「Interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(90ページ目) - Weblio英語例文検索

In the process for forming a dual damascene interconnect line, a concurrent capturing resin film 1 of cellulose is formed to fill a via hole 21 formed in an interlayer insulating film and to cover the surface of a cap layer 16.例文帳に追加

デュアルダマシン配線の形成工程において、層間絶縁膜に形成したビアホール２１を充填しキャップ層１６表面を被覆して、セルロースを構成材料とした捕獲兼用樹脂膜１を塗布形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which does not need a oxynitride film as an etching stopper in the upper part of a source/drain contact, and can ensure short margin with a gate electrode in the case of etching of an interlayer insulating film.例文帳に追加

ソース・ドレインコンタクトの上部にエッチングストッパとしての窒化膜を必要とせず、かつ層間絶縁膜のエッチング時にゲート電極とのショートマージンを確保することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In addition, a second interlayer insulating film 7 is laminated upon the insulating film 3 and third contact plugs 8 are connected to the contact plug 4 and intermediate wiring 5 through the film 7.例文帳に追加

また、第１層間絶縁膜３上に第２層間絶縁膜７が積層され、第３コンタクトプラグ８が第２層間絶縁膜７を挿通して第１コンタクトプラグ４及び中間層配線５に接続されている。 - 特許庁

An offset between alignment marks and an alignment pattern transferred to a photosensitive resist is measured in advance with respect to some 10 to 20 wafers to obtain a correlation between the thickness of an interlayer insulating film and a wafer scaling value.例文帳に追加

予め、１０乃至２０枚程度のウェハについて、アライメントマークと感光性レジストに転写されたアライメントパターンとの位置ずれ量を測定し、層間絶縁膜の厚さとウェハスケーリングの値との相関関係を求めておく。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing base material for multilayered substrate by which interlayer continuity can be obtained highly reliably with a low resistance by using conductive paste without causing any defect nor fault in the protruded part of the conductive paste during the course of manufacturing a base material for multilayered substrate.例文帳に追加

製造過程で、導電性ペーストの突起部に欠損不良が生じることがなく、導電性ペーストによる層間導通を、低抵抗で、信頼性高く行う多層基板用基材を製造すること。 - 特許庁

In forming a low dielectric constant interlayer insulating film, adhesion bond strength is improved while keeping a low dielectric constant, by changing two frequencies of a high frequency and a low frequency to modulate characteristics of the film in the film thickness direction.例文帳に追加

低誘電率層間絶縁膜の成膜の際、高周波と低周波の２周波を切り替え、膜厚方向に膜特性の変調をかけることで、低誘電率を保持したまま密着強度を向上させる。 - 特許庁

In the battery blister pack, a mat 2 has an interlayer peeling strength of 600 kPa or more and 2,000 kPa or less, and the peeling strength between the mat 2 and a cover 3 is 0.125 kN/m or more and 0.20 kN/m or less.例文帳に追加

電池用ブリスターパックでは、台紙２の層間剥離強度が６００ｋＰａ以上２０００ｋＰａ以下であり、台紙２とカバー３との剥離強度が０．１２５ｋＮ／ｍ以上０．２０ｋＮ／ｍ以下である。 - 特許庁

To provide a liquid-crystal film which includes a liquid-crystal layer having excellent orientation retention of homeotropic alignment and has excellent interlayer adhesion strength between a cycloolefin polymer (COP) film and the liquid-crystal layer, and an optical element and an elliptically polarizing plate which are obtained using the same.例文帳に追加

液晶層のホメオトロピック配向保持能とシクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）フィルムと液晶層の層間密着力が優れた液晶フィルムと、それを用いて得られる光学素子および楕円偏光板を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a thin film transistor array by a printing method using a block which achieves good electric connection between upper and lower conductive layers of an interlayer dielectric even if in an uneven through hole.例文帳に追加

凹凸のあるスルーホール部分であっても、層間絶縁膜の上下の導電層間で良好な電気的な接続が得られる、版を用いた印刷法による薄膜トランジスタアレイの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a photosensitive composition superior in storage stability, heat resistance, transparency, base material adhesion, and flatness, and to provide a coating agent containing the photosensitive composition and a color filter protective film, an interlayer dielectric, and a photospacer using it.例文帳に追加

保存安定性に優れ、かつ耐熱性、透明性、基材密着性、平坦性に優れた感光性組成物、それを含むコーティング剤ならびにこれを用いたカラーフィルタ保護膜、層間絶縁膜、フォトスペーサーの提供。 - 特許庁

To solve such a problem that, when a sacrificial interlayer dielectric becoming a mold material of a cylindrical lower electrode is removed, leakage current of a capacitor increases at a connection between a beam and a lower electrode by formation of the beam to prevent collapse.例文帳に追加

シリンダ状下部電極の型材となる犠牲層間絶縁膜を除去する際に、倒壊を防止する梁が形成されることで、梁と下部電極の接続部でキャパシタのリーク電流が増加する。 - 特許庁

A through hole DTH is formed to penetrate the interlayer insulating films II2 and II3 and reach the stopper film AL1, and a first cavity CAV is formed in the top surface of a conductive layer DT in the through hole DTH.例文帳に追加

層間絶縁膜ＩＩ２、ＩＩ３を貫通してストッパ膜ＡＬ１に達するスルーホールＤＴＨが形成され、スルーホールＤＴＨ内の導電層ＤＴの上面に第１の凹部ＣＡＶが形成される。 - 特許庁

A buried material 19 is formed on the first interlayer insulating film 18 (Fig.3(b)), and annealing is performed to fuse the buried material 19 and to fill space in the trench 16 with the buried material 19 (Fig.3(c)).例文帳に追加

この後、第１層間絶縁膜１８の上に埋め込み材１９を形成し（図３（ｂ））、埋め込み材１９を溶融させて、トレンチ１６内の空間を埋め込み材１９で埋め込む熱処理を行う（図３（ｃ））。 - 特許庁

To provide a positive radiation sensitive resin composition, from which an interlayer insulating film can be formed, the film having high radiation sensitivity and development margin and excellent heat resistance, solvent resistance, low dielectric property, transmittance for rays, resistance against light and resistance against dry etching.例文帳に追加

放射線感度、現像マージンが高く、耐熱性、耐溶剤性、低誘電性、光線透過率、耐光性、耐ドライエッチング性が優れた層間絶縁膜を形成可能なポジ型感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

The data wiring line is layered on the amorphous silicon layer 27a, formed of a metal, and connected to the channel layer 19 via a contact hole h1 formed in the gate insulating film 21 and in the interlayer insulating film 25.例文帳に追加

データ配線は、非晶質シリコン層２７ａに積層され、金属で形成され、ゲート絶縁膜２１及び層間絶縁膜２５に形成されたコンタクトホールｈ１を介してチャネル層１９に接続されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which, in ultrasonic flip chip packaging, spreading of fracture of the electrode of a semiconductor element under ultrasonic oscillation is suppressed, giving no damage on the base material (interlayer film) of the electrode of the semiconductor element.例文帳に追加

超音波フリップチップ実装において、超音波振動による半導体素子の電極の破断の広がりを抑制でき、半導体素子の電極の下地（層間膜）にダメージを与えない半導体装置を提供する。 - 特許庁

After forming a film 132 including a substance having a high selectivity for a medium used in an ashing process on an interlayer insulation film 121, a dual damascene structure is formed by deforming the film 132 through the ashing process.例文帳に追加

アッシング工程で使われる媒体に対して高い選択性を有する物質を含む膜１３２を層間絶縁膜１２１上に形成した後で、それをアッシング工程で変成させてデュアルダマシン構造を作る。 - 特許庁

To provide a technique that suppresses the propagation of cracking generated at the time of dicing to improve reliability in semiconductor device even in the semiconductor device using a low-k film as an interlayer insulating film.例文帳に追加

Ｌｏｗ−ｋ膜を層間絶縁膜として用いた半導体装置であっても、ダイシング時に発生するクラックがシールリング部へ伝播するのを抑制し、半導体装置の信頼性を向上する技術を提供する。 - 特許庁

Here, the interlayer insulating film 2 formed on the first surface 1a of the semiconductor substrate 1 reflects a step between the bottom surface of the first hole 7 and the first surface 1a of the semiconductor substrate 1, resulting in a step shape.例文帳に追加

このとき、半導体基板１の第１面１ａに形成されている層間絶縁膜２は、第１孔７の底面と半導体基板１の第１面１ａとの段差を反映して段差形状になっている。 - 特許庁

A plug 7a is formed in the source and drain impurity region, a first interlayer insulation film is formed on the front of the substrate, and a plurality of bit lines 9 are formed at fixed intervals in a direction being vertical to the word line 4.例文帳に追加

ソース／ドレイン不純物領域にプラグ７ａを形成し、基板の前面に第１層間絶縁膜を形成し、ワードライン４とは垂直方向に一定の間隔で複数のビットライン９を形成する。 - 特許庁

On an interlayer insulating film 109 serving as a patterning layer, a predetermined range is removed to have an etching region for exposing at least a part of the upper clad layer 106 or a second conductive semiconductor region 108.例文帳に追加

パターニング層としての層間絶縁膜１０９は、その所定範囲を除去して上部クラッド層１０６又は第２導電型半導体領域１０８の少なくとも一部を露出させるエッチング領域を有する。 - 特許庁

After a silicon nitride film 6 is formed as an oxygen transmission preventing film on the first interlayer insulating film 2 and a barrier metal 5, the silicon nitride film 6 is ground by the CMP method, until the surface of the barrier metal 5 is exposed.例文帳に追加

第１の層間絶縁膜２及びバリアメタル５上に酸素透過防止膜として、窒化シリコン膜６を形成した後、ＣＭＰ法によりバリアメタル５上表面が露出するまで、窒化シリコン膜６を研磨する。 - 特許庁

Consequently, a film structure is damaged by the deformation of an interlayer insulating film 22 formed of a soft material in association with pressing to the spacer 31, thereby avoiding short circuit of the pixel electrode film 29 and common electrode film 23.例文帳に追加

このため、スペーサ３１への押圧に伴う軟材料からなる層間絶縁膜２２の変形によって膜構造が破損し画素電極膜２９と共通電極膜２３とが短絡することが回避される。 - 特許庁

To stably and rapidly perform interlayer jump for performing focus control to each recording layer of a disk having a plurality of recording layers, while an effect is not absorbed by disturbance or change in moving speed of an objective lens.例文帳に追加

複数の記録層を有するディスクの各記録層にフォーカス制御をかけるための層間ジャンプを、外乱や対物レンズの移動速度の変化に影響を吸収されず、短時間で安定に行なえるようにする。 - 特許庁

A TFT 12 has a structure formed by laminating a bottom gate electrode 20, a bottom gate insulating film 17, a semiconductor layer 13, a top gate insulating film 18, a top gate electrode 14, and an interlayer insulating film 19 in this order.例文帳に追加

ＴＦＴ１２は、ボトムゲート電極２０、ボトムゲート絶縁膜１７、半導体層１３、トップゲート絶縁膜１８、トップゲート電極１４及び層間絶縁膜１９がこの順に積層された構造を有する。 - 特許庁

An inorganic passivation film 108 and an organic passivation film 109 are formed in this order so as to cover the TFT, a common electrode 110 is formed thereon, and furthermore, an interlayer insulating film 111 is formed thereon.例文帳に追加

ＴＦＴを覆って、無機パッシベーション膜１０８、有機パッシベーション膜１０９がこの順で形成され、その上にコモン電極１１０が形成され、さらにその上に層間絶縁膜１１１が形成されている。 - 特許庁

An interlayer dielectric 29 is formed after a plate electrode 28 is formed, and a CMP operation is carried out, using the plate electrode 28 on an SiO2 film 34 formed in a peripheral circuit region 56 as a stopper to make the surface flat.例文帳に追加

プレート電極２８の形成後に層間絶縁膜２９を形成し、周辺回路領域５６に形成されたＳｉＯ_２膜３４上のプレート電極２８をストッパーにＣＭＰを行い、平坦化している。 - 特許庁

On a first electrode film pattern formed so that the first electrode film pattern is connected to an impurity region on a semiconductor substrate, a ferroelectric film pattern, a second electrode film pattern, a protection film, and an interlayer insulating film are sequentially arranged.例文帳に追加

半導体基板の不純物領域と接続されるように形成された第１電極膜パターン上に強誘電体膜パターン、第２電極膜パターン、保護膜及び層間絶縁膜が順次配される。 - 特許庁

To reduce variation in film forming and in the amount of polishing of the interlayer dielectric deposited on a capacitor, relating to a semiconductor device which comprises a memory cell region having a cubic capacitor and a peripheral circuit region.例文帳に追加

立体形状のキャパシタを有するメモリセル領域と周辺回路領域とを有する半導体装置において、キャパシタの上に堆積する層間絶縁膜の成膜ばらつき及び研磨量ばらつきを低減する。 - 特許庁

A contact hole 30 is formed at the interlayer insulating film corresponding to a source area 25a and a drain area 25d, and a source electrode 31s and a drain electrode 31d are arranged through this contact hole 30.例文帳に追加

ソース領域２５ｓ及びドレイン領域２５ｄに対応して層間絶縁膜にコンタクトホール３０が形成され、このコンタクトホール３０を通してソース電極３１ｓ及びドレイン電極３１ｄが配置される。 - 特許庁

In the case of forming poly-Si layers 4a which become level difference factors on a silicon substrate 1, dummy patterns consisting of poly-Si layers 4b are formed also in peripheral areas to absorb level differences on an interlayer insulating film 5.例文帳に追加

シリコン基板１上に段差要因となるＰｏｌｙ−Ｓｉ層４ａを形成する際に、周辺領域にも、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ層４ｂによるダミーパターンを形成し、層間絶縁膜５の段差を吸収する。 - 特許庁

Conductive boundary patterns 12 are formed in the interlayer film in boundary regions 3 between each of the plurality of chip regions, surround the chip regions, are electrically independent from the electronic elements, and have clearances therebetween.例文帳に追加

導電性の境界パターン１２は、複数のチップ領域の相互間の境界領域３中の層間膜中に形成され、チップ領域を囲み、電子素子から電気的に独立しかつ間に間隔を有する。 - 特許庁

A floating gate is formed by the second conductive film, which is extended to the upper part of the first conductive film 103 on the circumference of the tunnel oxide film, covering the tunnel oxide film, and the second interlayer insulating film 107 is formed on the surface of the floating gate.例文帳に追加

トンネル酸化膜を覆ってトンネル酸化膜周辺の第１導電膜の上部まで延長された第２導電膜で浮遊ゲートを形成し、浮遊ゲート表面に第２層間絶縁膜を形成する。 - 特許庁

In a process (d), after forming an oxide film 9 and an interlayer film 10 in this order over the whole surface including the WSi layer 7 and the oxide film 6, the contact hole 11 is opened in the films 9, 10 present on the foregoing pattern of the WSi layer 7.例文帳に追加

工程（ｄ）で、ＷＳｉ層７を含む表面全体に酸化膜９及び層間膜１０をこの順序で形成した後、上記パターニングしたＷＳｉ層７の上部にコンタクトホール１１を開口する。 - 特許庁

In addition, between two contact parts 12 in the interlayer insulating film 23, the fuse 13 is arranged to be connected to both the contact parts electrically, and the fuse 13 also consists of the same high melting-point metal as that of the contact parts 12.例文帳に追加

また、層間絶縁膜２３内の２つのコンタクト部１２の間にはヒューズ１３が両者に電気的に接続するように配設され、ヒューズ１３もコンタクト部１２と同じ高融点金属で構成されている。 - 特許庁

The manufacturing method includes a step (c) of reducing the film thickness of the metal film after the step (b), and separating the metal film embedded in the wiring groove from the metal film deposited on the interlayer dielectric.例文帳に追加

そして、この工程（ｂ）の後に、前記金属膜の膜厚を減少させるとともに、前記配線溝に埋め込まれた金属膜と前記層間絶縁膜上に堆積した金属膜との分離を行う工程（ｃ）を有する。 - 特許庁

The second lamination portion 120 includes: a block insulating layer 123B provided in contact with sidewalls of the first conductive layers 121 and the interlayer insulating layers 122; a charge storage layer 123C; and a tunnel insulating layer 123T.例文帳に追加

第２積層部１２０は、層間絶縁層１２２及び第１導電層１２１の側壁に接して設けられたブロック絶縁層１２３Ｂと、電荷蓄積層１２３Ｃと、トンネル絶縁層１２３Ｔとを備える。 - 特許庁

The backing material 6 is formed of a mesh fabric of a double raschel structure having a moisture absorbing layer 10 on the inner surface, a moisture releasing layer 11 facing to the air venting holes 7 and an interlayer 12 formed between both the layers 10 and 11.例文帳に追加

裏材６は、内面の吸湿層１０と、通気孔７に臨む放湿層１１と、これら両層１０・１１の間に形成される中間層１２とを備えたダブルラッセル構造のメッシュ生地で形成してある。 - 特許庁

A seal ring 104 is formed in the stacked structure of the interlayer insulating films 105 to 109 at the periphery of a chip region 102, which penetrates through the stacked structure and surrounds the chip region 102 successively.例文帳に追加

チップ領域１０２の周縁部における層間絶縁膜１０５〜１０９の積層構造に、該積層構造を貫通し且つチップ領域１０２を連続的に取り囲むシールリング１０４が形成されている。 - 特許庁

To provide a graphite-based hydrogen storage material in which the interlayer of graphite is utilized and which has the hydrogen storage capacity larger than that of a porous material such as activated carbon at normal temperature and is manufactured easily and to provide a method for manufacturing the graphite-based hydrogen storage material.例文帳に追加

黒鉛の層間を利用し、常温において活性炭等の多孔質材料よりも高い水素吸蔵量を有し、作製も容易な黒鉛系水素吸蔵材料及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

When a part of the interlayer insulating film is worked by etching or milling, insulating failures are prevented by employing the design of oxidizing the surface again after the working or leaving an oxidized film even after the processing.例文帳に追加

エッチングやミリングによって層間絶縁膜の一部を加工する場合には、加工後に再度、表面を酸化処理するか、加工後も酸化処理した膜が残るように設計することで絶縁不良を防止することができる。 - 特許庁

When a communications task needs to be performed, but implementation within the existing protocol layers may hinder deployment due to the issues of compatibility, the methods of the present invention are used to create an interlayer to handle the task.例文帳に追加

通信タスクを実行する必要があり、しかし互換性の問題のために既存のプロトコル層内の実装が配置を妨げる可能性があるとき、本発明の方法を使用してタスクを扱う中間層を作成する。 - 特許庁

To obtain a composition for forming a film excellent in dielectric constant characteristic and oxygen plasma ashing resistance, having high surface hardness of the coating film therefrom, and suitable for interlayer insulation films in semiconductor devices or the like.例文帳に追加

半導体素子などにおける層間絶縁膜として適当な、耐酸素プラズマアッシング性に優れ、しかも塗膜の表面硬度が高く、誘電率特性などに優れた膜形成用組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a resin composition which gives a cured item excellent in flexibility and resistances to soldering heat, heat degradation, and electroless gold plating, can be developed with a dilute alkali solution, and is suitable for a solder resist and an interlayer insulation layer.例文帳に追加

硬化物の可撓性や半田耐熱性、耐熱劣化性、無電解金メッキ耐性に優れ希アルカリ溶液で現像ができ、ソルダーレジスト用及び層間絶縁層用に適する樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a lamination wiring board which enables high density pattern formation and its manufacturing method by making charging of a via hole easy when an interlayer connection structure, wherein the thickness of an insulation layer is relatively large, is formed.例文帳に追加

絶縁層の厚さが比較的大きい層間接続構造を形成する際のビアホールの充填を容易にし，高密度なパターン形成ができる積層配線板およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁