「Interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(89ページ目) - Weblio英語例文検索

Static electricity discharge circuit 120 is formed by including a semiconductor layer 120b formed on the substrate, a gate insulating film 120c formed on the semiconductor layer, a gate electrode 120d formed in the gate insulating film, an interlayer insulating film 120e formed so as to cover the gate electrode and a source/drain electrode 120f formed on the interlayer insulating film.例文帳に追加

前記静電気放電回路は、前記基板に形成される半導体層と、前記半導体層に形成されるゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜に形成されるゲート電極と、前記ゲート電極を覆うように形成される層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜に形成されるソース／ドレイン電極と、を含んで形成されることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。 - 特許庁

The semiconductor device includes a semiconductor substrate 1, the interlayer insulating film 2 having pad openings 11 at an interval and formed on the semiconductor substrate 1, lower metal layers 5 provided at positions corresponding to the pad openings 11, and upper metal layers 6 formed on the lower metal layers 5 at positions facing the interlayer insulating film 2, the upper metal layers 6 constituting aerial interconnects including the lower metal layers 5 as columns.例文帳に追加

半導体基板１と、間隔を設けて配置されたパッド開口１１を備え、半導体基板１上に形成された層間絶縁膜２と、パッド開口１１に対応する位置に設けられた下層金属層５と、下層金属層５上、及び層間絶縁膜２に対向する位置に形成された上層金属層６と、を有し、上層金属層６は、下層金属層５を柱とする空中配線を構成する。 - 特許庁

The liquid crystal display device has: an array substrate 1 which has a substrate, a plurality of switching elements formed on the substrate, an interlayer insulating film 19 formed on those switching elements, and a plurality of pixel electrodes 27 formed on the interlayer insulating film; a counter substrate 2 arranged opposite the array substrate across a gap; and a liquid crystal layer 3 sandwiched between the array substrate and counter substrate.例文帳に追加

液晶表示装置は、基板と、この基板上に形成された複数のスイッチング素子と、これらスイッチング素子上に成膜された層間絶縁膜１９と、この層間絶縁膜上に形成された複数の画素電極２７とを有したアレイ基板１と、アレイ基板に隙間を置いて対向配置された対向基板２と、アレイ基板および対向基板間に狭持された液晶層３とを備えている。 - 特許庁

In the sheet for receiving the thermal transfer image in which the interlayer and the dye acceptance layer are stacked in this order on at least one face of the substrate, the interlayer is made of self-crosslinking polyhydroxy polyurethane resins derived by the reaction of a five-membered ring cyclic carbonate compound and an amine compound, and have a masking isocyanate group in the structure as a main component.例文帳に追加

基材の少なくとも一方の面に、中間層と染料受容層とをこの順に積層した熱転写受像用シートにおいて、上記中間層が、５員環環状カーボネート化合物とアミン化合物との反応から誘導された、その構造中にマスキングされたイソシアネート基を有する自己架橋型ポリヒドロキシポリウレタン樹脂を主成分としてなることを特徴とする熱転写受像用シート。 - 特許庁

To provide an interlayer for laminated glass used for an automobile, a rail car, aircraft, a ship, buildings, etc., which can enhance visibility and antiglare property to intense visible light incident through laminated glass, such as sunlight, oncoming headlight or reflected light from a highly reflective material when used in the laminated glass, and to provide laminated glass using the interlayer.例文帳に追加

例えば自動車、鉄道車両、航空機、船舶、建築物等に使用される合わせガラス用の中間膜であって、合わせガラスに用いられたときに、合わせガラスを介して入射された太陽光、対向車の前照灯、または高光反射性物質からの反射光等の強烈な可視光に対する防眩性や、視認性を高めることができる合わせガラス用中間膜、及び該中間膜を用いた合わせガラスを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a structure including a semiconductor element, which employs a material with a low dielectric constant called a low-K material as a material constituting an interlayer insulation film of a multilayer wiring layer, flip-chip-mounted on a circuit board, with a highly reliable mounting structure by flexibly coping with a change in temperature to prevent breakdown of the interlayer insulation film.例文帳に追加

Ｌｏｗ−Ｋ材料と呼ばれる誘電率の低い材料を多層配線層の層間絶縁膜を構成する材料として用いた半導体素子が回路基板にフリップチップ実装された構造を有する半導体装置であって、温度変化に柔軟に対応して前記層間絶縁膜の破壊を防止することにより、信頼性の高い実装構造を備えた半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

This method for manufacturing printed wiring board includes a step (1) of forming the interlayer insulating resin layer 2 on the conductor circuits 5 of a substrate 1, a step (2) of flattening the surface of the resin layer by heating and pressing the resin layer, and a step (3) of forming conductor circuits on the flattened interlayer insulating resin layer.例文帳に追加

多層プリント配線板を製造するに当たり、少なくとも下記 〜 の工程、即ち、 ．基板１の導体回路５上に、未硬化の層間樹脂絶縁剤を塗布して層間樹脂絶縁層２を形成する工程、 ．この層間樹脂絶縁層を加熱プレスして、その表面を平坦化する工程、 ．平坦化した層間樹脂絶縁層上に導体回路を形成する工程、を経ることを特徴とする多層プリント配線板の製造方法である。 - 特許庁

A manufacturing method includes the steps for forming a connection hole 32 on an interlayer insulating film 31 with an etching mask of a resist film 41 after the resist film 41 with an opening pattern 42 for forming a connection hole is formed in the interlayer insulating film 31 on a silicon substrate 11, and a step for ion-implanting impurities to the silicon substrate 11 with the ion implanting mask of the resist film 41.例文帳に追加

シリコン基板１１上に形成した層間絶縁膜３１上に接続孔を形成するための開口パターン４２を形成したレジスト膜４１を形成した後、レジスト膜４１をエッチングマスクに用いて層間絶縁膜３１に接続孔３２を形成する工程と、レジスト膜４１をイオン注入マスクに用いてシリコン基板１１に不純物をイオン注入する工程とを備えた半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

To provide an interlayer insulating film which can secure flatness as a flexible printed wiring board by making a thickness sufficiently thin as an interlayer insulating film, and improving wiring density of a multi-layered type flexible printed wiring plate along the thickness while securing adhesive strength for a circuit formation surface; and to provide electric, mechanical, and thermal reliability, and a flexible printed wiring board using the insulating film.例文帳に追加

回路形成面との接着性および電気的、機械的、熱的信頼性を確保しつつ、層間絶縁膜としての厚みを十分に薄くし、多層型フレキシブルプリント配線板の厚み方向の配線密度を向上させ、かつフレキシブルプリント配線板としての平坦性を確保できる層間絶縁膜およびその製造方法、ならびに該絶縁膜を用いたフレキシブルプリント配線板を提供すること。 - 特許庁

An interlayer insulating film 11 containing oxygen and carbon is formed on a semiconductor substrate, a groove part 13 is formed on the interlayer insulating film 11, an auxiliary film 14 containing predetermined first and second metallic elements is formed on the bottom and sidewall of the groove part 13, and heat processing is performed to form a wiring body layer 19 containing copper as a main component while being buried in the groove part 13.例文帳に追加

半導体基板の上に酸素及び炭素を含む層間絶縁膜１１を形成し、該層間絶縁膜１１に溝部１３を形成し、溝部１３の底面上及び側壁上に所定の第１の金属元素及び第２の金属元素を含む補助膜１４を形成し、熱処理を行い、銅を主成分とする配線本体層１９を、溝部１３の内部を埋め込むように形成する。 - 特許庁

An interlayer insulating film positioned on the fusing element 103 is formed of a material which has a lower melting point than a material for the fusing element 103 and can form a space due to heat at the time of fusion of the fusing element 103.例文帳に追加

ヒューズ素子１０３の上に位置する層間絶縁膜は、ヒューズ素子１０３の材料よりも融点が低く、ヒューズ素子１０３の溶断時の熱によって空間を形成する材料によって形成する。 - 特許庁

The temperature sensor and heater 8 has an adhesion layer 4, a diffusion prevention layer 5, an electric heating layer 6 and a diffusion prevention and adhesion layer 7 from the lowest layer, and the temperature sensor and heater 8 is covered with an interlayer insulation film 9.例文帳に追加

温度センサ兼ヒータ８は、下層から順に密着層４、拡散防止層５、電熱層６及び拡散防止兼密着層７を有し、温度センサ兼ヒータ８が層間絶縁膜９によって被覆されている。 - 特許庁

In a pixel 1a of the solid-state imaging device 1, there is provided a light blocking interlayer connection member 15 for connecting each layer of a multilayered structure to at least a part of a peripheral wiring part 14 in a periphery of a photodiode 17.例文帳に追加

固体撮像装置１の画素１ａにおいて、フォトダイオード１７の周辺の周辺配線部１４の少なくとも一部に、多層構造の各層を連結する、遮光性の層間連結材１５を設ける。 - 特許庁

To provide a reformed layer-like clay mineral which can easily exhibit the function of a layer-like clay mineral by the extension of the space between layers, to provide a method for producing the reformed layer-like clay mineral, and to provide an interlayer compound.例文帳に追加

層間が拡張されることで、層状粘土鉱物の機能を容易に発揮させることのできる改質層状粘土鉱物、改質層状粘土鉱物の製造方法、及び層間化合物を提供する。 - 特許庁

The result to be stored is data related to the interlayer interface nodes, and the quantity of data to be stored and the time required for the second processing are never influenced by the hierarchical depth or order of the layer.例文帳に追加

保存すべき結果データは階層間インタフェースノードに関するデータであり、保存データ量と第２処理に要する時間は階層の深さ若しくは上位階層であるか下位階層であるかによって影響されない。 - 特許庁

Thereby, in a fourth interlayer insulation film formed above the data line 6a and the projecting pattern 81, only the parts corresponding to the data line 6a and the projecting pattern 81 are swollen and the other part has a nearly flat shape.例文帳に追加

これにより、データ線６ａ及び凸パターン８１の上方に形成される第４層間絶縁膜は、データ線６ａ及び凸パターン８１の部分のみが盛り上がり、他の部分は略平らな形状を有する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method a semiconductor device which has a process of forming a flat and highly reliable interlayer insulating film by preventing the occurrence of a horn-shaped projection and a crack in an insulating film, and a semiconductor device.例文帳に追加

絶縁膜にツノ状突起とクラックの発生を防止して、平坦で信頼性の高い層間絶縁膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。 - 特許庁

Then an insulating film 7, having a thickness that can sufficiently cover residues 5a, is formed on the interlayer insulating film 2, and another connecting hole 8 is formed by removing the insulating film 7 from the top of the connecting hole 4.例文帳に追加

その後、層間絶縁膜２上に残渣５ａを十分に覆うことができる膜厚の絶縁膜７を形成し、さらに接続孔４の上方の部分の絶縁膜７を除去して接続孔８を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device with buried wiring that suppresses diffusion of the component of a cap metal layer formed on a Cu wiring layer onto an interlayer insulating film and also suppresses an increase in connection resistance.例文帳に追加

Ｃｕ配線層に形成したキャップメタル層による層間絶縁膜上への拡散を抑制でき、かつ、接続抵抗の上昇を抑制できる埋め込み配線を有する半導体装置の製造方法を得る。 - 特許庁

To provide an aqueous dispersing element for chemical mechanical polishing being employed for shrink isolation (trench isolation) or planarization of an interlayer insulating film in fabrication of a semiconductor device and exhibiting excellent planarity of a polished surface.例文帳に追加

半導体装置の製造における微細化素子分離（トレンチ分離）あるいは層間絶縁膜の平坦化のために用いられ、研磨面の平坦性に優れた化学機械研磨用水系分散体を提供する。 - 特許庁

An interlayer conductive viahole 18 is formed by the combined body of metal powder, and a projecting part 18A which projects to the outside of the multilayered adhesive face of an ahdesive layer 13 is made of by the combined body of the metal powder.例文帳に追加

金属粉体の結合体によって層間導通ビア１８を形成し、その金属粉体の結合体によって接着層１３の多層化接着面より外側に突出した突出部１８Ａを形成する。 - 特許庁

To provide an abrasive used to polish silica-based substrates, for example, rock crystal, quartz glass for photomasks, organic films for semiconductor devices, interlayer insulation films, CMP for trench separation or to polish glass hard disks.例文帳に追加

シリカを主成分とする基板の研磨、例えば水晶、フォトマスク用石英ガラス、半導体デバイスの有機膜、層間絶縁膜及びトレンチ分離のＣＭＰ、又はガラス製ハードディスクの研磨に用いられる研磨剤を提供する。 - 特許庁

A second wiring layer 14 connected electrically to the conductive ball 30 is formed on the insulating layer 25, whereby the interlayer connection of the first wiring layer 12 and the second wiring layer 14 is established through the conductive ball 30.例文帳に追加

絶縁層２５の上には導電性ボール３０に電気的に接続された第２配線層１４が形成され、導電性ボール３０を介して第１配線層１２と第２配線層１４が層間接続されている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device and the semiconductor device, where in a state that the increase of capacity between wirings and wiring interlayer capacity is suppressed, a cavity is formed in an insulating film at a fine processing accuracy.例文帳に追加

配線間容量および配線層間容量の上昇を抑制した状態で、加工精度よく絶縁膜に凹部を形成する半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition which is excellent in performances such as sensitivity transmittance, insulation and chemical resistance, remarkably improves flatness and coating property in particular, and is suitable for forming an interlayer insulating film in a process for fabricating LCD, etc.例文帳に追加

感度、透過率、絶縁性、耐化学性等の性能が優れており、特に、平坦性及びコーティング性を著しく向上させ、ＬＣＤ等製造工程の層間絶縁膜等の形成に適した感光性樹脂組成物。 - 特許庁

Adhesion between the lower layer pattern 2 and the interlayer insulation layer 5 is secured satisfactorily because the surface of the lower layer 2 covered by tin prevents formation of metal oxide on the surface of the lower layer pattern 2.例文帳に追加

これにより，下層パターン２の表面はスズに覆われて，下層パターン２の表面における酸化皮膜の形成が防止されるので，下層パターン２と層間絶縁層５との密着性を十分なものとすることができる。 - 特許庁

The wiring layer 4 of the first wiring board 1 and the wiring layer 8 of the second wiring board 6, which are opposed to each other are interlayer connected through conductive bumps 12, which are arranged in such a way that they penetrate the insulating layer 11.例文帳に追加

対向する第１の配線基板１の配線層４と第２の配線基板６の配線層８とは、絶縁層１１を貫通するように配設された導電性バンプ１２により層間接続させる。 - 特許庁

The laminated glass 21 is provided with a first laminated-glass constituting member 22, a second laminated-glass constituting member 23 and the interlayer film 1 for the laminated glass sandwiched between the first and second laminated-glass constituting members 22 and 23.例文帳に追加

合わせガラス２１は、第１の合わせガラス構成部材２２と、第２の合わせガラス構成部材２３と、該第１，第２の合わせガラス構成部材２２，２３の間に挟み込まれた合わせガラス用中間膜１を備える。 - 特許庁

To provide an abrasive and a polishing method of a substrate using the abrasive that can easily reduce polishing scratch after polishing of a silicon oxide film etc., with respect to CMP technique for flattening an interlayer insulating film, a BPSG film, and an STI film.例文帳に追加

層間絶縁膜、ＢＰＳＧ膜、ＳＴＩ膜を平坦化するＣＭＰ技術において、酸化珪素膜等の研磨後の研磨傷低減を容易に行うことができる研磨剤及び研磨方法を提供する。 - 特許庁

On a primary interlayer dielectric 106 and lower metallic film pattern 108b, there is disposed an intermetal insulating film 112 having a via contact hall 120b that exposes part of the surface of the lower metallic film pattern 108b.例文帳に追加

第１層間絶縁膜１０６及び下部金属膜パターン１０８ｂ上には下部金属膜パターン１０８ｂの一部表面を露出させるビアコンタクトホール１２０ｂを有する金属間絶縁膜１１２が配される。 - 特許庁

To hold a low dielectric constant state with large influence of RC delay, and to improve mechanical intensity of a region except for the region in a low dielectric constant film used for an interlayer insulating film.例文帳に追加

層間絶縁膜に用いられる低誘電率膜において、ＲＣ遅延の影響が大きい領域の低誘電率状態を保持しつつ、それ以外の領域の機械的強度を高めることを可能にする。 - 特許庁

To obtain a film-forming composition which provides a coating film exhibiting a relative dielectric constant of 2.5 or below and excellent in elasticity, low moisture absorption and crack resistance of the coating film as an interlayer insulating film material in semiconductor devices.例文帳に追加

半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、２．５以下の比誘電率を示し、かつ塗膜弾性率、低吸湿性及び耐クラック性に優れる塗膜が得られる膜形成用組成物を得る。 - 特許庁

In this case, in the peripheral wiring region, an etching stop film 121 is formed on a boundary portion between the interlayer insulating films 117 and 113 which is a region equivalent to the lower part of the metallic wiring 124.例文帳に追加

ここで、周辺配線領域では、層間絶縁膜１１３と層間絶縁膜１１７との境界部分であって、金属配線１２４の下部に相当する領域には、エッチングストップ膜１２１が形成されている。 - 特許庁

One terminal end 3a of the inductor coil 8 is located at the top of the pyramid 9 and is connected with an upper metallic wiring layer 7 by means of a through hole 6 formed in an interlayer insulating film 4 and a planarizing layer 5.例文帳に追加

インダクタコイル８の一方の終端３ａは、角錐台９頂部に位置し、層間絶縁膜４及び平坦化層５に形成されたスルーホール６を介し上層の金属配線層７に接続される。 - 特許庁

Further, a plate contact 34 is provided, that penetrates the interlayer dielectric 30 connecting a shield line 33 and a plate electrode 16b, and this shield line 33 is provided in the same distribution layer as that of the bit line 32.例文帳に追加

また、層間絶縁膜３０を貫通してシールド線３３とプレート電極１６ｂとを接続するプレートコンタクト３４が設けられており、このシールド線３３がビット線３２と同じ配線層に設けられている。 - 特許庁

An etching stop layer 124 and an interlayer insulating film 126 are sequentially formed on the entire surface of a resultant substrate, and then subjected to etching operation to form a first contact hole 128a and a second contact hole 128b for a borderless contact.例文帳に追加

結果物の全面にエッチング阻止層１２４および層間絶縁膜１２６を順次に形成した後、これをエッチングして第１コンタクトホール１２８ａおよびボーダレスコンタクト用第２コンタクトホール１２８ｂを形成する。 - 特許庁

To obtain a coating fluid for silica-based film forming useful as a flattening film, an interlayer insulating film or the like used in a production of a semiconductor element and having low dielectric constant and to provide a method for efficiently producing the coating fluid.例文帳に追加

半導体素子の製造において使用される平坦化膜や層間絶縁膜などとして有用な比誘電率の低いシリカ系被膜形成用塗布液及びこのものを効率よく製造する方法を得る。 - 特許庁

Apertures 51A, 53A are formed on a part of the upper layer conducting layer and the interlayer insulating layer below the upper-layer conducting layer, and a chip-mounting part 23 of a bump connection system, which has a structure exposing the lower- layer conducting layer is formed.例文帳に追加

上層導電層とその下層の層間絶縁層の一部に開口（５１Ａ，５３Ａ）を形成して、下層導電層を露出させる構造としたバンプ接続方式のチップ実装部（２３）を形成する。 - 特許庁

Embedded wirings 8a, 8b, and 10 are formed on interlayer insulating films 6 and 9 by discharging metallic droplets 7a-7c into contact holes CH1 and CH2 and a via hole BH1 by an ink-jet method.例文帳に追加

インクジェット法を用いて、コンタクトホールＣＨ１、ＣＨ２およびビアホールＢＨ１に金属の液滴７ａ〜７ｃを吐出することにより、埋め込み配線８ａ、８ｂ、１０を層間絶縁膜６、９上に形成する。 - 特許庁

On a semiconductor substrate 2, on which an interlayer insulating film 3 is formed, a contact hole 1 is formed between the surface 3a of the insulating film 3 and a internal portion of the substrate 2 through the insulating film 3 and the surface 2a of the substrate 2.例文帳に追加

層間絶縁膜３が形成された半導体基板２上において、コンタクトホール１の一端は層間絶縁膜表面３ａに開口され、他端は半導体基板表面２ａを貫いている。 - 特許庁

Interlayer distances by step of the active material found by a powder X-ray diffractometry is 0.33-0.36 nm in the pre-treating step, 0.5-2.1 nm in the oxidizing step, and 0.34-0.5 nm in the reducing step.例文帳に追加

粉末Ｘ線回折法で求めた活物質の段階別層間距離は、前処理段階において０．３３〜０．３６ｎｍ、酸化段階において０．５〜２．１ｎｍ、及び還元段階において０．３４〜０．５ｎｍである。 - 特許庁

In the CMP method, when cleaning the surface of a substrate by the cleaning liquid containing a surface active agent to remove residual slurries and polishing residues therefrom, an interlayer insulating film 3 is impregnated with organic substances present in the cleaning liquid containing the surface active agent.例文帳に追加

界面活性剤を含む洗浄液で洗浄して、残留するスラリーと研磨残留物を除去すると、界面活性剤を含む洗浄液中の有機物が層間絶縁膜３の中に染み込む。 - 特許庁

To prevent destruction of an inverter by stopping the heating operation before the inverter is destroyed if interlayer short-circuit occurs in a coil in an induction heating apparatus for the induction heating with an alternating current fed to the coil.例文帳に追加

コイルに交流電流を供給して誘導加熱する誘導加熱装置において、コイルに層間ショートが発生した場合に、インバータの破壊が発生するまでに加熱動作を停止し、インバータの破壊を防止する。 - 特許庁

Further, at least a part (321) of the high-resistance part is arranged in layers different from each other via the terminal and interlayer insulation films and is drawn around within the area in which the terminal is formed, in the peripheral area.例文帳に追加

更に、高抵抗部分の少なくとも一部（３２１）は、端子と層間絶縁膜を介して互いに異なる層に配置されると共に周辺領域のうち端子が形成された領域内で引き回される。 - 特許庁

To provide an abrasive and a polishing method, which enable the high speed polishing and a high flatness level in a CMP technology, which can plavarize an interlayer insulation film and a shallow trench isolating insulation film, without producing abrasive flaws.例文帳に追加

層間絶縁膜、シャロートレンチ分離用絶縁膜を平坦化するＣＭＰ技術において、研磨傷を発生することなく高速研磨と高平坦化を可能にする研磨剤および研磨法を提供する。 - 特許庁