「Interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(95ページ目) - Weblio英語例文検索

The contact hole 27 is formed to be a tapered shape in its cross section whose inner diameter becomes small toward the electrode layer 23 side from the surface of the interlayer insulation film 25, and the taper angle of the contact hole 27 is 30° or more and 80° or less.例文帳に追加

コンタクトホール２７は、層間絶縁膜２５の表面から電極層２３側へ向かって内径が小さくなる断面テーパ状に形成され、コンタクトホール２７のテーパ角は、３０°以上且つ８０°以下である。 - 特許庁

On the insulation film 22 containing the interconnections 23 in the semiconductor substrate 21 including the interconnections 23 on the insulation film 22, a thin protection film 24 is formed without applying a substrate bias voltage, and thereafter the interlayer insulating film 25 is formed.例文帳に追加

絶縁膜２２上に配線２３を有する半導体基板２１に配線２３を含む絶縁膜２２上に、基板バイアスを印加させることなく薄い保護膜２４を形成してから、層間絶縁膜２５を形成する。 - 特許庁

The above-mentioned problem is solved by introducing steam and water existing in the interlayer to a deaerating cylinder and discharging them to the outside by partially bonding bonding sections onto the top face and underside of the rubberized asphalt layer.例文帳に追加

ゴムアスファルト層の上面、下面への接着部を部分接着することにより、層間に存在する水蒸気や水を脱気筒に導き外部に放出するようにしたことにより前記課題を解決した。 - 特許庁

To provide a wiring structure which enhances reliability on performances as well as yield of a semiconductor device by preventing the occurrence of diffusion between an interlayer dielectric and wiring, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

層間絶縁膜と配線との間の拡散を防止し、半導体デバイスの性能に関する信頼性および製造歩留まりを向上させることが可能な配線構造およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a tunnel magnetism detection element that reduces the interlayer coupling magnetic field Hin while further minimizing variations in RA and resistance change rate (ΔR/R), particularly, compared with the conventional one.例文帳に追加

特に、従来に比べて、ＲＡや抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）の変動を小さく抑え、且つ、層間結合磁界Ｈｉｎを小さくすることが可能なトンネル型磁気検出素子を提供することを目的としている。 - 特許庁

During the process of patterning a thin film resistor 28 in an SOG film 26 formed on a silicon substrate 20 as a base interlayer insulating film and a second TEOS film 27, moisture is left in the SOG film 26.例文帳に追加

シリコン基板２０上に下地層である層間絶縁膜として成膜したＳＯＧ膜２６および２ｎｄＴＥＯＳ膜２７に薄膜抵抗体２８をパターニングする過程で、水分がＳＯＧ膜２６中に残留する。 - 特許庁

To provide a film which is adequate as an interlayer dielectric in a semiconductor element device or the like, capable of forming the film having a proper uniform thickness and excellent in film characteristics such as a dielectric constant, a Young's modulus or the like.例文帳に追加

半導体素子デバイスなどにおける層間絶縁膜として使用するのに適した、適当な均一な厚さを有する膜が形成可能な、しかも誘電率、ヤング率などの膜特性に優れた膜を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device having an interlayer insulating film made to assure large coupling capacitance between a controlling gate and a floating gate, while assuring electric field moderating effect and leak prevention function.例文帳に追加

電界緩和効果とリーク防止機能を確保しながら、制御ゲートと浮遊ゲートの間の大きな結合容量をも確保できるようにした層間絶縁膜を持つ不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

In the formation of groove wiring, mask layers 4 and 5 which are constituted of stacked inorganic insulating films and have apertures 8 are made in the specified region of the interlayer insulating film constituted of an organic low-permittivity insulating film 3.例文帳に追加

溝配線の形成において、有機系の低誘電率絶縁膜３で構成される層間絶縁膜の所定の領域に、積層する無機絶縁膜で構成され開口８を有するマスク層４，５を形成する。 - 特許庁

By etching the laminated layer using the plug consisting of the third metal film 111 and the first patterned interlayer insulating film 107 as a mask, a metal wiring composed of the laminated layer is formed.例文帳に追加

前記積層膜に対して、第３の金属膜１１１からなるプラグ及びパターン化された第１の層間絶縁膜１０７をマスクにしてエッチングを行なって、前記積層膜からなる金属配線を形成する。 - 特許庁

To provide a method for producing an intercalation compound by which the increase of the internal pressure can be suppressed or prevented at a step of inserting a carbon-based intercalant such as fullerene into an interlayer of a hexagonal crystal having a layered structure.例文帳に追加

層状構造を有する六方結晶の層間へのフラーレンなど炭素系インターカラントの挿入工程における内圧上昇を抑制又は回避できる層間化合物の製造方法を提供する。 - 特許庁

A nonvolatile memory cell, an nMOS transistor and a pMOS transistor are formed on the surface of an Si substrate 1, and then an interlayer dielectric 19 is formed to cover them.例文帳に追加

Ｓｉ基板１の表面に、不揮発性メモリセル、ｎＭＯＳトランジスタ及びｐＭＯＳトランジスタを形成した後、不揮発性メモリセル、ｎＭＯＳトランジスタ及びｐＭＯＳトランジスタを覆う層間絶縁膜１９を形成する。 - 特許庁

An interlayer insulating film 24 is formed on the source electrode 22 of an FET formed on a silicon substrate 1, and the upper face is flattened with CMP(chemical and mechanical polishing) or the like, and then an insulating antireflection film 26 is formed.例文帳に追加

シリコン基板１上に形成したＦＥＴのソース電極２２上に層間絶縁膜２４を形成して上面をＣＭＰ等により平坦化してから絶縁性の反射防止膜２６を形成する。 - 特許庁

To provide an interlayer connection method for improving through-holes in reliability and to provide a circuit board using the same in a multilayer printed wiring board which functions as a circuit board of an electrical apparatus and is composed of two or more circuit boards.例文帳に追加

電気機器の回路基板として機能する２層以上の多層プリント配線板において、スルーホールの信頼性を向上させるための層間接続方法、およびそれを利用した回路基板を提供する。 - 特許庁

To provide an interlayer for a laminated glass having high heat shielding performance and also free from lowering of visible light transmittance and increasing of a reflective yellow index value even when the film is exposed to solar radiation for a long period and to provide the laminated glass.例文帳に追加

高い遮熱性能を有し、かつ、長期間日射にさらされた場合でも可視光透過率の低下や反射イエローインデックス値の上昇のない合わせガラス用中間膜及び合わせガラスを提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor storage device having an interlayer dielectric capable of securing a large coupling capacity between a control gate and a floating gate while securing electric field relaxation effect and leakage preventing function.例文帳に追加

電界緩和効果とリーク防止機能を確保しながら、制御ゲートと浮遊ゲートの間の大きな結合容量をも確保できるようにした層間絶縁膜を持つ不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

In this manufacturing method for a high-aperture liquid crystal display which comprises an active matrix substrate having signal lines, an interlayer insulation film which covers a switching device and pixel electrodes, a opposing substrate and a liquid crystal layer between the substrates, the interlayer insulation film is formed by transferring a photosensitive thermosetting resin layer of a negative photosensitive thermosetting transfer material having a photosensitive thermosetting layer using laminating method.例文帳に追加

信号線とスイッチング装置を覆う層間絶縁膜と画素電極を有するアクティブマトリクス基板と対向基板と該両基板に介在する液晶層とを備えるハイアパーチャー型液晶表示装置の製造方法において、前記層間絶縁膜が感光性熱硬化性樹脂層を有するネガ型感光性熱硬化型転写材料の該感光性熱硬化性樹脂層をラミネート法により転写して形成されることを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor device according to the present invention comprises: a semiconductor substrate; an interlayer dielectric film formed on the semiconductor substrate; a wiring disposed in the interlayer dielectric film; and a first and a second anti-fuse wiring that are connected to the wiring, face each other with a space therebetween that provides electrical insulation, and are capable of conduction through the disposition of a conductive member in the space.例文帳に追加

本発明の実施の形態に係る半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜中に配置された配線と、前記配線に接続され、電気的に絶縁可能な間隔を有して対向し、前記間隔に導電部材を配置することにより導通可能な第１および第２の接続端部を有した第１および第２のアンチヒューズ配線と、を有する。 - 特許庁

The photocatalyst includes the base material, the interlayer provided on the base material, and a photocatalyst layer, wherein the photocatalyst layer contains photocatalyst particles with a mean particle diameter of less than 100 nm and excitation wavelength of 380 nm or longer, and the interlayer contains a weatherable resin, an inorganic extender pigment or an inorganic white pigment with a mean particle diameter of 100 nm or longer, and hydroxyphenyltriazine compound.例文帳に追加

基材と、基材上に設けられる中間層と、光触媒層とを備えた光触媒塗装体であって、前記光触媒層には、平均粒径が１００ｎｍ未満かつ励起波長が３８０ｎｍ以上の光触媒粒子が含まれており、前記中間層には、耐候性樹脂と、平均粒径１００ｎｍ以上の無機体質顔料又は無機白色顔料と、ヒドロキシフェニルトリアジン化合物とが含まれていることを特徴とする光触媒塗装体。 - 特許庁

In the phase change memory formed in a memory matrix pattern, crevices 13 and 15 lower in the thermal conductivity than interlayer insulating films 9 and 12 are formed between adjacent upper electrode films 6 and between adjacent lower electrode films 4, whereby heat generating inside the phase change memory is prevented from dissipating through the interlayer insulating films 9 and 12, and a phase change material film 5 is efficiently heated at a lower current than a conventional one.例文帳に追加

メモリマトリクス状に形成された相変化メモリにおいて、隣り合う上部電極膜６同士の間および隣り合う下部電極膜４同士の間に、層間絶縁膜９、１２よりも熱伝導率の低い空隙１３、１５を形成することにより、相変化メモリ内で発生する熱が層間絶縁膜９、１２を通じて散逸することを防ぎ、相変化材料膜５を従来より低い電流で効率的に加熱することを可能とする。 - 特許庁

In the semiconductor integrated circuit device having a through-hole electrode, when a through-via is formed after forming a pre-metal wiring layer, a silicon nitride type insulation film is used as a metal diffusion prevention film at an interface of an interlayer insulation film located at the upper end of the through-hole electrode, and a silicon carbide type insulation film is used as the metal diffusion prevention film at other interfaces of the interlayer insulation films.例文帳に追加

本願の一つの発明は、貫通電極を有する半導体集積回路装置において、プリメタル配線層形成よりも後に貫通ビアを形成する場合において、貫通電極の上端に当たる層間絶縁膜の界面に、メタル拡散防止絶縁膜として、窒化シリコン系絶縁膜を使用し、それ以外の層間絶縁膜の界面に、メタル拡散防止絶縁膜として、炭化シリコン系の絶縁膜を使用するものである。 - 特許庁

This manufacturing method of a semiconductor element includes steps of forming: multiple metal wires on a semiconductor substrate; a reaction prevention film on the metal wires in a region with via holes formed therein; an interlayer insulation film on the semiconductor substrate including the reaction prevention film; via holes by etching the interlayer insulation film above the reaction prevention film; and the via plugs in the via holes.例文帳に追加

半導体基板上に多数の金属配線を形成する段階;ビアホールが形成される領域の前記金属配線上に反応防止膜を形成する段階;前記反応防止膜を含む前記半導体基板上に層間絶縁膜を形成する段階;前記反応防止膜の上部の前記層間絶縁膜をエッチングしてビアホールを形成する段階;前記ビアホール内部にビアプラグを形成する段階を含む半導体素子の製造方法。 - 特許庁

To provide a method for mounting a semiconductor element on a wiring substrate through a protrusion electrode for an external connection not containing lead (Pb), and for mitigating stress acting on a wiring layer laminated through an interlayer insulating film composed of a Low-K material in the semiconductor element from the wiring substrate during such mounting, thereby an occurrence of an interlayer detachment may be suppressed.例文帳に追加

鉛（Ｐｂ）を含有しない外部接続用突起電極を介して半導体素子を配線基板に実装する方法であって、当該実装の際に、配線基板から、当該半導体素子に於けるＬｏｗ−Ｋ材料から構成される層間絶縁膜を介して積層されている配線層に作用する応力を緩和して、層間剥離の発生を抑制することができる半導体素子の実装方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The IC package is constructed such that it has multiple laminated dielectric layers, internal electrode layers arranged between the mutually different dielectric layers, and interlayer connectors electrically connecting the internal electrode layers one another so as to penetrate through the dielectric layers, and that at least one notch 22 or 23 is formed at a place in the IC package's side surface that does not reach to an interlayer connector formation location.例文帳に追加

積層された複数の誘電体層と、互いに異なる前記誘電体層間に配置された内部電極層と、前記誘電体層を貫通するようにして前記内部電極層を互いに電気的に接続する層間接続体とを具え、前記ＩＣパッケージの側面において前記層間接続体の形成位置にまで達しないような位置に少なくとも１つのノッチ２２，２３を形成するようにしてＩＣパッケージを構成する。 - 特許庁

The semiconductor device 101 includes: a plurality of first conductive guard ring layers 2 surrounding the element region 51, annularly formed, and diffused in the depth direction in the terminal region 52; first interlayer dielectrics 3 formed to be embedded in the substrate 1 between the adjacent guard ring layers 2; and second interlayer dielectrics 11 formed on the surface of the substrate 1 from the element region 51 to the terminal region 52.例文帳に追加

半導体装置１０１は、終端領域５２に素子領域５１を囲む環状に形成されると共に深さ方向に拡散した第１導電型の複数のガードリング層２と、隣接するガードリング層２の間において基板１に埋め込まれるように設けられた第１層間絶縁膜３と、素子領域５１から終端領域５２に亘って基板１の表面に設けられた第２層間絶縁膜１１とを備える。 - 特許庁

The decorative laminated glass comprises two transparent substrates 120 and an interlayer 110 including two adhesive resin films 113 and a base film 112 having an ink layer 111 printed in a predetermined pattern therebetween, the interlayer 110 being arranged between the transparent substrates 120 to be combined with each other, wherein the base film 112 is subjected to an adhesion-facilitating treatment and the adhesive resin film 113 comprises an ethylene-vinyl acetate copolymer.例文帳に追加

所定模様に印刷されたインキ層１１１を有する基材フィルム１１２を２枚の接着樹脂膜１１３の間に有する中間膜１１０を、２枚の透明基板１２０の間に介在させて接合一体化させた装飾合わせガラスであって、 前記基材フィルム１１２が易接着処理され、且つ 前記接着樹脂膜１１３が、エチレン酢酸ビニル共重合体を含むことを特徴とする装飾合わせガラス。 - 特許庁

To provide a constituent used for forming a porous interlayer dielectric that contains a solvent for dissolving a saccharide or a derivative for the same, an organic or inorganic matrix precursor which is thermally stable, and the saccharide or derivative for the same and/or an organic or inorganic matrix precursor, and to provide a method of manufacturing a porous semiconductor interlayer dielectric having small pores each with a size of 50Å or below using the same.例文帳に追加

糖類またはその誘導体；熱的に安定な有機または無機マトリックス前駆体；および、前記糖類若しくはその誘導体および／または有機若しくは無機マトリックス前駆体を溶解させる溶媒を含有する多孔性層間絶縁膜の形成に用いられる組成物およびこれを用いて気孔の大きさが５０Å以下の水準とごく小さい多孔性半導体層間絶縁膜を製造する方法を提供する。 - 特許庁

This integrated circuit is constituted of a multiple wiring structure having three layers or more includes ground wirings 103, 108 made into a first wiring layer 107a, signal wirings 101, 106 made in a third wiring layer, an insulating part made in a second wiring layer 107, and dielectric bodies of interlayer film regions 102, 109 including interlayer films 111a and 111b between these wiring layers.例文帳に追加

３層以上の多層配線構造を有する集積回路において、第１配線層１０７ａに設けられた配線１０３及び１０８を接地線とし、第３配線層に設けられた配線１０１及び１０６を信号線とし、第２配線層１０７ｂの絶縁体部分及びこれらの配線層間の層間膜１１１ａ及び１１１ｂを含む層間膜領域１０２及び１０９を誘電体とする伝送線路を構成する。 - 特許庁

In the buildup wiring board comprising a core substrate 11 having a via 12 formed in the insulating layer and filled with conductive paste 13 for interlayer connection, and a buildup layer 14 formed at least on one side of the core substrate 11 and having a via 15 for interlayer connection, the diameter at the bottom of the via 15 formed in the buildup layer 14 is made substantially uniform.例文帳に追加

絶縁層にビア１２が形成されこれらのビア１２内に層間接続するための導電性ペースト１３が充填されたコア基板１１と、このコア基板１１の少なくとも一方の面に形成され層間接続するためのビア１５が形成されたビルドアップ層１４とを有するビルドアップ配線板であって、前記ビルドアップ層１４に形成されたビア１５の底部の直径が、各々がほぼ均一に形成されたことを特徴とするビルドアップ配線板である。 - 特許庁

In the semiconductor device, a first barrier layer 21 is provided in the state of covering the inner wall of a connection hole 15 provided on a first interlayer insulating film 13 on a substrate 11, and of a wiring groove 16 provided on a second inter-layer insulating film 14.例文帳に追加

基板１１上の第１の層間絶縁膜１３に設けられた接続孔１５および、第２の層間絶縁膜１４に設けられた配線溝１６の内壁を覆う状態で第１のバリア層２１が設けられている。 - 特許庁

A common diffusion layer 22b of the transistor 4 and the transistor 8 and a diffusion layer 22f of the transistor 6 which diffusion layers constitute a part of a storage node are connected by using a T-shaped trench wiring 28 buried in an interlayer insulating film.例文帳に追加

記憶ノードの部分を構成する、トランジスタ４およびトランジスタ８に共通の拡散層２２ｂと、トランジスタ６の拡散層２２ｆとを層間絶縁膜に埋め込まれたＴ字形状の溝配線２８を用いて接続する。 - 特許庁

This n-type layer 103 is a layer consisting of the n-type Si with an impurity concentration lower than the drain layer 101 and higher than the interlayer 102, and constitutes a drift layer which becomes a main course of a current at the time of operation.例文帳に追加

このＮ型層１０３は、ドレイン層１０１よりも不純物濃度が低く、中間層１０２よりも不純物濃度が高いＮ型Ｓｉからなる層であり、動作時の電流の主経路となるドリフト層を構成している。 - 特許庁

To prevent the occurrence of a defective shape of a via hole which can occur in the case of using an alumina mask for dry etching of an interlayer insulation film consisting of an SiOC film in a dual damascene process for forming the via hole in advance of forming a wiring groove.例文帳に追加

配線溝の形成に先立ってビアホールを形成するデュアルダマシン工程において、ＳｉＯＣ膜からなる層間絶縁膜のドライエッチングにアルミナマスクを使用する場合に生じ得るビアホールの形状不良を防止する。 - 特許庁

In response to a fact that recording on a certain recording layer reaches a maximum recording range or that data recording advances from a certain recording layer to a next recording layer, interlayer folding back position information is recorded on the recording medium.例文帳に追加

そして或る記録層での記録が最大記録範囲に達した場合、又は或る記録層から次の記録層へとデータ記録の移行が行われたことに応じて、記録媒体に層間折り返し位置情報が記録される。 - 特許庁

A first interlayer dielectric film 2 is deposited in a semiconductor device 1, and a first laminate 17a for a lower electrode which is composed of a Ti layer 3, a TiN layer 4, an AlCu layer 5 and a TiN layer 6 is formed on it by a sputtering method.例文帳に追加

半導体基板１上に第１層間絶縁膜２を堆積し、その上に、スパッタ法により、Ｔｉ層３，ＴｉＮ層４，ＡｌＣｕ層５およびＴｉＮ層６からなる下部電極用の第１積層１７ａを形成する。 - 特許庁

To provide a deterioration diagnosing method for a handrail of an escalator capable of efficiently diagnosing without removing the handrail by diagnosing deterioration of the handrail on the basis of height of a swelled part caused by a interlayer distance inside the handrail or length of a floating part.例文帳に追加

ハンドレールの劣化をハンドレールの内部に起こる層間距離による膨れの高さ、または、浮き上がりの長さから判定し、ハンドレールを取外すことなく効率良く実施するエスカレーターハンドレールの劣化診断方法を提供する。 - 特許庁

After the insulating film 1 is formed to evenly cover the entire surfaces of the conductive patterns 2, interlayer connecting parts 5x are arranged as through-holes by filling a conductive material in the holes which are formed in the insulating film 1 between the upper and lower conductive patterns 2.例文帳に追加

絶縁膜１は該当面にはその全面を均一に覆う状態に形成し、上下の導体パターン２に挟まれた絶縁膜１に、空孔に導体を充填した層間接続部５ｘを設けてスルーホールとする。 - 特許庁

To avoid a resin base from being brought into a state likely to be exfoliated by relaxing stress exerted on an interlayer part of a mother board printed wiring board and an island-shaped circuit-equipped resin base when inflecting the mother board printed wiring board.例文帳に追加

マザーボードプリント配線板を屈曲させる際に、マザーボープリント配線板と島状の回路付き樹脂基材との層間部にかかる応力を緩和し、樹脂基材が剥離し易い状態に置かれることを回避すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor devices in which flattening (or polishing) can be performed in-situ, the number of times of forming an interlayer insulating film can be reduced, and time and expense required for the manufacturing process can be reduced.例文帳に追加

埋め込み金属配線の形成時に、イン-サイチュウ(in-situ)で平坦化を行うことができ、層間絶縁膜形成の回数を減らし、製造工程にかかる時間及び費用を減らすことができる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

Next, a silicon oxide film 23 is formed by thermal oxidation in order to fill a stepped portion between a projected part 21N formed at the end of an aperture 21A of the interlayer insulating film 21 and a semiconductor layer 14 at the side wall of the second trench 22.例文帳に追加

次に、層間絶縁膜２１の開口部２１Ａの端に形成された突起部２１Ｎと、第２のトレンチ２２の側壁の半導体層１４との段差を埋めるように、熱酸化処理によってシリコン酸化膜２３を形成する。 - 特許庁

The wiring 111 applied with high frequency has such a wiring structure as electrically connected with the wiring 106 in parallel via a plurality of contact holes arranged along the longitudinal direction of the wiring 111 across an interlayer film 107.例文帳に追加

高周波が印加される配線１１１は、層間絶縁膜１０７を介して、配線１１１の線方向にそって複数設けられたコンタクトホールにより配線１０６と電気的に並列接続している配線構造を採用する。 - 特許庁

Portions 42a, 43a interposed between a power supply line 26 (VDD), FD 12, and a wire 40 in interlayer insulating films 42, 43 are composed of a material with lower specific inductive capacity than that of silicon oxide.例文帳に追加

層間絶縁膜４２，４３における電源線２６（ＶＤＤ）とＦＤ１２及び配線４０との間に介在する部分４２ａ，４３ａを、酸化珪素の比誘電率よりも低い比誘電率を有する材料で構成する。 - 特許庁

This light transmitting window material 1 having electromagnetic wave shielding property is constituted by integrating a transparent substrate 2, an antireflection film 8, an electrically conductive mesh 3 and a near infrared ray cutting film 5 into one body with interlayer films 4A, 4B for adhesion and an adhesive agent 4C.例文帳に追加

１枚の透明基板２と、反射防止フィルム８と、導電性メッシュ３と、近赤外線カットフィルム５を接着用中間膜４Ａ，４Ｂ及び粘着剤４Ｃで一体化した電磁波シールド性光透過窓材１。 - 特許庁

An etching stopper film 13 is adhered to the surface of a ferroelectric substance capacitor, composed of a lower electrode 10, a ferroelectric substance film 11 and an upper electrode 12, and an interlayer insulating film 15 of a different kind is formed on the etching stopper film 13.例文帳に追加

下部電極１０、強誘電体膜１１、上部電極１２で構成される強誘電体キャパシタ表面にエッチングストッパ膜１３が被着し、エッチングストッパ膜上に別種の層間絶縁膜１５が形成される。 - 特許庁

An interlayer insulating film 10 is formed in a region other than the region in which the source electrode 11 is formed, that is, in a region on surfaces of a p-type SiC region 13 and the gate insulating film 8 or the gate electrode 9.例文帳に追加

層間絶縁膜１０は、ｐ型ＳｉＣ領域１３およびゲート絶縁膜８またはゲート電極９の表面上であってソース電極１１が形成された領域以外の領域において形成されている。 - 特許庁