Interlayerを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 6425件
To provide a resin sheet to be used for manufacturing a ceramic multilayer wiring board having a concave portion, and also to provide a manufacturing method for obtaining the ceramic multilayer wiring board which has no interlayer separation nor deformation, using the resin sheet.例文帳に追加
凹部を有するセラミック多層配線基板を製造するのに用いられる樹脂シートと、それを用いて層間剥離や変形のないセラミック多層配線基板を得るための製造方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a treating method equipped with safety, energy saving property and simplicity and its process in the case of taking an aqueous treatment as premise for regeneration-treating a polyvinyl butyral resin which is an interlayer film of an automobile glass laminate.例文帳に追加
自動車合わせガラスの中間膜である ポリビニルブチラール樹脂を再生処理することを 水性処理を前提として 安全性、省エネルギー、簡便性を具備した処理法及びそのプロセスを提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device which prevents increase of wiring corrosion and leak current, suppresses fluctuation in dielectric constant due to moisture absorption of a whole interlayer insulation film, and lowers the dielectric constant.例文帳に追加
配線の腐食やリーク電流の増大を防止しつつ、層間絶縁膜全体として吸湿による誘電率の変動を抑制し、かつ誘電率を低くすることができる半導体装置を提供すること。 - 特許庁
To provide a high reliability multilayer wiring board having two or more wiring layers in which excellent bonding is ensured between the wiring layer and an interlayer insulation layer and via connection is carried out surely between the wiring layers.例文帳に追加
2層以上の配線層を有する多層配線基板において配線層と層間絶縁層の接着に優れ、配線層間のビア接続が確実に行われる高信頼性の多層配線基板を提供する。 - 特許庁
The proposed interlayer connecting bonding sheet (100a) for multilayer wiring circuit board is formed by laminating a bonding layer (20a) including bisallylnadiimide compound at least to a single surface of an insulating base material (10) formed of a resin composition.例文帳に追加
樹脂組成物からなる絶縁基材(10)の少なくとも片面にビスアリルナジイミド化合物を含有する接着層(20a)が積層されている、多層配線基板用層間接続ボンディングシート(100a)を提案する。 - 特許庁
To prevent the diffusion of fluorine and copper between a dielectric film and metal wiring when forming the metal wiring containing copper in the dielectric film using a fluorine-added carbon film as a dielectric film, e.g. interlayer dielectric film.例文帳に追加
フッ素添加カーボン膜を絶縁膜例えば層間絶縁膜として用い、この絶縁膜に銅を含む金属配線を形成するにあたり、絶縁膜と金属配線との間において、フッ素及び銅の拡散を防ぐこと。 - 特許庁
To produce an interlayer film for laminated glass with sound-absorbing properties, which can be produced at a reasonable cost by selecting the plasticizer-containing polyvinyl acetals to be used and can still exhibit good sound absorption.例文帳に追加
使用される可塑剤含有ポリビニルアセタールの選択によって低コストで製造され得るが、それにも関わらず良好な防音を有する、防音特性を備えた合わせガラス用の中間層フィルムを製造する。 - 特許庁
The respective semiconductor modules are laminated on top of each other or on the mother board via a multiplicity of spacer means provided corresponding to all interlayer connection lands provided on the wiring board of each layer.例文帳に追加
各半導体モジュールは、配線基板に、各層の配線基板にそれぞれ設けられた層間接続ランドの全てに対応して設けられた多数個のスペーサ手段を介して相互に或いはマザー基板上に積層される。 - 特許庁
To provide a process for manufacturing a semiconductor device in which damage on the interlayer insulating film group is reduced during laser processing, and the processing profile of a trench formed by laser processing can be improved.例文帳に追加
本発明は、レーザ加工をする際における層間絶縁膜群のダメージを低減するとともにレーザ加工によって形成される溝の加工形状を改善することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
By using interlayer addresses rather than layer 2 or layer 3 addresses, this embodiment of source routing allows compatibility both with multiple layer 3 protocols and with multiple layer 2 network interfaces.例文帳に追加
層2または層3のアドレスの代わりに中間層アドレスを使用することにより、ソースルーティングのこの実施形態によって、複数の層3プロトコルおよび複数の層2ネットワークインターフェイスとの互換性が可能になる。 - 特許庁
An intercalant graphite interlayer compound may be used as the compound of a group IVB element of the periodic table containing one or more elements selected from among alkali metal, alkaline earth metal, rare earth element and transition metal.例文帳に追加
また、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類元素もしくは遷移金属のうちいずれか1種以上を含む周期律表第IVB族の化合物として、インターカラント黒鉛層間化合物を使用することもできる。 - 特許庁
To prevent an interlayer peeling and to improve mechanical properties necessary as a catheter 1 formed by embedding metallic cloth 4 between at least two layers; an inner layer tube 2 and an outer layer tube 3 made of resin.例文帳に追加
金属製編組物4が樹脂製の内層管2と外層管3の少なくとも二層の間に埋設されたカテーテル1において、層間剥離を防止し、カテーテルとして必要な機械的性質のさらなる向上を図る。 - 特許庁
To provide a method for manufacture in which evenness of an interlayer insulation film is improved and detailed work for an upper layer wiring is made easy to rationalize manufacturing process, in a semiconductor device containing a capacitor using a two-layer polysilicon.例文帳に追加
2層ポリシリコンを用いたキャパシタをもつ半導体装置において、層間絶縁膜の平坦性を改善し、上層配線の微細加工を容易にして製造工程を合理化した製造方法を提供する。 - 特許庁
This semiconductor device 1 comprises the insulating film 18 including a low permittivity film 14 formed on the interlayer insulating film 10, and the wires 24 formed in wiring grooves 26 which are formed in the insulating film 18.例文帳に追加
半導体装置1は、層間絶縁膜10上に形成された低誘電率膜14を含む絶縁膜18と、絶縁膜18に形成された配線溝26内に形成された配線24を有している。 - 特許庁
To provide an optical pickup for performing highly reliable recording and reproduction without receiving the influence of interlayer crosstalk in a multilayer optical disk having a plurality of information recording layers, and to provide an optical disk medium.例文帳に追加
複数の情報記録層を有する多層光ディスクにおいて、層間クロストークの影響を受けることなく信頼性の高い記録再生を行うことが可能な光ピックアップおよび光ディスク媒体を提供する。 - 特許庁
Especially, the pixel switch SW' includes a source electrode and drain electrodes 27 and 28 which are formed together with the anode 30 on an interlayer insulating film 23 so as to reflect the light laterally emitted from the self light-emitting layer 34.例文帳に追加
特に、画素スイッチSW’は、層間絶縁膜23上にアノード電極30と共に配置され発光層34から横方向に放出される光を反射するソースおよびドレイン電極27,28を含む。 - 特許庁
In the liquid crystal display, the common electrodes 103 and the pixel electrodes 105 are disposed in different layers through the medium of a laminar interlayer insulating film comprising at least two layers including the color filter layer 111.例文帳に追加
このような液晶表示装置において、共通電極103と画素電極105を、カラーフィルタ層111を含む少なくとも2層からなる層状の層間絶縁膜を介して互いに異なった層に配置する。 - 特許庁
The semiconductor interlayer insulating film is obtained by dissolving the siloxane-based resin having a new structure, in an organic solvent and coating the solution on a substrate and then thermally curing the same.例文帳に追加
本発明は、新規構造を有するシロキサン系樹脂を有機溶媒に溶かし、これを基板上にコーティングした後、熱硬化させることにより製造される半導体層間絶縁膜により上記課題を解決する。 - 特許庁
To provide a core substrate being useful for manufacturing a multilayer circuit board, that can achieve low resistance and fine patterns, since the interlayer connection of an entire layer can be made by series structure formed by an electrical copper-plated member.例文帳に追加
全層の層間接続を電気銅めっき材で形成される直列構造でとることができるので低抵抗・ファインパターン化を実現可能な多層回路基板を製造するために有用なコア基板を提供する。 - 特許庁
To provide copper foil which is easily machined by a laser and suitably has a small-diameter interlayer connection hole formed and its manufacturing method by improving the top surface of the copper foil when a printed circuit board is manufactured.例文帳に追加
プリント回路基板の製造に際し、銅箔の表面を改善することにより、レーザー加工が容易であり、小径層間接続孔の形成に適した銅箔及びその製造方法を提供することにある。 - 特許庁
To provide a semiconductor device and the manufacturing method of the semiconductor device, excellent in flatness of an interlayer insulating layer with a small variation of through-hole resistance without failure in wiring continuity.例文帳に追加
層間絶縁層の平坦性に優れると共に、配線の導通不良が起こらず、かつ、スルーホール抵抗のばらつきが小さい半導体装置およびその半導体装置の製造方法を提供することにある。 - 特許庁
Formation of an upper wiring layer on an insulating resin layer and interlayer conduction via a via hole, between the lower wiring layer and upper wiring layer, are attained by using the copper nanoparticle sintered body conductive layer.例文帳に追加
この銅ナノ粒子焼結体型の導電体層を利用して、絶縁性樹脂層上の上層配線層の形成と、下層配線層と上層配線層の間における、ビアホールを介する層間導通を達成する。 - 特許庁
An interlayer provided with a circumferential area consisting of a polyvinyl acetal layer containing lower plasticizer than the layer 12 at around three-layered sound insulating area including the layer 12 is provided for easily manufacturing a structure.例文帳に追加
また、この構造を容易に製造するために、層12を含む3層の遮音領域の周囲に層12よりも可塑剤の含有率が低いポリビニルアセタール層からなる周縁領域を配置した中間膜を提供する。 - 特許庁
To realize manufacture of a semiconductor device, etc., having a multilayer wiring structure of fine wiring in high yield even when a material having a brittle mechanical strength is used as an interlayer insulating film.例文帳に追加
たとえ層間絶縁膜として機械的強度が脆弱な材料を用いた場合であっても、微細配線の多層配線構造を有する半導体装置等をより高い歩留りで製造できるようにする。 - 特許庁
Preferably, the graphite interlayer compound contains sulfuric acid inserted thereto and has 0.01-1 mm average particle diameter and the polyurethane resin is a polycarbonate-based polyurethane resin.例文帳に追加
さらにはグラファイト層間化合物が、硫酸を挿入されたものであることや、グラファイト層間化合物の平均粒子径が0.01〜1mmであること、ポリウレタン樹脂がポリカーボネート系ポリウレタン樹脂であることが好ましい。 - 特許庁
To provide a hydrogen barrier structure for preventing or suppressing the diffusion of hydrogen into an oxide dielectric wherein the hydrogen as a reducer is supplied when an interlayer insulating film is formed in a reducing atmosphere.例文帳に追加
層間絶縁膜を還元性雰囲気中で形成する際に供給される還元剤としての水素が、酸化物誘電体中に拡散されるのを防止或いは抑制する水素バリア構造を提供する。 - 特許庁
The printed wiring board is manufactured by forming conductive paste, an insulating resin layer and a circuit conductor through build-up without boring the interlayer connecting part of a multilayer printed wiring board by drilling or laser machining.例文帳に追加
多層プリント配線板の層間接続部をドリル加工やレーザー加工の穿孔作業をすることなく、導電性ペーストと絶縁樹脂層と回路導体をビルドアップ法で形成するプリント配線板を提供するものである。 - 特許庁
To provide a disc brake squeak prevention shim and a disc brake which dranstically improve the squeak prevention effect and heat insulation performance and prevents the generation of interlayer peeling phenomena on the surface layer.例文帳に追加
鳴き防止効果および断熱性を著しく向上させることができ、しかも表面層において層間剥離現象等を発生することがないディスクブレーキの鳴き防止用シムおよびディスクブレーキを提供する。 - 特許庁
That is, the magnetization direction of the ferromagnetic body B for bias is determined by an intense interlayer coupling field He due to unidirectional anisotropy in the interface between the ferromagnetic body B for bias and the anti-ferromagnetic body A adjacently layered.例文帳に追加
すなわちこのバイアス用強磁性体Bは、隣接して積層された反強磁性体Aとの界面における一方向異方性による強い結合磁界Heによってその磁化方向が決定される。 - 特許庁
In a LTCC multilayer substrate 11 constituted of each LTCC substrate 13, a dot 25 constituting a code pattern 20 obtained by converting manufacturing information is disposed in each different interlayer of LTCC substrate 13.例文帳に追加
各LTCC基板13から構成されるLTCC多層基板11において、製造情報を変換したコードパターン20を構成するドット25を、各LTCC基板13のそれぞれ異なる層間に備えた。 - 特許庁
To provide an ashing method, in which the quality of an organic low permittivity film will not deteriorate when a used organic resist pattern is removed, even if an underlying interlayer insulation film includes the organic low permittivity film.例文帳に追加
使用済みの有機レジストパターンを除去するときに、その下地が有機低誘電率膜を含む層間絶縁膜である場合にも、該有機低誘電率膜の膜質が劣化することのないアッシング方法を提供する。 - 特許庁
Otherwise, a silicon nitride film may be formed on the polycrystal semiconductor layer 3 as a first interlayer insulating film 6b, so that the polycrystal semiconductor layer 3 is hydrogenated by the hydrogen contained in the silicon nitride film.例文帳に追加
あるいは、多結晶半導体層3上に第1層間絶縁膜6bとしてシリコン窒化膜を形成し、このシリコン窒化膜内部に含まれる水素により多結晶半導体層3を水素化するようにしてもよい。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a semiconductor device for effectively preventing fluorine from being diffused from an interlayer insulating film containing fluorine to a wiring layer or the like without adding any complicated manufacturing processes.例文帳に追加
複雑な製造工程を追加することなく、フッ素を含む層間絶縁膜からの配線層等へのフッ素の拡散を有効に防止することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
The interlayer insulating film 6 is formed by means of screen printing using an ink (paste) made up by dissolving a resin such as a polyvinyl butyral resin in a solvent containing at least butoxyethanol.例文帳に追加
本発明では、層間絶縁膜6をポリビニルブチラール樹脂などの樹脂を少なくともブトキシエタノールを含む溶剤を用いて溶解したインク(ペースト)を用い、スクリーン印刷法によって形成したことを特徴とする。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit wafer having an SiOC (Carbon Doped Silicon Oxide) film as its interlayer insulating film, low in dielectric constant, excellent in adhesion to a metallic film, and free of deterioration or deformation when subjected to CMP.例文帳に追加
低誘電率で、金属膜への密着が良く、CMP処理においても変質、変形がない、層間絶縁膜としてSiOC膜を有する半導体集積回路ウエハの製造方法を提供する。 - 特許庁
A plurality of power supply potential regions 13a and ground potential regions 13b which are alternately provided with interlayer insulating layers 13c interposed in plan view are provided on a potential wiring layer 13.例文帳に追加
電位配線層13には、平面的に見て層間絶縁層13cを介在させながら、それぞれ交互に配設される電源電位領域13aおよび接地電位領域13bが複数設けられている。 - 特許庁
Consequently, the distance between the edge part on the fuse cut region of the metal fuse element 11 and a lamination interface of the interlayer insulation films 12 and 13 covering it is made smaller than any other parts, as shown in a dashed line part 14.例文帳に追加
そこで、破線部14に示すようにメタルヒューズ素子11のヒューズカット領域上のエッジ部とこれを覆う層間絶縁膜12,13の積層界面との距離を他の部分に比べて最も小さくした。 - 特許庁
A first interlayer insulation film 106 is formed to cover a field- effect transistor 105 and embedded with a first conductive plug 107 and a second conductive plug 108.例文帳に追加
電界効果型トランジスタ105を覆う第1の層間絶縁膜106が形成され、第1の層間絶縁膜106には第1の導電性プラグ107及び第2の導電性プラグ108が埋め込まれている。 - 特許庁
After forming an interlayer insulating film 25, holes 26 arriving at a cap film 19 and a lower electrode 20 are formed respectively, then, barrier metal films 27 and W films 28, consisting of Ti or TiN, are formed therein.例文帳に追加
層間絶縁膜25を形成した後、キャップ膜19及び下部電極20まで到達する孔26を夫々形成し、その内部にTi又はTiNからなるバリアメタル膜27及びW膜28を形成する。 - 特許庁
To provide an insulating film which is suitable for using as an interlayer dielectric in a semiconductor element or the like, and can be formed in uniform thickness, and further, is superior in dielectric characteristics and film strength, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加
半導体素子などにおける層間絶縁膜として使用するのに適し、均一な厚さに形成可能で、しかも誘電率特性、膜強度に優れた絶縁膜、およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide an interlayer film for laminated glass which has excellent mechanical property, transparency, in particular, haze, thermal insulation and electromagnetic wave transmission and shows excellent resistance to penetration in the lapse of time when being fabricated into a laminated glass and to provide a laminated glass.例文帳に追加
機械的性質、透明性特にヘイズ、遮熱性、電磁波透過性に優れ、且つ、合わせガラスにした際の経時での耐貫通性が優れている合わせガラス用中間膜及び合わせガラスの提供。 - 特許庁
A resist layer 14 patterned on a surface of the insulating layer 12 is formed (1), and the insulating film 12 as well as an upper layer 6 of a non insulating silicon are anisotropically ectched along the pattern to form a trench reaching an interlayer 4 (2).例文帳に追加
絶縁膜12の表面にパターニングされたレジスト層14を形成し(1)、そのパターンに沿って絶縁膜12と非絶縁性のシリコンの上層6を異方性エッチングし、中間層4に至るトレンチを形成する(2)。 - 特許庁
To provide a photosensitive resin composition capable of being applied in a large film thickness, capable of obtaining a cured product of high resolution and suitable for a surface protective film, an interlayer dielectric and an insulation film for a high density mounted substrate.例文帳に追加
高膜厚塗布が可能であり、解像度の高い硬化物を得ることが可能で、表面保護膜、層間絶縁膜、及び高密度実装基板用絶縁膜用途に適する感光性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a patterned magnetic recording medium by which only a necessary part can be highly accurately machined in a dry etching process when forming a rugged pattern of an interlayer.例文帳に追加
本発明の目的は、中間層の凹凸パターン形成時のドライエッチングプロセスにおいて、必要部位のみを高精度に加工することができる、パターンドメディア型の磁気記録媒体の製造方法を提供することである。 - 特許庁
To obtain a film-forming composition which yields a coated from showing an excellent mechanical strength and crack resistance, shows an excellent long-term shelf stability of the solution and exerts a low dielectric constant and is therefore suitable as a material for interlayer insulating films for semiconductor elements, etc.例文帳に追加
半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、塗膜の機械的特性やクラック耐性、溶液の保存安定性に優れ、かつ低い比誘電率を示す膜形成用組成物を得る。 - 特許庁
To provide a method in which an oxidized layer of the oriented metal substrate surface is surely removed, and an oxide thin film of the interlayer and a superconductive layer or the like are epitaxially formed by maintaining biaxial orientation of the oriented metal substrate.例文帳に追加
配向金属基板表面の酸化層を確実に除去し、配向金属基板の2軸配向性を維持して、中間層および超電導層などの酸化物薄膜をエピタキシャルに形成する方法を提供する。 - 特許庁
Circuit boards 3a, 3b and 3c are electrically connected to an interlayer connection board 11 with side surface connection electrodes 10a, 10b...10n formed on the cut surfaces of spacers 6a, 6b...6n.例文帳に追加
回路基板3a、3b、3cと層間接続用基板11との電気的な接続を、スペーサ6a、6b…6nを切断して切断面に形成された側面接続電極10a、10b…10nを介しておこなう。 - 特許庁
When a barrier insulating film 53 is etched as shown in Fig. 3 (H) after the formation of an opening 54b having a shape of a wiring groove in an interlayer insulating film 54 as shown in Fig. 3 (G), a fluorine compound 53b is generated.例文帳に追加
図3(G)に示すように、配線溝形状を有する開口54bを層間絶縁膜54に形成した後、図3(H)に示すように、バリア絶縁膜53をエッチングすると、フッ素化合物53bが生成される。 - 特許庁
To provide a semiconductor device manufacturing method capable of preventing the generation of a fence between via-holes and a level difference in a via-hole even in the case of using a film of a low dielectric constant for an interlayer insulating film in a dual damascene.例文帳に追加
デュアルダマシンにおいて層間絶縁膜に低誘電率膜を使用した場合であっても、ビア間のフェンス及びビア内の段差の発生を防止することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a printed wiring board which is uniform in thickness and its manufacturing method, where a conductor pattern can be given interlayer continuity through a simple method, and a plating layer used for forming a pattern is not required to be controlled in thickness.例文帳に追加
導体パターンの層間導通性を簡易な方法により付与することができ,かつパターン形成用のメッキ厚みの制御が不要で均一な厚みのプリント配線板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
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