Interlayerを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 6425件
Then, second recovery annealing is sequentially performed to the first structure and the second structure 102 having the second interlayer insulating film in a nitrogen atmosphere, an oxygen atmosphere and a nitrogen atmosphere.例文帳に追加
その後、第1構造体と、第2層間絶縁膜とを備える第2構造体102に対して、窒素雰囲気内、酸素雰囲気内、及び窒素雰囲気内の順でそれぞれ熱処理することによって、第2の回復アニールを行う。 - 特許庁
Image information is displayed by line sequential driving method using a lower electrode as a signal line and the upper bus electrode as a scanning line with the upper bus electrode constituted with multilayer interconnection connected through through holes in an interlayer insulation layer.例文帳に追加
層間絶縁層のスルーホールを介して接続された多層配線により構成された上部バス電極を用い下部電極を信号線、上部バス電極を走査線として、線順次駆動方式により画像情報を表示する。 - 特許庁
To provide a polyester film suitable for a substrate to form a film interlayer insulation material, which is used for a multilayer printed wiring board manufactured using a build-up method to correspond to fine division and densification of the wiring.例文帳に追加
配線の微細化および高密度化に対応するためのビルドアップ法で製造する多層プリント配線板に用いられる、フィルム状の層間絶縁材料を形成するための支持体として好適なポリエステルフィルムを提供する。 - 特許庁
This heat shrinkable multilayer film is characterized in that outer surface layers each containing a polyester-based resin and an interlayer containing a polystyrene-based resin are laminated through adhesive layers each containing a polyester-based elastomer.例文帳に追加
ポリスチレン系樹脂を含む中間層に、接着層を介してポリエステル系樹脂を含む外面層が積層された熱収縮性多層フィルムであって、前記接着層は、ポリエステル系エラストマーを含む熱収縮性多層フィルム。 - 特許庁
To provide a circuit arrangement and method using a universal, standardized interlayer interconnect in a multilayer semiconductor stack to facilitate interconnection and communication between functional units disposed on a stack of semiconductor dies.例文帳に追加
半導体ダイのスタックに配置された機能ユニット相互間の相互接続及び通信を容易にするために多層半導体スタック内のユニバーサルで且つ標準化された層間相互接続体を利用する回路配列及び方法を提供する。 - 特許庁
Dielectric films (75) configurating the storage capacitors among these consist of a plurality of layers including materials different from each other and one layer among these layers includes a silicon nitride film and the surfaces of the interlayer insulating film are subjected to planarization processing.例文帳に追加
このうち蓄積容量を構成する誘電体膜(75)は、相異なる材料を含む複数の層からなるとともに、そのうちの一の層は窒化シリコン膜を含み、層間絶縁膜の表面は平坦化処理が施されている。 - 特許庁
To obtain a polyvinyl acetal resin, interlayer for laminated glass, and laminated glass, which contain a metal component derived from an alkali neutralizer at a low content, have excellent transparency, moisture resistance, and electric nonconductivity, and are colorless.例文帳に追加
アルカリ中和剤に由来する金属成分の含有量が極めて少なく、透明性、耐湿性及び電気絶縁性に優れ、しかも着色のないポリビニルアセタール樹脂及び合わせガラス用中間膜並びに合わせガラスを得る。 - 特許庁
To form an aperture to a ferroelectric capacitor in an interlayer insulation film and a hydrogen diffusion prevention film especially without increasing the number of processes, and without damaging the ferroelectric capacitor, and to remove unneeded residuals.例文帳に追加
徒に工程数を増加させることなく、強誘電体キャパシタにダメージを与えずに強誘電体キャパシタに対する開孔を層間絶縁膜及び水素拡散防止膜に形成し、しかも不要な残存物を除去する。 - 特許庁
To provide a polyester film suitable as a support for forming filmy interlayer insulating material which is used for a multilayer printed circuit board manufactured by the buildup method for corresponding to micro-fabrication or high density of wiring.例文帳に追加
配線の微細化および高密度化に対応するための、ビルドアップ法で製造する多層プリント配線板に用いられる、フィルム状の層間絶縁材料を形成するための支持体として好適なポリエステルフィルムを提供する。 - 特許庁
The layered manganese oxide porous body being cross-linked by aluminum hydroxide or nano particles of aluminum oxide and having an interlayer distance of ≥1.7 nm is realized by heat-treating the aforementioned layered manganese oxide porous body.例文帳に追加
この層状マンガン酸化物多孔体を熱処理することにより、水酸化アルミニウムもしくは酸化アルミニウムのナノ粒子で架橋され、かつ1.7nm以上の層間距離を有する層状マンガン酸化物多孔体を実現する。 - 特許庁
To keep manufacturing costs of a thin-film solar cell lower than before, and obtain a method of manufacturing the thin-film solar cell that does not cause decrease of the efficiency of photoelectric conversion in a photoelectric conversion layer, which is formed under the interlayer.例文帳に追加
従来に比して薄膜太陽電池の製造コストを抑えるとともに、中間層の下に形成される光電変換層の光電変換効率の低下を引き起こさない薄膜太陽電池の製造方法を得ること。 - 特許庁
The interlayer connector 100 of the transmission line is constituted by lamination of a conductive layer 3B, a dielectric layer 1C, a ground conductor layer 2B, a dielectric layer 1B, a ground conductor layer 2A, a dielectric layer 1A and a conductive layer 3A from the bottom in this order.例文帳に追加
伝送線路層間接続器100は、導体層3B、誘電体層1C、地導体層2B、誘電体層1B、地導体層2A、誘電体層1A、導体層3Aがこの順に下から積層されて構成されている。 - 特許庁
The liquid crystal display device is provided with a spacer pole 100 for maintaining the gap of a liquid crystal layer and a recessed part adjusted to the spacer pole 100 and the recessed part is formed by removing a part of an interlayer insulating film 10 and a part of a passivation film 22.例文帳に追加
本発明による液晶表示装置は、液晶層のギャップを保持するスペーサ支柱(100)と、スペーサ支柱(100)の下部が整合する凹部を備え、凹部は、層間絶縁膜(10)及びパッシベーション膜(22)の一部を除去して形成される。 - 特許庁
The interlayer conductive part comprises a core hole 1 formed in the coating layer; surface layer holes 21, 22 formed in an offset position with respect to the core hole in the core substrate; and connection patterns 31, 32 for electrically connecting the core hole and the surface layer hole.例文帳に追加
層間導電部は,被覆層に設けたコア孔1と,コア基板におけるコア孔に対してオフセットの位置に設けた表層孔21,22と,コア孔と表層孔の間を電気的に接続する接続パターン31,32とからなる。 - 特許庁
To improve the yield at the time of burying a metal by dissipating micro voids from the worked surface of a via hole, etc., even when a porous material is used for an interlayer insulating film and, in addition, to manufacture a semiconductor device exhibiting a stable performance.例文帳に追加
層間絶縁膜に多孔質材料を用いた場合でも、ビアホール等の加工表面のマイクロボイドを消失せしめ、メタルを埋設する際の歩留りを向上させ、且つ、安定した性能の半導体装置の製造を可能にする。 - 特許庁
To obtain this change in light, either a thin surface layer containing much C and O can be formed on a surface of the lower portion of the interlayer insulating film, or a modified layer containing much C and O can be formed in the surface of the lower portion.例文帳に追加
また、この光の変化を得るために層間絶縁膜の下部分の表面に薄くC及びOが多い表面層を形成するか、あるいは、下部分表面のC及びOの多い改質層を形成することができる。 - 特許庁
To provide a film-forming composition affording a film that is uniform, causes no deposition of impurities, achieves a low dielectric constant and high metal diffusion barrier property and is therefore suitably used for producing an interlayer insulation film in an electronic device or the like.例文帳に追加
形成された膜が均一であり、不純物の析出がなく、低い誘電率や高い金属拡散バリア性が得られるため、電子デバイスなとにおける層間絶縁膜として適する膜形成用組成物を提供する。 - 特許庁
In addition, a second wiring layer 40 and a third wiring layer 42, which are set to the ground potential, are provided, in the same layer as the second bit line pair BS, /BS, opposed with each other via each bit line and interlayer insulation film 32.例文帳に追加
第2のビット線対BS,/BSと同層で、第1のビット線対BM,/BMの各々のビット線と層間絶縁膜32を介してそれぞれ対向し、互いにグランド電位に設定される第2,第3の配線層40,42を有する。 - 特許庁
These pins 30, 31 are inserted into vias 11, 13 of an opposing sub-assembly 2, and the pins are positioned, and thus, a substrate excellent in interlayer alignment accuracy of the sub-assembly wiring boards 1, 2 can be manufactured.例文帳に追加
これらのピン30、31を、対向するサブアセンブリ配線板2のビア11、13にそれぞれ挿入して位置決めすることで、サブアセンブリ配線板1及び2の層間位置合わせ精度が優れた基板を製作することができる。 - 特許庁
To obtain a film-forming composition which shows an excellent long- term shelf stability of the solution, yields a coated film which shows an excellent uniformity and mechanical strength and has a dielectric constant of ≤2.5 and is therefore suitable as a material for interlayer insulating films for semiconductor elements, etc.例文帳に追加
半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、溶液の長期保存安定性、塗膜の均一性や機械的強度に優れ、比誘電率2.5以下の塗膜が得られる膜形成用組成物を得る。 - 特許庁
To provide a porous polybenzazole-based film useful as a member of a cell and the like which simultaneously exhibits excellent heat resistance, mechanical strengths, resistance to interlayer separation and impregnatability with a functional agent, and its manufacturing method.例文帳に追加
本発明は、優れた耐熱性、機械的強度、耐層間剥離性および機能性剤の含浸性を兼ね備えた電池部材などに有用な多孔質ポリベンゾアゾール系フィルムおよびその製造法を提供することを目的としている。 - 特許庁
In the solid electrolytic capacitor 1, as an amount of entrance of a conductive paste part 13 into an interlayer of a capacitor element 2 is restricted by a nonconductive bonding agent 21, the ESR variation between the solid electrolytic capacitors 1 can be reduced.例文帳に追加
固体電解コンデンサ1では、コンデンサ素子2の層間への導電性ペースト部13の入り込み量が非導電性接着剤21によって規制されるので、固体電解コンデンサ1間でのESRばらつきを低減できる。 - 特許庁
To prevent loss in an SAC nitride film formed on an upper portion of a gate and improve the hump characteristics of a transistor in a planarizing process of an interlayer dielectric for subsequent formation of a contact plug, even if a surface roughness exists on a metal silicide layer.例文帳に追加
金属シリサイド層に表面粗さが存在しても、後続のコンタクトプラグの形成のための層間絶縁膜の平坦化工程の際、ゲートの上部に形成されたSAC窒化膜の損失を防止し、トランジスタのハンプ特性を改善すること。 - 特許庁
To obtain a method for manufacturing a semiconductor device which can prevent variations in the thickness of an interlayer insulating film during formation of a multi-layered wiring structure, by a resist etch back process to thereby obtain a semiconductor device having a stable capacity between wiring layers.例文帳に追加
多層配線構造のレジストエッチバックによる形成プロセスにおいて、層間絶縁膜厚の変動を防ぎ、配線層間容量の安定した半導体装置が得られる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a multilayer printed circuit board with built-in capacitor, capable of avoiding a lowering in reliability due to a defect of interlayer adhesion, and having capacitor individual pieces avoiding a defect of short circuit in the inside thereof, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加
層間密着性不具合による信頼性の低下を回避すると共に、短絡する不具合を回避したキャパシタ個片を内部に配置したキャパシタ内蔵型多層プリント配線板及びその製造方法の提供。 - 特許庁
The interlayer conduction portion 23 electrically connects, for example, a conduction portion 21a formed at a first insulation portion 11a and a conduction portion 21b formed at another first insulation portion 11b disposed over the first insulation portion 11a to each other.例文帳に追加
層間導通部23は、例えば、第一絶縁部11aに形成された導電部21aと、第一絶縁部11aに重ねて配された別な第一絶縁部11bに形成された導電部21bとの間を電気的に接続する。 - 特許庁
For this reason, the width of the trench 13 in which only the p^+-type contact buried layer 14 is disposed can be narrow compared to a trench in which, for example, an interlayer insulating film and gate wiring are disposed, like a conventional semiconductor device.例文帳に追加
これにより、p^+型コンタクト埋込層14のみしか配置されないトレンチ13の幅を、従来の半導体装置のように層間絶縁膜やゲート配線などが配置されるトレンチと比較して、狭くすることが可能となる。 - 特許庁
To provide a waterproof moisture-permeable laminate that hardly causes interlayer peeling and simultaneously satisfies high air permeability and moisture permeability in spite of being a waterproof moisture-permeable layer composed of an extra fine fiber and a waterproof moisture-permeable laminate material using the same.例文帳に追加
極細繊維からなる防水透湿層でありながら層間剥離がほとんどなく、高い通気性、透湿性を同時に具備できる防水透湿積層体およびそれを用いた防水透湿積層材を提供する。 - 特許庁
The method for manufacturing the electro-optical device which has TFD elements 21, formed on a substrate 7a and an interlayer insulating film 22, equipped with the projecting and recessing pattern on its surface and formed on the TFD elements 21 is provided.例文帳に追加
【解決手段】 基板7a上に形成されたTFD素子21と、表面に凹凸パターンを備えると共にTFD素子21上に形成された層間絶縁膜22とを有する電気光学装置の製造方法である。 - 特許庁
An interlayer insulating film 33 or an upper layer wiring (conducting film) on the lower layer wiring 16a is not eliminated before the flattened film 37 is formed, so that the flattened film 37 on the lower layer wiring 16a is formed relatively thin.例文帳に追加
また、下層配線16a上の層間絶縁膜33又は上層配線(導電膜)を平坦化膜37の形成前には除去しないことで下層配線16a上の平坦化膜37を相対的に薄く形成する。 - 特許庁
An SiCOH film (interlayer insulating film) 7 is provided on the Cu wiring 4 through an SiCNH film (dispersion preventive insulating film) 5 and an SiCH film (etching stopper film) 6, and Cu dual damascene wiring 15 is formed in the insulating films 5-7.例文帳に追加
Cu配線4上に、SiCNH膜(拡散防止用絶縁膜)5、SiCH膜(エッチングストッパ膜)6を介して、SiCOH膜(層間絶縁膜)7を設け、これらの絶縁膜5〜7内にCuデュアルダマシン配線15を形成する。 - 特許庁
To provide a method for producing an electronic part capable of producing a compact electronic part by thinning stacked layers and further capable of effectively preventing the occurrence of failures such as interlayer detachment between a conductor layer and a dielectric layer.例文帳に追加
積層体層の厚みを薄くして小型の電子部品を製作することができ、しかも導体層や誘電体層に層間剥離等の不具合が生じるのを有効に防止することができる電子部品の製造方法を提供する。 - 特許庁
This organic EL device includes an insulating substrate, a pixel electrode disposed above the insulating substrate, a barrier plate disposed around the pixel electrode, an interlayer insulating film extending from the barrier plate to the peripheral part of the pixel electrode and exposing the center part of the pixel electrode, and organic layer disposed on the interlayer insulating film and the center part of the pixel electrode, and a counter electrode disposed on the organic layer.例文帳に追加
絶縁基板と、前記絶縁基板の上方に配置された画素電極と、前記画素電極の周囲に配置された隔壁と、前記隔壁から前記画素電極の周縁部に亘って延在するとともに前記画素電極の中央部を露出する層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜の上、及び、前記画素電極の中央部の上に配置された有機層と、前記有機層の上に配置された対向電極と、を備えたことを特徴とする有機EL装置。 - 特許庁
The semiconductor device comprises: an element isolation groove formed in the mark portion; an element isolation insulating film formed within the element isolation groove; an etching stopper film covering at least a part of an surface of the element isolation insulating film; an interlayer insulating film formed on the whole surface of the substrate; and a contact hole extending from a surface of the interlayer insulating film to a surface of the substrate.例文帳に追加
活性領域を分離するための素子分離領域を含む回路部と、マーク部とを基板に有する半導体装置であって、該マーク部に形成された素子分離溝と、該素子分離溝内に形成された素子分離絶縁膜と、該素子分離絶縁膜の表面の少なくとも一部を覆うエッチングストッパー膜と、該基板の全面に形成された層間絶縁膜と、該層間絶縁膜の表面から該基板の表面まで達するコンタクトホールと、を備えたことを特徴とする。 - 特許庁
An insulation layer 25 including the glass fiber as a reinforcing material is further laminated on the insulation layer 12, and the interlayer connection of the insulation layer 25 is made by forcing in a group of nearly conical conductor bumps 22a, 22,... in the thickness direction of the insulation layer 25.例文帳に追加
この絶縁層12の上に更にガラス繊維を補強材として含む絶縁層25を積層し、この絶縁層25の層間接続は略円錐形の導体バンプ群22,22,…を絶縁層25の厚さ方向に圧入することにより達成する。 - 特許庁
In this wiring board 4, shield wiring films 10u and 10d are formed on the upside and underside of the bare RF-IC 8, and in addition, a plurality of shield interlayer connecting conductive films (shield via holes) 14s are formed so as to surround the RF-IC 8.例文帳に追加
配線基板4内部のベアのRF−IC8の上側及び下側にシールド配線膜10u、10dを設け、更に、RF−IC8を取り囲むところの複数のシールド層間接続導電膜(シールドビアホール)14sを設けてなる。 - 特許庁
The silver paste 16 is vibrated under heating, thereby exhausting the air existing in a gap A at the bottom in the non-penetrated via hole 15 and the bubbles B inside the silver paste 16, and obtaining an interlayer connector in which a recess on the center of the surface is made flat.例文帳に追加
この銀ペースト16を加熱下に振動させることにより、非貫通ビアホール15内底部の空隙Aに存在する空気や銀ペースト内16の気泡Bを脱泡し、表面中央部の凹みを平坦化した層間接続体を得る。 - 特許庁
To provide a film-forming composition capable of imparting a low density film excellent in dielectric constant characteristics and CPM water absorption properties and useful as an interlayer insulating film in semiconductor elements, etc., and having small-sized voids, and also excellent in storage stability.例文帳に追加
半導体素子などにおける層間絶縁膜として有用な、誘電率特性、吸水性特性に優れ、かつ空隙サイズが小さい低密度化膜が得られ、しかも貯蔵安定性にも優れる膜形成用組成物を提供すること。 - 特許庁
Thus, since the contact 8 is formed while avoiding the part just under the edge of the protecting film opening 4, the part just under the edge of the protecting film opening 4 becomes a flat interlayer insulating film 9 and the device can sufficiently be set up against the concentration of stress caused by bonding as well.例文帳に追加
このように、保護膜開口4のエッジの真下を避けてコンタクト8を形成することにより、保護膜開口4のエッジの真下は平らな層間絶縁膜9となり、ボンディングによるストレス集中にも十分耐えることができる。 - 特許庁
To provide a photosensitive resin composition not only excellent in performances such as sensitivity, insulating property and chemical resistance but in particular, significantly improved in transmittance and storage stability, and suitable for forming an interlayer insulating film in the process of manufacturing a LCD.例文帳に追加
感度、絶縁性、耐化学性などの性能に優れているだけでなく、特に透過度および貯蔵安定性を顕著に向上させて、LCD製造工程の層間絶縁膜を形成することに適合した感光性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁
To provide an optical disk recorder, an optical disk recording method, an optical disk player and an optical disk, in which the highly reliable information is recordable or reproducible by reducing the influence of the interlayer crosstalk.例文帳に追加
この発明は、層間クロストークの影響を低減させ、信頼性の高い情報の記録再生を行なうことを可能とする光ディスク記録装置、光ディスク記録方法、光ディスク再生装置、光ディスクを提供することを目的としている。 - 特許庁
To provide a negative photosensitive resin composition to be used as an interlayer insulating resin used for a silicon wafer or the like, the composition having favorable developing property to a tetramethylammonium hydroxide (TMAH) aqueous solution and causing no decrease in adhesion property under PCT conditions.例文帳に追加
シリコンウエハー等に用いられる層間絶縁樹脂として用いられるネガ型感光性樹脂組成物において、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液に対する良好な現像性を有し、かつPCT条件下において密着性を低減させないこと。 - 特許庁
An MOS transistor is formed din an element region 57 on a silicon substrate 30, an element isolation region 58 for electrically isolating the element region 57 is formed in an STI region 36, and the entirety is coated by an interlayer insulating film 37.例文帳に追加
シリコン基板30上の素子領域57にはMOSトランジスタが形成され、この素子領域57を電気的に分離する素子分離領域58はSTI領域36で形成されており、全体を層間絶縁膜37が覆っている。 - 特許庁
A first protection insulating film 12 is formed on the lines 11B for contact and the fourth interlayer insulating film 10, and a first opening 12a for exposing the respective lines 11B for contact is formed in the first protection insulating film 12.例文帳に追加
各コンタクト用配線11Bの上及び第4層間絶縁膜10の上に第1保護絶縁膜12が形成されており、第1保護絶縁膜12には、各コンタクト用配線11Bを露出させる第1開口部12aが形成されている。 - 特許庁
Then, after a conductor film 23 and a metal film 24 covering the whole surface are formed, unnecessary portion on the interlayer insulating film 19 is polished and removed by CMP method to form the MISFET provided with the metal gate electrode of damascene structure.例文帳に追加
そして、全面を被覆する導電体膜23およびメタル膜24を形成した後、CMP法により層間絶縁膜19上の不要部分を研磨除去しダマシン構造のメタルゲート電極を備えたMIS型FETを形成する。 - 特許庁
This terminal reel is provided with: a reel body 12; the terminal continuum 20 wound around the reel body 12; and an auxiliary interlayer sheet 16 for guiding the inner circumference-side end 20a of the terminal continuum 20 when the terminal continuum 20 is extracted from the reel body 12.例文帳に追加
リール本体12と、リール本体12に巻回された端子連続体20と、端子連続体20がリール本体12から引出される際に、端子連続体20の内周側端部20aを案内する補助層間シート16とを備える。 - 特許庁
The arithmetic circuit 22 subtracts a K-fold magnified second detected signal and a L-fold magnified third detected signal from a first detected signal, using the constants K and L which are decided corresponding to the interlayer spacing between the reproducing information layer and the adjacent information layer.例文帳に追加
演算回路22は、再生情報層と隣接情報層との層間隔に応じて決定される定数K及びLを用い、第1の検出信号からK倍された第2の検出信号及びL倍された第3の検出信号を差し引く。 - 特許庁
To provide electronic components capable of coping with the mounting of a lead free solder, and of securing workability and joint reliability, and to provide a component containing board, capable of interlayer electrical connection with higher reliability and of coping with making the pitch of a wiring pattern finer.例文帳に追加
無鉛はんだ実装に対応でき、作業性および接合信頼性を確保できる電子部品、および、層間の電気的接続を信頼性高く行うことができ、配線パターンのファインピッチ化にも対応する部品内蔵基板を提供すること。 - 特許庁
A water absorption-resistant ring AHR is constituted of a polysilicon layer 152 patterned to surround at least the fuse 151, and a first-layer metal 182 connected to the polysilicon layer 152 through the opening area 172 of an interlayer insulating layer 16.例文帳に追加
防湿リングAHRは少なくともヒューズ151周辺を取り囲むようにパターニングされたポリシリコン層152、及びこのポリシリコン層152に層間絶縁層16の開口領域172を介して接続された第1層金属182で構成される。 - 特許庁
This allows focus control to be stably performed with respect to the second recording layer in which focusing is newly performed in a state that the spherical aberration has already been carried out, thereby, preventing the focus control from failing due to an unsuccessful interlayer jump.例文帳に追加
これにより、新に焦点を合わせる第2の記録層に対して球面収差補正が行われた状態で安定した焦点制御を行うことができ、層間ジャンプの失敗によって焦点制御がはずれることを防止できる。 - 特許庁
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|