「Interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(91ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a ferroelectric memory for preventing deterioration in a ferroelectric capacitor by preventing hydrogens from being generated by the contact of metal wiring and an interlayer insulating film, and to provide a manufacturing method of the ferroelectric memory.例文帳に追加

金属配線と層間絶縁膜との接触による水素の発生を防止することで、強誘電体キャパシタの劣化を防止した、強誘電体メモリ、及び該強誘電体メモリの製造方法を提供する。 - 特許庁

To reduce short-circuit between a signal line and a common electrode in a lateral electric field type liquid crystal display device in which at least a part of the signal line is covered with the common electrode via an interlayer insulation film.例文帳に追加

信号線の少なくとも一部を層間絶縁膜を介して共通電極で被覆するようにした横方向電界型の液晶表示装置において、信号線と共通電極との間のショートを低減する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a multilayer ceramic substrate, wherein cracks can be prevented from occurring around an interlayer connecting conductor when carrying out a mechanical polishing, and the need for many steps is eliminated after the process of the mechanical polishing.例文帳に追加

機械研磨の際に層間接続導体の周囲にクラックが発生することを防止できるとともに、機械研磨の加工以降に多くの工程を必要しない多層セラミック基板の製造方法を提供すること。 - 特許庁

An ESD protection device comprises a ceramic multilayer substrate 12 in which insulation layers 12a-12d are laminated, an external electrode 16, at least one of an in-plane connection conductor 14 or an interlayer connection conductor 13, and a mixed part 18.例文帳に追加

絶縁層１２ａ〜１２ｄが積層されたセラミック多層基板１２と、外部電極１６と、面内接続導体１４又は層間接続導体１３の少なくとも一方と、混合部１８とを備える。 - 特許庁

The gate electrode is formed along the inner wall of a contact hole (810) bored at the side of a part overlapping the semiconductor layer in the interlayer dielectric, so that it is electrically connected to the lower light shielding film.例文帳に追加

ゲート電極は、層間絶縁膜のうち半導体層に重なる部分の脇に開孔されたコンタクトホール（８１０）の内壁に沿って形成されることにより、下側遮光膜に電気的に接続されている。 - 特許庁

To prevent an organic passivation film in a peripheral seal part and an interlayer dielectric disposed by low-temperature CVD formed on the organic passivation film from being peeled off in an IPS liquid crystal display device.例文帳に追加

ＩＰＳ方式の液晶表示装置において、周辺シール部における有機パッシベーション膜と有機パッシベーション膜の上に配置された低温ＣＶＤによって形成された層間絶縁膜の剥離を防止する。 - 特許庁

To provide a multilayer ceramic substrate, capable of suppressing the occurrence of cracks near an interlayer connecting conductor section, preventing the destruction of a substrate, and enhancing the bonding strength of a protruding member, and to provide a method for producing the substrate.例文帳に追加

層間接続導体部の近傍にクラックが発生することを抑制し、基板の破壊を防止して、突出部材の接合強度を高めることができる多層セラミック基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing method in which improvement in polishing speed of a silicon oxide film or the like and reduction in polishing scratches can be easily performed in a CMP technology of planarizing an interlayer insulating film, a BPSG film and an STI film.例文帳に追加

層間絶縁膜、ＢＰＳＧ膜、ＳＴＩ膜を平坦化するＣＭＰ技術において、酸化珪素膜等の研磨速度の向上と、研磨傷の低減を容易に行なうことができる研磨方法を提供する。 - 特許庁

An organic material is used for an interlayer insulating film 111 covering a switching element and each wiring, a mask of a metal film 112 is used, and a contact hole is formed by a dry etching method, thereby forming a wiring 114.例文帳に追加

スイッチング素子および各配線を覆う層間絶縁膜１１１として有機材料を用い、且つ、金属膜１１２のマスクを用い、ドライエッチング法によってコンタクトホールを形成し、配線１１４を形成する。 - 特許庁

To provide a separator for a lithium ion secondary battery which has no pinhole, improves interlayer detachability between a layer obtained by electrospinning and a base material layer, improves heat resistance and also improves internal resistance.例文帳に追加

本発明の課題は、ピンホールがなく、静電紡糸により得られた層と基材層との層間剥離性が優れ、耐熱性に優れると共に内部抵抗に優れたリチウムイオン二次電池用セパレータを提供することにある。 - 特許庁

To efficiently provide an electrolyte-electrode assembly formed by interposing an electrolyte layer and intermediate layer between an anode electrode layer and a cathode electrode layer, and to eliminate concern about interlayer peeling and warpage.例文帳に追加

アノード電極層とカソード電極層との間に、少なくとも、電解質層及び中間層が介装された電解質・電極接合体を効率よく得るとともに、層間剥離が生じる懸念を払拭する。 - 特許庁

A plasma nitride film layer 121 is formed on the interlayer insulation film 109 and the aluminum wiring layer 141, and an opening 123 penetrating the plasma nitride film layer 121 is formed between a dicing region and the seal ring.例文帳に追加

そして層間絶縁膜１０９及びアルミ配線層１４１上にプラズマ窒化膜層１２１を形成し、ダイシング領域とシールリングとの間に、プラズマ窒化膜層１２１を貫通する開口部１２３を設ける。 - 特許庁

To provide a polyester-based laminated film and a vapor deposition film using the polyester-based laminated film excelling in gas barrier property and also excelling in flatness and interlayer adhesion force in spite of laminating different polyester.例文帳に追加

本発明の目的は、ガスバリア性に優れ、異なるポリエステルを積層しているにも関わらず平面性及び層間接着力に優れるポリエステル系積層フィルム、及びそれを用いた蒸着フィルムを提供することである。 - 特許庁

The oxide thin-film transistor substrate 1 is characterized in that a protection film 10 covering over an oxide semiconductor layer 7 is formed on an upper surface of an interlayer insulating layer 8 being the same layer as a pixel electrode 9 apart from the pixel electrode 9.例文帳に追加

酸化物薄膜トランジスタ基板１は、酸化物半導体層７の上方を覆う保護膜１０を、画素電極９と同一層である層間絶縁層８の上面に、画素電極９とは離間して形成した。 - 特許庁

To provide a decorative material having no problem of generating noxious matters in combustion, no problem of separation or warping, excellent in interlayer adhesiveness, concealing performance, the sufficient abrasion resistance of the surface, and excellent in productivity.例文帳に追加

燃焼時の有害物質発生の問題がなく、剥離やそりの問題がなく、層間接着性に優れ、隠蔽性があり、表面の耐摩耗性が十分であり、かつ生産性に優れた床用化粧材を提供する。 - 特許庁

A solder bump 10 is formed by a reflow, while the electronic component 9 is mounted and soldered; and an interlayer insulating sheet 11 is stuck on one surface of the first board, while coating the solder bump and the electronic component.例文帳に追加

その後、リフローして半田バンプ１０を形成すると共に電子部品９の実装半田付けを行い、半田バンプ及び電子部品を覆って第１基板の一面上に層間絶縁シート１１を貼付する。 - 特許庁

To provide a method for selectively synthesizing a B-alkylborazine, to which different substituents are introduced on a boron (B) atom, to be used for forming an interlayer insulation film of a semiconductor, a barrier metal layer, or an etch stopper layer.例文帳に追加

半導体用層間絶縁膜、バリアメタル層、エッチストッパー層の形成に用いられるホウ素（Ｂ）原子上に異なる置換基が導入されたＢ−アルキルボラジンを、選択的に合成しうる手段を提供する。 - 特許庁

In the organic EL display device having a micro-cavity structure, a convex curvature shape portion 15 is formed swelling at an organic EL element 3 forming part of an interlayer insulating film 14 so as to correspond to a pixel aperture.例文帳に追加

マイクロキャビティ構造を備えた有機ＥＬ表示装置において、凸状湾曲形状部１５を画素開口部に対応するように層間絶縁膜１４の有機ＥＬ素子３形成箇所に膨出形成する。 - 特許庁

To uniformize applied pressure and conduction of heat during a hot pressing process when manufacturing a circuit forming board using a configuration for manifesting electrical connection by compression of a conductive paste, or the like as an interlayer connection means.例文帳に追加

層間接続手段として導電性ペースト等の圧縮により電気的接続を発現する構成を用いた回路形成基板を製造する場合の熱プレス工程中の加圧力と熱伝導の均一化を図る。 - 特許庁

To perform recording and reproducing to/from a multilayer optical disk having at least first and second recording layers, by use of an objective lens having NA of at least 0.8, while ensuring stable interlayer jump.例文帳に追加

少なくとも第１の記録層と第２の記録層とを備える多層光ディスクに対して、開口数が０．８以上の対物レンズを用いて、安定した層間ジャンプを行ないながら記録又は再生を行なう。 - 特許庁

To provide a substrate processing method, capable of processing a substrate at a low temperature so that a barrier film is able to have film thickness that ensures sufficient barrier performance, while suppressing evaporation of moisture in an interlayer insulating film.例文帳に追加

層間絶縁膜中の水分の蒸発を抑制しつつ、バリア膜に、充分なバリア性を確保するための膜厚を得ることが可能となるように、基板を低温で処理できる基板処理方法を提供すること。 - 特許庁

On the upper surface of a first interlayer insulation layer 5, a first local interconnect line 6 connecting the drain region 4B and a part of gate electrodes 3B and 3D of an MOS transistor T with an uppermost layer interconnect line 12 is formed.例文帳に追加

第一の層間絶縁層５の上面に、ＭＯＳトランジスタＴのドレイン領域４Ｂ及び一部のゲート電極３Ｂ、３Ｄと最上層配線１２とを接続する第一の局所配線６を形成する。 - 特許庁

To obtain a highly dense multilayer printed wiring board by reducing complication of processes and cost raise due to increases in times of perforation and plating, and stabilizing interlayer alignment accuracy in a sequential laminate method.例文帳に追加

シーケンシャル積層法における、穴明け・めっき回数の増加による工程の複雑化とコストアップを低減し、層間位置合わせ精度を安定化し、信頼性の高い高密度多層プリント配線板を実現する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device using a semiconductor element capable of applying compressive stress to a region of a semiconductor film where carriers move is free from the material or film thickness of an interlayer insulating film.例文帳に追加

層間絶縁膜の材料または膜厚にとらわれることなく、半導体膜のキャリアが移動する領域に圧縮応力を加えることができる半導体素子を用いた半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a waterproof sheet which reduces an environmental load by its excellent solubility, disaggregation or dispersion properties, and biodegradability and has a high interlayer adhesiveness and a disposable bag using the sheet.例文帳に追加

優れた溶解性、離解性又は分散性及び生分解性によって環境負荷が低減され、かつ、層間の密着性が高い防水シート及びこれを用いた使捨用袋の提供を目的とするものである。 - 特許庁

To provide a material for wiring formation, having low resistivity and capable of tapering and having high resistance to etchant, such as interlayer insulator and ITO, a target for wiring formation, and a wiring thin film.例文帳に追加

低抵抗でテーパ加工が可能であると共に、層間絶縁膜やＩＴＯ等のエッチャントに対して高耐性を有する配線形成用材料、配線形成用ターゲットおよび配線薄膜が求められている。 - 特許庁

The curved laminated glass 1 is obtained by laminating two curved glass sheets 11, 12 through an interlayer film 20 having a three layer constitution in which a first layer 21 is interposed between a second layer 22 and a third layer 23.例文帳に追加

２枚の湾曲したガラス板１１、１２が、第１層２１が第２層２２と第３層２３との間に介在している３層構成の中間膜２０を介して積層された湾曲合わせガラス１を提供する。 - 特許庁

Polysilicon plugs 14a, 14b are formed in a contact hole 13 penetrating a silicification prevention protective film 8 and a first interlayer insulating film 12 on the source region 7a and the drain region 7b of the transistor for memory.例文帳に追加

メモリ用トランジスタのソース領域７ａ、ドレイン領域７ｂ上には、シリサイド化防止保護膜８及び第１の層間絶縁膜１２を貫通するコンタクトホール１３内にポリシリコンプラグ１４ａ、１４ｂが形成されている。 - 特許庁

To provide an epoxy resin composition used preferably for a liquid sealant, a conductive molding material, a laminated plate or an interlayer insulating material; a prepreg; and a film.例文帳に追加

ＢＰＳ型エポキシ樹脂がもつ耐熱性を活かしながら、相溶性を解決して、液状封止材、導電性成形材料、積層板、層間絶縁材料に好適なエポキシ樹脂組成物、プリプレグ、フィルムを提供すること。 - 特許庁

To assure coverage of an interlayer dielectric formed between a lower- part metal wiring and an upper-part metal wiring for assuring reliability by increasing a metal film thickness of the lower-part metal wiring and reducing a wiring resistance.例文帳に追加

下部金属配線の金属膜膜厚を増加させるとともに、配線抵抗を低減し、下部金属配線と上部金属配線間に形成される層間絶縁膜のカバレッジを確保して、信頼性を維持する。 - 特許庁

Further, a first resistance electrode 15, connected electrically to the N-type semiconductor layer 13, is formed through a contact hole CH3 formed in an interlayer insulating film 11 on the N-type semiconductor layer 13.例文帳に追加

また、Ｎ型半導体層１３上の層間絶縁膜１１に形成されたコンタクトホールＣＨ３を介して、Ｎ型半導体層１３に電気的に接続された第１の抵抗電極１５が形成されている。 - 特許庁

In an interlayer insulation film 11 present on each high-melting-point metal polycide 7b, each contact hole 11b is so formed as to contact electrically each high-melting-point metal polycide film 7b with each aluminum wiring 12 via each contact hole 11b.例文帳に追加

高融点金属ポリサイド７ｂ上の層間膜１１にコンタクトホール１１ｂが形成されており、コンタクトホール１１ｂを介して高融点金属ポリサイド７ｂとアルミ配線１２が電気的に接続されている。 - 特許庁

A lower wiring 2a having an antireflection coating (conductor film) 2b on the upper surface is arranged on a ground insulating film 1, and an interlayer insulating film 3 is formed for covering the lower wiring 2 and the ground insulating film 1.例文帳に追加

上面部に反射防止膜（導電体膜）２ｂを有する下層配線２ａを下地絶縁膜１に配設し、当該下層配線２および下地絶縁膜１とを覆う層間絶縁膜３を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which ensures the connectivity of flip-chip mounting corresponding to lead (Pb)-free and the low rigidity of an interlayer insulation film as well as high reliability of the bonding part.例文帳に追加

鉛（Ｐｂ）フリー化及び層間絶縁膜の低強度に対応したフリップチップ実装の接続性を確保するとともに、この接合部分の高い信頼性をも確保する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The interlayer insulating film includes a rugged surface including rugged patterns small in planar size than the thin-film transistors, and the pixel electrode is provided on the rugged surface.例文帳に追加

特に、層間絶縁膜は、薄膜トランジスタよりも平面視的なサイズが小さい凹凸パターンからなる凹凸表面を有しており、この凹凸表面上に画素電極が設けられていることを特徴としている。 - 特許庁

A thin film semiconductor layer 7 having source/drain areas, a gate dielectric film 8, and a gate electrode formed of gate wiring G are provided on the interlayer insulating film 5, to form a thin film transistor(TFT) for driving a pixel electrode.例文帳に追加

層間絶縁膜５上に、ソース／ドレイン領域を有する薄膜半導体層７と、ゲート誘電膜８と、ゲート配線Ｇからなるゲート電極とを設け、画素電極駆動用の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を構成する。 - 特許庁

Thin line voids 8 are formed in an interlayer insulation film 7 between gate structures adjacent to each other due to a narrowed interval between the gate structures attended with micronization of semiconductor devices.例文帳に追加

半導体装置の微細化に伴いゲート構造同士の間隔が狭くなっていることに起因して、互いに隣接するゲート構造同士の間において、細線状のボイド８が層間絶縁膜７内に形成される。 - 特許庁

Two FUSI contacts 41 are arranged, passing through the thickness direction of an interlayer insulating film 4 and reaching silicide layers 35 in the upper layers of the two source/drain layers 34 and the FUSI gate electrodes 32.例文帳に追加

層間絶縁膜４を厚さ方向に貫通して２つのソース・ドレイン層３４上層部のシリサイド層３５およびＦＵＳＩゲート電極３２にそれぞれ達する２つのＦＵＳＩコンタクト部４１が設けられている。 - 特許庁

The second wiring pattern 6a is formed to grow isotropically in a region exposed from a contact hole 5a formed in the third interlayer insulating film 5 on the first wiring pattern 4a.例文帳に追加

第２の配線パターン６ａは、第１の配線パターン４ａの上における第３の層間絶縁膜５に形成されたコンタクトホール５ａから露出する領域に等方的に成長するように形成されている。 - 特許庁

The interlayer film for the laminated glass has multilayer structure, wherein a break of 10 mm or longer in length is generated when measuring the head injury criteria (HIC) value as the laminated film held between 2 pieces of glass.例文帳に追加

多層構造であり、かつ、２枚のガラスの間に挟着して合わせガラスとして頭部衝撃指数（Ｈｅａｄ ＩｎｊｕｒｙＣｒｉｔｅｒｉａ；ＨＩＣ）値を測定したときに、１０ｍｍ以上の長さの裂けが発生する合わせガラス用中間膜。 - 特許庁

When executing seeking to different radial positions of different recording layers from a recording layer currently under tracing, the movement in the disk radial direction is first executed with respect to each optical head and thereafter, the interlayer jump is executed.例文帳に追加

現在トレース中の記録層から、異なる記録層の異なる半径位置へのシークを実行する際に、各光学ヘッドについて、先にディスク半径方向の移動を実行させ、その後、層間ジャンプを実行する。 - 特許庁

A protective film 11, whose main component is iridium(Ir) or iridium oxide (IrO2), is interposed between the interlayer insulating film and the SiNx film or the SixNy film, which are formed as moisture resistant protective films.例文帳に追加

イリジウム（Ｉｒ）又は酸化イリジウム（ＩｒＯ_2 ）を主成分とする保護膜１１が、前記層間絶縁膜と、耐湿保護膜として形成された前記シリコン窒化膜（ＳｉＮ_X ）、又はシリコン酸窒化膜（ＳｉＯ_X Ｎ_Y ）との間に介在する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device using an interlayer insulating film containing a low permittivity material such as a fluorinated silicon glass(FSG) which does not bring about a problem in association with a transfer of a fluorine and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

フッ素の移動に伴う問題を生じないフッ素化シリコンガラス（ＦＳＧ）などの低誘電率材料を含む層間絶縁膜を用いた半導体デバイス、およびそれを製造する方法を提供すること。 - 特許庁

The interlayer insulating film comprises an organic/inorganic hybrid film, and the organic/inorganic hybrid film has a main chain structure, formed by the first region (a) comprising siloxane and the second region (b) comprising organic molecule bonded mutually with the other.例文帳に追加

層間絶縁膜は有機無機ハイブリッド膜からなり、該有機無機ハイブリッド膜は、シロキサンよりなる第１の部位ａと、有機分子よりなる第２の部位ｂとが交互に結合してなる主鎖を有している。 - 特許庁

A source wiring 17S and a drain wiring 17D respectively connected to a source 13S and a drain 13D of the semiconductor layer 13 through the contact holes CH extend on the interlayer insulating film 16.例文帳に追加

層間絶縁膜１６上には、コンタクトホールＣＨを通して半導体層１３のソース１３Ｓ及びドレイン１３Ｄとそれぞれ接続されたソース配線１７Ｓ及びドレイン配線１７Ｄが延在している。 - 特許庁