「Interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(92ページ目) - Weblio英語例文検索

When there is a high possibility that defects (an interlayer short-circuit or the like) occur in the specific organic EL panel 10, the narrow part is cut in the wiring 21 for the anode aging connected to the organic EL panel 10.例文帳に追加

特定の有機ＥＬパネル１０において欠陥（層間短絡など）が生じている可能性が高い場合には、その有機ＥＬパネル１０に接続されている陽極エージング用配線２１における狭部を切断する。 - 特許庁

To provide a method of forming a porous SOG film serving as an interlayer insulating film of low permittivity and hardly varying in relative permittivity, even if another film is laminated thereon through a CVD process or the like.例文帳に追加

低比誘電率の層間絶縁膜であって、この膜形成後のＣＶＤプロセスなどによりその上にさらに膜を積層させても、比誘電率が変化しない多孔質ＳＯＧ膜の作製方法の提供。 - 特許庁

Next, after forming a protective film 19, the movable electrode 20 is released by performing release etching for removing a part left from the first interlayer insulation film 16 and the sacrifice layer 15 by etching liquid having a selectivity.例文帳に追加

次に、保護膜１９を形成した後、選択比を有するエッチング液により、第一層間絶縁膜１６の残った一部および犠牲層１５を除去するリリースエッチングを行なって可動電極２０をリリースする。 - 特許庁

A groove type stack cell has a number of identical capacitors which are formed by burying storage nodes 8, capacitor insulating films 9, and plate electrodes 10 in a plurality of grooves provided on an interlayer insulating film 11.例文帳に追加

溝型スタックセルは、層間絶縁膜１１に設けられた複数の溝の各々に、ストレージノード８と、容量絶縁膜９と、プレート電極１０とが埋め込まれて成る同一形状のキャパシタを多数有している。 - 特許庁

The interlayer insulating film group 3 and the metal via 11 in the laser processing region R_2 are irradiated with a laser beam to form a trench 10a having a base 10a_1 composed of the semiconductor substrate 2.例文帳に追加

次いで、被レーザ加工領域Ｒ_２における層間絶縁膜群３及び金属ビア１１にレーザ光を照射して、半導体基板２から構成された底面１０ａ_１を有する溝１０ａを形成する。 - 特許庁

Then, a plasma nitride film layer 121 is formed on the interlayer insulating film 109 and the aluminum wiring layer 141, and an opening 123 penetrating through the plasma nitride film layer 121 is formed between a dicing area and the seal ring.例文帳に追加

そして層間絶縁膜１０９及びアルミ配線層１４１上にプラズマ窒化膜層１２１を形成し、ダイシング領域とシールリングとの間に、プラズマ窒化膜層１２１を貫通する開口部１２３を設ける。 - 特許庁

After that, a carbon nitride 110 is formed at the front of the substrate by using the sputtering technique, benzocyclobutene is formed onto the carbon nitride through spin coating, and then, a flattened interlayer insulation film 111 is formed through thermal treatment.例文帳に追加

次に、基板の前面にスパッタ法を用いて窒化炭素１１０を形成し、窒化炭素１１０上にスピンコートによりベンゾシクロブテンを形成した後、熱処理により平坦化された層間絶縁膜１１１を形成する。 - 特許庁

The method for forming an interlayer insulating film and a microlens includes the steps of: (i) forming a coating film of the above composition on a substrate; (ii) exposing to radiation; (iii) developing; and (iv) heating.例文帳に追加

層間絶縁膜およびマイクロレンズの形成方法は、少なくとも、（ｉ）前記組成物の塗膜を基板上に形成する工程、（ii）放射線の露光工程、（iii)現像処理工程および（iv）加熱処理工程を含む。 - 特許庁

A first hydrogen barrier film 17 passing through portions provided at the end parts of the memory cell regions severally and covering the capacitor is provided in the upper electrode 14, the dielectric film 13, and the second interlayer insulating film.例文帳に追加

上部電極１４、誘電体膜１３、第２の層間絶縁膜のうち、メモリセル領域の端部に設けられた部分をそれぞれ貫通し、キャパシタを取り囲む第１の水素バリア膜１７が設けられている。 - 特許庁

An interlayer dielectric 9 is formed on a semiconductor substrate 1 to cover a dummy gate electrode (electrode layer) 3 and a cap layer 4 while aligning the surface with the boundary of the cap layer 4 and the dummy gate electrode 3.例文帳に追加

ダミーゲート電極（電極層）３およびキャップ層４を被覆するように半導体基板１上に、キャップ層４とダミーゲート電極３の境界位置に表面位置を合わせた層間絶縁膜９を形成する。 - 特許庁

To form a coating film having proper uniform thickness as the interlayer isolation of a semiconductor device and to obtain the film excellent in preservable stability and having excellent specific dielectric, mechanical strength and hygroscopic resistance.例文帳に追加

半導体素子などにおける層間絶縁として、適当な均一な厚さを有する塗膜が形成可能で保存安定性に優れ、しかも塗膜の比誘電率、機械的強度および耐吸湿性などに優れた膜を得る。 - 特許庁

Upon manufacturing a semiconductor device, when a metallic wiring line 12 is formed on a first interlayer insulating film on a semiconductor substrate 54 by plasma etching, charges are stored not only the wiring line 12 but also on a metal wiring line 10.例文帳に追加

製造時に、半導体基板５４上の第１の層間絶縁膜の上に金属配線１２などをプラズマエッチングにより形成する際、金属配線１２とともに金属配線１０にも電荷が蓄積する。 - 特許庁

The bump electrodes 15 each are formed on some transistors elements (not illustrated) in the above input circuit 11 or the output circuit 14 via an interlayer insulating film (not illustrated) so as to overlap them, respectively.例文帳に追加

各バンプ電極１５は、上記入力回路１１中、あるいは出力回路１４中の一部のトランジスタ素子（図示せず）とそれぞれ重なるよう、その上方に層間絶縁膜（図示せず）を介して構成されている。 - 特許庁

At least, one of the interlayer passages is a flow control passage 5 having a flow control means 6 controlling the flow of the fluid flowing therein from the inlet 51 and flowing thereout from the outlet 52.例文帳に追加

前記層間流路のうち少なくとも一つは、前記流入口５１から流入し前記流出口５２から流出する前記流体の流れを制御する流れ制御手段６を持つ流れ制御流路５である。 - 特許庁

On the gate insulating film 106, there formed: a gate electrode 108a which crosses the active pattern 104 and defines a source region 105S/drain region 105D and a channel region 105C, and an insulating interlayer film 110.例文帳に追加

ゲート絶縁膜１０６上には、アクティブパターン１０４を横切ってソース領域１０５Ｓ/ドレーン領域１０５Ｄとチャネル領域１０５Ｃを限定するゲート電極１０８ａと、層間絶縁膜１１０を形成する。 - 特許庁

The polyester film for use as an interlayer for laminated glass has a heat shrinkage rate of 0.6-1.2% in the longitudinal direction and 0.15-1.0% in the width direction after being subjected to a heat-treatment at 150°C for 30 min.例文帳に追加

１５０℃、３０分熱処理後のフィルム長手方向の熱収縮率が０．６％以上１．２％以下、幅方向の熱収縮率が０．１５％以上１．０％以下である合わせガラス中間膜用ポリエステルフィルム。 - 特許庁

A lower electrode 11, a protection insulating layer 14, and an interlayer insulating film 15 are formed on a cathode substrate 10, and a metal film lower layer 16, and an upper bus electrode 20 comprising the laminated film of a metal film upper layer 18 is provided on it.例文帳に追加

陰極基板１０に下部電極１１、保護絶縁層１４、層間膜１５を形成し、その上に金属膜下層１６と金属膜上層１８の積層膜からなる上部バス電極２０を有する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which completely prevents peel-off of a structure such as an alignment mark or a step monitor mark after dicing, and also prevents exposure of an interface of an interlayer insulating film after the dicing.例文帳に追加

ダイシング後のアライメントマークや工程モニターマーク等の構造物の剥がれを皆無にでき、さらにはダイシング後に層間絶縁膜の界面を露出させることがない半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

Thereafter, the second interlayer insulating film 11 and the lower electrode 8c are coated with a liquid material containing the precursor of an insulating material, and heat treated to form a capacity insulating film consisting of a ferroelectric, for example.例文帳に追加

次に第２層間絶縁膜１１と下部電極８ｃ上に絶縁材料の前駆体を含む液状材料を塗布し、熱処理を行って例えば強誘電体からなる容量絶縁膜を形成する。 - 特許庁

At this time, the interlayer insulating film 2 formed on the first surface 1a of the semiconductor substrate 1 is step shaped as a result of reflecting the shape of a step between the bottom surface of the first hole 7 and the first surface 1a of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

このとき、半導体基板１の第１面１ａに形成されている層間絶縁膜２は、第１孔７の底面と半導体基板１の第１面１ａとの段差を反映して段差形状になっている。 - 特許庁

The warpage of an array substrate is reduced by mitigating stress of the array substrate while eliminating a part or the whole (7a, 9a) of an interlayer insulation layer 7 and a protective film 9 being the insulating thin films of an area where insulation is electrically unnecessary.例文帳に追加

電気的に絶縁不要な領域の絶縁性薄膜の層間絶縁層７と保護膜９の一部または全部（７ａ，９ａ）を除去することにより、応力を緩和し、アレイ基板の反りを低減する。 - 特許庁

After an interlayer dielectric 4, an etch stopping film 5 and an upper layer insulating film 6 over a lower wiring layer are etched into a hole shape, the upper insulating film 6 is etched into a groove shape by utilizing the etch stopping film 5.例文帳に追加

下層配線層上の層間絶縁膜４とエッチング阻止膜５と上層絶縁膜６をホール形状にエッチングした後、エッチング阻止膜５を利用して上層絶縁膜６を溝形状にエッチングする。 - 特許庁

Interlayer insulating films which insulate polysilicon gates formed in the trenches (groove) of a vertical MOS transistor and metallic films which are caused to deposit as source wiring conductor films from each other are formed in the grooves of the transistor so as to cover the gates.例文帳に追加

縦型ＭＯＳトランジスタのトレンチ（溝）内に形成したポリシリコンのゲートを覆い、ゲートとソース配線導体膜として堆積させる金属膜との間の絶縁を行う層間絶縁膜を溝内に形成する。 - 特許庁

After forming a MOS transistor 12 on a p-type silicon substrate 3 on which an element isolation region 4 is formed, 1st to 3rd interlayer insulating films 13-15 and an etching stopper film 16 are laminated on the substrate 3.例文帳に追加

素子分離領域４を形成したｐ型シリコン基板３上にＭＯＳトランジスタ１２を形成した後、基板３上に第１〜第３の層間絶縁膜１３〜１５およびエッチングストッパー膜１６を積層する。 - 特許庁

To provide an aqueous dispersion for chemical mechanical polishing, which achieves both high polishing speed and high planarization characteristics for an interlayer insulation film (a cap layer) such as a barrier metal film and TEOS film, and prevent metallic contamination of a wafer.例文帳に追加

バリアメタル膜およびＴＥＯＳ膜等の層間絶縁膜（キャップ層）に対する高研磨速度と高平坦化特性を両立でき、かつ、ウエハの金属汚染の少ない化学機械研磨用水系分散体を提供する。 - 特許庁

An area of the interlayer 6 is widely ensured in three dimensions, and there are ensured such heat dissipation routes that diffuse instant heat generation at the time of a pulse lighting, and a large brightness improvement is possible without enlarging any product size.例文帳に追加

中間層６の面積を立体的に広く確保し、パルス点灯時の一瞬の発熱を拡散させる放熱経路を確保し、製品サイズを大きくすることなく、大幅な輝度向上が可能である。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which an SOG film is utilized for relaxing the irregularity of an interlayer insulating film and reliable circuit wiring is attained even if holes are formed in extremely close proximity, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

層間絶縁膜の凹凸の緩和にＳＯＧ膜が利用され、かつ段違いにホールが接近して形成される場合でも回路配線に信頼性が得られる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Without etching the stopper film 15, only the interlayer insulating film 18 is so etched as to be able to form the openings 69, and a time required to form the openings 69 can be shortened.例文帳に追加

ストッパ膜１５をエッチングすることなく、層間絶縁膜１８のみをエッチングすることによって、開口部６９を形成することができるため、開口部６９を形成する際に必要な時間を短縮することができる。 - 特許庁

The plugs (9, 19) not only connect the end portions of the resistive element layer 5 to wiring layers (8, 18) on the interlayer insulating film 7, but also connect the ends of the resistive element layer 5 to the principal surface of the semiconductor substrate 1 simultaneously.例文帳に追加

プラグ９，１９は、抵抗体層５の端部と層間絶縁膜７の上の配線層８，１８とを接続するだけでなく、抵抗体層５の端部と半導体基板１の主面とを同時に接続する。 - 特許庁

A thin film region R1 in which an interlayer insulating film 4 is decreased in thickness is formed around a fuse H, a probe card 12 is shifted in a sliding manner, and the fuse H is scratched by a probe 13, whereby the fuse H is cut off.例文帳に追加

層間絶縁膜４が薄膜化された薄膜化領域Ｒ１をヒューズＨの周囲に形成し、プローブカード１２をスライド移動させ、プローブ１３にてヒューズＨをスクラッチさせることにより、ヒューズＨを切断させる。 - 特許庁

After the Cu wiring 1 is formed so as to be embedded in the surface of the interlayer insulating film 2, the reducing process is applied to the Cu wiring 1 in an atmosphere in which the total pressure of oxygen and water vapor is controlled to be less than 10^-3 Pa.例文帳に追加

層間絶縁膜２の表面にＣｕ配線１を埋込み形成した後、酸素と水蒸気の合計圧力を１０^-3Ｐａ以下に制御した雰囲気中で、Ｃｕ配線１に還元処理を施す。 - 特許庁

To provide a sputtering target capable of film-forming a metal compound film excellent in both of a crystallization facilitating function and optical characteristics in regard to the sputtering target used in film-forming, etc. of an interlayer film of a phase change optical recording medium.例文帳に追加

相変化記録媒体の界面層膜の成膜等に用いられるスパッタリングターゲットにおいて、結晶化促進機能と光学的特性とを両立させた金属化合物膜の成膜を可能にする。 - 特許庁

The sputtering target material includes a Ni-W-Cr alloy, which is used for the interlayer film in the vertical magnetic recording medium including, by at%, 1-20% of W, 1-20% of Cr, and the balance of Ni.例文帳に追加

ａｔ％で、Ｗを１〜２０％、Ｃｒを１〜２０％含み、残部Ｎｉからなる垂直磁気記録媒体における中間層膜に用いるＮｉ−Ｗ−Ｃｒ合金からなるスパッタリングターゲット材。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a multilayered ceramic substrate using a method of simply and precisely detecting the interlayer displacement of a conductor pattern or a VIA conductor of the multilayered ceramic substrate, and to provide the multilayered ceramic substrate manufactured by the method.例文帳に追加

セラミックグリーンシートを多層積層し、加熱圧着後、焼成一体化することにより得られる多層セラミック基板で、各々の層に印刷された導体パターンやＶＩＡホールの層間ずれは特性不良の要因となる。 - 特許庁

A pillar-shaped mask material 14a is formed of resist or the like at a position where a contact hole is formed, and an interlayer insulating film 15 is formed by application on all the surface therearound, in other words in the area except the vicinity of the mask material 14a.例文帳に追加

コンタクトホールを形成する位置にレジスト等を用いて柱状のマスク材１４ａを形成し、この周囲、即ちマスク材１４ａを除く基板全面に層間絶縁膜１５を塗布形成する。 - 特許庁

To provide a laminated wiring board in which a high density pattern can be formed by filling a via hole easily when an interlayer connection structure having a relatively thick insulating layer is formed, and to provide its production process.例文帳に追加

絶縁層の厚さが比較的大きい層間接続構造を形成する際のビアホールの充填を容易にし，高密度なパターン形成ができる積層配線板およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The functional element body 5 is built in and shielded, between the first shield pattern 12 of the module board 2 and the second shield pattern 18 of the wiring board 4, which are interlayer-connected by a grounding via 19 extending through the prepreg 3.例文帳に追加

プリプレグ３を貫通して形成したアースビア１９によって層間接続されるモジュール基板２の第１シールドパターン１２と配線基板４の第２シールドパターン１８との間に機能素子体５を内蔵してシールドする。 - 特許庁

A TiAlN film 32A, lower electric conductor films (33A, 33B and 33C), a ferroelectric film 34A, and an upper electric conductor film 35A are successively formed on an interlayer insulating film 21 of a semiconductor substrate 11.例文帳に追加

半導体基板１１の層間絶縁膜２１上に、ＴｉＡｌＮ膜３２Ａと下部導電体膜（３３Ａ、３３Ｂ及び３３Ｃ）と強誘電体膜３４Ａと上部導電体膜３５Ａとを順次形成する。 - 特許庁

A passivation film 109 on the stacked structure of the interlayer insulating films 105 to 109 has an opening on the seal ring 104, while a cap layer 125 connecting to the seal ring 104 is formed in the opening.例文帳に追加

層間絶縁膜１０５〜１０９の積層構造上のパッシベーション膜１０９はシールリング１０４上に開口部を有すると共に該開口部にはシールリング１０４と接続するキャップ層１２５が形成されている。 - 特許庁

To provide a water-soluble laminated film which has a good water solubility while keeping a constant water resistance, and maintains a good interlayer adhesive strength even if it is exposed under the condition of high temperature and wettability at 40°C or so.例文帳に追加

一定の耐水性を有しつつ水解性にも優れ、更に、４０℃程度の高温湿潤状態にさらされた場合にあっても、優れた層間接着強度を維持する水解性積層フィルムを提供する。 - 特許庁

Subsequently, energy ray is irradiated against the embedding material 21a to generate an acid substance and neutralize an alkali substance, occluded in the first and second interlayer films 13, 15, by the acid substance of the embedding material 21a.例文帳に追加

次いで、埋込み材２１ａにエネルギー線を照射して酸性物質を発生させ、第１および第２層間絶縁膜１３，１５に吸蔵されていた塩基性物質を埋込み材２１ａの酸性物質により中和させる。 - 特許庁

The multilayer printed wiring board is provided with a plurality of conductor pattern layers 24 made of copper foil or the like with an insulating base material 22 made of a resin therebetween, and an interlayer connection part 38 such as a via hole or the like for conducting the conductor pattern layers 24 with each other.例文帳に追加

樹脂製の絶縁性基材２２を挟んで設けられた複数層の銅箔等の導体パターン層２４と、各導体パターン層２４間の導通を図るビアホール等の層間接続部３８とを備える。 - 特許庁

A plurality of pixels having an optoelectric converter 2, a switching element 3, an Sig line, a Vg line, and the interlayer dielectric 16 disposed in between the optoelectric converter and the switching element are arranged on an insulating substrate 10 in a matrix configuration on an insulating substrate.例文帳に追加

光電変換素子２、スイッチ素子３、Ｓｉｇ線、Ｖｇ線、光変換素子とスイッチ素子の間に配置された層間絶縁層１６を有する複数の画素を絶縁基板１０上にマトリクス状に配置する。 - 特許庁

An inclined part 37 is formed at the end portion 35 of the organic insulating film 32 facing an interlayer insulating film 31 formed on a glass substrate, and crossing the wiring part 29 so that it may be inclined in a direction to increase the crossing angle with the wiring part 29.例文帳に追加

ガラス基板上に形成した層間絶縁膜31に臨み、かつ配線29と交差する有機絶縁膜32の端部35に、配線29との交差角度を増加させる方向へと傾斜した傾斜部37を形成する。 - 特許庁

An input/output pad 3 is formed on a substrate in an active region 1 with a transistor, a wiring and the like, which are formed of hierarchies, such as a diffusion layer 11, wiring layers 8, 8' and 8", contacts 9 and an interlayer insulating film 10.例文帳に追加

基板上に拡散層１１、配線層８，８’，８”、コンタクト９、層間絶縁膜１０等の階層によりトランジスタや配線等が形成された能動領域１上に入出力パッド３を形成する。 - 特許庁