「Interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(97ページ目) - Weblio英語例文検索

A semiconductor substrate SB having an interlayer insulating film 3 formed thereon is accommodated in a chamber, and a large quantity of a nitrogen gas is introduced into the chamber to purge air or the like in the chamber and to replace an atmospheric gas in the chamber with a nitrogen gas.例文帳に追加

層間絶縁膜３を形成した状態の半導体基板ＳＢをチャンバー内に収容し、大量の窒素ガスをチャンバー内に導入してチャンバー内の空気等をパージし、チャンバー内の雰囲気ガスを窒素ガスに置換する。 - 特許庁

Furthermore, an EQR contact 10a where at least the sidewall is covered with the interlayer insulating film 7 is formed in contact with the curve part 8b of the EQR electrode and the semiconductor substrate 30 on the outside thereof.例文帳に追加

さらに、ＥＱＲ電極の曲線部８ｂとＥＱＲ電極の曲線部８ｂの外側の半導体基板３０とに接し、少なくとも側壁が層間絶縁膜７に覆われたＥＱＲコンタクト１０ａが形成されている。 - 特許庁

On the polycrystal silicon film 25 corresponding to the gate electrode 22, a stopper 26 is arranged, and a silicon oxide film 27, a silicon nitride film 28 and a silicon oxide film 29 are laminated as an interlayer insulating film so as to cover this stopper 26.例文帳に追加

ゲート電極２２に対応する多結晶シリコン膜２５上に、ストッパ２６が配置され、このストッパ２６を被うように、酸化シリコン膜２７、窒化シリコン膜２８及び酸化シリコン膜２９が層間絶縁膜として積層される。 - 特許庁

To provide a negative photosensitive resin composition to be used for a printed wiring board or the like, the composition having preferable developing property to a tetramethylammonium hydroxide (TMAH) aqueous solution and having thermal shock resistance required as an interlayer insulating resin.例文帳に追加

プリント配線板等に用いられるネガ型感光性樹脂組成物において、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液に対する良好な現像性を有し、かつ層間絶縁樹脂として要求される耐熱衝撃性を有すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a higher degree of wiring integration and capable of ensuring reliability even if a film having a low mechanical strength such as a low permittivity film is used as an interlayer insulating film, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

層間絶縁膜として低誘電率膜のように機械的強度が低い膜を用いた場合であっても配線の集積度が高く且つ信頼性を確保できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Since there is an interlayer film 44 provided between the aluminum wiring 48 and the field oxide film 38, an inversion is hardly caused in the surface of the semiconductor substrate 36 located under the field oxide film 38 by the voltage of the aluminum wiring 48.例文帳に追加

また、アルミ配線４８とフィールド酸化膜３８との間には層間膜４４があるので、アルミ配線４８の電圧によってフィールド酸化膜３８の下にある半導体基板３６の表面が反転することもほとんどない。 - 特許庁

To provide a multi-layer film including a resin composition layer having an alicyclic structure-containing polymer which has high interlayer adhesive property, and a polypropylene resin composition layer having transparency and capable of being used as a film for a package body.例文帳に追加

層間接着強度及び透明性が高く、包装体用フィルムとして用いることのできる、脂環式構造含有重合体を含有してなる樹脂組成物層と、ポリプロピレン樹脂組成物層との多層フィルムを提供すること。 - 特許庁

Then, the interlayer insulting film 11 in a region where the both end parts of the pair of repairing wirings 2 is destroyed, and the one end part of the pair of repairing wirings 2 and the bypass wiring 20a are welded and the other end part and the drain wiring 5 are welded.例文帳に追加

次に、１対のリペア配線２の両端部が配置されている領域の層間絶縁膜１１が破壊され、１対のリペア配線２の一方の端部とバイパス配線２０ａとを、他方の端部とドレイン配線５とを溶接する。 - 特許庁

To mutually connect wiring, electrodes, devices, etc., which form a layered structure on a substrate and which are separated from each other by interlayer insulation in a way no ruggedness is created on the upper layer of the layered structure above connecting spots and around its circumference.例文帳に追加

基板上で積層構造をなし且つ相互に層間絶縁される配線、電極、素子等間を、接続個所及びその周辺における当該積層構造の上層に凹凸が殆ど生じないように相互に接続する。 - 特許庁

Furthermore, lead-out electrodes T13 and T15 are led out, as the capacitor element C1, by an overlying metallization metal 16 through next interlayer insulation film 122 via each VIA of W plug, for example.例文帳に追加

さらに、次の層間絶縁膜１２２を介し、上層の配線層メタル１６により、容量素子Ｃ１としての引き出し電極Ｔ13、Ｔ15がそれぞれ、例えばＷプラグによる各ビアＶＩＡを介して導出され構成されている。 - 特許庁

A resist film to from a contact hole in a gate insulating layer and an interlayer insulating film is exposed not only through the front side of an insulating substrate 10 but through both of the front side and the rear side.例文帳に追加

従来のように、ゲート絶縁層及び層間絶縁膜にコンタクトホールを形成するためのレジスト膜に対して、絶縁基板１０の表面側のみから露光するのでなく、表面側と裏面側とから露光処理を行う。 - 特許庁

To provide a vibration control bearing wall panel having sufficiently high deforming performance in response to interlayer deformation and no problem that bending occurs in the vertical frame member of the panel, and achieving the smaller cross sections of braces by suppressing axial force on the braces.例文帳に追加

層間変形に対して十分に高い変形性能が得られ、パネルの縦枠材に曲げが生じる問題がなく、かつブレースにかかる軸力を抑えてブレースの断面を小さくできる制振耐力壁パネルを提供する。 - 特許庁

The interlayer connection bonding sheet (100a) for multilayer substrate is configured so that adhesive layers (20a) consisting of a mixture of an alkenylphenol compound and maleimides are laminated at least on one surface of an insulated substrate (10) made of a resin composite.例文帳に追加

樹脂組成物からなる絶縁基材（１０）の少なくとも片面にアルケニルフェノール化合物およびマレイミド類の混合物からなる接着層（２０ａ）が積層されている、多層配線基板用層間接続ボンディングシート（１００ａ）。 - 特許庁

In a manufacturing process of a semiconductor device having a multilayered wiring structure by the dual damascene method, an opening 260A is formed by removing a second interlayer insulating film 260 with an essential first hard mask layer 270 as a mask.例文帳に追加

デュアルダマシン法を利用した多層配線構造を有する半導体装置の製造方法において、実質的には第一のハードマスク膜２７０をマスクとして、第二の層間絶縁膜２６０を除去し、開口部２６０Ａを形成する。 - 特許庁

This light transmitting window material 1 having electromagnetic wave shielding property is constituted by integrating a transparent substrate 2, an antireflection film 8, an electrically conductive mesh 3 and a near infrared light cutting film 5 with interlayer films 4A, 4B for adhesion and an adhesive agent 4C.例文帳に追加

１枚の透明基板２と、反射防止フィルム８と、導電性メッシュ３と、近赤外線カットフィルム５を接着用中間膜４Ａ，４Ｂ及び粘着剤４Ｃで一体化した電磁波シールド性光透過窓材１。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a multilayer-coated metallic sheet, in which uncured multilayer coating films can be prevented from being mixed with one another and the interlayer movement of a reactive substance such as a monomer of a resin can also be prevented when uncured multilayer coating films are dried simultaneously.例文帳に追加

未硬化の多層皮膜を同時に乾燥させる際に，混層を防止することに加えて，樹脂モノマーなどの反応物質の層間移動をも防止することが可能な多層被覆金属板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a single crystal substrate which can improve the surface state of an interlayer 3a and which can be preferably used in the film formation of a nitride semiconductor single crystal 2, and the method of manufacturing the nitride semiconductor single crystal 2 using the same.例文帳に追加

中間層３ａの表面状態を改善させ、窒化物半導体単結晶２の成膜に好ましく用いることの出来る単結晶基板と、それを用いた窒化物半導体単結晶２の製造方法を提供すること。 - 特許庁

A common electrode 23t, a pixel electrode 24t, laminated on the common electrode 23t with an interlayer insulating layer 33 interposed in between, and a TFT element 22t, are formed on a transmissive display section 4t on the glass substrate 21.例文帳に追加

ガラス基板２１上のうち透過表示部４ｔには、共通電極２３ｔと、共通電極２３ｔ上に層間絶縁層３３を挟んで積層された画素電極２４ｔと、ＴＦＴ素子２２ｔとが形成されている。 - 特許庁

The transmission line interlayer connector 100 comprises a conductor layer 3B, a dielectric layer 1C, a ground conductor layer 2B, a dielectric layer 1B, a ground conductor layer 2A, a dielectric layer 1A, and a conductor layer 3A which are stacked from the bottom in this order.例文帳に追加

伝送線路層間接続器１００は、導体層３Ｂ、誘電体層１Ｃ、地導体層２Ｂ、誘電体層１Ｂ、地導体層２Ａ、誘電体層１Ａ、導体層３Ａがこの順に下から積層されて構成されている。 - 特許庁

On the interlayer insulating film 20, a wire 22b is formed as connected to the gate electrode 5b via the first connecting hole 20b, and a dummy pattern 22a is formed as connected to the MNOS element 10 via the second connecting hole 20a.例文帳に追加

層間絶縁膜２０上に、第1の接続孔２０ｂを介してゲート電極５ｂに接続する配線２２ｂを形成すると共に、第２の接続孔２０ａを介してＭＮＯＳ素子１０に接続するダミーパターン２２ａを形成する。 - 特許庁

Drain - drain connection layers 31a and 31b are formed on a first-layer interlayer insulation layer 65, and each connects the drain of the drive transistor Q3 and that of the load transistor Q5, and that of the drive transistor Q4 and that of the load transistor Q6.例文帳に追加

ドレイン−ドレイン接続層３１ａ，３１ｂは第１層目の層間絶縁層６５上に形成され、其々が駆動トランジスタＱ_3のドレインと負荷トランジスタＱ_5のドレイン、駆動トランジスタＱ_4のドレインと負荷トランジスタＱ_6のドレインを接続する。 - 特許庁

Since all capacitor cells are placed on a groove part of a LO COS oxide film 9 on an N-type well region 6, the position of an upper electrode 18 can be made low, and as a result, an interlayer insulation film 19 is formed evenly.例文帳に追加

キャパシタ・セルは、すべてＮ型ウエル領域６上のＬＯＣＯＳ酸化膜９の溝部１２上に配置されているので、上部電極１８の位置が低くでき、その結果、層間絶縁膜１９を平坦に形成できる。 - 特許庁

In the multilayer substrate, partial holes 15 of a plurality of holes which penetrate an insulating base material 11 and an adhesion layer 13 are filled with an adhesive 17, and temporarily adhered by the adhesive 17 before interlayer adhesion by the adhesion layer 13.例文帳に追加

絶縁性基材１１と接着層１３を貫通する複数個の穴のうちの一部の穴１５に接着剤１７を充填し、接着層１３による層間接着に先だって接着剤１７によって仮接着を行う。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, in which the occurrence of very small projections on the surface of an inorganic SOG film containing an Si-H bond can be prevented at forming of an interlayer insulating film, using the SOG film.例文帳に追加

半導体装置の製造方法に関し、Ｓｉ−Ｈ結合を含む無機ＳＯＧ膜を用いて層間絶縁膜を形成する際に、Ｓｉ−Ｈ結合を含む無機ＳＯＧ膜の表面に微小突起が発生するのを防ぐ。 - 特許庁

To provide a hole cleaning method of cleaning any hole bored in an interlayer insulating film capable of efficiently and surely removing deposits on the side wall or bottom of a processed part, and to provide a method of manufacturing a semiconductor device which is simple and capable of reducing the manufacturing cost of the device.例文帳に追加

加工部側壁や底部の付着物を効率よく、確実に除去できる層間絶縁膜の穴部清掃方法および、簡便で、コスト低減を図ることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Above a heater 3 comprising a polysilicon resistance connected electrically with heater electrodes 4, a nano-granular thin-film resistance 1 made of Al_2O_3 and Co is provided via an interlayer film made of BPSG (Boron-doped Phospho-Silicate Glass) 7 and TEOS (tetra ethyl ortho silicate) 8.例文帳に追加

ヒータ電極４が電気的に接続されたポリシリコン抵抗からなるヒータ３上にＢＰＳＧ７及びＴＥＯＳ８からなる層間膜を介してＡｌ_２Ｏ_３とＣｏからなるナノグラニュラー薄膜抵抗１を設ける。 - 特許庁

An interlayer insulating film composed of a plurality of laminated films of different materials is provided on a substrate, and at least one of the laminated films, preferably the lowest laminated film is composed of an aluminum opxide film 206 or of a boron nitride film.例文帳に追加

基板上に、材質の異なる複数の積層膜から構成された層間絶縁膜を設け、積層膜の内の少なくとも一層、好ましくは最下層、をアルミニウム酸化膜２０６又はボロン窒化膜とした半導体装置。 - 特許庁

To provide an aqueous surface preparation agent for particularly improving the interlayer adhesion between a metallic material and a resin coating layer such as a film and a coating film, and for improving the corrosion resistance and solvent resistance of a metallic material or the like.例文帳に追加

特に金属材料とフィルムや塗膜などの樹脂被覆層との層間密着性を向上させ、さらに金属材料などの耐食性や耐溶剤性を向上させるための水性下地処理剤を提供すること。 - 特許庁

The surface of the substrate 1 in the terminal region 52 and the surface of the substrate 1 in the element region 51 are formed in a planar form together, and the upper surface of the second interlayer dielectric 11 is formed flush with the substrate 1.例文帳に追加

終端領域５２の基板１の表面、及び素子領域５１の基板１の表面は、平面状に揃って形成されており、且つ第２層間絶縁膜１１の上面が基板１に対して平坦に形成されている。 - 特許庁

In a semiconductor device, electrodes 17a and 17b formed on an interlayer insulating film 14 integrally constitute a lower electrode 20 of a memory capacitor, in such a state that the electrodes 17a and 17b are electrically connected to each other through sidewalls 19 formed on the peripheries of the electrodes 17a and 17b.例文帳に追加

層間絶縁膜１４上に形成された電極１７ａ及び１７ｂは周縁に形成されたサイドウォール１９によってそれぞれが電気的に接続され、一体となってメモリキャパシタの下部電極２０を構成する。 - 特許庁

To prevent an interlayer separation and the deformation of a concave portion, to prevent a bonding defect, etc. at the mounting of an electronic component, such as an LSI, and to prevent the deformation of a conductor section of a via conductor, etc. filled in a wiring pattern and through-holes.例文帳に追加

層間剥離および凹部の変形を防止し、ＬＳＩ等の電子部品を搭載する際にボンディング不良等を防止し、また配線パターンやスルーホールに充填したビア導体等の導体部の変形を防止すること。 - 特許庁

In this manufacturing method, first, interlayer insulating films 15 of place where are to be cut or contact is to be performed are removed (Figure 1 (a)-2, Figure 1 (b)-2) by irradiating laser irradiation places for cutting with a ultraviolet laser beam whose wavelength is 355 nm from the surface side of a TFT (thin film transistor) array substrate.例文帳に追加

まず波長が３５５ｎｍである紫外光レーザを、ＴＦＴアレイ基板の表面側から照射することにより、カットおよびコンタクトさせる箇所の層間絶縁膜１５を除去する（図１(a)-2 、図１(b)-2 ）。 - 特許庁

To provide a chemically amplified negative resist composition that has a good sensitivity to i-line and that is capable of forming a surface protective film, an interlayer insulating film and a flattening film excellent in various characteristics such as resolution, electric insulating property and thermal shock property.例文帳に追加

i線に対する感度が良好であり、且つ解像性、電気絶縁性、熱衝撃性等の諸特性に優れた表面保護膜、層間絶縁膜、平坦化膜を形成しうる化学増幅型ネガ型レジスト組成物の提供。 - 特許庁

To provide a printed circuit board capable of reducing time required for processing a via hole, efficiently executing a plating process to the inside of the via hole, and thereby achieving interlayer conduction with high reliability; and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

ビアホール加工の所要時間を短縮でき、ビアホールの内部に対するメッキ工程を効率的に行うことができるので、層間導通を信頼性よく実現できる印刷回路基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Then an interlayer insulating film is formed by using an organic insulator.例文帳に追加

ソース線とＴＦＴを電気的に接続する配線およびＴＦＴと画素電極とを電気的に接続する配線と同一の面上に遮光膜を形成し、該遮光膜上に絶縁膜を形成した後、有機絶縁膜を用いて層間絶縁膜を形成する。 - 特許庁

Also, if a BD is a multilayer optical disk, the spherical aberration also increases when an interlayer jump is made from one of a plurality of information recording layers to another layer, and therefore, in response to this, the collimating lens CL is moved in the optical axis direction.例文帳に追加

又、ＢＤが多層光ディスクの場合、複数の情報記録面の１層から他層へ層間ジャンプを行う際にも球面収差が増大するので、それに応じて、コリメートレンズＣＬを光軸方向へ移動させている。 - 特許庁

The method for manufacturing the electronic part includes steps of: providing a plurality of wiring patterns and an insulating layer interposed between these wiring patterns; and electrically connecting between the wiring patterns by an interlayer connector passing through the insulating layer.例文帳に追加

複数の配線パターンと、これら配線パターンの間に介在する絶縁層とを備えるとともに、前記絶縁層を貫通する層間接続部にて前記配線パターン間の電気的接続を行う電子部品の製造方法である。 - 特許庁

Such gradual cutting allows even tensile stress to exert on portions along respective lines 5a to 5d, as a result an interlayer insulating film on the lines 5a to 5d is accurately cut together with the substrate 4.例文帳に追加

このような段階的な切断は、各切断予定ライン５ａ〜５ｄに沿った部分に均等な引張応力を作用させ、その結果、基板４と共に切断予定ライン５ａ〜５ｄ上の層間絶縁膜が精度良く切断されることになる。 - 特許庁

The structure minimizes variations caused in the manufacturing processes of the circuit board, dimension changes of the insulation base material or the insulation base material for the interlayer connection, and the like and improves the positioning accuracy of the lamination of the circuit board having the multilayer structure.例文帳に追加

これにより、回路基板の製造過程でのバラツキや、絶縁基材あるいは層間接続用絶縁基材の寸法変化等を最小にし、多層構造の回路基板の位置決め積層精度を向上させることができる。 - 特許庁

To provide an aqueous dispersion composition that can form a primer layer that has excellent interlayer adhesion to the topcoat layer including fluorine plastic resin and can improve the hardness and the abrasion resistance as a whole, and provide a coating film structure by using the same.例文帳に追加

フッ素樹脂を含むトップコート層との層間密着性に優れ、塗膜全体としての硬度と耐磨耗性を向上させることができるプライマー層を形成し得る水性分散組成物とそれを用いた塗膜構造を提供する。 - 特許庁

A first wiring film 10 is formed on a glass substrate, an interlayer insulating film 20 is formed on the first wiring layer film 10, and a second wiring film 30 composed of a gate wire 32 and an attached capacitive wire 34 is formed thereon.例文帳に追加

ガラス基板上に第１配線膜１０が形成され、第１配線膜１０の上に層間絶縁膜２０が形成され、その上に第２配線膜３０としてのゲート線３２及び付加容量線３４が形成されている。 - 特許庁

An interlayer insulating film 14 is formed on a semiconductor substrate 10 to cover a field-effect transistor, and a contact plug 15 is formed in the insulating film 14 so that the plug 15 may be connected to the drain region 12.例文帳に追加

半導体基板１０上には電界効果型トランジスタを覆うように層間絶縁膜１４が形成されており、該層間絶縁膜１４にはドレイン領域１２と接続されるようにコンタクトプラグ１５が形成されている。 - 特許庁

An etching stopper layer for a contact hole bored in an interlayer insulating film is formed of a laminated film 16 composed of a silicon nitride film 16a deposited through a thermal CVD method, and a silicon nitride film 16b deposited through a plasma CVD method.例文帳に追加

層間絶縁膜に形成されるコンタクトホールのエッチングストッパ層を、熱ＣＶＤ法で堆積されるシリコン窒化膜１６ａとプラズマＣＶＤ法で堆積されるシリコン窒化膜１６ｂとからなる積層膜１６で構成する。 - 特許庁

Next, a contact hole 109a is formed on the interlayer insulation film to expose two regions composed of silicon 106, 107, polysilicon 104A, 104B, or metal silicide 108A, 108B in the semiconductor device (second process).例文帳に追加

次いで、半導体装置内のシリコン１０６、１０７、ポリシリコン１０４Ａ、１０４Ｂ、又は金属シリサイド１０８Ａ，１０８Ｂからなる２つの領域が露出するように層間絶縁膜にコンタクトホール１０９ａを形成する（第２工程）。 - 特許庁

A plurality of radiation shielding films 21a to 23a are formed in two or more interlayer portions of the dielectric layers 130c to 130f, the radiation shielding films being integrally formed with respective penetrating conductors 20 and having spaces therebetween.例文帳に追加

複数の貫通導体２０それぞれと一体に形成されると共に互いに離間された複数の放射線遮蔽膜２１ａ〜２３ａが、誘電体層１３０ｃ〜１３０ｆにおける二以上の層間部分に設けられている。 - 特許庁