「Interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(109ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a resin composition coated in thick films with good in-plane uniformity in coating and alkali developed and giving cured products having high resolution and suitable for uses as surface protection films, interlayer insulating films and insulating films for high-density mounting boards.例文帳に追加

塗布時の面内均一性が良好で、高膜厚塗布及びアルカリ現像が可能であるとともに、解像度の高い硬化物を得ることが可能な、表面保護膜、層間絶縁膜、及び高密度実装基板用絶縁膜用途に適した樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method, wherein the contact hole of an interlayer insulation film is filled with an upper conductive layer and the upper conductive layer is substantially electrically connected with an lower conductive layer even the semiconductor device is miniaturized.例文帳に追加

半導体装置が微細化されても、層間絶縁膜のコンタクト・ホール内に上層の導電層が充填され、上層の導電層と下層の導電層とが電気的に充分に接続された半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

This preform is structured of a plurality of laminated multi-axial cloths formed of carbon fibers with an elastic modulus in tension of 210 GPa and a breaking strain energy of 40 Mj/m^3 or more, and an interlayer toughness reinforcing material arranged between the layers of the multi-axial cloths.例文帳に追加

引張弾性率が２１０ＧＰａ以上で、かつ破壊歪みエネルギーが４０ＭＪ／ｍ^3 以上の炭素繊維からなる多軸布帛が複数枚積層され、該多軸布帛の層間には層間靭性補強材が配置されていることを特徴とするプリフォーム。 - 特許庁

According to this manufacturing method, generation of three kinds of defects at the internal portion of the laminated material 11, interlayer peeling, crack, and air hole can be prevented completely and a sintered material not including any defect at the internal part of the laminated material can be manufactured.例文帳に追加

この製造方法によれば、積層体１１の内部に発生する層間剥離、クラック、気孔の３種類の欠陥の全てについて発生の防止が可能であり、これによって積層体の内部に欠陥を含まない焼結体を作製することができる。 - 特許庁

A lower layer circuit pattern 16, including a connecting pad 6, is formed on the main surface of a core substrate 11, a via hole bottom strengthening pad 7 is formed on this connection pad 6, and a via hole 5 reaching the via hole bottom strengthening pad 7 is formed on an interlayer insulating film 10.例文帳に追加

コア基板１１の主面に接続パッド６を含む下層の回路パターン１６が形成され、この接続パッド６上にビアホール底強化パッド７を形成され、層間絶縁膜１０にビアホール底強化パッド７に達するビアホール５が形成されている。 - 特許庁

Subsequently, a photosensitive organic material is formed on the interlayer insulating film 15, and the photosensitive organic material on a region separated from a contact hole CH2 is exposed via a mask 41 having a transmission part 41W and an extended transmission part 41C continuous with an end portion of the transmission part 41W.例文帳に追加

その後、層間絶縁膜１５上に、感光性有機材料を形成し、透過部４１Ｗ及びその端部と連続する拡張透過部４１Ｃを有したマスク４１を介して、コンタクトホールＣＨ２と離間した領域の感光性有機材料を露光する。 - 特許庁

To suppress the occurrence of the step of an interlayer insulating film between a DRAM region and a logic region without causing any trouble, such as the increase etc., of parasitic capacitance, and at the same time, more accurately adjust the depth of a plate contact in a semiconductor device mixedly palletizing a DRAM.例文帳に追加

ＤＲＡＭ混載半導体装置において、寄生容量の増大等の不具合を伴うことなくＤＲＡＭ領域とロジック領域の間における層間絶縁膜の段差の発生を抑制することと共に、プレートコンタクトの深さをより正確に調整する。 - 特許庁

To provide a polymer which can form a film which is usable as, e.g., an interlayer insulation film in a semiconductor element or the like, has a low dielectric constant, is excellent in mechanical strength and adhesiveness, and has a homogeneous quality; and a method for producing the polymer.例文帳に追加

例えば半導体素子などにおける層間絶縁膜として好適に用いることができる、膜の比誘電率が小さく、機械的強度や密着性に優れ均一な膜質が得られるポリマーの製造方法およびポリマーを提供することにある。 - 特許庁

The semiconductor device further comprises a third electrode 116 opposite to the second electrode with a second interlayer insulating film 114 disposed therebetween; a second gate insulating film 117; a second CNT 118; and a second gate electrode 115 formed to have structures similar to the first gate insulating film, the first CNT, and the first gate electrode.例文帳に追加

更に、第２の層間絶縁膜１１４を挟み第２の電極と対向する第３の電極１１６と、各々第１のものと同様に構成された第２のゲート絶縁膜１１７、第２のＣＮＴ部１１８及び第２のゲート電極１１５を備える。 - 特許庁

An upper electrode is formed over a heavily-doped region (source region or drain region), and a contact hole penetrating an interlayer insulating film is formed so as to overlap a region, where the upper electrode and the high-concentration impurity region overlap.例文帳に追加

高濃度不純物領域（ソース領域又はドレイン領域）の上に上部電極を形成し、層間絶縁膜を貫通するコンタクトホールを上部電極と高濃度不純物領域（ソース領域又はドレイン領域）とが積層された領域と重なる位置に形成する。 - 特許庁

Since the part of the lower- layer wiring 3 underlying the upper-layer wiring 4 is made larger in thickness, the wiring 3 becomes larger in thickness and the resistance of the wiring 3 becomes smaller, and in addition, since the interlayer insulating film 2 becomes smaller in thickness in the overlapped part, the electrostatic capacitance between the wiring 3 and 4 becomes larger and power supply noise is reduced.例文帳に追加

下層配線３の上層配線４との重なり部分を厚くすることで、配線が太くなるため、抵抗が小さくなり、また、層間絶縁膜２がその部分で薄くなるので、静電容量が大きくなり、電源ノイズの低減が実現する。 - 特許庁

The semiconductor chip 100 includes: a semiconductor substrate (unillustrated); and a laminated film 150 including a carbon-containing insulating film such as a first interlayer insulating film 106 formed on the semiconductor substrate, and a carbon-free insulating film such as an underlying layer 102 and an overlying cover film 124.例文帳に追加

半導体チップ１００は、半導体基板（不図示）と、半導体基板上に形成された第一の層間絶縁膜１０６等の炭素含有絶縁膜と、下地層１０２や上地カバー膜１２４等の炭素非含有絶縁膜とを含む積層膜１５０とを含む。 - 特許庁

To provide a laminated film having a high wetting tension of a bonded layer bonded onto a base material layer adhesive face, and excellent adhesion affinity, having a seal layer of low sliding friction coefficient, and an excellent anitiblocking property, and having strong adhesiveness between the respective layers, and capable of preventing interlayer separation.例文帳に追加

基材層接着剤面に貼合せる貼合せ層の濡れ張力が大きく接着親和性が良好で、シール層の滑り摩擦係数が小さくアンチブロッキング性に優れ、然も、各層間の接着が強固で層間剥離がない積層フィルムを提供する。 - 特許庁

The magnetic recording head 40 includes a write pole 42, a return pole 44, a wire positioned between the write pole 42 and the return pole 44, a first free layer 56, and a first interlayer 72 positioned between the write pole 42 and the first free layer 56.例文帳に追加

この磁気記録ヘッド４０は、書込み磁極４２と、戻り磁極４４と、書込み磁極４２と戻り磁極４４の間にあるワイヤ４８と、第１の自由層５６と、書込み磁極４２と第１の自由層５６の間にある第１の中間層７２とを備える。 - 特許庁

In a circuit apparatus, a projection 60 projecting in a thickness direction is provided on the upper surface of and the lower surface of a conductive pattern 11 of a metal core layer, and an interlayer connection for making wiring layers conduct to each other is provided on a region in which the projection 60 is provided.例文帳に追加

回路装置では、金属コア層である導電パターン１１の上面および下面に厚み方向に突出する突出部６０を設けており、この突出部６０が設けられた領域に、各配線層同士を導通させる層間接続部を設けている。 - 特許庁

For a hybrid integrated circuit, the connection of fixed potential of the earth or the like of each integrated circuit chip 106 is performed through a through connection 110 made in a through hole piercing a lower insulating layer 102, an interlayer insulating layer 104, and a through hole 110.例文帳に追加

各集積回路チップ１０６の接地などの固定電位の接続を、下部絶縁層１０２および層間絶縁層１０４を貫通するスルーホール内に形成された貫通接続部１１０を介し、そしてアイランド１０１ａを介して行うようにした。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which prevents excessive polishing in the vicinity of an orientation flat (OF) when an interlayer insulation film formed of a silicon oxide film on a metal pattern is flattened and polished by a CMP method, and excels in uniformity of the thickness of the insulation film.例文帳に追加

金属パターン上のシリコン酸化膜などからなる層間絶縁膜をＣＭＰ法で平坦化研磨するとき、オリエンテーションフラット（ＯＦ）近傍において過剰研磨がなく、絶縁膜の膜厚均一性がよい半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A semiconductor memory device includes a bit line diffusion layer 11, a bit line insulating film 12, an ONO insulating film 4, a second gate electrode 6, a contact diffusion layer 13, an interlayer insulating film 9, a contact electrode 8, an ultraviolet-ray blocking film 22, and an ultraviolet-ray blocking film 21.例文帳に追加

半導体記憶装置は、ビット線拡散層１１と、ビット線絶縁膜１２と、ＯＮＯ絶縁膜４と、第２ゲート電極６と、コンタクト拡散層１３と、層間絶縁膜９と、コンタクト電極８と、紫外線遮光膜２２と、紫外線遮光膜２１とを備える。 - 特許庁

Before a hole work process, where a hole 15 for forming an interlayer connection wiring (via hole) 18 is opened with laser, related to a surface conductor film 20, the conductor on surface is removed to reduce the film thickness of the surface conductor film, while the laser reflectivity of surface is decreased.例文帳に追加

層間接続用配線（ビアホール）１８形成用の孔１５をレーザによりあける孔加工工程の前に、表面導体膜２０に対して、表面の導体を除去して表面導体膜の膜厚を薄くしつつ、表面のレーザ反射率を低下させる。 - 特許庁

To obtain a linear aromatic polymer which comprises a thermosetting resin curable through a crosslinking reaction even at 280°C or below, and can be used as a material for an interlayer insulating film, to provide its manufacturing method, and to obtain a coating liquid which can form an insulating film excellent in chemical resistance.例文帳に追加

２８０℃以下であっても架橋反応を起こし硬化し得る熱硬化性樹脂であって、層間絶縁膜材料として用いることができる線状芳香族ポリマーとその製法、および耐薬品性に優れた絶縁膜を形成し得る塗布液を提供する。 - 特許庁

The photosensitive resin composition is used as a forming material of a coating, a printing ink, a color filter, an electronic part, an interlayer insulation film, a wiring-coating film, an optical member, an optical circuit, an optical circuit part, a reflection-preventing film, a hologram or a construction material.例文帳に追加

本発明の感光性樹脂組成物は、塗料又は印刷インキ、或いは、カラーフィルター、電子部品、層間絶縁膜、配線被覆膜、光学部材、光回路、光回路部品、反射防止膜、ホログラム又は建築材料の形成材料として用いられる。 - 特許庁

Conductor patterns 31U, 41U, and 51U are formed in the +Z direction, and wiring boards 30U, 40U, and 50U which are formed with through holes and solder bumps of an interlayer conductive connection structure are located in order on the +Z-direction side of a double-sided wiring board 20.例文帳に追加

＋Ｚ方向側に導体パターン３１Ｕ，４１Ｕ，５１Ｕが形成されるとともに、層間導通接続構造であるスルーホールと半田バンプが形成された配線基板３０Ｕ，４０Ｕ，５０Ｕが、両面配線基板２０の＋Ｚ方向側に順次配置される。 - 特許庁

When so etching an interlayer insulating film 5 including a porous low dielectric-constant film 3a as to form a contact hole 7a, fluorine A remains in the inside of the porous low dielectric-constant film 3a which is present near a sidewall 3b of the contact hole 7a, because of the use of a fluorine-based gas.例文帳に追加

多孔質低誘電率膜３ａを含む層間絶縁膜５をエッチングしてコンタクトホール７ａを形成するとき、フッ素系ガスを用いるため、フッ素Ａがコンタクトホール７ａの側壁３ｂ付近の多孔質低誘電率膜３ａの膜中に残留する。 - 特許庁

In the semiconductor device, grooves 200, 300, 400, and 500 are formed to respectively pass through interlayer insulating films 3, 5, 7, and 9 and silicon nitride films 2, 4, 6, and 8 in the vertical direction, and wiring layers 30, 50, 70, and 90 are respectively formed in the grooves 200, 300, 400, and 500.例文帳に追加

層間絶縁膜３，５，７，９およびシリコン窒化膜２，４，６，８それぞれを上下方向に貫通するように溝２００，３００，４００，５００が形成されており、その溝２００，３００，４００，５００内には配線層３０，５０，７０，９０が形成されている。 - 特許庁

The silicon nitride film 206 is formed under the state, in which gate wirings 204 on a substrate 201 are covered, and the interlayer insulating film 207, consisting of the silicon oxide based material, is formed onto the silicon nitride film 206 in a state, in which irregularities by the gate wiring 204 are embedded.例文帳に追加

基板２０１上のゲート配線２０４を覆う状態で、窒化シリコン膜２０６を形成し、この窒化シリコン膜２０６上にゲート配線２０４による凹凸を埋め込む状態で酸化シリコン系材料からなる層間絶縁膜２０７を形成する。 - 特許庁

The polyester film which is intended for use as an interlayer for laminated glass and is highly adhesive to polyvinyl butyral has a crosslinked primer layer on at least one side of the polyester film, wherein the crosslinked primer layer is formed from a composition comprising a silane coupling agent and alkaline inorganic fine particles having an average particle size of 1-150 nm.例文帳に追加

ポリエステルフィルムの少なくとも片面にシランカップリング剤及び平均粒子径１〜１５０ｎｍのアルカリ性無機微粒子を含む組成物から形成された架橋プライマー層を有するポリビニルブチラール易接着性合わせガラス中間膜用ポリエステルフィルム。 - 特許庁

To provide an interlayer connecting member of a multilayer printed wiring board which is high in the positioning accuracy of a metal ball, without producing a residue and the like due to drilling and laser processing which is not influenced by heat in processing, ad to provide its manufacturing method, a multilayer printed wiring board and its manufacturing method.例文帳に追加

金属球の位置決め精度が高く、ドリリングやレーザ加工による残渣等が生ぜず、加工時の熱による影響もない多層プリント配線板の層間接続部材とその製造方法並びに多層プリント配線板とその製造方法を提供する。 - 特許庁

As a result, the upper-layer wiring part 124A of the charge release contact 124 is formed in such state as buried in the embedded recessed part 122A so that the protrusion amount of the upper-layer wiring part 124A with respect to the interlayer insulating film 120 becomes less, resulting on a smaller step.例文帳に追加

この結果、電荷抜きコンタクト１２４の上層配線部１２４Ａは、埋設凹部１２２Ａに埋め込まれた状態で形成され、層間絶縁膜１２０に対する上層配線部１２４Ａの突出量を小さくし、それによる段差を小さくする。 - 特許庁

An interlayer insulating film 11, consisting of an SiO2 film 9 and an SiN film 10, is formed on the entire surface and after a flattened insulating film 14, which have open parts at positions corresponding to a source 7a and drain 7c is formed on the film 10, the contact holes 12 are formed.例文帳に追加

そして全面にＳｉＯ_2膜９、ＳｉＮ膜１０からなる層間絶縁膜１１を形成し、それをソース７ａ及びドレイン７ｃに対応した位置に開口部を有する平坦化絶縁膜１４を形成した後、コンタクトホール１２を形成する。 - 特許庁

Separately from an interlayer conductive part 17 formed with a conductive paste filled in a via hole, a strain restraining pillar-shaped part 21 is formed which is filled in a blind hole formed in the adhesive layer 13 and is formed with the conductive paste coming into non-contact with a conductive layer 12.例文帳に追加

バイアホールに充填された導電性ペーストによる層間導通部１７とは別に、接着層１３に形成されたブラインドホールに充填されて導体層１２とは非接触の導電性ペーストによる歪抑制柱状部２１を形成する。 - 特許庁

The battery pack 20 has a plurality of flat plate shape battery cells 21 connected electrically in series and formed vertically superimposed to make a battery stack so as to have a prescribed voltage and capacity, and an interlayer member 25 is interposed between respective battery cells 21.例文帳に追加

電池パック20は、所定の電圧，容量となるよう、複数個の扁平板状の電池セル21を電気的に直列接続したものを上下に重ねて形成された電池スタックとなっており、段積みされた各電池セル21間には層間部材25が挟み込まれている。 - 特許庁

To provide a high-sensitivity positive photosensitive resin composition for use in formation of a planarizing film for a TFT substrate, an interlayer insulation film or a core or cladding material of an optical waveguide having such properties as high hardness, high resoluiton, high heat resistance, high transparency and a low dielectric constant.例文帳に追加

高硬度、高解像度、高耐熱性、高透明性、低誘電率性の特性を有する、ＴＦＴ基板用平坦化膜、層間絶縁膜、あるいは光導波路のコアやクラッド材の形成に用いられる高感度のポジ型感光性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a pattern forming method in which excellent adhesion of a photosensitive layer to a substrate to be processed is achieved and small variation in sensitivity and excellent working efficiency are ensured, and by which a permanent pattern such as a protective film, an interlayer insulation film or a solder resist pattern can be efficiently formed with high definition.例文帳に追加

被処理基体と感光層との優れた密着性が得られ、感度のばらつきが小さく、作業効率に優れ、保護膜、層間絶縁膜、ソルダーレジストパターンなどの永久パターンを高精細かつ効率的に形成可能なパターン形成方法の提供。 - 特許庁

A first organic filling material film 7 is applied thicker than an interlayer insulation film 4 over the entire surface including the via holes 6, and then a second organic filling material film 8 having viscosity lower than that of the first organic filling material film 7 is applied.例文帳に追加

第１の有機系埋め込み材料膜７をヴィアホール６内を含む全面に層間絶縁膜４の膜厚よりも厚く塗布し、続いて第１の有機系埋め込み材料膜７よりも粘度の低い第２の有機系埋め込み材料膜８を塗布する。 - 特許庁

In the manufacturing method for the semiconductor device, the interlayer insulating film 12 is formed on a substrate 11 so as to maintain the cyclic structure of an Si-O bond by plasma treatment using a film-forming gas having the cyclic structure of the Si-O bond.例文帳に追加

Ｓｉ−Ｏ結合の環状構造を有する成膜ガスを用いたプラズマ処理により、Ｓｉ−Ｏ結合の環状構造を維持するように、層間絶縁膜１２を基板１１上に形成することを特徴とする半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

In an n-channel cell transistor where a control gate CG is stacked on a floating gate FG through an interlayer insulation film 8, the cell transistor is buried channel type and the floating gate FG is composed of a p-type polysilicon film 9.例文帳に追加

フローティングゲートＦＧ上に層間絶縁膜８を介してコントロールゲートＣＧを積み重ねたｎチャネル型セルトランジスタにおいて、このセルトランジスタを埋め込みチャネル型とし、さらに上記フローティングゲートＦＧをｐ型の多結晶シリコン膜９で構成するものである。 - 特許庁

A channel 112 as a light receiving pixel is formed on a semiconductor substrate 110, and a gate insulating film 120, a gate electrode 121, an interlayer insulating film 122, an acrylic layer 123, a color filter 124 and a flattening layer 125 are sequentially laminated and formed above the channel.例文帳に追加

半導体基板１１０上には、受光画素としてのチャネル１１２が形成されており、その上方には、ゲート絶縁膜１２０、ゲート電極１２１、層間絶縁膜１２２、アクリル層１２３、カラーフィルタ１２４、平坦化層１２５が順次積層形成されている。 - 特許庁

The nitrogen inlet region N12 is formed in a control gate electrode 29C of a MOS transistor T53 and near a junction interface between the control gate electrode 29C and an interlayer insulation film 24, and a channel-doped layer 125 is formed in the well layer 121 under a floating gate electrode 27.例文帳に追加

また、ＭＯＳトランジスタＴ５３のコントロールゲート電極２９Ｃ内には、層間絶縁膜２４との接合界面近傍に窒素導入領域Ｎ１２が形成され、フローティングゲート電極２７の下層のウエル層１２１内には、チャネルドープ層１２５が形成されている。 - 特許庁

To improve long-term reliability by preventing the growth of different phases by a metallic compound contained in the internal electrode material inside a stacked piezoelectric substrate, and preventing the deterioration of interlayer breakdown strength of a piezoelectric element in a piezoelectric actuator for needle selection in a knitting machine.例文帳に追加

本発明は編機選針用圧電アクチュエータに関し、積層型圧電体内部の内部電極材に含まれる金属化合物による異相の成長を防止し、圧電素子の層間耐圧劣化を防止することにより、長期的な信頼性の向上を図る。 - 特許庁

While part of external light is reflected (a broken line arrow in the figure) in a reflective layer 51, the external light which intrudes a second interlayer insulating layer 16s is repeatedly reflected as indicated in the figure (a solid line arrow in the figure) between the reflective layer 51 and a reflective layer 52.例文帳に追加

反射層５１において一部の外光は反射（図中破線矢印）するが、第２層間絶縁層１６ｓに侵入した外光は、反射層５１と反射層５２との間において、図示（図中実線矢印）するように繰返し反射される。 - 特許庁

A position corresponding to a light reception section 52 in a wiring structure layer 90, where the interlayer insulating film made of SOG, or the like and an Al layer are laminated, is etched back to form the opening 120.例文帳に追加

ＳＯＧ等からなる層間絶縁膜とＡｌ層とが積層された配線構造層９０の受光部５２に対応する位置をエッチバックして開口部１２０を形成した後、ＣＶＤ法によりシリコン窒化膜１３０を開口部１２０の側壁面及び底面に堆積する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a multilayer wiring board which is high in heat resistance and lessened in size, wherein circuit patterns provided to inner material layers can be lessened in positional deviation, interlayer deviation, and distortion, and a molding plate can be protected against damage.例文帳に追加

内層材の回路のパターンの位置ずれと層間ずれと歪みを小さくすることができ、また、耐熱性を高くすることができると共に小型化することができ、さらに、成形プレートが傷付かないようにすることができる多層配線板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can prevent intrusion of the water in the outside air without increasing the number of manufacturing processes and has superior characteristics even when the device uses an interlayer insulating film made of a material having a low dielectric constant.例文帳に追加

製造工程を増加することなく外気中の水の侵入を防止することができ、低誘電率膜からなる層間絶縁膜を用いた半導体装置においても良好な特性を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The interlayer insulating layer 20 includes a first silicon oxide layer 20b, formed through a polycondensation reaction that occurs between a silicon compound and a hydrogen peroxide, and a second silicon oxide layer 20c formed on the first silicon oxide layer 20b which includes impurities.例文帳に追加

層間絶縁層３０Ａは、少なくとも、シリコン化合物と過酸化水素との重縮合反応によって形成された第１のシリコン酸化層２０ｂと、第１のシリコン酸化層の上に形成され、不純物を含有する第２のシリコン酸化層２０ｃと、を有する。 - 特許庁

An interlayer insulation film 20 covering the ferroelectric capacitor 19 formed on a semiconductor substrate 1 employs an insulator containing metal oxide such as a perovskite metal oxide insulator, a bismuth stratified perovskite oxide ferroelectric or the like.例文帳に追加

半導体基板１上に形成された強誘電体キャパシタ１９を被覆する層間絶縁膜２０として、ペロブスカイト型金属酸化物絶縁体、ビスマス層状ペロブスカイト型酸化物強誘電体などのような金属酸化物を含む絶縁体からなる膜を用いる。 - 特許庁