「Interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(99ページ目) - Weblio英語例文検索

Thereafter, oxygen or hydrogen is bonded to a dangling bond of a semiconductor thin film 34 constituting the TFT 40, 43 by subjecting the resulting structure to heat treatment in a water atmosphere, and the interlayer insulating film 44 is made to be dense.例文帳に追加

その後、水分雰囲気中において熱処理を行うことによりＴＦＴ４０、４３を構成する半導体薄膜３４のダングリングボンドに酸素または水素を結合させると共に、層間絶縁膜４０の緻密化を図る。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device where an interlayer insulating film having a hollow structure and a relative permittivity as near as 1 is formed by employing an oxide film having a high selectivity and carrying out a selective etching process.例文帳に追加

高い選択性を有する酸化膜を使用して選択エッチング処理を行うことにより、比誘電率が限りなく１に近い中空構造の層間絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A second conductive layer 10a is formed below the reflection electrode 13 in the region corresponding to the reflection electrode 13 through the interlayer insulating film while a great number of holes are formed in the layer to produce recesses and projections.例文帳に追加

反射電極１３の下方には、層間絶縁膜を介して反射電極１３に対応する領域に積層されると共に多数の穴が開孔されることにより凹凸状に形成された第２導電層１０ａを有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device suppressing warpage deformation in a semiconductor substrate in a configuration, where an interlayer insulating film having a relatively large thickness is formed on the semiconductor substrate (semiconductor wafer), and also to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

半導体基板（半導体ウエハ）上に比較的大きな厚さの層間絶縁膜が形成される構成において、半導体基板に反り変形が生じることを抑制できる、半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A first interlayer insulating film 5 on a cobalt silicide film 4 on a semiconductor substrate 1 is etched, and a barrier metal film 106 and a further tungsten film 7 are deposited by inorganic CVD method, and a first W plug 108 is formed.例文帳に追加

半導体基板１上のコバルトシリサイド膜４上の第１の層間絶縁膜５をエッチングして、無機ＣＶＤ法によるバリアメタル膜１０６、更にタングステン膜７を堆積して第１のＷプラグ１０８を形成する。 - 特許庁

This self-adhesive tape has a self-adhesive layer containing a lipophilic layered clay mineral on a base sheet, wherein the layered clay mineral is exfoliated and dispersed, and the interlayer distance of the layered clay mineral is 50 Å or larger.例文帳に追加

本発明の粘着テープは、親油性の層状粘土鉱物を含む粘着剤層を基材シート上に有し、該層状粘土鉱物が剥離分散しており、該層状粘土鉱物の層間距離が５０Å以上である。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that can let a gate electrode include a conductive material having a preferable work function and need not consider a relationship in etching condition between component materials of the gate electrode and an interlayer insulating layer.例文帳に追加

ゲート電極を好適な仕事関数を有する導電材料から構成することができ、ゲート電極の構成材料と層間絶縁層のエッチング条件との関係を考慮する必要のない半導体装置を提供する。 - 特許庁

When desired wiring patterns 2 and 5 are formed on a plurality of layers via an interlayer insulating layer 4, layers 3, 6 and 9 of different types of metals are formed on surfaces or bottoms of the patterns 2 and 5 to prevent the occurrence of ion migration.例文帳に追加

層間絶縁層４を介して複数層に所要の配線パタ−ン２，５を形成する場合に、配線パタ−ン２，５の表面又は底部に層間絶縁層４とイオンマイグレ−ションを起こさない異種金属層３，６，９を形成する。 - 特許庁

The bottom of a groove 12a formed at when a machining is stopped is irradiated with the plasma of a gas containing fluorine by stopping the machining once without forming the wiring groove 12 to an interlayer insulating film 3 by one-time machining.例文帳に追加

一回の加工によって層間絶縁膜３に配線溝１２を形成するのではなく、一旦加工を停止して、その時点で形成されている溝１２ａの底部に向けてフッ素を含有するガスのプラズマを照射する。 - 特許庁

By reducing the stress caused by the difference in thermal expansion between the IC chip 20, the core substrate 30 is relaxed by the filler resin 34, thus protecting an interlayer insulation layer 50 against stripping or cracking.例文帳に追加

充填樹脂３４の弾性率を下げることで、充填樹脂３４によりＩＣチップ２０とコア基板３０との間の熱膨張差により生じる応力を緩和させ、層間樹脂絶縁層５０の剥離、クラックの発生を防ぐ。 - 特許庁

To provide an electronic component built-in substrate, along with a manufacturing method thereof and an inspection method thereof, capable of readily and accurately inspecting the state of an interlayer connection between an electronic component and a wiring layer on a multilayer printed wiring board.例文帳に追加

多層プリント配線基板における電子部品と配線層との層間接続の状態を、簡便且つ精度よく検査することが可能な電子部品内蔵基板、その製造方法、及びその検査方法を提供する。 - 特許庁

Any of a plurality of contact plugs CP0 which reaches a diffusion layer 3 serving as a drain layer of an MOS transistor Q1 has its end provided in contact with the lower surface of a thin insulating film 19 provided selectively on an interlayer insulating film IL1.例文帳に追加

複数のコンタクトプラグＣＰ０のうちＭＯＳトランジスタＱ１のドレイン層となる拡散層３に達するものは、その端部が層間絶縁膜ＩＬ１上に選択的に配設された薄膜絶縁膜１９の下面に接している。 - 特許庁

On the surface of the interlayer dielectric of the side opposite to the semiconductor layer, a hollow part locally recessed toward the semiconductor layer is formed in the region of the channel region, which light shields at least the edge part of the channel region.例文帳に追加

層間絶縁膜における半導体層とは反対側の表面には、チャネル領域のうち少なくともチャネル領域の縁部を遮光可能な領域において、半導体層に向かって局所的に窪んだ凹部が形成されている。 - 特許庁

An insulating film used for a TFT such as, for example, a gate insulating film, protection film, undercoating film, interlayer insulating film or the like, is formed by sputtering a silicon nitride film containing 0.1-50 atoms % or 1-50 atoms %, preferably 0.1-10 atoms % of boron.例文帳に追加

ＴＦＴに利用する絶縁膜、例えばゲート絶縁膜、保護膜、下地膜、層間絶縁膜等として、ボロンを０．１〜５０atoms ％又は１〜５０atoms ％、望ましくは０．１〜１０atoms ％含む窒化珪素膜をスパッタ法で形成する。 - 特許庁

A multilayer wiring semiconductor integrated circuit chip and a mounting board are directly fixed together by thermocompression bonding or connected together by soldering, to improve the multilayer wiring semiconductor integrated circuit module in heat radiating properties by heat radiation through a metal and an interlayer insulating film by making a ground plate large.例文帳に追加

多層配線半導体集積回路チップと実装基板を直接熱圧着あるいははんだ接続してメタル経由の放熱と、グランドプレートを大きく採って層間絶縁膜経由の放熱によって放熱性を高める。 - 特許庁

The interlayer insulation film covers a plurality of gate wirings 16 extending parallel to each other, and the void 19 and the contact plugs 22 are formed between adjoining two gate wirings 16 among a plurality of gate wirings 16.例文帳に追加

層間絶縁膜は、相互に並行して延在する複数のゲート配線１６を被覆しており、ボイド１９及びコンタクトプラグ２２は、複数のゲート配線１６のうち隣接する２つのゲート配線１６の間に形成されている。 - 特許庁

To provide a means for preventing a deterioration in a light emitting element caused by a difference in the temperature characteristics between an interlayer insulating film and an anode in a light emitting device having the anode, an organic compound layer, and a cathode.例文帳に追加

陽極、有機化合物層及び陰極からなる発光素子を有する発光装置において、層間絶縁膜と陽極との温度特性の違いにより生じる発光素子の劣化を防ぐ手段を提供することを課題とする。 - 特許庁

Two sheets of core board 1, in which the wiring layers which are connected via an interlayer wiring layer are formed on both front and rear surfaces, are prepared, and a supporting plate 101 is provided between the core boards to form a laminated body 30 of the core boards by lamination and fixing.例文帳に追加

表裏両面に、層間配線層を介して連なる配線層が形成されたコア基板１を２枚用意し、その間に支持板１０１を介在させて貼り合わせて固定してコア基板貼り合せ体３０とする。 - 特許庁

The interlayer connection viaholes 51a to 51d are continuously connected one another in the direction of lamination of the insulating sheets 41a to 41i to compose a relay via conductor 51 for electrically interconnecting inductors L1 and L2 and a capacitor C2.例文帳に追加

層間接続用ビアホール５１ａ〜５１ｄは、それぞれ絶縁シート４１ａ〜４１ｉの積み重ね方向に連接することにより、インダクタＬ１，Ｌ２とコンデンサＣ２相互間を電気的に接続する中継用ビア導体５１を構成する。 - 特許庁

An interlayer insulating film 6 is applied on the electrodes 5 and a P-type buffer region 10, which is used as a pressing buffer region 21, is formed in the surface layer of the substrate 1 in the vicinity of a contact terminal body 9 to come into contact with an edge part 12.例文帳に追加

ゲート電極５上に層間絶縁膜６を被覆し、コンタクト端子体９のエッジ部１２が接触する近傍では、半導体基板１の表面層に加圧緩衝領域２１となるｐバッファ領域１０を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of preventing delamination for a package constructed by carrying out resin-sealing for a semiconductor element comprising a vulnerable interlayer insulating film having a low dielectric constant, which is caused by a stress applied to the peripheral portion of the semiconductor element, thereby making it possible to improve the element reliability.例文帳に追加

脆弱な低比誘電率層間絶縁膜を備えた半導体素子を樹脂封止したパッケージに対し、素子周辺部に加わる応力に起因する層間隔離を防止することができ、信頼性の向上をはかる。 - 特許庁

Since this configuration prevents the narrowing of an area between adjacent leading portions, interlayer peeling hardly occurs, the shortest path of currents intputted and outputted into and from the leading-out portions is ensured, and thus, equivalent serial inductance can be reduced.例文帳に追加

隣接する引出部間の面積が狭くならなくなるので層間剥離を生じにくく、しかも引出部に入出力する電流のうち最も短い電流経路が確保され等価直列インダクタンスを低くすることができる。 - 特許庁

By the interlayer displacement or response speed difference of the building generated during earthquake, the plate is pushed and pulled in the plate axis direction, that is, a tensile force or compressive force acts, and the ring body 12 mainly generates bending stress.例文帳に追加

このプレート１４が地震時に生じる建物の層間変位や応答速度差により、板軸方向へ押し引きされると、すなわち、引張力或いは圧縮力が作用すると、リング体１２には主として曲げ応力が発生する。 - 特許庁

Interconnects 10 are formed on the upper layer of an interlayer insulating film 9 that covers MISFETs Q1 formed on the main surface of a semiconductor substrate 1, and dummy interconnects 11 are arranged in regions where the interconnects 10 has a wide distance from each other.例文帳に追加

半導体基板１の主面上に形成されたＭＩＳＦＥＴＱ１を覆う層間絶縁膜９の上層に配線１０を形成するとともに、その配線１０間の間隔が広い領域にダミー配線１１を配置する。 - 特許庁

In the interlayer insulating film 104 (or 104a and 104b), there is formed upper layer wiring comprising a barrier metal film 106 (or 106a and 106b) and a copper-containing metal film 111 (or 111a and 111b).例文帳に追加

この層間絶縁膜１０４（または１０４ａおよび１０４ｂ）中にバリアメタル膜１０６（または１０６ａおよび１０６ｂ）および銅含有金属膜１１１（または１１１ａおよび１１１ｂ）からなる上層配線を形成する。 - 特許庁

To provide a technology of suppressing the propagation of cracks caused at the time of dicing to a seal ring part and improving the reliability of the semiconductor device even in the semiconductor device using a low-k film as an interlayer insulating film.例文帳に追加

Ｌｏｗ−ｋ膜を層間絶縁膜として用いた半導体装置であっても、ダイシング時に発生するクラックがシールリング部へ伝播するのを抑制し、半導体装置の信頼性を向上する技術を提供する。 - 特許庁

In response to a fact that recording on a certain recording layer reaches a maximum recording range or that data recording advances from a certain recording layer to a next recording layer, interlayer folding back position information is recorded in the recording medium.例文帳に追加

そして或る記録層での記録が最大記録範囲に達した場合、又は或る記録層から次の記録層へとデータ記録の移行が行われたことに応じて、記録媒体に層間折り返し位置情報が記録される。 - 特許庁

A pair of magnetic tunnel junction structures composed of lower magnetic layers 9 and 9, barrier films 10 and 10, upper magnetic layers 11 and 11, and dummy films 16 and 16 are formed respectively on the antiferromagnetic films 8, while being insulated and separated with an interlayer insulation film 12.例文帳に追加

各反強磁性膜８上に、下磁性層９，９、バリア膜１０，１０、上磁性層１１，１１及びダミー膜１６，１６からなる一対の磁気トンネル接合構造を、層間絶縁膜１２でそれぞれ絶縁分離して形成する。 - 特許庁

A first gate electrode 2 made of chromium, a gate insulating film, an active layer 4 which is made of polycrystalline silicon and has a source, a channel 7, and drain 6, are formed on an insulating substrate, and they are entirely covered with an interlayer dielectric.例文帳に追加

絶縁性基板１上に、Ｃｒからなる第１のゲート電極２、ゲート絶縁膜３、多結晶シリコン膜からなりソース５、チャネル７及びドレイン６を備えた能動層４を形成し、その全面に層間絶縁膜９を形成する。 - 特許庁

This is heated to eliminate gas in the interlayer insulation film 6 to quickly cool it down to a substrate holder temperature, and after impurities in the contact hole 6A are removed by RF plasma annealing, a wiring layer 7 is formed as a desirable pattern.例文帳に追加

これを加熱して層間絶縁膜６中のガス除去して基板ホルダ温度まで急速冷却し、ＲＦプラズマアニールによりコンタクトホール６Ａ中の不純物を除去した後配線層７を所望のパターンに形成する。 - 特許庁

A void 19 is formed in the interlayer insulation film to connect adjoining two contact plugs 22 to each other among the contact plugs 22, and a void interconnection 21 is embedded in the void 19 to connect the two contact plugs 22 with each other.例文帳に追加

層間絶縁膜には、複数のコンタクトプラグ２２のうち隣接する２つのコンタクトプラグ２２をつなぐボイド１９が形成され、ボイド１９内には、２つのコンタクトプラグ２２を相互に接続するボイド内配線２１が埋め込まれている。 - 特許庁

An angle θ2 of inclination which a side face 17c forms with a flat face of a third interlayer insulating film 43 is 17°, and an angle δ2 of deposition which an inorganic material deposited forms with the side face 17c is 62° (45°+17°).例文帳に追加

側面１７ｃが第３層間絶縁膜４３の平坦な面となす傾斜角θ２の角度は１７度であり、側面１７ｃに対して無機材料が蒸着される蒸着角度δ２は、６２度（４５度＋１７度）である。 - 特許庁

Apertures in a reverse circular truncated cone shape substantially of the same size are formed in the respective interlayer oxide films 5d, 5e so that a contact hole 51 having a shape of two vertically continuous reverse circular truncated cones as a whole is formed.例文帳に追加

この層間酸化膜５ｄ，５ｅそれぞれには、略同じ大きさの逆円錐台状の開口が形成され、全体として２つの逆円錐台が上下に連続するような形状のコンタクトホール５１を形作っている。 - 特許庁

Semiconductor chips (105, 115, 205, 216, 303 and 313) respectively loaded on the substrates (101, 111, 201, 211, 301 and 311) of plural stages are connected in interlayer by using a connection means for connecting them within the size of the substrate.例文帳に追加

複数段の基板（１０１、１１１、２０１、２１１、３０１、３１１）上にそれぞれ搭載された半導体チップ（１０５、１１５、２０５、２１６、３０３、３１３）を基板の大きさ内で接続する接続手段を用いて層間接続する。 - 特許庁

A method is characterized by that a maximum height Ry of a convexoconcave of a surface of a substrate 20 on which the carbon coating 22 is formed is T or less at a standard length of 100 times of T, when a thickness of an interlayer 21 is defined as T.例文帳に追加

中間層２１の厚さをＴとしたとき、炭素被膜２２が形成される基体２０表面の凹凸の最大高さＲｙが、Ｔの１００倍の基準長さにおいてＴ以下であることを特徴としている。 - 特許庁

To provide a resin composition which can furnish a cured product with excellent flexibility, soldering heat resistance, heat deterioration resistance and electroless gold deposition resistance, can be developed by an organic solvent or a dilute alkaline solution, and is suitable for a solder resist and an interlayer dielectric layer.例文帳に追加

硬化物の可撓性や半田耐熱性、耐熱劣化性、無電解金メッキ耐性に優れ、有機溶剤又は希アルカリ溶液で現像ができ、ソルダーレジスト用及び層間絶縁層用に適する樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing agent in which even if a polishing surface contains an interlayer dielectric of a low dielectric constant, the polishing surface having a high flatness is obtained, and further polishing scratches after polished can be suppressed; and a chemimechanical polishing method using the same.例文帳に追加

被研磨面に低誘電率の層間絶縁膜が含まれていても平坦性が高い被研磨面が得られ、さらに研磨後の研磨キズを抑制できる研磨液、及びそれを用いて化学機械研磨する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an electronic part packaging structure including electronic parts embedded in an interlayer dielectric on a wiring board therein, which eliminates bumps due to thickness of the electronic parts to flatten it.例文帳に追加

電子部品が配線基板上の層間絶縁膜に埋設された構造を有する電子部品実装構造の製造方法において、電子部品の厚みに起因する段差を容易に解消して平坦化できる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a water-based dispersing substance for chemical machinery polishing which has a high polishing speed and high flattening characteristics for a wiring material, a barrier metal film, and an interlayer insulating film, and a chemical machinery polishing method using the same.例文帳に追加

配線材料、バリアメタル膜および層間絶縁膜に対する高研磨速度と高平坦化特性を同時に備えた化学機械研磨用水系分散体、およびこれを用いた化学機械研磨方法を提供することにある。 - 特許庁

Owing to the silicides 32a, 32b formed at the connecting portions of the contact plugs 5a, 5b, etching is barely effected onto the resistor 31 in forming contact holes, by etching, for the contact plugs 5a, 5b in a first interlayer insulating film 4a.例文帳に追加

また、コンタクトプラグ５ａ，５ｂの接続部にシリサイド３２ａ，３２ｂが形成されているので、コンタクトプラグ５ａ，５ｂのためのコンタクトホールをエッチングにて第１層間絶縁膜４ａに形成する際に、抵抗３１へのエッチングが生じにくい。 - 特許庁

A method of manufacturing the multilayer wiring board has a process of forming an insulating layer 5 on a base on which bumps 4 for interlayer connection are formed, a process of sandwiching the base with stainless plates 22 and thermocompression-bonding the copper foil 3 onto the insulating layer 5, and a process of patterning the copper foil 3.例文帳に追加

層間接続のためのバンプが形成された基材上に絶縁層を形成する工程と、ステンレス板で挟み込み絶縁層上に銅箔を熱圧着する工程と、銅箔をパターニングする工程とを有する。 - 特許庁

To solve the following problem: when an opening is formed at an interlayer insulating film for a light-receiving section of a photodetector, fluctuation in characteristics of circuit elements around the light-receiving section or deterioration in wiring occurs due to humidity absorption or the invasion of light through the wall surface of the opening.例文帳に追加

光検出器の受光部に対応して層間絶縁膜に開口部を設けると、開口部壁面からの吸湿や光の侵入により、受光部の周囲の回路素子の特性変動や配線劣化を生じる。 - 特許庁

When the thickness of the reflection preventing film 5 in a via hole provided in an interlayer insulating film 11 is shown by (y) and a distance from the bottom of a wiring groove to the upper surface of a lower layer wiring layer 1 (the upper surface of the lower layer wiring) is shown by (x), the relation of x>y is specified.例文帳に追加

層間絶縁膜１１に設けたビアホール内の反射防止膜５の膜厚をｙ、配線溝底部から下層配線層１上面（下層配線上面）までの距離をｘとしたときに、ｘ＞ｙとする。 - 特許庁

Afterwards, after forming a through hole 102 to penetrate through the interlayer insulating layer 5, etching is applied on the buffer layer 4 so that a residual material 103 containing at least one kind of material out of two kinds or more of materials will remain.例文帳に追加

その後、層間絶縁膜５を貫通する貫通孔１０２を形成した後、２種類以上の物質のうちの少なくとも１種の物質を含む残留物１０３が残存するように、緩衝層４をエッチングする。 - 特許庁

A manufacturing method is provided with a reduction process for reducing an aspect ratio of a partial region between gate electrodes and diffusion layers made to be lower than that of a region, except for the partial region between the gate electrodes, prior to the formation of an interlayer insulating film.例文帳に追加

層間絶縁膜を形成する前に、ゲート電極間かつ拡散層間の一部領域のアスペクト比を、このゲート電極間のこの一部領域以外の領域のアスペクト比より低減させる低減工程を備える。 - 特許庁