「Interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(108ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an insulating film formation composition which can be used as an interlayer dielectric material for a semiconductor element or the like because a coating film with an appropriately uniform thickness can be formed, and which is superior in dielectric constant characteristic; and to provide a method for forming an insulating film and an insulating film.例文帳に追加

半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、適当な均一な厚さを有する塗膜が形成可能な、しかも、誘電率特性などに優れた絶縁膜形成用組成物、絶縁膜の形成方法および絶縁膜に関する。 - 特許庁

To solve the problem that soldering paste is liable to fly off or bleed out when parts are installed inside a printed wiring board so as to provide a built-in part mounted printed wiring board which is excellent in interlayer adhesion when the parts installed inside are sealed up with an insulating material.例文帳に追加

内層部へ部品を設置する際に生じるはんだペーストの飛び散りやニジミの問題を解消し、加えて絶縁基材にて内層部に搭載された部品を封止する際の層間接着性に優れた部品内蔵型プリント配線板の提供。 - 特許庁

According to this method, the resistance changing rate (ΔR/R) can be raised compared with before while maintaining the low RA and the coercive force of the free magnetic layer 8 can be kept in the low condition as before while the interlayer connecting magnetic field Hin can be made smaller than before further.例文帳に追加

これにより、低いＲＡを維持したまま、従来に比べて抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を高く出来、また、フリー磁性層８の保磁力を従来と同様に低い状態に保ち、さらには、層間結合磁界Ｈｉｎを従来より小さくできる。 - 特許庁

The occurrence of a crack at the peripheral part of the contact hole 5 is prevented, since the thickness obtained by adding the thickness of the transparent electrode 6 of the first layer to the thickness of the transparent electrode 7 of the second layer can be secured at the peripheral part of the contact hole 5 in the interlayer insulating film 4.例文帳に追加

層間絶縁膜４のコンタクトホール５周縁部は２層目の透明電極７の厚さに対してさらに１層目の透明電極６の厚さを加えた厚さが確保できるため、コンタクトホール５周縁部におけるクラック発生が防止される。 - 特許庁

The luminescence region 45 of the organic EL elements constituting the array of the organic EL elements 40, is characteristic in that the width M of each luminescent element in the direction where the elements are arrayed, is not less than 2.5 times the film thickness of an interlayer insulation layer, and not more than 83% of the array pitch P of the elements.例文帳に追加

有機ＥＬ素子アレイ４０を構成する有機ＥＬ素子の発光領域４５について、発光素子が並ぶ方向における幅Ｍを、層間絶縁層の膜厚の２．５倍以上であり、かつ、発光素子の配列ピッチＰの８３％以下とする。 - 特許庁

The interlayer connection layer 54 is formed of the surface of the conductor layer C1, the inner wall faces of holding holes 23 installed in the second substrate 4 and a plating layer 53 formed on the inner wall face of a recessed part 52 provided in accordance with the conductor layer C1 in the sticking layer 51.例文帳に追加

層間接続層５４は、導体層Ｃ1の表面、第２の基板４に透設された保持孔２３の内壁面、及び接着層５１において導体層Ｃ1 に対応して設けられた凹部５２の内壁面に形成されためっき層５３からなる。 - 特許庁

A composition for forming a film containing an organic compound and a hole-forming agent is applied onto a substrate to form coating on the substrate, and the coating is cured and is treated by a supercritical medium containing a pore-sealing agent, thus obtaining the low dielectric-constant interlayer dielectric.例文帳に追加

有機化合物と空孔形成剤とを含む膜形成用組成物を基板上に塗布して前記基板上に皮膜を形成し、前記皮膜を硬化し、その後、前記皮膜をポアシール剤を含む超臨界媒体で処理して得られる、低誘電率層間絶縁膜。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition having less film thickness variation of an unexposed part in addition to sufficient sensitivity; an interlayer insulating film for a display element formed from the radiation-sensitive resin composition; and a formation method thereof.例文帳に追加

本発明は、良好な感度に加え、未露光部の膜厚変化量が少ない感放射線性樹脂組成物、この感放射線性樹脂組成物から形成される表示素子用層間絶縁膜、並びにその形成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide both side colored multi-layered paper whose front and back sides are adjusted in an identical color, and which has excellent appearances from the front and back sides even in the case of both side-dark colored multi-layered paper, has high interlayer strength, and can be produced at a low cost.例文帳に追加

表面及び裏面を同一色に調整し、特に明度の低い濃色系の多層抄き両面着色紙であっても、表裏面からの見映えに優れ、層間強度が高く、さらに低コストで製造できる多層抄き両面着色紙を提供する。 - 特許庁

After silicide films 116n and 116p, a first interlayer insulating film 145, and first plugs 150n and 150p are formed on a silicon substrate 100 on which a highly concentrated source-drain regions 101b and 102b are formed, a Ti/TiN/W deposited film 151 is formed.例文帳に追加

高濃度ソース・ドレイン領域１０１ｂ，１０２ｂが形成されたシリコン基板１００上に、シリサイド膜１１６ｎ，１１６ｐ，第１の層間絶縁膜１４５，第１プラグ１５０ｎ，１５０ｐを形成した後、Ｔｉ／ＴｉＮ／Ｗ積層膜１５１を形成する。 - 特許庁

The present invention relates to a nitride-based light emitting device having a buffer layer, an n-type nitride semiconductor layer, an active layer and a p-type nitride semiconductor layer formed on a substrate, wherein an Al_1-xSi_xN interlayer is formed inside of the n-type nitride semiconductor layer.例文帳に追加

基板上に、バッファ層、ｎ型窒化物半導体層、活性層、及びｐ型窒化物半導体層からなる窒化物系発光素子において、前記ｎ型窒化物半導体層内に、Ａｌ_１−ｘＳｉ_ｘＮからなる中間層を有することを特徴とする。 - 特許庁

To suppress the producing of a level difference in the interlayer insulating film for a lower-layer wiring having a recess produced by dishing, thereby generating the deterioration of accuracy of photolithography upon forming via plugs or short-circuit between the via plugs, in the manufacture of a multi-layered wiring having big-width interconnect lines.例文帳に追加

太幅配線を有する多層配線の製造において、ディッシングにより生じた凹部のある下層配線の上層の層間絶縁膜に段差が生じ、ビアプラグ形成時のフォトリソグラフィ精度低下やビアプラグ間短絡が生じることを抑制する。 - 特許庁

To provide an extrusion molded cement plate mounting structure whereby a plurality of extrusion molded cement plates can be mounted in a single operation and interlayer displacement can be absorbed without formation of a large-weight, large-strength frame and flexible joints.例文帳に追加

個々の押出し成形セメント板を一体に剛接合して大型パネルを製作すると、層間変位を大型パネル同士の間で吸収しなければならず、大重量に耐える柔接合部の構成が必要となり、メンバー、フレームが大きく且つ大重量になる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a method of manufacturing the semiconductor device, that can improve coverage of a wiring layer formed at a contact hole aperture in a plurality of contact holes which are formed close to the interlayer insulation film and obtain a contact structure having higher reliability.例文帳に追加

層間絶縁膜中に近接して形成された複数のコンタクトホールにおいて、コンタクトホール開口部に形成する配線層の被覆性を向上させ、高信頼性を有するコンタクト構造を得ることが可能な半導体装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for forming an interlayer film employs mixture gas of one kind or more of straight chain organic silicon material gas and one kind or more of annular organic silicon material gas as material gas in a film deposition process of 100°C or below of vacuum ultraviolet radiation CVD.例文帳に追加

真空紫外光ＣＶＤ法にて、１００℃以下の成膜工程において、材料ガスとして、一種以上の直鎖状の有機シリコン材料ガスと一種以上の環状の有機シリコン材料ガスとの混合ガスを用いる層間膜の製造方法。 - 特許庁

An electrode assembly is prepared with a positive electrode having a carbon material of 30 to 500 m^2/g as a specific surface area and of 0.35 to 0.38 nm interlayer distance in a d002 plane, a negative electrode, and an electrolyte having at least a lithium compound as a solute.例文帳に追加

比表面積が３０〜５００ｍ^２／ｇであってｄ００２面の層間距離が０．３５〜０．３８ｎｍの炭素材料を有する正極と、負極と、溶質として少なくともリチウム化合物を有する電解液を備えた電極体を用意する。 - 特許庁

The transflective liquid crystal device has a liquid crystal layer interposed between a color filter substrate provided with a unit pixel constituted of a plurality of sub pixels and having colored layers of G, R and B and an element substrate having an interlayer insulating film forming a multi gap structure.例文帳に追加

半透過反射型の液晶装置は、複数のサブ画素により構成される単位画素を備え、Ｇ、Ｒ、Ｂの各着色層を有するカラーフィルタ基板と、マルチギャップ構造を形成する層間絶縁膜を有する素子基板との間に液晶層を挟持してなる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a circuit board establishing interlayer connection using a conductive protrusion in which a fine circuit pattern can be formed and both a thick film circuit pattern and a fine circuit pattern can be formed on the same substrate.例文帳に追加

導電性突起を用いて層間接続を行う回路基板において、微細回路パターンの形成、さらには厚膜回路パターンおよび微細回路パターンの両者を同一基板上に形成することができる回路基板の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a polysiloxane based positive radiation sensitive composition which can form an interlayer insulation film having superior storage stability, radiation sensitivity, and melt flow-proofness, and high various performance such as surface hardness, refractive index, heat resistance, transparency, or low dielectric property.例文帳に追加

保存安定性、放射線感度、耐メルトフロー性に優れるとともに、表面硬度、屈折率、耐熱性、透明性、低誘電性等の諸性能に優れる層間絶縁膜を形成可能なポリシロキサン系ポジ型感放射線性組成物を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a precursor composition capable of reducing the number of multilayering processes in the case of manufacturing a porous interlayer dielectric, and to provide a porous film obtained by using the precursor composition, a method for manufacturing the porous film, and a semiconductor device using the porous film.例文帳に追加

多孔質層間絶縁膜作製の際の多層化工程数を削減することができる前駆体組成物、この前駆体組成物を用いて得られた多孔質膜及びその作製方法、並びにこの多孔質膜を利用した半導体装置の提供。 - 特許庁

In the method for ashing an organic resist pattern formed on an interlayer insulation film which is formed on an article being processed, while at least partially including an organic low permittivity film, an mixed gas plasma of oxygen gas and nitrogen gas is used for ashing.例文帳に追加

被処理体上の少なくとも一部に有機低誘電体膜を含む層間絶縁膜が形成され、該層間絶縁膜上に形成された有機レジストパターンをアッシングする方法において、酸素ガスと窒素ガスの混合ガスのプラズマを用いてアッシングする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which has a barrier metal film made of tantalum formed in contact with a low specific permittivity interlayer insulation film with suppressed or reduced damages, and which is also suppressed with poor connection between the Ta barrier metal film and a conductor covered thereby.例文帳に追加

タンタルからなるバリアメタル膜がダメージを抑制もしくは低減された低比誘電率層間絶縁膜に接して設けられているとともに、Ｔａバリアメタル膜およびこれに覆われた導電体の接続不良も抑制されている半導体装置を提供する。 - 特許庁

The capacitor CP10 includes a capacitor upper electrode 103 arranged so as to be embedded in an upper principal surface of an interlayer insulating film 3 and a capacitor dielectric film 102 provided so as to cover a side surface and undersurface of the capacitor upper electrode 103.例文帳に追加

キャパシタＣＰ１０は層間絶縁膜３の上主面内に埋め込まれるように配設されたキャパシタ上部電極１０３と、キャパシタ上部電極１０３の側面および下面を覆うように設けられたキャパシタ誘電体膜１０２とを有している。 - 特許庁

An etching stopper member, constituted of a material having a resistance to etching agent of a first interlayer insulating film 110, is formed under a cell plate electrode 116 so as to surround an active region along a peripheral edge of the electrode 116.例文帳に追加

セルプレート電極１１６の下方において、第１の層間絶縁膜１１０のエッチング剤に対する耐性を有する材料により構成されるエッチストッパ部材をセルプレート電極１１６の周縁部に沿って上記活性領域を取り囲むように形成する。 - 特許庁

The multilayer wiring structure has a lower layer conductor wiring 12 and an upper layer conductor wiring 14 insulated from each other by an interlayer insulation film 13 provided with a via hole 15 for electrically conducting two conductor wiring layers.例文帳に追加

多層配線構造は、層間絶縁膜１３によって相互に絶縁された下層導体配線１２と上層導体配線１４とを有し、当該２層の導体配線層の電気的導通を取るために層間絶縁膜１３にヴィアホール１５が設けられている。 - 特許庁

Forming an interlayer film 13 at the bottom of a copper-wire connection region of the aluminum electrode 6 or around the bottom so as to be covered by the aluminum electrode 6 can reduce defects of aluminum peeling and can prevent aluminum splash, thereby being adaptable to a narrow pad pitch.例文帳に追加

前記アルミ電極６の銅ワイヤ接続領域下層またはその周辺に、アルミ電極６に覆われるように層間膜１３を形成することにより、アルミ剥がれ不良を低減させ、かつアルミスプラッシュを抑制することで、狭パッドピッチ化への対応が可能となる。 - 特許庁

When the electro-optical device is manufactured, an interlayer dielectric 8 is selectively etched in a projection portion forming step to form recesses 8e in regions where a pixel electrodes 9a are expected to be formed and to leave projection streak portions 8f between adjacent recesses 8e.例文帳に追加

電気光学装置を製造するにあたって、突条部形成工程において、層間絶縁膜８を選択的にエッチングして、画素電極９ａの形成予定領域に凹部８ｅを形成するとともに、隣接する凹部８ｅの間に突条部８ｆを残す。 - 特許庁

To obtain a junction having low inductance and the small variation of inductance by preventing the formation of a superconducting electrode extended while crossing the inclined plane of an interlayer insulating film in a lamp edge junction by adopting a simple means regarding a superconductive junction.例文帳に追加

超伝導接合に関し、簡単な手段を採ることで、ランプエッジ接合に於いて、層間絶縁膜の斜面を越えて延在する超伝導電極が生成されないようにし、低インダクタンスで、且つ、インダクタンスのばらつきが少ない接合を実現できるようにする。 - 特許庁

The thin film transistor 19 comprises a semiconductor film 4 comprising a source and drain region 3 and poly-crystalline silicon, processed by laser annealing method employing Nd:YAG (yttrium-aluminum-garnet) second high harmonics; and an interlayer dielectric 6 for covering the semiconductor film 4.例文帳に追加

薄膜トランジスタ１９は、ソースおよびドレイン領域３を含み、Ｎｄ：ＹＡＧ（イットリウム−アルミニウム−ガーネット）第２高調波を用いたレーザアニール法により多結晶化されたシリコンを含む半導体膜４と、半導体膜４を覆う層間絶縁膜６とを有する。 - 特許庁

A cushioning film 11 that becomes an interlayer film is provided between a semiconductor electrode 3 on a semiconductor chip 1 and a bump 6, and a columnar connection 12 for electrically connecting the semiconductor electrode 3 and the bump 6 through the cushioning film 11 is provided.例文帳に追加

半導体チップ１上の半導体電極３とバンプ６との間に層間膜たる緩衝材膜１１を有し、前記緩衝材膜１１を貫通して半導体電極３とバンプ６とを電気的に接続する柱状の接続部１２を有した構成とする。 - 特許庁

To provide a multilayer wiring board small in residual stress by heat history, having an excellent low warpage property and excellent interlayer connection reliability, excelling in productivity and cost performance, and responding to increase of wiring density, in relation to a multilayer board small in board thickness.例文帳に追加

基板厚が薄い多層配線基板に対し、熱履歴による残留応力が少なく、優れた低反り性を有し、および優れた層間接続信頼性、かつ、生産性およびコスト性に優れ、配線の高密度化に対応した多層配線基板を提供する。 - 特許庁

At least one of the first magnetic portion, and the second magnetic portion includes a first magnetic layer having a positive magnetic strain which adjoins the barrier layer, a second magnetic layer, and a multilayer structure having an interlayer between the first magnetic layer and the second magnetic layer.例文帳に追加

第１の磁性部分及び第２の磁性部分のうち少なくとも一方が、バリア層に隣接する正の磁気ひずみを有する第１の磁性層と、第２の磁性層と、第１の磁性層と第２の磁性層の間の中間層とを有する多層構造を含む。 - 特許庁

The interlayer insulation films are prepared, e.g., by applying a borazine-based resin composition containing an organic silicon borazine-based polymer and ethylbenzene and having ≥0.5 mass% solid concentration and ≤30 ppm content of metallic impurities by spin coating and drying the same.例文帳に追加

層間絶縁膜５，７は、例えば有機ケイ素ボラジン系ポリマーとエチルベンゼンとを含んでおり、固形分濃度が０．５質量％以上であって且つ金属不純物含有量が３０ｐｐｍ以下とされたボラジン系樹脂組成物をスピンコートで塗布し乾燥させて得られる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method capable of improving the adhesion on an interlayer dielectric of the wiring of a narrow wiring width, preventing the falling and peeling of the wiring and performing manufacture at a low cost.例文帳に追加

本発明の課題は、配線幅の細い配線の層間絶縁膜上での密着性を向上させ、配線の倒れ及び剥がれを防止すると共に、低コストで製造することができる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The field emission electron source 1 is manufactured by supporting a field emission electron source material 4 made of a graphite single body with a material holder 6 consisting of a graphite interlayer compound equipped with heavy metal atoms intercalated between layers, and subjecting it to plasma treatment.例文帳に追加

或いは、電界放出電子源１は、グラファイト単体からなる電界放出電子源材料４を、層間にインターカレーションされた重金属原子を備えるグラファイト層間化合物からなる材料ホルダ６で支持して、プラズマ処理することで製造される。 - 特許庁

A planarization film 80 is formed between electrodes such as electrodes 74 and 75 connected to wiring lines formed on a relay substrate such as a flexible substrate, etc., and a first interlayer dielectric 284 is formed on the planarization film 80 and at ends of the electrodes 74 and 75.例文帳に追加

フレキシブル基板等の中継基板に形成された配線に接続される電極７４，７５等の電極の間に平坦化膜８０が形成されており、平坦化膜８０上及び電極７４，７５の端部に第１層間絶縁層２８４が形成されている。 - 特許庁

The ferroelectric memory 1 comprises the ferroelectric capacitor 2 composed of a lower electrode 8, an upper electrode 10, and a ferroelectric layer 9 held between the pair of electrodes; and a metal wire 33 provided in the interlayer insulating films 25, 14.例文帳に追加

下部電極８及び上部電極１０とこれら一対の電極間に挟持された強誘電体層９とからなる強誘電体キャパシタ２と、層間絶縁膜２５，１４中に設けられる金属配線３３とを備えた強誘電体メモリ１である。 - 特許庁

The NAND flash memory has a structure that a silicon nitride film 21 is formed as a spacer in the side wall of an interlayer insulating film 20 in a contact hole 8 between the gate electrodes 5, 5 of a memory cell region 2 and the contact hole 9 of a high voltage resistance transistor 6 in the peripheral circuit region 3.例文帳に追加

ＮＡＮＤフラッシュメモリで、メモリセル領域２のゲート電極５、５間のコンタクトホール８と周辺回路領域３の高耐圧トランジスタ６のコンタクトホール９とに、層間絶縁膜２０の側壁にスペーサとしてのシリコン窒化膜２１を形成する構成である。 - 特許庁

Interlayer resin insulating layers and conductor circuits are formed successively on the board, in which the capacitor is housed or built for the formation of the multilayered printed wiring board, and the capacitor, the conductor circuit, and the upper and lower conductor circuit are connected through via holes.例文帳に追加

また、上記コンデンサが内臓または収納されている基板上に、層間樹脂絶縁層と導体回路とが順次形成され、該コンデンサと導体回路および上下の導体回路がバイアホールを介して接続されてなることを特徴とする多層プリント配線板。 - 特許庁

Since wet etching is employed for the etching of the interlayer insulating film, the amount of the insulating film 15 on the sides of the wiring lines 10 to be etched can be reduced, and the insulation resistance between the contact plug 25 filling the contact hole 18 and the wiring line 10 can be improved.例文帳に追加

層間絶縁膜のエッチングにウェットエッチング法を採用しているため、配線１０の側面上の絶縁膜１５に対するエッチング量が低減し、コンタクトホール１８を充填するコンタクトプラグ２５と配線１０との間の絶縁耐性が向上する。 - 特許庁

To provide laminated glass which has excellent ability of relieving impact applied from the outside and exhibits, particularly when used as glass for motor vehicles, excellent impact relieving ability when a head portion collides with the glass in a vehicle-to-person accident; and an interlayer film therefor.例文帳に追加

外部から加えられた衝撃を緩和する性能に優れ、特に車両用のガラスとして使用した場合において、対人事故が発生して頭部が衝突したときの衝撃緩和性能に優れる合わせガラス及び合わせガラス用中間膜を提供する。 - 特許庁

To provide a PVA resin composition having excellent melt moldability which enables to form a film superior in transparency without the occurrence of an odor during melt molding or leaving an odor on a product, and enables to obtain a laminated film having superior interlayer adhesion strength.例文帳に追加

溶融成形性に優れ、溶融成形時に臭気が発生したり、製品に臭気が残存することがなく、透明性に優れたフィルムが得られ、さらには層間接着強度に優れた積層フィルムを得ることができるＰＶＡ系樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

A third interlayer insulating film 43 is formed between a data line 6a and a pixel electrode 9a and a part thereof extended to a region R where the data line 6a and the pixel electrode 9a are superposed is formed so as to be thicker as compared with the other part.例文帳に追加

第３層間絶縁膜４３は、データ線６ａ及び画素電極９ａ間に形成されており、データ線６ａ及び画素電極９ａが相互に重なる領域Ｒに延びる部分が他の部分に比べて厚くなるように形成されている。 - 特許庁

Laminated on the polished surface of the element is an interlayer insulating layer 12, and on which an oxide superconducting layer 13 as a lower electrode, a barrier layer 14 and an oxide superconducting layer 15 are sequentially laminated in this order, thus completing an oxide superconducting element.例文帳に追加

この表面上に層間絶縁層１２を積層し、その上に下部電極を構成する酸化物超電導層１３、バリア層１４、上部電極を構成する酸化物超電導層１５を形成して酸化物超電導素子を得ることができる。 - 特許庁

A silicon nitride film having a thickness of at least not less than three times of that of the lower electrode is provided on the interlayer insulating film with a plug formed, after patterning the silicon nitride film in a line shape in some cases, the deep hole is formed by depositing the thick insulating film.例文帳に追加

プラグが形成された層間絶縁膜上に、下部電極の厚さの少なくとも３倍以上の厚さからなる窒化シリコン膜を設け、場合によっては前記窒化シリコン膜をライン状にパターン化した後、厚い絶縁膜を堆積して深孔を形成する。 - 特許庁