、表面に傷が付きにくく、動摩擦係数が大きいために滑りにくく、高温においてもシートの層間密着性が良好である自動車用樹脂シートを提供する。 - 特許庁

Further, the solid-state imaging apparatus has a multi-layer wiring layer 33 having a plurality of layers of wiring 32 formed across an interlayer dielectric 31 and light shield films 39 formed across an insulating layer 36 at pixel borders of a light reception surface 34 where photoelectric conversion units PD are arrayed.例文帳に追加

さらに、層間絶縁膜３１を介して複数層の配線３２が形成された多層配線層３３と、光電変換部ＰＤが配列された受光面３４の画素境界に絶縁層３６を介して形成された遮光膜３９を有する。 - 特許庁

The interlayer 15 of the windshield 10 comprises a wedge part 151 with a thickness gradually decreasing in the direction from the upper edge side of the windshield 10 to its lower edge side and a first side part 153 which is a part on the side lower than the wedge part 151 and has a uniform thickness.例文帳に追加

ウインドシールド１０の中間膜１５は、ウインドシールド１０の上辺側から下辺側に進むにつれて厚さが漸減する楔形部１５１と、楔形部１５１よりも下辺側の部分であって、厚さが一定の第１の側部１５３とを含む。 - 特許庁

The top of the transition layer 38A of the thin IC chip 20A get flush with that of the transition layer 38B of the thick IC chip 20B, so that the transition layers 38A and 38B and the viahole 60 of an interlayer insulating layer 50 can be properly connected together.例文帳に追加

薄いＩＣチップ２０Ａのトランジション層３８Ｂの頂部と、厚いＩＣチップ２０Ｂのトランジションの頂部３８Ｂとの高さが揃い、トランジション層３８Ａ、３８Ｂと層間樹脂絶縁層５０のバイアホール６０とを適正に接続させることができる。 - 特許庁

The capacitors comprise opposed electrodes 3, 6 made by using the first and the second interconnection layers of in the multilyer interconnection structure, while a dielectric film comprises a silicon oxide film 5 (an interlayer insulating film) between the first and the second interconnection layers.例文帳に追加

キャパシタは、多層配線構造での第１層目の配線層と第２層目の配線層により対向電極３，６を構成するとともに、第１層目の配線層と第２層目の配線層との間のシリコン酸化膜（層間絶縁膜）５を誘電膜としている。 - 特許庁

The method further comprises the steps of anisotropically etching a silicon substrate 1 from this state to form a cavity 2, thereby forming an original shape of the membrane structure 9 having an insulating film 3 made of a silicon oxide, an interlayer dielectric 5 and the protective film 8 made of a silicon nitride as structural elements.例文帳に追加

この状態からシリコン基板１の異方性エッチングを行って空洞２を形成することにより、酸化ケイ素より成る絶縁膜３、層間絶縁膜５及び窒化ケイ素より成る保護膜８を構成要素としたメンブレン構造体９の原形を形成する。 - 特許庁

A process to open contact holes 26, 27 on a passivation film 32 includes: a step to pattern form a photoresist on the interlayer insulating film; and a step to apply dry-etching to the passivation film 32 with the photoresist being used as a mask not through a step for post-baking the photoresist.例文帳に追加

パッシベーション膜３２にコンタクトホール２６，２７を開口する工程は、層間絶縁膜上にフォトレジストをパターン形成する工程と、フォトレジストをポストベークする工程を経ることなく、フォトレジストをマスクとしてパッシベーション膜３２にドライエッチングを施す工程と、を備える。 - 特許庁

To provide a configuration capable of reliably preventing short-circuit or disconnection on the inner part and the opening edge of a contact hole in a liquid crystal device of FFS mode in which an interlayer insulating film, a pixel electrode, an interelectrode insulating film and a common electrode are stacked in the order.例文帳に追加

層間絶縁膜、画素電極、電極間絶縁膜、および共通電極がこの順に積層されたＦＦＳモードの液晶装置において、コンタクトホール内部およびその開口縁での短絡や断線を確実に防止可能な構成を提供すること。 - 特許庁

Etching treatment is carried out, by using a photoresist pattern 11 with an opening part 11a on the fuse element 3 and an opening part 1b on the metal wiring 7 as a mask and a trimming window opening part 9a, and a through-hole 9b are formed simultaneously in the interlayer insulation film 9 (B).例文帳に追加

ヒューズ素子３上に開口部１１ａ及びメタル配線９上に開口部１１ｂをもつフォトレジストパターン１１をマスクにしてエッチング処理を施し、層間絶縁膜９にトリミング窓開口部９ａとスルーホール９ｂを同時に形成する（Ｂ）。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device in which water adsorbed by an interlayer insulating film exposed on a sidewall of a connection hole or wiring groove is removed surely by degassing, and a lower-layer wiring is prevented from swelling to the bottom of the connection hole.例文帳に追加

接続孔または配線溝の側壁に露出される層間絶縁膜に吸着している水分を確実に脱ガスさせて除去するとともに、接続孔の底部への下層配線の隆起を防ぐことが可能な半導体装置の製造方法を提供する - 特許庁

Then a recessed part 20 is formed in a second interlayer insulating film 19 deposited on the film 11, in such a way that the upper surface of the plug 18 is exposed, a conductive film 21, which is formed as a capacitor lower electrode, is deposited on the wall surface and bottom of the recessed part 20.例文帳に追加

第１の層間絶縁膜１１上に堆積された第２の層間絶縁膜１９に凹部２０をプラグ１８の上面が露出するように形成した後、凹部２０の壁面及び底部に容量下部電極となる導電性膜２１を堆積する。 - 特許庁

The seal ring 104 includes seal vias 123a and 123b neighboring each other, for example, in the interlayer insulating film 107, and having a line shaped structure, and the both seal vias 123a and 123b are connected to a same seal wiring 122 constituting the seal ring 104.例文帳に追加

シールリング１０４は、例えば層間絶縁膜１０７において互いに隣り合うライン状構造のシールビア１２３ａ及び１２３ｂを含み、シールビア１２３ａ及び１２３ｂのそれぞれはシールリング１０４を構成している同一のシール配線１２２に接続されている。 - 特許庁

To enable the upper electrodes of two or more capacitors with side faces each coated with an insulating film different in quality from an interlayer insulating film to be connected together with a flat interconnect line even if an area where the capacitors are densely provided and another area where the capacitors are sparsely provided are present in the surface of a wafer.例文帳に追加

ウエハ面内に複数のキャパシタが密に存在する部分と粗に存在する部分があっても、層間絶縁膜とは異なる材質の絶縁膜で側面が覆われた複数のキャパシタの上部電極を、平坦な配線で接続できるようにする。 - 特許庁

The leaf 21B is bent toward the first transfer electrode 11 from the horizontal part 21A, and extends over the first transfer electrode 11 so as to form a space of a transparent interlayer insulation film above the leaf 21B extending over the first transfer electrode 11.例文帳に追加

枝葉部２１Ｂは、第１の転送電極１１上に延びる枝葉部２１Ｂの上方に透明な層間絶縁膜の空間を作るように第１の水平部２１Ａから第1の転送電極１１に向かって折れ曲がり第1の転送電極１１上に延びる。 - 特許庁

To provide a polylactic resin laminate which enables the extrusion coating, and further preferably has an excellent moldability in the extrusion coating or the like and practicable interlayer adhesive strength through no additional process such as the resin layer anchor coating.例文帳に追加

押出コーティング加工が可能であり、更に好ましくは押出コーティング処理等に際し、優れた成形加工性と樹脂層アンカーコート処理等の付加的工程を経ずとも実用可能な層間接着強度を有するポリ乳酸樹脂積層体を提供する。 - 特許庁

To provide a resin composition giving a cured body of superior flexibility and resistance against heat from soldering, heat deterioration and electroless gold plating, being developable with an organic solvent or a dilute alkali solution and suitable for a soldering resist for a flexible printed wiring board and for an interlayer dielectric.例文帳に追加

硬化物の可撓性や半田耐熱性、耐熱劣化性、無電解金メッキ耐性に優れ、有機溶剤又は希アルカリ溶液で現像ができ、フレキシブルプリント配線板のソルダーレジスト用及び層感絶縁層用に適する樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

The ferromagnetic layer 25 is divided into a lower layer 25a and an upper layer 25b in its lamination direction, and there is provided, between the lower layer 25a and the upper layer 25b, a ferromagnetic interlayer 28 which has a magnetism and has a greater electric resistance than that of the ferromagnetic layer 25.例文帳に追加

強磁性層２５は、その積層方向において下層２５ａと上層２５ｂとに分割され、その下層２５ａと上層２５ｂとの間には、磁性を有し、かつ、強磁性層２５よりも大きな電気抵抗を有する強磁性層間層２８が設けられている。 - 特許庁

A plurality of wiring layers include a four-layered wiring part in which a power supply layer L4, a ground layer L3, a first signal wiring layer L2 and a second signal wiring layer L1 are sequentially arranged via an insulation layer in each interlayer from one side to another side in a lamination direction.例文帳に追加

複数の配線層は、積層方向の一方側から他方側に向かって順に、電源層Ｌ４、グランド層Ｌ３、第１信号配線層Ｌ２、第２信号配線層Ｌ１の４層を層間に絶縁層を介して配置させた４層配線部を有する。 - 特許庁

The optical disk device 1 generates the pull-in signal PI1 by eliminating the influence of stray light pattern W formed by interlayer stray light beam LN from a plurality of recording layers Y, and accurately performs focus jump and focus control.例文帳に追加

これにより光ディスク装置１は、複数の記録層Ｙからの層間迷光ビームＬＮによりそれぞれ形成される迷光パターンＷの影響を排除したプルイン信号ＰＩ１を生成でき、精度良くフォーカスジャンプ及びフォーカス制御を行うことができる。 - 特許庁

To provide a purification method for obtaining a polyarylene that contains little of metal impurities and can be used for forming an interlayer insulation film excellent in relative dielectric constant characteristics and low leak current characteristics, and to provide a composition for forming a film, a film forming method and an organic film.例文帳に追加

金属不純物の含有量が少なく、かつ、比誘電率特性及び低リーク電流特性に優れた層間絶縁膜の形成に使用することができるポリアリーレンの精製方法、膜形成用組成物、膜の形成方法、ならびに有機膜を提供する。 - 特許庁

A method include: a step (d) of removing the second barrier metal film (Ru film) formed on the first barrier metal on the upper surface of an interlayer dielectric; and a step (e) of depositing a seed copper (Cu) film on the first and second barrier metal film after the step (d).例文帳に追加

層間絶縁膜上面の第１のバリアメタル上に形成された第２のバリアメタル膜（Ｒｕ膜）を除去する工程（ｄ）と、前記工程（ｄ）の後に、前記第１及び第２のバリアメタル膜上にシード銅（Ｃｕ）膜を堆積する工程（ｅ）とを有する。 - 特許庁

To provide a method which can remove easily the resist material and the planarizing material, without damaging an insulating film, after a fine pattern is formed in an interlayer insulating film of low permittivity on a substrate, in a manufacturing process of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体デバイスの製造工程において、基板上の低誘電層間絶縁膜に微細パターンを形成した後、絶縁膜にダメージを与えることなく、絶縁膜加工に用いたレジスト材や平坦化材を容易に除去することができる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a wiring structure and a manufacturing method thereof that can improve reliability of an interlayer connection between multi-layer wires by using partial reflection from a through hole plug upon exposure, increasing the width of a wiring groove on the through-hole by self-matching, and securing a connection margin between the through-hole and the wiring groove.例文帳に追加

露光時にスルーホールプラグからの局所的反射を利用して、自己整合的にスルーホール上の配線溝幅を大きくして、スルーホールと配線溝との接続マージンを確保して多層配線間の縦接続の信頼性を向上させた配線構造とその製造方法を提供する。 - 特許庁

By a manufacturing method for a metal-insulator-metal(MIM) capacitor, a copper barrier/copper seed layer 4 is deposited on a base substrate, i.e., an interlayer dielectric layer ILD, a dielectric 8 is formed on this copper barrier/copper seed layer 4, and a metal layer 9 is formed on the dielectric 8.例文帳に追加

金属−絶縁物−金属（ＭＩＭ）キャパシタの製造方法で、支持基板たとえば層間誘電体層ＩＬＤ上に銅バリア／銅シード層４を堆積し、この銅バリア／銅シード層４上に誘電体８を形成し、この誘電体８上に金属層９を形成する。 - 特許庁

A transistor 75 is provided with a silicon substrate 1, gate electrode 7, source and drain regions 5b and 5a, silicon nitride film 10, interlayer insulating film 12 having a contact hole 14b to reach a heavily-doped region 4b and wiring 13b to fill the hole 14b.例文帳に追加

トランジスタ７５は、シリコン基板１と、ゲート電極７と、ソース領域５ｂおよびドレイン領域５ａと、シリコン窒化膜１０と、高濃度不純物領域４ｂに達するコンタクトホール１４ｂを有する層間絶縁膜１２と、コンタクトホール１４ｂを充填する配線１３ｂとを備える。 - 特許庁

To provide a positive photosensitive resin composition suitable for the formation of an interlayer insulating film having high heat resistance, high solvent resistance, high transmittance and a low dielectric constant, and having a large development margin that allows formation of a favorable pattern even when a developing time exceeds the optimal developing time in a developing process.例文帳に追加

高耐熱性、高耐溶剤性、高透過率及び低誘電率の層間絶縁膜の形成に好適であり、現像工程において最適現像時間を越えてもなお良好なパターン形状を形成できる大きな現像マージンを有するポジ型感光性樹脂組成物の提供。 - 特許庁

In a liquid crystal device, on a first substrate 10 on which two-terminal nonlinear element 14 is formed, an auxiliary capacitance line 17, an auxiliary capacitance 18, and an interlayer insulating film formed on the upper layer side of the auxiliary capacitance 18 and the two-terminal nonlinear element 14 are further formed.例文帳に追加

液晶装置において、二端子型非線形素子１４が形成された第１基板１０には、さらに、補助容量線１７と、補助容量１８と、補助容量１８および二端子型非線形素子１４の上層側に形成された層間絶縁膜とが形成されている。 - 特許庁