「Interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(102ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an insulating film-forming material which comprises a component capable of constituting a polybenzazole compound having a high crosslinking degree and, in particular, can easily realize a film thickness necessary for use as an interlayer insulating film, and an insulating film formed from the material.例文帳に追加

高い架橋度を有するポリベンズアゾール類を構成しうる成分からなり、特に層間絶縁膜用途として必要とされる膜厚を容易に形成しうる絶縁膜形成材料及び該材料から形成される絶縁膜を提供する。 - 特許庁

To provide a fiber-reinforced composite material simultaneously achieving excellent CAI (compression strength after impact), ILSS (interlayer shear strength) and bending fracture toughness at high levels, and keeping a high glass transition temperature of the resin material; and a prepreg and a benzoxazine resin composition to be used therein.例文帳に追加

優れたＣＡＩ、ＩＬＳＳ及び曲げ破壊靱性を高次元で同時に達成でき、且つ樹脂材料のガラス転移温度も高く維持しうる繊維強化複合材料、それに用いるプリプレグ及びベンゾオキサジン樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a display device, which enables a display panel in which a protective film is formed on an electrode layer of a light-emitting element, to have an improved passivation based on the protective film while suppressing the occurrence of interlayer peeling and cracks of the electrode layer.例文帳に追加

発光素子の電極層上に保護膜が形成された表示パネルにおいて、保護膜によるパッシベーション性を向上させつつ、電極層の層間剥離やクラックの発生を抑制することができる表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Drain - gate connection layers 41a and 41b are formed on a second-layer interlayer insulation layer 71, and each connects the drain - drain connection layer 31a and the gate-gate connection layer 21b, and the drain - drain connection layer 31b and the gate - gate connection layer 21a.例文帳に追加

ドレイン−ゲート接続層４１ａ，４１ｂは、第２層目の層間絶縁層７１上に形成され、其々がドレイン−ドレイン接続層３１ａとゲート−ゲート接続層２１ｂ、ドレイン−ドレイン接続層３１ｂとゲート−ゲート接続層２１ａを接続する。 - 特許庁

To provide a method for forming a silicon oxide film which is superior in characteristics aspects such as dielectric strength and step-coverage, etc., for improved yield of TFT, causes no problem in handling or in cost, and is used for both a gate oxide film and interlayer insulating film.例文帳に追加

絶縁耐圧やステップカバレッジ等の特性面に優れ、ＴＦＴの歩留まりの向上が図れるとともに、取り扱いやコストの面でも問題なく、ゲート酸化膜にも層間絶縁膜にも使用できるシリコン酸化膜の成膜方法を提供する。 - 特許庁

Hereby, a lower corner of the floating gate 120 is thermally oxidized to provide a round profile, Thus, a difference between the thickness at an edge of the film and that at the center of the same becomes larger in the gate oxide film 110 than the gate interlayer insulating film pattern 130.例文帳に追加

これによって、浮遊ゲート１２０の下部角が熱酸化されてラウンドされたプロフィールを有し、結果的に、膜のエッジでの厚さと中央での厚さとの差はゲート層間絶縁膜パターン１３０よりゲート酸化膜１１０の方が大きくなる。 - 特許庁

A contact hole is formed in an interlayer film 80, a heat treatment is performed in a vacuum, at 1,000°C for one minute by using the RTA apparatus, the exposed surface of an n^+ type source region 40 is cleaned, and a source electrode 90 is formed inside the contact hole.例文帳に追加

層間膜８０にコンタクトホールを形成し、ＲＴＡ装置を用いて、１０００℃、１分間の熱処理を真空中で行い、ｎ^+型ソース領域４０の露出された表面を清浄化し、コンタクトホール内にソース電極９０を形成する。 - 特許庁

A source wiring 32 formed of AlSiCu is formed on the interlayer insulating film 28 via the barrier metal film 30, and the source wiring 32 is electrically connected to the source region 27 via the conductor plug 31 and the barrier metal film 30.例文帳に追加

そして、層間絶縁膜２８上にバリアメタル膜３０を介してＡｌＳｉＣｕからなるソース配線３２が形成され、ソース配線３２は導電体プラグ３１とバリアメタル膜３０とを介してソース領域２７に電気的に接続されている。 - 特許庁

To obtain a sheet for draw forming (a precursor of a gas barrier sheet) good in interlayer adhesion and applicable to various forming methods accompanying drawing and to manufacture, by conducting the draw forming on this, a gas-barrier draw forming object with good productivity.例文帳に追加

層間密着性が良く、延伸を伴う多様な成形法への適用が可能な延伸成形用シート（ガスバリア性シート前駆体）を得、これを延伸成形することにより、良好な生産性でガスバリア性延伸成形体を製造する。 - 特許庁

To provide an organic EL display device capable of suppressing degradation of organic EL luminous characteristics caused by deterioration of an organic EL layer or an electrode due to oozing-out with aging of water contained inside an interlayer insulating film or an edge cover.例文帳に追加

層間絶縁膜やエッジカバーの内部に含まれている水分が経時に伴ってしみ出し、有機ＥＬ層や電極に劣化を与え、有機ＥＬ発光特性が低下することを抑制可能な有機ＥＬ表示装置を提供することである。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can secure a breakdown voltage between first and second wiring layers in an SAC part, can reduce the contact resistance, and can improve the flatness of an interlayer insulating film.例文帳に追加

本発明は、ＳＡＣ部分における第１配線層と第２配線層間の絶縁耐圧を確保するとともにコンタクト抵抗を低下させ、さらに層間絶縁膜の平坦性が向上されている半導体装置を提供することを目的としている。 - 特許庁

A DRAM 100 has a source/drain region 3; interlayer insulation films 20, 30 having a contact hole 30h reaching the surface of the source/drain region 3; and a bit line 110 covered with the insulation films 20, 30.例文帳に追加

ＤＲＡＭ１００は、ソースおよびドレイン領域３と、ソースおよびドレイン領域３の表面に達するコンタクトホール３０ｈを有する層間絶縁膜２０および３０と、層間絶縁膜２０および３０によって被覆されたビット線１１０とを備える。 - 特許庁

To provide an optical disk device capable of stably detecting a preformatted signal preset in the recording track of an optical disk while reducing an influence of interlayer stray light, and to provide an optical pickup, a preformatted signal generation method and a program.例文帳に追加

層間迷光による影響を低減しつつ、光ディスク上の記録トラックに予め設定されているプリフォーマット信号を安定して検出することができる光ディスク装置、光ピックアップ、プリフォーマット信号生成方法及びプログラムを提供する。 - 特許庁

To provide a PFA coated polyimide tube having a two-layer structure that a heat shrinkable PFA tube is thermally fusion-bonded on the outer peripheral surface of a thermally curable polyimide tube and is excellent in terms of interlayer adhesion, durability, abrasion resistance, etc., and a manufacturing method of the PFA coated polyimide tube.例文帳に追加

熱硬化型ポリイミドチューブの外周面に、熱収縮性ＰＦＡチューブが熱融着した２層構造を有し、層間密着性、耐久性、耐摩耗性などに優れたＰＦＡ被覆ポリイミドチューブとその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To reduce the effect of moisture that penetrates through the damage to an irreducible minimum so as to prevent moisture from penetrating into an interlayer insulating film where a circuit unit is formed even if damage, such as tissue etc, occurs in a pad.例文帳に追加

パッドに亀裂のような損傷が生じた場合でも、その損傷部分から侵入する水分の影響を最小限の範囲にとどめることで、回路部が形成された層間絶縁膜への水分の浸透を阻止することを可能とする。 - 特許庁

The electric discharge is suppressed as a result, so that high voltage is not applied to an external input/output terminal, and melting of not only an IC circuit but also the circuit metal line connected to the IC circuit, and breakage of the interlayer insulation film 18 are prevented.例文帳に追加

結果的に、放電が抑制されることで、高電圧が外部入出力端子に印加されず、ＩＣ回路はもちろんの事、ＩＣ回路につながる回路用金属配線の溶断や層間絶縁膜１８の破壊を防止することが可能となる。 - 特許庁

To provide a composite film for packaging which is durable to heating sterilization treatment and is easily openable by interlayer releasing and has heat sealing strength as a film for packaging used for such a content as foods and a packaging container using the film.例文帳に追加

食品等の内容物に用いられる包装用フィルムとして層間剥離によって加熱殺菌処理に耐え、容易に開封することができる熱封緘強度を有する包装用複合フィルム並びに該フィルムを用いた包装容器を提供する。 - 特許庁

To provide a curable composition for an interlayer film of laminated glass, which is prevented from whitening, maintains weather-resistant adhesivity for a long period, can reduce breakages of glass, and can prevent scattering of glass at the time of breakage of the glass; and to provide the laminated glass using the same.例文帳に追加

白色化を防止し、また長期にわたり耐候接着性を有し、ガラスの破損を低減し、更に破損時のガラスの飛散を防止することができる合わせガラス中間膜用硬化性組成物およびそれを用いた合わせガラスの提供。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a printed wiring board which is excellent in each of reliability, durability and product stability without lowering flexibility by remarkably raising adherence performance and adherence strength between an interlayer dielectric and a conductor layer.例文帳に追加

層間絶縁層と導体層との間の密着性能及び接着強度を飛躍的に高め、屈曲性能を低下させることなく、信頼性、耐久性、及び製品安定性のいずれにも優れたプリント配線板の製造方法を提供する。 - 特許庁

(2) The fabric for the swimming wear is a knitted fabric having a three- layer structure of polyester multifilament yarns and arranged in the surface layer, the polyurethane elastic fibers arranged in the interlayer and bulky yarns of polyester fibers containing modified-cross section yarns having grooved streaks and arranged in the back surface layer and described in (1).例文帳に追加

(2) ポリエステルマルチフィラメント糸を表面層に、ポリウレタン弾性繊維を中層に、溝状筋を有する異形断面糸を含むポリエステル繊維の嵩高糸を裏面層に配した三層構造を有する編地である(1) に記載の水着用布帛。 - 特許庁

After a gate insulation film 12a is formed on the surface of a semiconductor substrate 10, a gate electrode layer 14a and an interlayer insulation film 16a are formed by deposition of a polysilicon layer, an oxidation of the surface, etching in a shoulder part of an oxide film and patterning of a gate.例文帳に追加

半導体基板１０の表面にゲート絶縁膜１２ａを形成した後、ポリシリコン層の堆積、表面酸化、酸化膜の肩部エッチング、ゲートパターニングの処理によりゲート電極層１４ａ及び層間絶縁膜１６ａを形成する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display with a high aperture ratio, having proper display characteristics at a high yield, by being formed on TFT and wiring and suppressing the film decrease of an interlayer insulating film comprising a transparent resin used for surface planarity.例文帳に追加

ＴＦＴおよび配線上に形成され、表面平坦化のために用いられる透明樹脂からなる層間絶縁膜の膜減りを抑制して、良好な表示特性を有する高開口率の液晶表示装置を高歩留りで得る。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein a capacity among wiring portions is reduced and the dispersion of wiring metal to a low dielectric-constant film is prevented in a wiring structure having a combination of copper wiring and a low dielectric-constant interlayer insulating film, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

銅配線と低誘電率層間絶縁膜とを組み合わせた配線構造において、配線間容量を低減すると共に、配線金属の低誘電率膜への拡散を防止する半導体装置及びその製造方法を提供。 - 特許庁

To obtain a film-forming composition capable of forming a silicone-based film having an appropriate uniform thickness and suitable for use as an interlayer insulation film in a semiconductor, or the like, and excellent in heat resistance, permittivity characteristics and CMP (chemical mechanical polishing) resistance.例文帳に追加

半導体素子などにおける層間絶縁膜として使用するのに適した、適当な均一の厚さを有するシリコーン系膜が形成可能で、耐熱性、誘電率特性、ＣＭＰ耐性に優れた膜形成組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a composition for film formation that is capable of forming a silicone film having an appropriate uniform thickness suitable for use as an interlayer insulating film in a semiconductor device or the like and is capable of affording an insulating film excellent in dielectric properties and film strength.例文帳に追加

半導体素子などにおける層間絶縁膜として使用するのに適した、適当な均一な厚さを有するシリコーン系膜が形成可能であり、しかも誘電率特性、膜強度に優れた絶縁膜を提供できる膜形成用組成物。 - 特許庁

A side wall protective film 4 which is formed in a plasma etching process for forming a viahole 2a as the electric continuity hole in a silicon based oxide film 2 as the interlayer insulating film of a substrate is reformed so as to be easily dissolved in water in plasma treatment for eliminating a resist mask 3.例文帳に追加

基板の層間絶縁膜であるシリコン系酸化膜２に導通孔であるビアホール２ａを設けるためのプラズマエッチング工程で形成される側壁保護膜４を、レジストマスク３を除去するプラズマ処理において水に溶けやすく改質する。 - 特許庁

Since an interlayer film 3 is formed in such a way that it covers the proximity of a scribe line 10, the surface of a silicon wafer 2 is not damaged by anisotropic etching for forming aluminum wiring 4 and passivation films 5a and 5b during manufacturing operations.例文帳に追加

層間膜３はスクライブライン１０近傍を覆って形成されているため、製造工程において、アルミ配線４やパッシベーション膜５ａ、５ｂを形成するための異方性エッチングによってシリコンウエハー２表面がダメージを受けることがない。 - 特許庁

The capacitive film 4 and the protective film 6 are etched using the interlayer insulating film 7 as a mask, so that openings 9, 12 for contact with the lower electrode 3 and the upper electrode 5 are formed, respectively, on the capacitive film 4 and the protective film 6.例文帳に追加

そして、層間絶縁膜７をマスクとして、容量膜４および保護膜６がエッチングされることにより、容量膜４および保護膜６にそれぞれ下部電極３および上部電極５とのコンタクトのための開口９，１２が形成される。 - 特許庁

At this point, projections 4a and 4b are formed on the gate electrodes 2 which extend vertical in the direction of a channel, whereby a leakage current generated by electric changes accumulated in the recesses or the gaps generated on an interlayer insulating film can be restrained.例文帳に追加

このとき、ゲート電極２上であって、チャネル長方向に対して垂直に突起部４ａ，４ｂを形成して、層間絶縁膜９に生じた窪みあるいは空隙に電荷等が蓄積されることにより発生するリーク電流を抑制する。 - 特許庁

At least one of the through-hole 40 is so constituted that at least one part of the first wiring layer 20 is eliminated, and the bottom surface is a continuous surface constituted of a surface 30a of the interlayer insulating layer and a surface 20a of the first wiring layer.例文帳に追加

少なくとも１つのスルーホール４０は、少なくとも第１の配線層２０の一部が、除去されて構成され、かつ、その底面は、層間絶縁層の面３０ａと第１の配線層の面２０ａとで構成された連続面である。 - 特許庁

In a specific region of an interlayer insulating film 2 formed on a silicon substrate 1, an insulating film projection part 3 or insulating film recessed part is formed, and the wiring layer 4 is arranged to cover the insulating film projection part 3 or insulating film recessed part.例文帳に追加

シリコン基板１上に形成した層間絶縁膜２の所定の領域に絶縁膜凸部３あるいは絶縁膜凹部が形成され、上記絶縁膜凸部３あるいは絶縁膜凹部を被覆するようにして配線層４が配設される。 - 特許庁

In the multilayer wiring board, at least one wiring circuit attached substrate (30) previously processed of outer shape, is subjected to interlayer-conduction with a conductive layer (12) and stuck on a mother board printed wiring board (10) comprising the conductive layer (12) on one side only.例文帳に追加

多層配線板は、導電層（１２）を片面にのみ備えたマザーボードプリント配線板（１０）に、予め外形加工がなされた少なくとも１枚の配線回路付き基材（３０）を導電層（１２）と層間導通させて貼り合わせたものである。 - 特許庁

Crystals contained in the barrier metal film 26 are grown large in grain diameter to prevent the barrier metal film 26 from being formed at the constricted part of the first interlayer insulating film 17, the residues are prevented from occurring after dry etching, and the array substrate can be prevented from the reduction in yield due to a short circuit caused by the residues.例文帳に追加

バリアメタル膜26の結晶粒径を大きくして第１層間絶縁膜17の括れ部分にバリアメタル膜26を形成することを防止し、ドライエッチング後の残渣の発生を防止して、残渣によるショートなどでの歩留まりの低下を防止できる。 - 特許庁

A semiconductor substrate 10 is manufactured by forming a light receiving part 2, a transfer electrode 3, an interlayer insulation film 4 and a light shielding film 5 on a silicon substrate 1 by a well known method and a first intermediate layer 11 having a film thickness of d_1 is formed on the semiconductor substrate 10.例文帳に追加

シリコン基板１に、公知の方法で受光部２、転送電極３、層間絶縁膜４及び遮光膜５を形成した半導体基板１０を作製し、半導体基板１０上に膜厚ｄ_1の第一中間層１１を形成する。 - 特許庁

To provide a method for forming insulating film of semiconductor device which can be manufactured by preventing the occurrence of pinch-off in formation of a wire-to-wire insulating film, and reducing undulation over the interlayer insulating film even when ultra-fine wires are laid.例文帳に追加

微細化された配線であっても、配線間絶縁膜形成におけるピンチオフの発生を防止し、層間絶縁膜上部の起伏を小さくして製造できる半導体装置の絶縁膜形成方法及び半導体装置を提供する。 - 特許庁

The wirings 105, 106, and 107 are anodized by applying a current to the wirings 105, 106, and 107 to form a surface oxide film 109 on them, and a metal film is formed thereon, making the surface oxide film 109 serve as an interlayer insulator and patterned into a drain wiring 110 and a source wiring 111.例文帳に追加

金属配線１０５，１０６，１０７に電流を流して陽極酸化させて表面酸化膜１０９とし、これを層間絶縁物として更に金属被膜してパターニングしてドレイン配線１１０及びソース配線１１１とする。 - 特許庁

To provide a resin composition capable of forming an interlayer insulating film or a surface protection film without occurrence of melt at the final heating step and with smaller sublimation of the cross-linking component and the like, and with smaller generation of gas component at the heating after the final heating step.例文帳に追加

最終加熱時においてメルトを起こすことなく、また、最終加熱以降の加熱においても架橋成分等の昇華及びガス成分の発生が少ない層間絶縁膜又は表面保護膜を成膜可能な樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a transfer sheet which is resistant to interlayer-adhesion and paint curing contraction, and hardly cause a phenomenon, so-called blocking phenomenon in which ink peels off a base sheet when taking up the transfer sheet upon printing, and to provide a decorative material using the transfer sheet.例文帳に追加

層間密着、塗料の硬化収縮に耐え、かつ印刷時に転写シートを巻き取ったときにインキが基材シートから剥離する通称ブロッキングという現象が起きにくい転写シート及びこれを用いた化粧材を提供すること。 - 特許庁

In the interlayer insulating film 16, the diameters of the holes included in a lower surface region and in an upper surface region are smaller than those of the holes included in the center region between the upper region and lower region.例文帳に追加

層間絶縁膜１６における、下面領域に含まれる空孔の空孔径及び上面領域に含まれる空孔の空孔径は、上面領域と下面領域との間に介在する中央領域に含まれる空孔の空孔径よりも小さい。 - 特許庁

To provide a damage recovery method of an insulating film, which is superior in mass productivity, capable of preventing restorative from remaining on wiring materials such as a copper wiring layer, and capable of carrying out treatment based on a dry process, when carrying out the damage recovery treatment of an interlayer dielectric.例文帳に追加

層間絶縁膜のダメージ回復処理の際に、銅配線層などの配線材料上に回復剤が残留することがなく、かつドライプロセスによる処理が可能な、量産性に優れる絶縁膜のダメージ回復方法を提供する。 - 特許庁

Accordingly, when the surfaces of the interlayer insulating films 72 and 73 are polished, a polishing rate in the display area 10a and the polishing rate in the surrounding area 10b are equivalent so that no step is formed between the display area 10a and the surrounding area 10b.例文帳に追加

このため、層間絶縁膜７２、７３の表面を研磨する際、表示領域１０ａと周辺領域１０ｂとでは研磨速度が同等であるため、表示領域１０ａと周辺領域１０ｂとの間に段差が発生しない。 - 特許庁

To provide a cleaning solution for lithography, the liquid having excellent corrosion suppression function in relation to an ILD (interlayer dielectric) material and excellent removal performance in relation to a resist film and a bottom antireflection coating film, and to provide a method for forming a wiring line by using the cleaning solution for lithography.例文帳に追加

ＩＬＤ材料に対する腐食抑制機能に優れ、かつ、レジスト膜及び下層反射防止膜の除去性能にも優れたリソグラフィー用洗浄液、及びこのリソグラフィー用洗浄液を用いた配線形成方法を提供する。 - 特許庁

Because of the projections and recesses on the surface of the organic passivation film 109, an adhesive force is enhanced by the increase in an adhesion area between the organic passivation film 109 and the interlayer dielectric 111, whereby the reliability of a liquid crystal display panel is improved.例文帳に追加

有機パッシベーション膜１０９表面の凹凸によって有機パッシベーション膜１０９と層間絶縁膜１０９との接着面積が増加することによって接着力が向上し、液晶表示パネルの信頼性が向上する。 - 特許庁

The optical information recording medium 1 includes on a substrate 50: the ROM layer 20 and the RE layer 40; an interlayer 30 separating the ROM layer 20 and RE layer 40; and a transparent layer 10 provided farthest from the substrate 50.例文帳に追加

光情報記録媒体１は、基板５０上に、ＲＯＭ層２０及びＲＥ層４０と、ＲＯＭ層２０及びＲＥ層４０を分離する中間層３０と、基板５０より最も遠い位置に設けられた透光層１０と、を有する。 - 特許庁

The second contact plug 10 is formed penetrating the second interlayer dielectric 9 in the thickness direction thereof, is electrically-connected with the top face of the first contact plug 8 at the bottom face thereof, and has a second electric resistivity lower than the first electric resistivity.例文帳に追加

第二のコンタクトプラグ１０は、第二の層間絶縁膜９の膜厚方向に貫通して形成され、下面において第一のコンタクトプラグ８の上面と電気的に接続され、第一の電気抵抗率より低い第二の電気抵抗率を有する。 - 特許庁