「Interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(98ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a polyester film suitable for a supporting material to form an interlayer insulating film material to be used for a multilayer printed wiring board manufactured with a build-up method responding to a request for ultra-fine and high-density wiring.例文帳に追加

配線の微細化および高密度化に対応するためのビルドアップ法で製造する多層プリント配線板に用いられる、フィルム状の層間絶縁材料を形成するための支持体として好適なポリエステルフィルムを提供する。 - 特許庁

To efficiently provide an electrolyte support type electrolyte-electrode assembly, which is formed by interposing an electrolyte layer and intermediate layer between an anode electrode layer and a cathode electrode layer, and eliminate concern about interlayer peeling and warpage.例文帳に追加

アノード電極層とカソード電極層との間に電解質層及び中間層が介装された電解質支持型の電解質・電極接合体を効率よく得るとともに、層間剥離や反りが生じる懸念を払拭する。 - 特許庁

To provide an interlayer for laminated glass which, when used for constituting laminated glass enhances the impenetrability and the sound insulation of the laminated glass obtained and reduces the lowering of the impenetrability over time.例文帳に追加

合わせガラスを構成するのに用いられた場合に、得られた合わせガラスの耐貫通性及び遮音性を高めることができ、かつ経時による耐貫通性の低下を抑えることができる合わせガラス用中間膜を提供する。 - 特許庁

To provide a cleaning composition for sufficiently removing plasma etching residue on a semiconductor substrate without damaging a wiring structure and interlayer insulation structure, and to provide a method of manufacturing a semiconductor device using the cleaning composition.例文帳に追加

配線構造や層間絶縁構造を損傷することなく、半導体基板上のプラズマエッチング残渣を十分に除去しうる洗浄組成物、及び前記洗浄組成物を用いた半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for forming an insulating film, by which a film suitable for use as an interlayer dielectric in a semiconductor element device or the like and excellent in characteristics, such as a dielectric constant, can be efficiently manufactured.例文帳に追加

本発明は半導体素子デバイスなどにおける層間絶縁膜として使用するのに適し、誘電率などの特性に優れた膜を効率よく製造することができる絶縁膜形成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing gas barrier film and the gas barrier film capable of preventing functional groups positioned on the surface of a substrate from being amidated or nitrided and capable of improving the interlayer adhesive force without depending on oxygen bonds.例文帳に追加

基材表面に位置する官能基がアミド化や窒化することを防ぎつつ、また酸素結合に頼ることなく層間密着力を向上させることを可能としたガスバリアフィルムの製造方法及びガスバリアフィルムを提供する。 - 特許庁

To provide a polysiloxane positive-type radiation-sensitive composition which has high compatibility with a quinonediazide compound and with which an interlayer insulating film excellent in resistance to resist peeling liquid in an ITO film etching process can be formed.例文帳に追加

キノンジアジド化合物との相溶性が高く、ＩＴＯ膜エッチング工程におけるレジスト剥離液耐性に優れた層間絶縁膜を形成可能なポリシロキサン系ポジ型感放射線性組成物を提供することを目的とする。 - 特許庁

Interconnections 10 are formed over an interlayer insulating film 9 which covers MISFET Q1 formed on the principal surface of a semiconductor substrate 1, while dummy interconnections 11 are disposed in a region where an interval of the interconnections 10 is wide.例文帳に追加

半導体基板１の主面上に形成されたＭＩＳＦＥＴＱ１を覆う層間絶縁膜９の上層に配線１０を形成するとともに、その配線１０間の間隔が広い領域にダミー配線１１を配置する。 - 特許庁

To provide a radiation sensitive resin composition with which an interlayer dielectric having high surface hardness, excellent heat resistance and solvent resistance, and further having low dielectric constant can be formed, and with which a microlens with an excellent melted shape can be formed.例文帳に追加

表面硬度が高く、耐熱性および耐溶剤性に優れ、さらに低誘電率の層間絶縁膜を形成でき、また良好なメルト形状を有するマイクロレンズを形成しうる感放射線性樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

In the liquid crystal display device which includes a thin-film transistor including an oxide semiconductor layer, a film having a function of attenuating the intensity of transmitted visible light is used as an interlayer film which covers at least the oxide semiconductor layer.例文帳に追加

酸化物半導体層を含む薄膜トランジスタを有する液晶表示装置において、少なくとも該酸化物半導体層を覆う層間膜に、透過する可視光の光強度を減衰させる機能を有する膜を用いる。 - 特許庁

An interlayer film for covering a semiconductor element that is formed on a semiconductor substrate is provided with a film having a capacity for getting a metal impurity that enters from an upper portion, thus preventing the metal impurity from reaching the substrate.例文帳に追加

半導体基板上に形成された半導体素子を覆う層間膜が、上部から侵入してくる金属不純物をゲッタリングする能力を持つ膜を備えることにより、金属不純物を基板に到達させることを阻止する。 - 特許庁

By performing oxidation processing for the surface of an interlayer insulating film made of a metallic oxide thin film deposited by a sputtering method, a CVD method or the like, defects caused by an oxygen loss are reduced to prevent insulating failures.例文帳に追加

スパッタリング法、ＣＶＤ法などによって堆積させた金属酸化物薄膜からなる層間絶縁膜の表面を酸化処理することにより、酸素欠損に起因する欠陥を低減し、絶縁不良を防止することができる。 - 特許庁

To provide a resin composition giving a cured body excellent in flexibility and resistance to the heat of soldering, thermal deterioration and electroless gold plating, developable with an organic solvent and a dilute alkali solution and suitable for a soldering resist and an interlayer dielectric.例文帳に追加

硬化物の可撓性や半田耐熱性、耐熱劣化性、無電解金メッキ耐性に優れ、有機溶剤又は希アルカリ溶液で現像ができ、ソルダーレジスト用及び層間絶縁層用に適する樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

A first conductive film for wiring on a semiconductor substrate 101 is etched with a first via contact 106 as a mask to form a first layer wiring 1 03A, and a second interlayer insulation film 108 is deposited.例文帳に追加

第１のビアコンタクト１０６をマスクとして半導体基板１０１上の第１の配線用導電膜に対してエッチングを行なって第１層配線１０３Ａを形成した後、第２の層間絶縁膜１０８を堆積する。 - 特許庁

To provide a resin composition which gives cured items excellent in flexibility and resistances to soldering heat, heat degradation, and electroless gold plating, can be developed with an organic solvent or a dilute alkali solution, and is suitable for solder resists and interlayer insulation layers.例文帳に追加

硬化物の可撓性や半田耐熱性、耐熱劣化性、無電解金メッキ耐性に優れ、有機溶剤又は希アルカリ溶液で現像ができ、ソルダ−レジスト用及び層間絶縁層用に適する樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a resin having excellent photosensitivity, flexibility and resistances of a cured product to solder heat, heat deterioration and electroless gold plating, developable with an organic solvent or a dilute alkaline solution and especially suitable for solder resists and interlayer dielectric insulations.例文帳に追加

感光性に優れ、硬化物の可撓性や半田耐熱性、耐熱劣化性、無電解金メッキ耐性に優れ、有機溶剤又は希アルカリ溶液で現像ができ、ソルダーレジスト用及び層間絶縁層用に特に適する樹脂を提供する。 - 特許庁

To provide an insulation film-forming material forming a coating film having proper and uniform thickness as interlayer insulation films of semiconductor elements, excellent in heat stability, hardly generating cracks and excellent in dielectric constant characteristics.例文帳に追加

半導体素子などにおける層間絶縁膜として、適当な均一な厚さを有する塗膜が形成可能な、しかも耐熱性に優れ、クラックが生じ難く、更に誘電率特性に優れた膜形成用形成材料を提供する。 - 特許庁

Furthermore, in a memory cell having a ferroelectric capacitor, a bit line 16 and a plate line 17 are arranged above the ferroelectric substance capacitor with the interlayer insulation film 18 interposed, and the bit line and plate line are arranged at high density.例文帳に追加

また、強誘電体キャパシタを有するメモリセルにおいて、ビット線１６およびプレート線１７が層間絶縁膜を介して強誘電体キャパシタの上部に配設され、上記ビット線およびプレート線が高密度に配設される。 - 特許庁

As a result, outflow of resin after impregnation need not be considered, thus interposing a sufficient amount of resin between the conductors by using the resin having low viscosity, hence improving interlayer insulation and insulation to the ground.例文帳に追加

このため、含浸後の樹脂の流出を考慮する必要がないので、低粘度の樹脂を用いることで導体の間に十分な量の樹脂を介在させることが可能となり、層間及び対地絶縁特性が向上する。 - 特許庁

The dielectric capacitor 10B is composed of a laminate, consisting of a first electrode layer 18 and a dielectric film 19 which are buried in the grooves 17a and 17b in the interlayer insulating film 17, and a second electrode layer 20.例文帳に追加

誘電体キャパシタ１０Ｂは、層間絶縁膜１７の溝１７ａ，１７ｂの中に埋設された第１の電極層１８、誘電体膜１９および第２の電極層２０からなる積層体により構成されている。 - 特許庁

An interlayer insulating film 15 and a silicon nitride film 16 are laminated on a predetermined region of a semiconductor substrate 11 surrounded by an element isolation insulating film 12, and a lower electrode 17 is formed in a stripe shape on this silicon nitride film 16.例文帳に追加

素子分離絶縁膜１２に囲まれた半導体基板１１の所定領域上に層間絶縁膜１５及びシリコン窒化膜１６が積層され、このシリコン窒化膜１６上に下部電極１７がストライプ状に形成されている。 - 特許庁

Alternatively, the dielectric film 16a of the capacitor formed in the capacitor forming area and a memory/gate interlayer film 11 formed between polycrystalline silicon layers 10a and 17 in a memory cell forming area are formed in the same step.例文帳に追加

または、キャパシタ形成領域におけるキャパシタの誘電体膜１６ａおよびメモリセル形成領域における多結晶シリコン層１０ａと多結晶シリコン層１７との間のメモリゲート層間膜１１を同一の工程で形成する。 - 特許庁

To provide an interposer and a semiconductor device using the interposer capable of suppressing damage caused by the heat distortion of an interlayer insulating film, a wiring layer or the like inside a semiconductor element, and capable of improving the reliability of the semiconductor device.例文帳に追加

熱歪による半導体素子の内部の層間絶縁膜や配線層等の損傷を抑制し、半導体装置の信頼性の向上に寄与することができる「インターポーザ及びこれを用いた半導体装置」を提供すること。 - 特許庁

To provide a nonwoven fabric for cosmetics, which enhances functionality of nonconventional softness, touch, wiping properties, etc., by using an extra fine fiber as a raw material fiber and raises an additional value by adding a watermark to an interlayer.例文帳に追加

原料繊維として極細繊維を使用することにより、従来にない柔らかさ，肌触りと拭き取り性等の機能性を高めるとともに、透かし模様を付加することにより付加価値を高めた化粧品向け不織布を提供する。 - 特許庁

A lower wire 101 comprising a first barrier metal film 102, a wire metallic film 104, and a second barrier metal film 106 is formed on a semiconductor substrate (not shown), and an interlayer insulation film 108 is formed on the wire 101.例文帳に追加

半導体基板（不図示）上に、第一のバリアメタル膜１０２、配線金属膜１０４、および第二のバリアメタル膜１０６により構成された下層配線１０１を形成し、その上に層間絶縁膜１０８を形成する。 - 特許庁

To provide a resin composition which is excellent in flexibility and resistance to the heat of soldering, thermal deterioration and electroless gold plating of a cured material, developable with an organic solvent and a dilute alkali solution and especially suitable for a soldering resist and an interlayer dielectric.例文帳に追加

硬化物の可撓性やはんだ耐熱性、耐熱劣化性、無電解金メッキ耐性に優れ、有機溶剤や希アルカリ溶液で現像ができ、ソルダーレジスト用及び層間絶縁層用に特に適する樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

The interlayer insulation film is then removed and the first magnetic layer, the tunnel insulation film and the second magnetic layer are machined integrally using the mask material as an etching mask to form a lower electrode, a tunnel barrier and an upper electrode on the lower interconnections.例文帳に追加

層間絶縁膜を除去し、マスク材をエッチングマスクとして、第１磁性層、トンネル絶縁膜、および第２磁性層を一体的に加工して、下部配線上に、下部電極、トンネルバリア、および上部電極を形成する。 - 特許庁

Next, an oxide silicon film as a first interlayer insulating film 33 is formed on the nitride silicon film 60, and a connection hole 61 is formed so that the surface of the nitride silicon film 60 may be exposed by etching technology.例文帳に追加

次いで、窒化シリコン膜６０上に、第１層間絶縁膜３３となる酸化シリコン膜を形成した後、エッチング技術によって窒化シリコン膜６０の表面が露出するように、酸化シリコン膜に接続孔６１を形成する。 - 特許庁

To provide an electronic circuit device which has a multilayer structure and wherein parts are built in by a simple step by electrically connecting interlayer conductor wirings and built-in electronic parts by using the same anisotropic conductive resin layer.例文帳に追加

層間の導体配線接続と内蔵する電子部品の電気的接続とを同一の異方導電性樹脂層を用いて行うことにより、簡単な製造工程で部品を内蔵した多層構成の電子回路装置を提供する。 - 特許庁

To manufacture a wiring board having excellent electrical properties, a high reliability, etc. by forming a via hole having a good shape surely and efficiently by irradiating a laser on an interlayer insulation layer on a composite base material.例文帳に追加

複合下地材上の層間絶縁層に対してレーザー照射を行うことにより、形状のよいビア穴を確実にかつ効率よく形成でき、もって電気的特性や信頼性等に優れた配線基板を製造すること。 - 特許庁

An interlayer insulation film including lower layer wirings of the predetermined shapes is formed on a semiconductor substrate, and a first groove aperture and a first hole aperture are simultaneously formed by a half-etching method in the first photolithography process.例文帳に追加

所定の形状の下層配線を有する層間絶縁膜を、半導体基板上に形成し、一回目のフォトリソグラフィ工程で、第一の溝状開口部と第一の孔状開口部とをハーフエッチングにより同時に形成する。 - 特許庁

This is thin and low price laminated glass using at least three glass plates and it is excellent in penetration-proof property compared with the current one having a structure sandwiching an organic resin film (interlayer film) between two glass plates.例文帳に追加

ガラス板を少なくとも３枚以上用いる事で、従来の２枚のガラス板の間に有機樹脂膜（中間膜）を挟持させた構造の合わせガラスに比べ、厚みが薄く、かつ安価な耐貫通性に優れる合わせガラスである。 - 特許庁

The interlayer for laminated glass is one that is obtained by allowing an organic peroxide to be included in an ethylene-vinyl acetate copolymer, wherein the organic peroxide is represented by formula I, and is a peroxy ketal having a 10-hr half-life temperature of 100°C or lower.例文帳に追加

エチレン／酢酸ビニル共重合体に有機過酸化物を含有してなる合わせガラス用中間膜であって、有機過酸化物が下記式Ｉ：で表され、且つ１０時間半減期の温度が１００℃以下であるパーオキシケタール。 - 特許庁

After forming a gate insulating film 12a on a semiconductor substrate 10, a gate electrode 14a, and an interlayer insulating film 16a are formed by depositing a polysilicon layer, thermal oxidation, etching the shoulder of an oxide film, and patterning a gate.例文帳に追加

半導体基板１０の表面にゲート絶縁膜１２ａを形成した後、ポリシリコン層の堆積、熱酸化、酸化膜の肩部エッチング、ゲートパターニングの処理によりゲート電極層１４ａ及び層間絶縁膜１６ａを形成する。 - 特許庁

A wiring 10 is formed on the upper layer of an interlayer insulator film 9 which covers MISFETQ1 formed on the main surface of a semiconductor substrate 1, and a dummy wiring 11 is disposed in a region where the distances between the wirings 10 are large.例文帳に追加

半導体基板１の主面上に形成されたＭＩＳＦＥＴＱ１を覆う層間絶縁膜９の上層に配線１０を形成するとともに、その配線１０間の間隔が広い領域にダミー配線１１を配置する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method which prevents an rise in interlayer contact resistance between upper and lower wirings electrically connected with conductive plugs in holes even deviated from wiring underling them.例文帳に追加

ホールとその下の配線とが位置ずれしても、ホール内の導電性プラグにより電気的に接続される上下の配線間の層間コンタクト抵抗の上昇を防止することができる半導体装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of increasing the insulation breakdown voltage between lower wiring and upper wiring without entirely thickening an interlayer insulating film interposed between the lower wiring and upper wiring.例文帳に追加

下層配線と上層配線との間に介在される層間絶縁膜を全体的に肥大化（厚膜化）させることなく、下層配線と上層配線との間の絶縁耐圧の向上を図ることができる、半導体装置を提供する。 - 特許庁

The interlayer insulating film is formed on the gate electrode layer CG and an air gap portion so that an air gap is left behind between the gate wiring portions GW and between the gate wiring portion GW and the contact pad portion CP.例文帳に追加

層間絶縁膜は、ゲート配線部分ＧＷ同士の間およびゲート配線部分ＧＷとコンタクトパッド部分ＣＰとの間に空隙を残すようにゲート電極層ＣＧおよび空隙部の上に形成されている。 - 特許庁

CURABLE RESIN COMPOSITION, CURED PRODUCT THEREOF, RESIN COMPOSITION FOR PRINTED WIRING BOARD, PRINTED WIRING BOARD, RESIN COMPOSITION FOR FLEXIBLE WIRING BOARD, RESIN COMPOSITION FOR SEMICONDUCTOR SEALING MATERIAL AND RESIN COMPOSITION FOR INTERLAYER INSULATION MATERIAL FOR BUILD-UP SUBSTRATE例文帳に追加

硬化性樹脂組成物、その硬化物、プリント配線基板用樹脂組成物、プリント配線基板、フレキシブル配線基板用樹脂組成物、半導体封止材料用樹脂組成物、及びビルドアップ基板用層間絶縁材料用樹脂組成物 - 特許庁

After a polysilicon film is formed on the entire surface of an interlayer insulation film 9, with a resist having a predetermined opening pattern as a mask, the polysilicon film is anisotropically dry-etched, thereby forming a polysilicon film 22a that contacts with a plug layer 11.例文帳に追加

ポリシリコン膜を層間絶縁膜９上の全面に形成した後、所定の開口パターンを有するレジストをマスクとして、ポリシリコン膜を異方性ドライエッチングすることにより、プラグ層１１に接触するポリシリコン膜２２ａを形成する。 - 特許庁

Interlayer connection between the conductor patterns 12 of each resin film is performed via the conductive through-hole 14 integral with the conductor pattern 12 and the conductors 23 without interposing any separate resin films between two adjacent resin films.例文帳に追加

隣接する２つの樹脂フィルム間に別の樹脂フィルムを介在させずに、各樹脂フィルムの導体パターン１２間での層間接続が、導体パターン１２と一体の導電スルーホール１４および導電体２３を介してなされる。 - 特許庁

To obtain a new adamantane tricarboxylic acid derivative capable of forming highly crosslinked polybenzazole polymers which are useful as insulating film-forming materials capable of easily forming film thicknesses especially required for interlayer insulating film uses.例文帳に追加

高い架橋度を有するポリベンズアゾール類を構成でき、特に層間絶縁膜用途として必要とされる膜厚を容易に形成しうる絶縁膜形成材料として有用な新規なアダマンタントリカルボン酸誘導体を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method and a semiconductor device causing no interfacial delamination between a gate electrode and an interlayer insulating film and no damage to an irradiated object regardless of high speed heating by light irradiation for activation.例文帳に追加

活性化のための光照射による急速加熱を行っても、ゲート電極と層間絶縁膜の界面剥離や、被照射物に損傷を与えることのない半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供すること。 - 特許庁

The interlayer connection bonding sheet (100a) for a multilayer wiring board is formed by laminating an adhesion layer (20a) containing alkenylphenol, maleimides, and an inorganic filler on at least one side surface of an insulating base (10) composed of a resin composite.例文帳に追加

樹脂組成物からなる絶縁基材（１０）の少なくとも片面にアルケニルフェノール、マレイミド類、及び無機充填材を含有する接着層（２０ａ）が積層されている、多層配線基板用層間接続ボンディングシート（１００ａ）。 - 特許庁

A conductive field plate forming a capacitance between the conductive field plate and the resistive field plate is formed on a gap by a plurality of the peripheral field plates when a voltage is applied between the first and second main electrodes through an interlayer insulating film.例文帳に追加

複数の周回フィールドプレートによる間隙上には層間絶縁膜を介して第１及び第２の主電極間への電圧印加時に、抵抗性フィールドプレートとの間で容量を形成する導電性フィールドプレートを設ける。 - 特許庁