「Interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(93ページ目) - Weblio英語例文検索

To obtain a composition for film formation capable of obtaining a coating film low in relative dielectric constant and high in elastic modulus usable as an interlayer insulation film material for semiconductor devices, or the like, and even when a varnish is used together therewith, generating less foreign material even after long term storage.例文帳に追加

半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、低比誘電率、高弾性率の塗膜が得られ、かつワニスを長期保存しても異物の発生の少ない膜形成用組成物を得る。 - 特許庁

The third conductive film 109, which is electrically connected to the first conductive film 103, is formed on the second interlayer insulating film 107, and a gate electrode constituted by the first conductive film 103 and the third conductive film 109 is formed.例文帳に追加

浮遊ゲート周辺の第１導電膜と電気的に連結された第３導電膜を第２層間絶縁膜上に形成して第１導電膜と第３導電膜で構成されたゲート電極を形成する。 - 特許庁

In the case of manufacturing an array substrate 10 to be used for a liquid crystal display device in a homogeneous mode, a metal pattern forming a positioning mark 12 is covered with an interlayer insulating film 4 and a transparent resin film 45.例文帳に追加

ホモジニアスモードの液晶表示装置に用いられるアレイ基板１０を作製するにあたり、位置合わせマーク１２をなす金属パターンが層間絶縁膜４及び透明樹脂膜４５により覆われるようにする。 - 特許庁

To realize a semiconductor device which reduces an inter-wiring capacitance, and which is hard to generate a short-circuit failure between adjacent wirings or a connection failure of the wiring to an interlayer connecting metal plug, if misalignment occurs.例文帳に追加

配線間容量を小さく抑え、かつ、アライメントずれが発生しても隣接する配線間等のショート不良や、配線と層間接続用金属プラグとの接続不良が発生しにくい半導体装置を実現する。 - 特許庁

To provide a composition for forming an insulation film that is suitable for an interlayer insulation film of a semiconductor element, or the like, can form a film having a uniform thickness, and has improved film characteristics of permittivity, Young's modulus, the like, and to provide an insulation film.例文帳に追加

半導体素子等の層間絶縁膜に適した、均一な厚さを有する膜が形成可能な、しかも誘電率、ヤング率等の膜特性に優れた絶縁膜形成用組成物および絶縁膜を提供する。 - 特許庁

To provide a positive photosensitive resin composition which ensures high adhesion of a substrate after heat curing, has high adhesion to a metal layer and is suitable for producing a patterned cured film, such as, an interlayer insulating film in a semiconductor device.例文帳に追加

加熱硬化後に基板の密着性が高く、また、金属層との密着性が高く、半導体装置の層間絶縁膜等のパターン硬化膜の製造に好適なポジ型の感光性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To prevent an interlayer dielectric including an SOG (Spin On Glass) film from cracking without providing a slit in a wiring layer or limiting the ratio of a line width and a space interval of a wiring layer positioned as a lower layer.例文帳に追加

配線層にスリットを設けたり、下層に位置する配線層にライン幅及びスペース間隔の比率を制限したりすることなく、ＳＯＧ膜を含む層間絶縁膜におけるクラックの発生を防止する。 - 特許庁

Since connection lands 16, 19 having a wide area are formed on the opposite sides of the printed board 10, electrical connection is ensured regardless of some positional shift at the time of stacking the interlayer member 20.例文帳に追加

プリント基板１０の両面には面積の広い接続用ランド１６，１９が形成されているので、層間部材２０を積層する際に多少の位置ずれが生じても、電気的接続は確実になされる。 - 特許庁

The field emission type light-emitting element 18 comprises a field emission type emitter 24, a phosphor support (an interlayer film) 28 integrated with the emitter 24, and the emitter 24 supported by the phosphor support 28.例文帳に追加

本電界放射型発光素子１８は、電界放出型のエミッタ２４と、このエミッタ２４と一体の蛍光体支持体（層間膜）２８と、この蛍光体支持体２８に支持されたエミッタ２４とを備えた構成。 - 特許庁

After the sacrifice oxide film used as a mold for forming a wiring layer is removed by etching, an area where the sacrifice oxide film is removed is filled with a porous Low-k film, thereby forming an interlayer insulation film.例文帳に追加

配線層形成の型として用いた犠牲酸化膜をエッチングにより除去した後、犠牲酸化膜を除去した領域にポーラスＬｏｗ−ｋ膜を充填することにより、層間絶縁膜を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a barrier layer which can improve adhesive strength and barrier property between a portion of an interlayer insulating film where the oxygen content is low and Cu wiring, and to provide a manufacturing method thereof.wiring, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

層間絶縁膜の酸素含有量が低い部分とＣｕ配線との密着性およびバリア性を十分に高めることができるバリア層を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a coating composite for producing an interlayer insulation film in which a high Young's modulus, a low dielectric constant, and a high breakdown voltage durable sufficiently in the CMP process of the copper interconnection process of a semiconductor element can be achieved simultaneously.例文帳に追加

半導体素子の銅配線工程におけるＣＭＰ工程に十分耐える高いヤングモジュラスと、低い比誘電率と、高いブレークダウン電圧を同時に達成する層間絶縁膜製造用の塗布組成物の提供。 - 特許庁

After openings for the contact holes of the hard mask 107A are transferred to the second interlayer insulation film 106 and the etching stopper film, openings for interconnection trenches in second resist pattern 110 are transferred to the hard mask 107A.例文帳に追加

第２の層間絶縁膜１０６及びエッチングストッパー膜にハードマスク１０７Ａの接続孔用開口部を転写した後、ハードマスク１０７Ａに第２のレジストパターン１１０Ａの配線溝用開口部を転写する。 - 特許庁

During the process wherein the wiring 13 and the fluorine-containing second interlayer insulating film 14 are exposed, they are placed in a dry gas that replaces the atmosphere, and this restrains the corrosion of the wiring 13.例文帳に追加

このように、配線１３とフッ素を含有する第２の層間絶縁膜１４とが露出している状態であっても、乾燥ガスで置換した雰囲気中で保管することにより、配線の腐食を抑制できる。 - 特許庁

A plated conductor 15 is formed in the via hole 14 to project above the surface and the projecting part is pressed to form a land 16 connectable to the conductive bump 25 of an interlayer member 20.例文帳に追加

ビアホール１４内に面上に突出するようにメッキ導体１５を形成するとともに、その突出部分をプレスして、層間部材２０の導電性バンプ２５と接続可能な接続用ランド１６を形成する。 - 特許庁

To provide a reliable and durable non-contact IC card recording medi um which is ready for an IC card free from interlayer separation, in particular an IC module panel, which has an antenna especially formed of polyethylene terephthalate as the base material.例文帳に追加

層間剥離が生じないＩＣカード、特にポリエチレンテレフタレートを基材としたアンテナ付き非接触ＩＣモジュール基盤への対応ができ、信頼性が高く、耐性良い非接触ＩＣカード記録媒体を提供する。 - 特許庁

In an electrode pattern 6 provided in a first interlayer insulating layer 3 formed on a semiconductor substrate 1, insulator-made dummy patterns 8 are provided, which are separated from each other by specified gaps and surround the bottom of a via contact hole 5a.例文帳に追加

半導体基板１に形成された第１の層間絶縁層３に設けられた電極パターン６に、ビア・コンタクト・ホール５ａの底部を取り囲むように所定間隔を離間して絶縁体のダミーパターン８を設ける。 - 特許庁

A TiN film 4, a W film 3, and a SiN film 2, which has different etching characteristic from that of an interlayer insulating film 9 covering the W film 3 to which patterning has been performed, are sequentially deposited on a semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウエハ上にＴｉＮ膜４、Ｗ膜３、および、パターニングされた後のＷ膜３を覆う層間絶縁膜９のエッチング特性と異なるエッチング特性を有するＳｉＮ膜２を順次積層する。 - 特許庁

After a bonding pad 3 and a fuse 4 are formed, a silicon oxide film 5, a silicon nitride film 6, and a photosensitive polyimide resin film 7 are sequentially formed on an interlayer insulating film 2 including the bonding pad 3 and the fuse 4.例文帳に追加

ボンディングパッド３およびヒューズ４を形成した後、ボンディングパッド３およびヒューズ４上を含む層間絶縁膜２上に順次酸化シリコン膜５、窒化シリコン膜６、感光性ポリイミド樹脂膜７を形成する。 - 特許庁

To provide a circuit substrate which will not cause interlayer break away phenomenon and can be thinned and made compact, by manufacturing a rigid flexible printed circuit board through an all-layer process that uses a liquid crystal polymer.例文帳に追加

液晶ポリマーを用いたオールレイヤ工程によってリジッド・フレキシブルプリント回路基板を製作することにより、層間剥離現象が発生せず且つ軽薄短小化が可能な回路基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Gate lines 102, 105 and common lines 103, 104 are first formed simultaneously, and after forming an interlayer film, a pixel electrode 108, common electrodes 110, 111 and source lines 106, 107 are formed simultaneously.例文帳に追加

本発明は、ゲイト線１０２、１０５とコモン線１０３、１０４を最初に同時に形成し、層間膜形成後、画素電極１０８とコモン電極１１０、１１１とソ─ス線１０６、１０７を同時に形成する。 - 特許庁

Moreover, in a plastic lens for spectacles which belongs to the plastic optical product, the plastic substrate 1 is set as a plastic lens base material for spectacles, the interlayer 2 is set as a hard coating film, and the optical multilayer film 3 is set as an antireflection film.例文帳に追加

又、このようなプラスチック光学製品に属する眼鏡プラスチックレンズにおいて、プラスチック基材１を眼鏡プラスチックレンズ基材とし、中間膜２をハードコート膜とし、光学多層膜３を反射防止膜とする。 - 特許庁

Since the trench protruding part 1a is embedded with the polysilicon film 22, a first gate contact 4, and the like, through which only polysilicon of the trench protrusion part 1a is exposed are formed at an interlayer insulating film 19 formed on the surface.例文帳に追加

トレンチ凸部１ａはポリシリコン膜２２で埋め込まれるのでその表面に形成された層間絶縁膜１９に、トレンチ凸部１ａ部分のポリシリコンのみが露出する第１ゲートコンタクト４等を形成する。 - 特許庁

A membrane layer of a thin film is formed when dried by the concrete release agent prepared by dispersing a swelling layer-shaped clay mineral in water, and good mold-release properties are made possible since the membrane layer is interlayer-peeled easily.例文帳に追加

膨潤性層状粘土鉱物を水に分散させてなるコンクリート離型剤で、乾燥すると薄膜の皮膜層を形成し、この皮膜層が容易に層間剥離することで良好な離型性を可能とする。 - 特許庁

Wiring trenches 3 and wide wiring trenches 3a are formed by etching, at a dense interval, in an interlayer insulation film 2 formed on an Si substrate (not shown) and a barrier metal 4 and a Cu film are formed on the surface thereof.例文帳に追加

図示しないＳｉ基板上の層間絶縁膜２には、エッチングによって間隔が密な配線溝３と幅広配線溝３ａが形成され、表面にバリアメタル４およびＣｕ膜が成膜されている。 - 特許庁

To provide an adhesive tape which exerts favorable sticking workability even in sticking to a curved surface, is easy to stick so as to obtain a favorable appearance, and hardly generates an interlayer crack of a substrate.例文帳に追加

曲面に貼り付ける場合でも、貼り付け作業の作業性が良く且つ良好な外観となるように貼り付けることが容易であることに加えて、基材の層間割れが生じにくい粘着テープを提供する。 - 特許庁

To provide a recording and reproducing separated magnetic head capable of assuring interlayer insulation in spite of reduction in the spacing between the layers of thin-film coils and shortening the magnetic paths consisting of an upper magnetic core and a lower magnetic core.例文帳に追加

薄膜コイルの層間の間隔を小さくしても層間の絶縁を確保することができて、上部磁気コアと下部磁気コアからなる磁路を短くすることができる記録再生分離型磁気ヘッドを提供する。 - 特許庁

In the interlayer insulating film 32, an opening 33 for embedded wiring is etched for forming, while the opening 33 for embedded wiring is laid from the upper part of the diffusion layer 24 to the upper part of the element isolation insulating film 13, and a tungsten film 43 is embedded.例文帳に追加

層間絶縁膜３２に、埋め込み配線用の開口３３を拡散層２４上から素子分離絶縁膜１３上にまたがるようにエッチングにより形成し、タングステン膜４３の埋め込みを行う。 - 特許庁

To manufacture a semiconductor device in a good yield by eliminating an adverse effect of a scratch occurring on a surface of an interlayer insulating film or the like by a simple method when a chemically mechanical polishing method is used for flattening or the like.例文帳に追加

平坦化などに化学的機械研磨法を用いる場合に層間絶縁膜などの表面に生じるスクラッチによる悪影響を簡便な手法で解消し、半導体装置を歩留まり良く製造する。 - 特許庁

An organic SOG film is used as the polishing stopper film 44 with the low dielectric constant and a flattening interlayer insulating film 47 is formed on the lower-layer wiring pattern 46A is dished owing to chemical mechanical polishing.例文帳に追加

前記低誘電率の研磨ストッパ膜４４として有機ＳＯＧ膜を使い、化学機械研磨によってディッシングが生じている下層配線パターン４６Ａ上に平坦化層間絶縁膜４７を形成する。 - 特許庁

A contact hole is formed in the interlayer insulating film, the contact hole is hole-opened followed thereto, by removing the silicon nitride film by anisotropic etching having a high selection ratio to the silicon oxide film, and the contact wire 43 is formed thereby.例文帳に追加

層間絶縁膜にコンタクトホールを形成し、続いてシリコン酸化膜との選択比が高い異方性エッチングによってシリコン窒化膜を除去することでコンタクトホールを開孔し、コンタクト配線４３を形成する。 - 特許庁

To manufacture a semiconductor device having a wiring width of 0.25 μm by using a production device for manufacturing the semiconductor device having the wiring width of 0.35 μm, by preventing the generation of voids in interlayer insulating films among metallic wirings.例文帳に追加

メタル配線間の層間絶縁膜でのボイドの発生を防ぐとともに、配線幅が０．３５μｍの半導体装置を製造する製造装置を用いて、配線幅が０．２５μｍの半導体装置を製造する。 - 特許庁

The semiconductor device has a first MOS type transistor 2, a second MOS type transistor 3, a wiring section 4, a first gate control circuit 5, a second gate control circuit 6, and an interlayer insulating film 13 on a silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン基板１上に、第１のＭＯＳ型トランジスタ２、第２のＭＯＳ型トランジスタ３、配線部４、第１のゲートコントロール回路５、第２のゲートコントロール回路６、及び層間絶縁膜１３を有する半導体装置である。 - 特許庁

To upgrade covering property of an interlayer insulating film by forming a resist pattern in one time without undercut, and lowering the height per step of a step difference.例文帳に追加

レジストパターン１回形成でアンダーカットなく形成し、かつ段差１段あたりの高さを低くすることで層間絶縁膜の被覆性を良好にした多層配線とその形成方法および製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which eliminates the need for remaining film management in laser trimming and also reduces recoupling of a fuse by reducing influence of parasitic capacity of an interlayer insulating film, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

層間絶縁膜における寄生容量の影響を低減させ、レーザトリミングにおいて残膜管理を不要とし、かつヒューズの再結合の低減を可能とする半導体装置、及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

A sidewall oxide film 17 is formed on the sidewall of the trench 16 (Fig.2(d)), and a first interlayer insulating film 18 is formed on the sidewall oxide film 17 to connect spaces on the inside and outside of the trench 16 (Fig.3(a)).例文帳に追加

そして、トレンチ１６の側壁に側壁酸化膜１７を形成し（図２（ｄ））、トレンチ１６内外の空間が繋がるように、側壁酸化膜１７の上に第１層間絶縁膜１８を形成する（図３（ａ））。 - 特許庁

Hereon, a bit line 123 is made, and a third interlayer insulating film 125 is stacked, and etching is made to the landing pad 117, and is filled with a storage electrode 127, and hereon a conductive film 131 and a plate electrode 133 are made.例文帳に追加

この上にビットライン１２３を形成し、第３層間絶縁膜１２５を積層してランデングパット１１７までエッチしてストレージ電極１２７を充填し、この上に該電膜１３１及プレート電極１３３を形成する。 - 特許庁

According to the conventional method, such as an evaluation value based on a reproduction jitter, an SA compensation value with respect to the L0 layer is obtained and, on the basis of the obtained SA compensation value and the interlayer distance L_D, the SA compensation value of the L1 layer is obtained.例文帳に追加

そして、Ｌ０層について再生ジッタに基づく評価値といった従来の方法でＳＡ補正値を求め、得られたＳＡ補正値と層間距離Ｌ_Dとに基づきＬ１層のＳＡ補正値を求める。 - 特許庁

Lugs 17 protruded outward are formed on each terminal metal element 12, and the lugs 17 are protruded in the direction perpendicular to the radial direction of the reel 20, i.e., in the direction along the paper face of the interlayer paper 21.例文帳に追加

端子金具素片１２には外向きに突出する突起部１７が形成され、この突起部１７の突出方向は、リール２０の径方向と直交する方向、即ち層間紙２１の紙面に沿った方向とされている。 - 特許庁

The interlayer film based on plasticizer-containing polyvinyl acetals comprises an individual layer of standard PVB and an individual layer of polyvinyl acetal having at least an average residual acetate content.例文帳に追加

標準ＰＶＢからの部分層および少なくとも平均的な残留アセテート含有量を有するポリビニルアセタールからの部分層を含有する可塑剤含有ポリビニルアセタールをベースとする中間層フィルムによって解決される。 - 特許庁

Since the benzocyclobutene tightly fits to the inorganic material, degradation of reliability which is caused by exfoliation of a film is avoided when the benzocyclobutene is used as an interlayer insulating film, which has been a problem so far.例文帳に追加

ベンゾシクロブテンは無機材料との密着性が良好であるため、従来課題となっていた、ベンゾシクロブテン膜を層間絶縁膜として用いた際の、膜剥離による信頼性低下を回避することができる。 - 特許庁

Subsequently a titanium layer 12 thinner than the titanium layer 10 is formed on the interlayer insulating film 3 where the contact hole 6 and the interconnection trench 9 are formed and on the titanium silicide film 11, after removing the titanium film 10.例文帳に追加

次いで、チタン膜１０を除去した後、コンタクトホール６と配線溝９とが形成された層間絶縁膜３上、及びチタンシリサイド層１１上に、上記チタン膜１０より薄いチタン膜１２を形成する。 - 特許庁

A normal contact hole 10a and a shared contact hole 10b are formed by etching the interlayer insulating film 10, second etching stopper film 9, and the first etching stopper film 8 using the resist pattern 50 as a mask.例文帳に追加

レジストパターン５０をマスクとして層間絶縁膜１０、第２のエッチングストッパー膜９、及び第１のエッチングストッパー膜８をエッチングすることにより、ノーマルコンタクトホール１０ａ及びシェアードコンタクトホール１０ｂを形成する。 - 特許庁

To reduce the thickness of an interlayer film between transfer electrodes to improve transfer efficiency, and to reduce a transfer efficiency failure by eliminating mask alignment deviation between the transfer electrode and potential formed under the transfer electrode.例文帳に追加

転送電極間の層間膜を薄膜化して転送効率を向上させ、かつ転送電極と転送電極下に作り込むポテンシャルとのマスク合わせずれをなくして、転送効率不良を低減させる。 - 特許庁

The monitoring pattern 7 is monitored via a monitoring opening 5, formed by etching the interlayer insulating film 4 for adjusting the etching volume carried out for forming a contact hole in an element region.例文帳に追加

モニターパターン部７は、層間絶縁膜４をエッチングして素子領域に形成されるコンタクトホールのエッチング量を調整するために、層間絶縁膜４をエッチングして形成されるモニター用開口部５を介して監視される。 - 特許庁