「Interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(105ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a low dielectric constant interlayer insulation material for a printed wiring board which is suitable for high-density mounting of electronic devices such as semiconductor elements, and for high-speed propagation of signals, and also to provide a multilayered board or electronic component which is formed of this insulation material.例文帳に追加

半導体素子など電子デバイスを高密度に実装し、信号の高速伝播に適した低誘電率のプリント配線基板用層間絶縁材料、およびこの絶縁材料を構成素材とする多層基板又は電子部品を提供する。 - 特許庁

Further, a recess 12a corresponding to the recess 10a is formed in a first interlayer insulating film 12, and the channel region 1a' is disposed in the recess 12a so that the light shielding layer 11a three-dimensionally surrounds the channel region 1a'.例文帳に追加

更に、第１層間絶縁膜１２には、この凹部１０ａに対応した凹部１２ａが形成され、凹部１２ａ内にチャネル領域１ａ’が配置されることにより、３次元的に遮光層１１ａがチャネル領域１ａ’を囲むように構成される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a part for a stator, by which punching burr protruding on front and rear sides is not generated on an end of an elongated conductor plate, and interlayer short circuit hardly occurs even in an insulating distance in lamination is long depending on the circumstances.例文帳に追加

長尺導体板の端部に表側及び裏側に突出する打ち抜きバリが発生せず、場合によっては、積層した場合の絶縁距離も長くなって層間短絡が発生しにくい固定子用部品の製造方法を提供する。 - 特許庁

To inexpensively provide an SOI wafer in which the insulation property of an interlayer insulating oxide film is maintained at a high level even when the film is formed to have an extremely thin thickness of, for example, ≤100 nm and which is high in electrical reliability in a device manufacturing process.例文帳に追加

層間絶縁酸化膜の厚さが例えば１００ｎｍ以下となるほど極めて薄く形成した場合であっても、高絶縁性が維持され、デバイス作製工程における電気的信頼性が高いＳＯＩウェーハを低コストで提供する。 - 特許庁

The capacitor is built or housed in a multilayered printed wiring board, interlayer resin insulating layers, and conductor circuits are successively formed on a board for the formation of the multilayered printed wiring board, and the capacitor, the conductor circuit, and the upper and lower conductor circuit are connected through via holes.例文帳に追加

上記コンデンサを内臓または収納する多層プリント配線板では、基板上に層間樹脂絶縁層と導体回路とが順次形成され、前記コンデンサと導体回路および上下の導体回路がバイアホールを介して接続されている。 - 特許庁

To provide a polishing composition for a semiconductor substrate and a method for polishing the semiconductor substrate, with and by which the semiconductor substrate having an insulating film layer wherein recess and projection patterns are different in size can be planarized at high level in an interlayer insulating film and element separating process for a semiconductor device.例文帳に追加

半導体デバイスの層間絶縁膜や素子分離工程における、凹凸パターンのサイズが異なる絶縁膜層を持つ半導体基板を高度に平坦化できる半導体基板研磨組成物、半導体基板の研磨方法を提供する。 - 特許庁

A second interlayer insulating film and first wiring, or a second wiring layer and a hard mask are formed on the surface of a silicon substrate 2, the silicon substrate 2 is conveyed to a reaction chamber S, and N_2 gas excited by microwaves is introduced to the reaction chamber S.例文帳に追加

第２層間絶縁膜と第１配線、あるいは、第２配線層とハードマスクをシリコン基板２の表面に形成し、そのシリコン基板２を反応室Ｓに搬送させ、その反応室Ｓに、マイクロ波によって励起されたＮ_２ガスを導入する。 - 特許庁

To provide a compound copper foil and the method of drilling improved in biting of a drill to the copper foil and facilitated in drilling property while suitable for forming a small diameter interlayer connecting hole, by improving the surface of the copper foil upon manufacturing a printed circuit substrate.例文帳に追加

プリント回路基板の製造に際し、銅箔の表面を改善することにより、銅箔のドリルによる食いつきを良くし、穴開け性が容易となり、小径層間接続孔の形成に適した複合銅箔及び穴開け方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing laminated ceramic electronic components, that can prevent the interlayer peeling between an internal electrode and a ceramic layer and the generation of cracks or the like, and can reduce insulation and appearance fail, when forming an external electrode after polishing a sintering body.例文帳に追加

焼結体を研磨した後に外部電極を形成する際、内部電極とセラミック層との層間剥離やクラック等の発生を防止し、絶縁不良や外観不良を低減できる積層セラミック電子部品の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a negative radiation-sensitive composition suitable for forming a cured pattern that constitutes an interlayer insulating film low in dielectric constant, and to provide a method for forming a cured pattern using the composition, and a cured pattern obtained by the method for forming a cured pattern.例文帳に追加

比誘電率の低い層間絶縁膜を構成する硬化パターンの形成に好適なネガ型感放射線性組成物、それを用いた硬化パターン形成方法及びこの硬化パターン形成方法により得られた硬化パターンを提供する。 - 特許庁

The invention relates to the sound absorbing felt which is monolayer felt, having an air flow resistance value of 50 to 300N x sec/m^3 on one side surface, an air flow resistance value of 500 to 4000N x sec/m^3 on the other side surface, having a continuously varying interlayer air flow resistance value.例文帳に追加

単層フェルトであって、片側表層の空気流れ抵抗値が５０〜３００Ｎ・sec／ｍ^3であり、反対側表層の空気流れ抵抗値が５００〜４０００Ｎ・sec／ｍ^3であり、層間の空気流れ抵抗値が連続的に変化している吸音フェルト。 - 特許庁

Then, at the crossing parts of the gate lines 1 and the screen end common lines 5a, a two-layer structured interlayer insulating film consisting of a gate insulating film 10 and a protective insulating film 11 is formed between the gate lines 1 and the screen end common lines 5a.例文帳に追加

そして、ゲート線１と画面端共通線５ａとの交差部において、ゲート線１と画面端共通線５ａとの間に、ゲート絶縁膜１０と保護絶縁膜１１とからなる２層構造の層間絶縁膜が形成されている。 - 特許庁

To provide means capable of preventing deterioration of a light emitting element caused by difference between temperature characteristics of an interlayer insulation film and a positive electrode, in a light emitting device having a light emitting element including a positive electrode, an organic compound layer and a negative electrode.例文帳に追加

陽極、有機化合物層及び陰極からなる発光素子を有する発光装置において、層間絶縁膜と陽極との温度特性の違いにより生じる発光素子の劣化を防ぐ手段を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a coating material composition having good mixing stability and sufficient pot life, ensuring excellent finishing property, excellent in interlayer adhesion, and capable of preventing blister and crack and forming a coating film excellent in stain resistance.例文帳に追加

混合安定性が良好で、十分な可使時間を有し、優れた仕上り性を確保できるとともに、層間密着性に優れ、塗膜の剥離、ふくれ及び割れを防止することができ、さらには、耐汚染性に優れた塗膜を形成できる塗料を得る。 - 特許庁

After a gate part 2, an insulation film 3 on the gate, source and drain 4 and 5, an interlayer insulation film 6, and a plug 8 are formed on the Si substrate 1, a sacrificial insulation film is deposited on the entire surface and trenches for burying the capacitor electrodes 12_1 and 12_2 are made therein.例文帳に追加

その製法は、Ｓｉ基板１上にゲート部２、ゲート上絶縁膜３、ソース・ドレイン４，５、層間絶縁膜６、プラグ８を形成後、全面に犠牲絶縁膜を堆積し、これにキャパシタ電極１２_１，１２_２を埋め込む溝を形成する。 - 特許庁

To provide: a magnetoresistive film in which the influence of roughness of an anti-ferromagnetic layer is reduced, an interlayer coupling magnetic field Hin is small, and variations in characteristics are small; a magnetic head; a magnetic disc device; a magnetic memory device; and a method for manufacturing the magnetoresistive film.例文帳に追加

反強磁性層のラフネスの影響を低減し、層間結合磁界Ｈｉｎの小さく、特性のバラツキの少ない磁気抵抗効果膜、磁気ヘッド、磁気ディスク装置、磁気メモリ装置、及び磁気抵抗効果膜の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The method for detecting the moisture content in the soil comprises thrusting a soil water sensor, more preferably a soil water sensor detecting the average value of the moisture content of the soil contacting a rod-like sensing part in the nearly horizontal direction in the interlayer part of pot culture soil and detecting the moisture content in the soil.例文帳に追加

土壌水センサ、より好ましくは棒状センシング部分に接触する土壌の水分量平均値を検出する土壌水センサを鉢培養土の中層部に略水平方向に穿刺して、土壌水分量を検出する。 - 特許庁

Furthermore, light shielding films (71 and 300) are formed at a portion located on the scanning line in the interlayer insulation film and within the groove in a recessed shape looking from the thin film transistor side and cover a channel region and the scanning line from a top side.例文帳に追加

更に、層間絶縁膜における走査線上に位置する部分上及び溝内に形成されることにより、薄膜トランジスタ側から見て凹状に形成されて、チャネル領域及び走査線を上側から覆う遮光膜（７１、３００）を備える。 - 特許庁

A primary etching step forms contact holes (symbol 200 in Figure 4) on the interlayer insulating film 105 as well as removes the spacer film 109, followed by a secondary etching step for removing the hard mask film pattern 106a.例文帳に追加

第１のエッチング工程で層間絶縁膜１０５にコンタクトホール（図４中の符号２００）を形成し、スペーサ膜１０９も第１のエッチング工程にて除去し、ハードマスク膜パターン１０６ａを除去するための第２のエッチング工程を実施する。 - 特許庁

A metal wiring layer 39 is formed on the interlayer insulating film 37 to come into contact with the MOS transistor via a contact hole 38, and a bonding pad 40 is formed to come into contact with the outside by means of the metal wiring layer 39.例文帳に追加

この層間絶縁膜３７上には、コンタクトホール３８を介してＭＯＳトランジスタとのコンタクトを取る金属配線層３９が形成され、この金属配線層３９を利用して、外部とのコンタクトを取るボンディングパッド４０も形成されている。 - 特許庁

The top surface 10a which the conducting film 11 has is positioned at a part where distance from the main surface 1a of the silicon substrate 1 is greater than distance from the main surface 1a of the silicon substrate 1 to the top surface 6a of the interlayer insulating film 6.例文帳に追加

導電膜１１が有する頂面１０ａは、シリコン基板１の主表面１ａからの距離がシリコン基板１の主表面１ａから層間絶縁膜６の頂面６ａまでの距離よりも大きい位置に設けられている。 - 特許庁

The potential of the resistance layer 121 is reduced to ground, therefore the resistance of the substrate is reduced, thermal noise in the substrate is reduced, and noise entering the amplification stage via an interlayer film capacity can also be reduced, reducing the noise of the entire semiconductor device.例文帳に追加

この低抵抗層はその電位をグランドに落しているので、基板抵抗が減少し、基板の熱雑音が低減し、層間膜容量を介して増幅段に入る雑音を減少でき、半導体装置全体としての低雑音化を達成できる。 - 特許庁

The PVA-based fiber comprises a PVA-based polymer, a halogen-containing vinyl polymer, a phyllosilicate, and copper sulfate microparticles having an average particle diameter of ≤500 nm, wherein average interlayer distance of the phyllosilicate in fiber is ≥20 angstrom.例文帳に追加

ＰＶＡ系ポリマー、及び含ハロゲンビニルポリマー、層状ケイ酸塩と、平均粒子径が５００ｎｍ以下の硫化銅微粒子からなり、且つ繊維中の層状ケイ酸塩の平均層間距離が２０Å以上であることを特徴とする、ＰＶＡ系繊維。 - 特許庁

The protective film 21 of the dry film resist 18 introduced near to a glass substrate 1 is stripped just before transfer and the photosensitive resin 20 is heated and press-fixed to the glass substrate 1 by a transferring roller 25 to form the interlayer insulating film 3.例文帳に追加

ガラス基板１付近まで誘導されたドライフィルムレジスト１８は、転写直前に保護フィルム２１が剥離され、転写ローラ２５により上記ガラス基板１に感光性樹脂２０が加熱・圧着されて、層間絶縁膜３が形成される。 - 特許庁

To prevent an information reproducing signal or a servo signal from being affected by the occurrence of so-called interlayer crosstalk wherein disturbance is caused by reflected light from a second layer being another layer when recording or reproducing a first layer of a two layer disk.例文帳に追加

２層ディスクの第１の層を記録または再生している時に、他層である第２の層からの反射光が外乱となるいわゆる層間クロストークが発生して、情報再生信号またはサーボ信号に影響を与えることを防止する。 - 特許庁

To solve a problem in an optical detector using an SOG film as an interlayer insulating film that the bottom surface of an aperture does not become flat due to difference in film thickness generated at an upper structure layer of a light receiver, and thereby uniformity in the quantity of incident light is broken within the light receiver surface.例文帳に追加

層間絶縁膜としてＳＯＧ膜を用いる光検出器において、受光部の上部構造層で生じる膜厚差に起因して、開口部の底面が平坦にならず、受光部面内での入射光量の不均一が生じる。 - 特許庁

On the semiconductor substrate 1 between N^+ layers 2, a gate insulating film 3, a floating gate electrode film 4, an interlayer gate insulating film 5, a control gate electrode film 6, and a metal silicide film 7 are laminated so as to overlap the N^+ layers 2.例文帳に追加

Ｎ^＋層２の間の半導体基板１上には、Ｎ^＋層２とオーバーラップするようにゲート絶縁膜３、フローティングゲート電極膜４、層間ゲート絶縁膜５、コントロールゲート電極膜６、及び金属シリサイド膜７が積層形成される。 - 特許庁

The interlayer film for the glass laminate comprises 100 pts.wt. of a polyvinyl acetal resin and 25-100 pts.wt. of a plasticizer, and as the plasticizer contained is an oily saturated fatty acid ester formed by the esterification of a saturated fatty acid having a 16-20C branched structure.例文帳に追加

ポリビニルアセタール樹脂１００重量部と、可塑剤２５〜１００重量部とからなり、可塑剤として、炭素数が１６〜２０の分岐構造を有する飽和脂肪酸をエステル化した油状の飽和脂肪酸エステルを含有する、合わせガラス用中間膜。 - 特許庁

The silicon nano-sheet has a structure composed of a plurality of six-membered rings comprising silicon atoms and strung together as the basic skeleton, has sites to be bonded to a primary or secondary amine, and has an interlayer distance larger than that of the layered polysilane.例文帳に追加

本発明のシリコンナノシートは、ケイ素原子で構成された六員環が複数連なった構造を基本骨格とするシリコンナノシートであって、１級又は２級アミンと結合する部位を有するものであり、層間距離が層状ポリシランよりも広い。 - 特許庁

Each cell region 24 has an n+ semiconductor layer 14 and a p-type semiconductor layer 12 connected with the emitter electrode 26, a gate electrode 20, and an interlayer insulating film 22 which covers the gate electrode 20 and insulates the gate electrode 20 for the emitter electrode 26.例文帳に追加

各セル領域２４は、エミッタ電極２６に接続されたｎ＋半導体層１４及びｐ型半導体層１２と、ゲート電極２０と、ゲート電極２０を覆ってエミッタ電極２６に対して絶縁する層間絶縁膜２２とを有する。 - 特許庁

To provide a positive radiation-sensitive composition for forming an interlayer insulating film having excellent heat resistance and transparency as well as high flatness without uneven application (film thickness uniformity) and applying at high speed, and having high radiation sensitivity.例文帳に追加

優れた耐熱性及び透明性に加え、塗布ムラのない高度な平坦性（膜厚均一性）を有する層間絶縁膜を形成することができ、かつ高速での塗布が可能で、高い放射線感度を有するポジ型感放射線性組成物の提供。 - 特許庁

To provide a positive photosensitive siloxane composition having high photosensitivity and having such properties as high heat resistance, high transparency and low dielectric constant, used to form a planarization film for a TFT substrate, an interlayer dielectrics or a core or cladding of an optical waveguide.例文帳に追加

高耐熱性、高透明性、低誘電率性の特性を有する、ＴＦＴ基板用平坦化膜、層間絶縁膜、あるいは光導波路のコアやクラッド材の形成に用いられる高感度のポジ型感光性シロキサン組成物を提供する - 特許庁

A method for producing the intercalation compound material comprises the steps of: preparing a hexagonal oxide having a layered structure; bringing the prepared hexagonal oxide into contact with the carbon intercalant in the presence of an organic amine to enclose the carbon intercalant in an interlayer of the oxide.例文帳に追加

層状構造を有する六方結晶の酸化物を準備し有機アミンの存在下、前記膨張化物と炭素系インターカラントを接触させて前記酸化物の層間に炭素系インターカラントを封入して、層間化合物材料を製造する。 - 特許庁

In addition, at least one of the first insulating film 16 and the passivation film 34 is a film mainly composed of SiON, a film mainly composed of Sin, or a laminated film of these, and the interlayer dielectrics 19, 23, 27 are films of low dielectric constant.例文帳に追加

そして、前記第１の絶縁膜１６、パッシベーション膜３４の少なくとも一方はＳｉＯＮを主とする膜、若しくはＳｉＮを主とする膜、又はこれらの積層膜であり、前記層間絶縁膜１９、２３、２７は低誘電率膜である。 - 特許庁

In the FOP liquid crystal display device, an upper layer insulating film 5 is provided on a transparent interdigital electrode 4 and the dielectric constant ε(2) of the upper layer insulating film 5 and the dielectric constant ε(1) of an interlayer insulating film 3 are specified to satisfy the relational formula ε(2)>ε(1).例文帳に追加

ＦＯＰ液晶表示装置において、透明櫛歯電極４上に上層絶縁膜５を設け、該上層絶縁膜５の誘電率ε（２）と層間絶縁膜３の誘電率ε（１）の関係が（式１）を満足する構成とする。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element capable of reducing an interlayer coupling magnetic field (Hin) between a fixed magnetic layer and a free magnetic layer, without making the sheet resistivity (RA) increase, while keeping a magnetoresistance effect rate (MR ratio) to be not less than a predetermined value.例文帳に追加

面積抵抗（ＲＡ）を増加させることなく、所定値以上の磁気抵抗効果率（ＭＲ比）を確保しつつ、固定磁化層と自由磁化層との間の層間結合磁界（Ｈｉｎ）の低減が可能な磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

The interlayer dielectric is formed by using polymers including aromatic polycarbosilane, which is expressed by a general formula (1) (R^1 and R^2 are each a bivalent aromatic group that may have a substituent, and n is an integer 2-50000).例文帳に追加

下記一般式（１） （式中、Ｒ^１及び^ Ｒ^２は、それぞれ置換基を有していても良い２価の芳香族基を示す。ｎ＝２〜５００００の整数である。）で表される芳香族ポリカルボシランを含む重合体を用いて形成された層間絶縁膜である。 - 特許庁

Hence, since the vibration control element 10 maintains horizontal rigidity without changing axial rigidity, earthquake force is largely born, the effect of vibration control is exhibited to control an interlayer deformation of the structure 1, and the relative rotation in the joint section between the column 2 and the beam 4 is made smaller.例文帳に追加

このため、制震要素１０が、軸剛性を変えずに水平剛性を保つので、地震力を大きく負担し、制震効果を発揮して、構造物１の層間変形を抑制し、柱２と梁４の接合部における回転変形を小さくする。 - 特許庁

Moreover, there are provided a gate insulating film 130, a gate electrode 140, a side wall insulating film 150, an interlayer insulating film pattern 160, and a metal wiring 170 formed on the exposed gate electrode 140 and the source/drain regions 120a/120b.例文帳に追加

また、ゲート絶縁膜１３０、ゲート電極１４０、側壁絶縁膜１５０、層間絶縁膜パターン１６０、及び露出した前記ゲート電極１４０及び前記ソース／ドレイン電極１２０ａ／１２０ｂ上に形成された金属配線１７０を備える。 - 特許庁

Next, after forming an interlayer insulating film 32, the signal lines 18 are formed and a colored layer 26 is formed thereon, then, the colored layer 26 in the hole forming areas is formed with a base 27 relatively lower than wall parts 34 in the peripheral parts.例文帳に追加

つぎに、層間絶縁膜３２を形成した後、信号線１８を形成し、その上に着色層２６を形成すると、穴形成領域の着色層２６は周辺部分の壁部３４よりも相対的に低くなった下地２７が形成される。 - 特許庁

To make it possible to suppress the occurrence of a contact failure between narrow gate electrodes and to suppress the occurrence of a padding failure of an interlayer insulating film, while being able to suppress an increase of a junction leak.例文帳に追加

接合リークの増大を抑制できるとともに、狭いゲート電極間におけるコンタクトの不良の発生、および層間絶縁膜の埋め込み不良の発生を抑制することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a reliable semiconductor device that is fine multilayer interconnection for composing an integrated circuit, suppresses an increase in wiring capacity, and has an interlayer insulating film, where hygroscopicity is low and strength is high, and to provide a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

集積回路を構成する微細な多層配線で、配線容量の増大を抑えると共に、より低吸湿で高い強度が得られる層間絶縁膜を有する高信頼性の半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The polishing liquid is used for CMP for a barrier layer and an interlayer insulating film of a semiconductor integrated circuit, and contains colloidal silica, anticorrosive, and compound containing 2,2'-bipyridyl group, and its pH is 2.0 to 5.0.例文帳に追加

半導体集積回路のバリア層と層間絶縁膜との化学的機械的研磨に用いられる研磨液であって、コロイダルシリカ、防食剤、および２，２’−ビピリジル基を含有する化合物を含み、ｐＨが２．０〜５．０であることを特徴とする研磨液。 - 特許庁

A semiconductor device is provided with a substrate 1, a metal wiring 3 formed on the substrate 1 and whose immediately upper part as well as the immediately lower part is covered by high melting point metal films 2, 4, and the interlayer insulating film 5 formed by the plasma CVD method so as to cover the metal wiring 3.例文帳に追加

基板１と、この基板１上に形成され、直上直下が高融点金属膜２，４で覆われたメタル配線３と、このメタル配線３を覆うようにプラズマＣＶＤ法により形成された層間絶縁膜５とを有する。 - 特許庁

To provide an interlayer film for laminated glass, which can prevent abnormal enhancement of adhesive force between itself and the glass, caused by a dispersant or a surfactant, because the film can be easily produced without using the dispersant or the surfactant; and the laminated glass.例文帳に追加

分散剤や界面活性剤を用いずに容易に作製できることから、分散剤や界面活性剤に起因するガラスとの接着力の異常亢進を防止することができる、合わせガラス用中間膜及び合わせガラスを提供する。 - 特許庁