「Interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(104ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a polysiloxane-based positive radiation-sensitive composition capable of forming an interlayer dielectric excellent especially in low dielectric property, in addition to heat resistance, transparency and solvent resistance, and having sufficient radiation sensitivity and storage stability.例文帳に追加

耐熱性、透明性及び耐溶剤性に加えて、特に低誘電性が優れた層間絶縁膜を形成可能であり、かつ十分な放射線感度及び保存安定性を有するポリシロキサン系ポジ型感放射線性組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a positive radiation-sensitive composition which can form an interlayer insulation film having excellent surface hardness and solvent resistance as well as adequate permeability and voltage retention, excels in storage stability and has adequate radiation sensitivity.例文帳に追加

表面硬度及び耐溶剤性に優れ、充分な透過率及び電圧保持率も有する層間絶縁膜を形成可能であり、かつ保存安定性に優れ、充分な放射線感度を有するポジ型感放射線性組成物を提供する。 - 特許庁

This electric characteristics measuring substrate 1 formed by laminating a plurality of dielectric layers has: coplanar lines 14A-14D disposed on a front main surface; coplanar electrodes 24A-24D disposed on a back main surface; and interlayer earth electrodes 3A, 3B disposed between dielectric layers.例文帳に追加

電気特性測定基板１は複数の誘電体層を積層してなり、表主面にコプレーナライン１４Ａ〜１４Ｄを備え、裏主面にコプレーナライン２４Ａ〜２４Ｄを備え、誘電体層間に層間アース電極３Ａ，３Ｂを備える。 - 特許庁

A method comprises a process for applying high frequency voltage into a vacuum chamber 5 through a dielectric plate 4 to generate a plasma, and plasma-processing the interlayer insulating film formed in the semiconductor substrate 8 disposed in the vacuum chamber 5 by using the plasma.例文帳に追加

真空室内５に誘電体板４を介して高周波電圧を印加してプラズマを発生させ、このプラズマを用いて、真空室５内に設置された半導体基板８に形成された層間絶縁膜をプラズマ処理する工程を含む。 - 特許庁

Disconnection of the pixel electrode 24 provided on the interlayer insulating film 22 and connected to the TFT element 31 after flowing into the contact hole 25 at the wall part of the contact hole 25 can be prevented by the function of the step part 27A.例文帳に追加

層間絶縁膜２２上に設けられると共にコンタクトホール２５に流れ込んだ後にＴＦＴ素子３１に接続する画素電極２４が、そのコンタクトホール２５の壁の所で断線することを、段部２７Ａの働きによって防止できる。 - 特許庁

To suppress current leakage between wiring due to diffusion of copper into an interlayer insulation film and to improve electromigration resistance by fully obtaining the step coverage of barrier and copper seed layers corresponding to the tendency toward the high aspect ratio of a groove and a connection hole.例文帳に追加

溝や接続孔の高アスペクト比化に対応し、バリア層や銅シード層のステップカバリッジを十分に得ることで層間絶縁膜中への銅の拡散による配線間での電流リークを抑制し、かつエレクトロマイグレーション耐性の向上を図る。 - 特許庁

This interlayer for laminated glass comprises an ethylene-vinyl acetate copolymer resin composition including 0.1-30 pts.wt. of organized layered clay and 0.02-3 pts.wt. of a silane-coupling agent to 100 pts.wt. of an ethylene-vinyl acetate copolymer.例文帳に追加

エチレン−酢酸ビニル共重合体１００重量部に対し、有機化層状粘土０．１〜３０重量部、シランカップリング剤０．０２〜３重量部からなるエチレン−酢酸ビニル共重合体樹脂組成物からなる合わせガラス用中間膜を用いる。 - 特許庁

A plurality of capacitance libraries are prepared according to variations, for instance, wiring width, wiring film thickness, interlayer film thickness, in the manufacturing process for the semiconductor integrated circuit, and one among these capacitance libraries is appropriately selected according to object layout.例文帳に追加

例えば配線幅、配線膜厚や層間膜厚などの半導体集積回路の製造プロセスばらつきに応じて複数の容量ライブラリを準備し、これらの容量ライブラリの中から１つを対象レイアウトに応じて適切に選択する。 - 特許庁

A part of a first platinum film 15 comprising the first lower layer platinum film 15a and the second lower layer platinum film 15b existing on the second interlayer insulation film 14 is removed to form a lower electrode 15A comprising the first platinum film 15.例文帳に追加

第１の下層白金膜１５ａ及び第２の下層白金膜１５ｂからなる第１の白金膜１５における第２の層間絶縁膜１４の上に存在する部分を除去して、第１の白金膜１５からなる下部電極１５Ａを形成する。 - 特許庁

A drain electrode 10 is formed in a position corresponding to the drain 6, and at the same time a second gate electrode 11 connected to a gate signal line G through a contact hole is formed on the interlayer dielectric 9 above the channel 7.例文帳に追加

そして、ドレイン６に対応した位置にドレイン電極１０を形成すると同時にチャネル７の上方であって層間絶縁膜９上に、コンタクトホール１４を介してゲート信号配線Ｇと接続された第２のゲート電極１１を形成する。 - 特許庁

The color image sensor includes a color filter 20 capable of controlling wavelengths of transmission light, a plurality of photodiode areas 5 which respectively receive transmission light transmitted by the color filter 20, an interlayer insulation film 4 and a plurality of microlenses 2.例文帳に追加

カラーイメージセンサーは、透過光の波長を制御可能なカラーフィルター２０と、カラーフィルター２０を透過した透過光をそれぞれが受光して電気信号を出力する複数のフォトダイオード領域５と、層間絶縁膜４と、複数のマイクロレンズ２と、を有する。 - 特許庁

The article 10 contains a component which protects a porous film 11 and/or the first selective-permeability coating 12 supported by the porous film 11 from interlayer peeling from the porous film 11 and/or another coating arranged there.例文帳に追加

物品１０は、多孔質膜１１、この膜に支持された第１の選択的透過性コーティング１２及び多孔質膜１１及び／又はそこに設けられた他のコーティングからの選択的透過性コーティング１２の層間剥離から保護する成分である。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a flexible printed wiring board by performing an interlayer conduction, in which manufacturing efficiency can be improved, manufacturing cost can be reduced, and the flexible printed wiring board can be thinned.例文帳に追加

層間導通させてなるフレキシブルプリント配線板の製造方法において、製造効率の高効率化と製造コストの低コスト化とを図ることができると共に、薄肉化が可能なフレキシブルプリント配線板の製造方法の提供を課題とする。 - 特許庁

An interlayer insulating film 15 and a silicon nitride film 16 are laminated on a predetermined region of a semiconductor substrate 11 in which an element isolation insulating film 12 is selectively removed, and a lower electrode 17 is formed in a stripe shape on this silicon nitride film 16.例文帳に追加

素子分離絶縁膜１２を選択的に除去した半導体基板１１の所定領域上に層間絶縁膜１５及びシリコン窒化膜１６が積層され、このシリコン窒化膜１６上に下部電極１７がストライプ状に形成されている。 - 特許庁

A hydrogenated silicon nitride film 11 is formed on an interlayer insulating film 8, thereby enabling to keep the hydrogen concentration of an active element region including a thin film transistor 7 for switching high, and the Si-H coupling is stabilized.例文帳に追加

そして、層間絶縁膜８上に水素化窒化シリコン膜１１が形成されており、これにより、スイッチング用薄膜トランジスタ７を含む能動素子領域の水素濃度を高く保つことができ、シリコン薄膜におけるＳｉ−Ｈ結合が安定する。 - 特許庁

A capacitor (C) has the MIM structure consisting of a lower electrode 33 formed in an electrode recess 29 of an interlayer insulating film 28, a dielectric film 35 formed on the lower electrode 33, and an upper electrode 36 formed on the dielectric film 35.例文帳に追加

キャパシタ（Ｃ）は、層間絶縁膜２８の電極溝２９内に形成された下部電極３３と、下部電極３３上に形成された誘電膜３５と、誘電膜３５上に形成された上部電極３６とからなるＭＩＭ構造を有している。 - 特許庁

To provide an electrochromic sheet, a light control sheet using the electrochromic sheet, a light controller, an interlayer for a laminated glass, and a laminated glass, which allow production of a laminated glass which changes light transmittance by voltage application and has high safety.例文帳に追加

電圧を印加することにより光の透過率が変化し、かつ、高い安全性を有する合わせガラスを製造できるエレクトロクロミックシート、該エレクトロクロミックシートを用いた調光シート、調光体、合わせガラス用中間膜、及び、合わせガラスを提供する。 - 特許庁

To provide laminated glass for a vestibule door improving design value and securing sufficient strength at a low cost by jointing and bonding a pair of glass sheets through an interlayer membrane having a design and a scatter preventing function for glass.例文帳に追加

一対のガラスを意匠が付与されかつガラスの飛散防止機能を有する中間膜を介して接合接着することにより、意匠的価値の向上と十分な強度確保を安価に得られる玄関ドア用の合わせガラスを提供する。 - 特許庁

To provide a nondestructive inspection apparatus of ceramic multilayer substrate capable of checking a direction of interlayer displacement and an amount of displacement in a short time without cutting a ceramic multilayer substrate, when characteristics of a high-frequency circuit constituted by the ceramic multilayer substrate are fluctuated.例文帳に追加

セラミック多層基板で構成した高周波回路の特性が変動した場合、当該セラミック多層基板を切断せず短時間に層間ずれの方向とずれ量の確認が行えるセラミック多層基板の非破壊検査装置を得ること。 - 特許庁

To provide a composition for forming an insulation film which is excellent in film properties such as permittivity and Young's modulus, capable of forming a film having a proper uniform thickness and suitable for using as an interlayer insulation film of semiconductor devices and the like.例文帳に追加

半導体素デバイスなどにおける層間絶縁膜として使用するのに適した、適当な均一な厚さを有する膜が形成可能な、しかも誘電率、ヤング率等の膜特性に優れた絶縁膜形成用組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a heat ray-absorbing laminated glass having high visible light transmittance, transparency and high infrared absorbing power using inexpensive materials free from worry about resource depletion, and an interlayer for laminated glass suitable for use in the above laminated glass.例文帳に追加

資源の枯渇の心配がない安価な材料を用いて、可視光の透過率が高く透明で、かつ赤外線吸収能力の高い熱線吸収性合わせガラス、及び、該合わせガラスに好適な合わせガラス用中間膜を提供する。 - 特許庁

An interlayer insulation film 6 coating a ferroeelctric capacitor structure 1 formed by a platinum electrode layer 3, a PZT film 4, and an upper platinum electrode layer 5 is formed on a Si substrate 2 by a plasma CVD method to open a contact hole 6A.例文帳に追加

Ｓｉ基板２上に白金電極層３、ＰＺＴ膜４、上部白金電極層５をもつて形成された強誘電体キャパシタ構造１を覆って層間絶縁膜６をプラズマＣＶＤ法により形成し、コンタクトホール６Ａを開口する。 - 特許庁

The reliability of the multiple printed circuit board is improved, so that delaminations between an inter layer resin insulation layer 50 and a core substrate 30, and the interlayer resin insulation layer 50 and the IC chip near the corner are prevented, also the cracking in the inter layer insulation layer 50 is prevented.例文帳に追加

このため、角部の近傍で、コア基板３０と層間樹脂絶縁層５０、ＩＣチップと層間樹脂絶縁層５０との剥離、及び、層間樹脂絶縁層５０でのクラックの発生を防ぎ、多層プリント配線板の信頼性を向上させる。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display of a highly reliable FFS mode capable of preventing a crack from being generated between an interlayer insulating film while securing a numerical aperture of a pixel, capable of enhancing thereby a transmittance, and capable of preventing display from getting defective.例文帳に追加

画素の開口率を確保しつつも層間絶縁膜にクラックが発生することを防止でき、これにより透過率の向上が図られ、かつ表示不良が防止された信頼性の高いＦＦＳモードの液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

In the DRAM and logic circuit forming region of a semiconductor device on which a DRAM and logic circuit are mixedly mounted, contact holes 8 for diffusion layers 6 and metallic wiring M1 are formed at prescribed positions by depositing interlayer insulating films 7 on the diffusion layers 6.例文帳に追加

ＤＲＡＭとロジック回路とが混載される半導体装置にあって、ＤＲＡＭ及びロジック回路の形成領域において、拡散層６上に層間絶縁膜７を堆積し、所定位置に拡散層６とメタル配線Ｍ１とのコンタクトホール８を形成する。 - 特許庁

After a MOS type transistor having a gate insulating film 14, a gate electrode layer 16, a source region 24, and a drain region 26 is formed on one main surface of a silicon substrate 10, an interlayer insulating film 28 is formed to cover the transistor.例文帳に追加

シリコン基板１０の一方の主面には、ゲート絶縁膜１４、ゲート電極層１６、ソース領域２４及びドレイン領域２６を有するＭＯＳ型トランジスタを形成した後、このトランジスタを覆って層間絶縁膜２８を形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device, which can not be affected by the sizes and layouts of its wirings and whereby the step of the surface of its semiconductor substrate can be eliminated and the thicknesses of its interlayer films present on its wirings can be made constant with good reproducibility.例文帳に追加

配線のサイズやレイアウトに影響されず、半導体基盤の表面を段差なく、かつ、配線上の層間膜厚を再現性よく一定にすることが可能な半導体装置の製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

A first SiN film is formed at a low temperature as a diffusion prevention film such that it covers the surface of Cu wiring pattern embedded in an interlayer insulation film, and then a second SiN film is formed thereon at a higher temperature as an etching stopper film.例文帳に追加

層間絶縁膜中に埋設されたＣｕ配線パターン表面を覆うように低温において第１のＳｉＮ膜を拡散防止膜として形成し、その上により高温で第２のＳｉＮ膜をエッチングストッパ膜として形成する。 - 特許庁

Thereby, in the optical disk device, a tracking error signal in which influence of stray light patterns W5, W50 formed respectively by interlayer stray beam from a plurality of recording layers is excluded can be generated, then, tracking control can be accurately performed.例文帳に追加

これにより光ディスク装置は、複数の記録層からの層間迷光ビームによりそれぞれ形成される迷光パターンＷ５、Ｗ５０の影響を排除したトラッキングエラー信号を生成でき、精度良くトラッキング制御を行うことができる。 - 特許庁

Until the first-layer wiring metal film 3 is exposed, the surface protective film 7 and the second interlayer oxide film 5 are selectively etched into a tapered shape 10, removed, and then a barrier metal 8 is formed at this point, on which a projection electrode 9 is formed.例文帳に追加

第１層目の配線用金属膜３が露出するまで、表面保護膜７と第２層間酸化膜５を選択的にテーパー状１０にエッチングして、除去し、この箇所にバリアメタル８を形成し、バリアメタル８上に突起電極９を形成する。 - 特許庁

To maintain operating characteristic of a peripheral circuit by a method wherein distance between an intralayer micro lens and a light receiving part formed in a semiconductor substrate is reflected on value on design in which condensing efficiency is considered, and the interlayer dielectric of the peripheral circuit is kept thick.例文帳に追加

層内マイクロレンズと半導体基板に形成された受光部との間の距離を、集光効率を考慮した設計上の値に作り込むとともに周辺回路部の層間絶縁膜を厚く保ち、周辺回路部の動作特性を維持する。 - 特許庁

In the reinforcing tape 1 for the slide fastener which is made up by laminating an adhesive layer 3 on the back face of the transparent elastomer film 2, an interlayer 4 (an anchor coat layer) which is thinner than thickness of each layer is intervened between the elastomer film and the adhesive layer.例文帳に追加

透明なエラストマーフィルム２の裏面に接着層３を積層してなるスライドファスナーの補強テープ１において、上記エラストマーフィルムと接着層との間にこれら各層の厚さよりも薄い中間層４（アンカーコート層）を介在させる。 - 特許庁

The refractory for the interlayer of the nozzle for continuous casting contains ≥10 volume% and ≤75 volume% of a hollow refractory aggregate which satisfies the relation of R/t≥10, wherein R is an average radius of a particle and t is an average wall thickness.例文帳に追加

本発明の連続鋳造用ノズルの中間層用の耐火物は、粒の平均半径Ｒと前記粒の平均の壁の厚みｔの比がＲ／ｔ≧１０を満たす中空耐火骨材を１０体積％以上７５体積％以下含むものである。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a layered ceramic electronic component wherein the position precision of internal electrodes is improved effectively and a fault, such as interlayer delamination, is hardly caused even in a case that thickness of a ceramic green sheet becomes small and the number of layers increases.例文帳に追加

セラミックグリーンシートの厚みが薄くなり、積層数が増大した場合であっても、内部電極の位置精度が効果的に高められ、かつ層間剥離等の不具合が生じ難い積層セラミック電子部品の製造方法を提供する。 - 特許庁

In this process, an acidic compound 19 is diffused from the protective film 16A adding to acid produced by an acid producing agent in the resist film 17, and this makes the resist film in the hole 14a acidic even though the basic compound 18 is diffused from the interlayer insulating film 14.例文帳に追加

このとき、レジスト膜１７中の酸発生剤から発生する酸に加えて、保護膜１６Ａから酸性化合物１９が拡散し、層間絶縁膜１４から塩基性化合物１８が拡散しても孔部１４ａのレジスト膜は酸性となる。 - 特許庁

After a field oxide film is formed on a semiconductor substrate and an active region of the substrate is set, a tunnel oxide film, a first conductive layer, an interlayer dielectric field, a second conductive layer, and a first insulating film are sequentially formed on the substrate.例文帳に追加

半導体基板の上部にフィールド酸化膜を形成して前記基板にアクティブ領域を設定した後、基板の上部にトンネル酸化膜、第１導電層、層間誘電膜、第２導電層、および第１絶縁膜を順次に形成する。 - 特許庁

The raw-material coal composition includes the volatile matter of 6.0 to 15 mass% and shows an average interlayer distance d_002 of the plumbago crystal obtained through the X-ray diffraction is 0.3445 nm or less.例文帳に追加

揮発分が６．０〜１５質量％であり、かつＸ線回折によって求められる黒鉛結晶の平均層間距離ｄ_００２が０．３４４５ｎｍ以下であることを特徴とする、電気二重層キャパシタの電極用炭素材の原料炭組成物。 - 特許庁

To provide a semiconductor device equipped with an interlayer insulating film as materially one film using same insulating material in locations where arrangement densities of interconnection differ each other and causing parasitic capacitances each corresponding to the arrangement density of the interconnection in the each location, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

１の層間絶縁膜について、配線の配置密度が異なる場所に同じ絶縁材料を使用し、且つ、配線の配置密度に対応した寄生容量を有する半導体装置或いは半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

At this time, the flow rates of the gases, the temperature of the substrate, the pressure in the chamber and the electric power to be applied on the plasma formation are controlled so that the Ti film is deposited on the interlayer insulation film or insulation film at a high selection ratio.例文帳に追加

この際に、ホール部位に、層間絶縁膜または絶縁膜に対して高選択比でＴｉ膜が成膜されるように、前記ガスの流量、基板温度、チャンバー内圧力およびプラズマを形成する際の投入電力を調整する。 - 特許庁

Since etching of the interlayer insulating film in the lateral direction is prevented in a boundary between a DRAM memory and a logic unit, it is no longer necessary to provide a margin which takes into consideration this etching, and the area of the DRAM memory can be reduced.例文帳に追加

エッチストッパ部材により、ＤＲＡＭメモリ部とロジック部との境界における層間絶縁膜の横方向のエッチングが阻止されるので、このエッチングを考慮したマージンを設ける必要がなくなり、ＤＲＡＭメモリ部の面積の縮小が可能になる。 - 特許庁

On an interlayer insulating film 5, a signal line 7 (SL) that comes into contact with a contact plug 6 in contact with a source 4s via a titanium (Ti) film 8, and a lower electrode 9 that comes into contact with the contact plug 6 in contact with a drain 4d via the titanium film 8 are formed.例文帳に追加

層間絶縁膜５上に、ソース４ｓに接するコンタクトプラグ６にチタン（Ｔｉ）膜８を介して接する信号線７（ＳＬ）、及びドレイン４ｄに接するコンタクトプラグ６にチタン膜８を介して接する下部電極９が形成されている。 - 特許庁

A lower hole 8 is opened in the lower wiring line 5, and an upper hole 10 communicated with the lower hole 8 is opened in the liner film 11 and the interlayer insulating film 12, wherein the diameter d_2 of the lower hole 8 is larger than the diameter d_1 of the upper hole.例文帳に追加

下部配線５に下部孔８が開口しており、ライナー膜１１および層間絶縁膜１２には下部孔８に繋がる上部孔１０が開口しており、下部孔８の口径ｄ_2は上部孔の口径ｄ_1よりも大きくなっている。 - 特許庁

To obtain a resin composition which, in the form of a cured product, is excellent in flexibility, soldering-heat resistance, thermal deterioration resistance electroless gold plating resistance, and flame-retardancy and is capable of being developed in an organic solvent or an alkali solution, and is suited for solder resists and interlayer insulation layers.例文帳に追加

硬化物の可撓性や半田耐熱性、耐熱劣化性、無電解金メッキ耐性に優れ、難燃性であり、有機溶剤又はアルカリ溶液で現像ができ、ソルダーレジスト用及び層間絶縁層用に適する樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To obtain an additive for two layer board, having a low viscosity, ready handleability, excellent storage stability, dilutable in an arbitrary ratio, capable of providing a two layer board having improved interlayer strength and/or paper quality by spraying the hygroscopic paper layer of the two layer board.例文帳に追加

粘度が低く取扱い易く、貯蔵安定性に優れ、任意の割合に希釈でき、抄き合わせ紙の湿潤紙層にスプレーして、層間強度及び／または紙質が向上した抄き合わせ紙を提供でき抄き合わせ紙用添加剤を提供する。 - 特許庁

This dew condensation-preventing device for a greenhouse 12 at least whose ceiling portion 17 has a double layered structure comprising transparent films or transparent plates has a dry air-charging means 22 for charging dry air into an interlayer space 20 between the two layers.例文帳に追加

少なくとも天面部１７を透明フィルムまたは透明板で２層構造としたグリーンハウス１２において、前記２層間の層間空間２０に乾燥空気を供給する乾燥空気供給手段２２とを有するグリーンハウス用結露防止装置。 - 特許庁