「Interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(88ページ目) - Weblio英語例文検索

To secure a coverage of a thin film formed on a wiring formed in a wiring trench formed in an interlayer insulation film when a gap opening in the surface of the wiring exists.例文帳に追加

層間絶縁膜に形成された配線溝内に配線を形成し、その配線の表面で開口する隙間が存在する場合において、その配線上に形成する薄膜のカバレージを確保する。 - 特許庁

These low permittivity thin films include residual carbon, and useful to gap filling layer in the sub-micron element, the premetal dielectric layer, the interlayer dielectric layer, and the shallow trench separating layer.例文帳に追加

これらの低誘電率薄膜は、残留炭素を含んでおり、サブミクロン素子におけるギャップ充填層、プリメタル誘電体層、インターメタル誘電体層および浅いトレンチ分離誘電体層のために有用である。 - 特許庁

To provide a vanadium dioxide particle dispersion obtained by finely dispersing vanadium dioxide particles in a liquid plasticizer; an interlayer for laminated glass, the film having thermochromism and excellent transparency; and laminated glass.例文帳に追加

二酸化バナジウム粒子が液状可塑剤中に微分散した二酸化バナジウム粒子分散液、サーモクロミック性を有し、透明性に優れた合わせガラス用中間膜及び合わせガラスを提供する。 - 特許庁

The field emission electron source 1 is manufactured by plasma-treating a field emission electron source material 4 consisting of a graphite interlayer compound equipped with heavy metal atoms intercalated between layers.例文帳に追加

電界放出電子源１は、層間にインターカレーションされた重金属原子を備えるグラファイト層間化合物からなる電界放出電子源材料４をプラズマ処理することで製造される。 - 特許庁

This rubber composition comprises the butyl rubber having a specific phosphonium salt structure bearing phenyl group as the functional group and the layered clay mineral organized with an organic onium salt, or the like, to effect interlayer spacing expansion.例文帳に追加

官能基としてフェニル基を有する特定なホスホニウム塩構造を有するブチルゴム、および有機オニウム塩などで有機化処理され層間距離を拡張したた層状粘土鉱物からなるゴム組成物。 - 特許庁

A material principally comprising a carbon fluoride compound having a polycyclic structure in molecule is subjected to plasma polymerization to form interlayer insulation films 202, 204 of fluorinated amorphous carbon film.例文帳に追加

分子中に多環構造を有する弗化炭素化合物を主成分とする原料をプラズマ重合反応させることによって、弗素化アモルファスカーボン膜よりなる層間絶縁膜２０２，２０４を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor element by which the occurrence of poisoned via holes can be suppressed at the time of ashing a resist provided with an interlayer insulating film including a film having a low dielectric constant as a base layer.例文帳に追加

下地層として低誘電率膜を含む層間絶縁膜を設けたレジストをアッシングするとき、ポイズンドビアの発生を抑制する半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In a power supply layer 13, a power supply pattern region 23a is connected to the interlayer connection conductor 20V via an electrically conductive copper foil pattern 23Va partly formed in the power supply layer 13.例文帳に追加

電源層１３において、電源パターン領域２３ａは、電源層１３に部分的に形成された導電性の銅箔パターン２３Ｖａを介して、層間接続導体２０Ｖに接続されている。 - 特許庁

By a sputtering method, a lower-electrode formation film 15A, whose film thickness is about 20 nm and which is composed of platinum, is deposited over the whole face including the bottom face and the wall surface of openings 14a in an upper interlayer insulating film 14.例文帳に追加

スパッタ法により、上部層間絶縁膜１４の開口部１４ａの底面及び壁面を含む全面に、膜厚が約２０ｎｍの白金からなる下部電極形成膜１５Ａを堆積する。 - 特許庁

Specifically, the metal pad PAD is provided on the dummy pattern forbidden region PROH, wherein the metal pad is connected to the semiconductor device circuits through the interlayer dielectrics IL and has an electrically connected region to an outside.例文帳に追加

すなわち、ダミーパターン禁止領域ＰＲＯＨ上に層間絶縁膜ＩＬを介して半導体素子回路に繋がり外部との電気的接続領域を有する金属パッドＰＡＤが設けられている。 - 特許庁

The focal position movement of a recording/reproducing beam is carried out only by the lens movement of the recording medium side of a relay lens 5, and a spherical aberration accompanying the interlayer movement is corrected by a liquid crystal element 7.例文帳に追加

また、記録再生用ビームの焦点位置の移動はリレーレンズ５の記録媒体側のレンズ移動のみで行い、層間移動に伴う球面収差を液晶素子７によって補正する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor element capable of providing a structure without exposing a high-wetness interlayer insulation film to a sidewall of a through-hole by a further small number of treatment processes.例文帳に追加

スルーホールの側壁に湿性の高い層間絶縁膜が露出しない構造を、より少ない処理工程数で実現可能な半導体素子の製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a printed wiring board which is uniform in thickness, equipped with conductor patterns that can be easily given interlayer continuity, and provided with a pattern forming plating whose thickness is not required to be regulated and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

導体パターンの層間導通性を簡易に付与することができ，かつパターン形成用のメッキ厚みの制御が不要で均一な厚みのプリント配線板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a steel floor slab pavement structure, easy in construction, superior in durability, without causing interlayer separation and a crack, easy in disassembling even in repairing, short in a work period, and reducing even generation of noise.例文帳に追加

施工が容易で、耐久性に優れ、層間剥離やひび割れなどが発生し難く、また補修時にも解体が容易で工事期間が短く騒音発生も少ない鋼床版舗装構造を提供する。 - 特許庁

Thus, the thermal conductivities of the outer and inner resin insulating layers 42 and 64, a core substrate 30 and an interlayer insulating layer 44 can be conformed to each other to prevent a stress concentration caused by heat shrinkage.例文帳に追加

このため、外層樹脂絶縁層４２と内層樹脂絶縁層６４とコア基板３０と層間絶縁層４４との熱膨張率を整合して、熱収縮による応力集中を防止できる。 - 特許庁

To provide a multilayered woven fabric whose weaves can be bound with binding yarns to prevent interlayer peeling and which can be woven with less picking mechanisms than the number of the needed layers.例文帳に追加

複数層の織り組織が結合糸で結合されて層間剥離を防止することができ、必要層数より少ない数の緯入れ機構を使用することで織成可能な多層織物を提供する。 - 特許庁

Whether a volume structure and a file system of the recording layer 0 moving next exists in the recording layer 1 currently read/written is determined (S7) if an interlayer changeover instruction is issued (S6) in the recording and reproducing apparatus.例文帳に追加

層間切換命令が発行されたとすると（Ｓ６）、次に移動する記録層０のボリューム構造及びファイルシステムが、現在リード・ライトを行っている記録層１に存在するかどうか判定する（Ｓ７）。 - 特許庁

Thus, since a step difference h2 between the gate electrode 10 and an N+-type source layer 11 and between the gate electrode 10 and an N+-type drain layer 12 becomes smaller than that of the conventional example, flatness of an interlayer insulating film 13 is improved.例文帳に追加

これにより、ゲート電極１０とＮ＋ソース層１１、Ｎ＋ドレイン層１２との段差ｈ２は従来例のものに比べて小さくなるので、層間絶縁膜１３の平坦性が改善される。 - 特許庁

To provide an optical disk device which reads information on one layer instead of information on another layer even when an interlayer-offset occurs.例文帳に追加

層間オフセットが発生した場合でも、一方の層に記録された情報を読み出している状態から他方の層に記録された情報を読み出す状態へ移行できる光ディスク装置を提供する。 - 特許庁

Mesh holes 59a and 35a are each provided to upper plane layers 59 and 35 so as to be superposed in a vertical direction, so that an interlayer resin insulating layer 50 is hardly deteriorated in insulating properties.例文帳に追加

上層のプレーン層３５と上層のプレーン層５９とのメッシュ穴３５ａ、５９ａを重なる位置に形成してあるため、層間樹脂絶縁層５０の絶縁性が低下することがなくなる。 - 特許庁

To form an interlayer insulation film with good strength which enables easy setting of a shape, a size and a position of a viahole when a semiconductor device having a layer insulation film with a viahole is manufactured.例文帳に追加

空孔をもつ層間絶縁膜を有する半導体装置の製造に際し、空孔の形状や寸法や位置の設定が容易で、良好な強度を有する層間絶縁膜を形成する。 - 特許庁

The particles 2 intercalated between the planar molecular layers 1 enables the interlayer distance between the layers 2 between which the particles 2 are intercalated to be set at 0.8 to 1.2 nm.例文帳に追加

このような粒子２が平面状分子層１同士の間に挿入されていることにより、粒子２を挟む平面状分子層１同士の層間距離は、０.８〜１.２ｎｍに設定されている。 - 特許庁

Only in the upper portion of the W layer 8 protruding from an interlayer insulation film 2, a Ti layer 9 and a TiN layer 10 are removed by a CMP method, and then an Al alloy layer 11 is formed to form an interconnection pattern.例文帳に追加

層間絶縁膜２から突出したＷ層８の上部のみＴｉ層９、ＴｉＮ層１０をＣＭＰ法で除去し、その後にＡｌ合金層１１を形成して配線パターンを形成する。 - 特許庁

Uniformity of various kinds of film thicknesses on the respective elements formed on an Si wafer 10 is realized by forming the second wirings 14 between the first wirings 12 via the interlayer insulating film 13.例文帳に追加

Ｓｉウェハ１０上に作成した各素子上の各種膜厚の均一化を、第１の配線１２の間に第２の配線１４を層間絶縁膜１３を介して形成することにより実現している。 - 特許庁

When an advancement of the data recording to another recording layer is performed at a stage prior to disk closing or sector closing, or when it is predicted that such an advancement of the data recording occurs afterwards, the interlayer folding back position information is recorded.例文帳に追加

つまり、ディスククローズ或いはセッションクローズの前の段階で、記録層の移行が行われる場合、或いはその後記録層の移行が予想される場合に、層間折り返し位置情報が記録される。 - 特許庁

At the formation of the hole 38, only an interlayer insulating film 32 is etched, but at the formation of the hole 36, not only the insulation film 32 but also an etching delaying layer 28 are etched.例文帳に追加

コンタクトホール３８が形成される際には、層間絶縁膜３２のみエッチングされるが、コンタクトホール３６が形成される際には、層間絶縁膜３２のみならず、エッチング遅延層２８もエッチングされる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having an interlayer insulating layer superior in embedding property between adjacent wiring layers, even in the case of a design rule less than or equal to, e.g. 0.13 μm generation, and its manufacturing method.例文帳に追加

例えば０．１３μｍ世代以下のデザインルールであっても、隣接する配線層間の埋め込み性に優れた層間絶縁層を有する半導体装置、およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a thin film transistor of self-align structure where reliability of the thin film transistor can be improved by reducing defects caused by an interlayer insulating film, and to provide a display device with this thin film transistor.例文帳に追加

層間絶縁膜に起因する不良を抑え、セルフアライン構造の薄膜トランジスタの信頼性を向上させることが可能な薄膜トランジスタおよびこれを備えた表示装置を提供する。 - 特許庁

The second p-type cladding layer 19, the p-type interlayer 20, and the p-type cap layer 21 have laser structure wherein a belt-shaped ridge 23 and a belt-shaped dummy ridge 25 are arranged alternately in the upper part.例文帳に追加

第２ｐ型クラッド層１９，ｐ型中間層２０およびｐ型キャップ層２１は、その上部に、帯状のリッジ部２３と、帯状のダミーリッジ部２５とを交互に配列してなるレーザ構造を有する。 - 特許庁

After an interlayer insulating film 10 is provided and planarized, and the lead out electrode 21 connecting with the emitter layer (n-type diffusion layer 5) is provided to connect to the silicide film 8 on the element isolation film 3.例文帳に追加

そして層間絶縁膜１０を設けて平坦化した後、素子分離膜３の上のシリサイド膜８に接続するように、エミッタ層（ｎ型拡散層５）につながる引き出し電極２１が設けられる。 - 特許庁

The semiconductor device comprises an interlayer insulating film formed on a semiconductor substrate, a dummy electrode 6 formed as an electrode on the interlayer insulating film, a measuring electrode 8 provided as an electrode to measure electrical characteristics of a circuit formed on the semiconductor substrate, and a first wiring line 26 for electrically connecting the dummy electrode 6 and the measuring electrode 8.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板の上に形成される層間絶縁膜と、層間絶縁膜の上に形成され、電極であるダミー電極６と、層間絶縁膜の上に形成され、半導体基板に形成された回路の電気的特性を測定するために設けられた電極である測定用電極８と、ダミー電極６と測定用電極８とを電気的に接続する第１配線２６とを備える。 - 特許庁

The semiconductor memory device includes: a semiconductor substrate 10; the ferroelectric capacitor FC provided above the semiconductor substrate and including an upper electrode UE, a ferroelectric film FE and a lower electrode LE; and upper interlayer insulating films ILD3 and ILD4 provided enclosing a periphery of the ferroelectric capacitor, wherein a gap 50 is provided between the ferroelectric capacitor and upper interlayer insulating film.例文帳に追加

半導体記憶装置は、半導体基板１０と、半導体基板の上方に設けられ、上部電極ＵＥ、強誘電体膜ＦＥおよび下部電極ＬＥを含む強誘電体キャパシタＦＣと、強誘電体キャパシタの周辺を取り囲むように設けられた上部層間絶縁膜ＩＬＤ３，ＩＬＤ４とを備え、強誘電体キャパシタと上部層間絶縁膜との間に間隙５０が設けられている。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor element comprises the steps of introducing a material gas between facing electrodes under a pressure near atmospheric pressure, in the case of forming the interlayer insulating film and/or the passivation film of the element, applying a pulse-like electric field between the opposed electrodes, thereby generating the glow discharge plasma in the material gas, and forming the interlayer insulating film and/or the passivation film.例文帳に追加

半導体素子における層間絶縁膜及び／又はパシベーション膜のプラズマＣＶＤ法による形成において、大気圧近傍の圧力下で対向電極間に原料ガスを導入し、該対向電極間にパルス状の電界を印加することにより、原料ガスをグロー放電プラズマ化させ、層間絶縁膜及び／又はパシベーション膜の形成を行うことを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 特許庁

A plurality of lower electrodes is configured on a substrate, the lower electrodes are exposed, a first interlayer insulating film including a trench extending in a first direction is formed, an upper electrode is formed on the first interlayer insulating film, wherein the electrode extends in a second direction crossing the first direction, and thus a variable resistance pattern having a sidewall aligned with the sidewall of the upper electrode is formed within the trench.例文帳に追加

基板上に複数の下部電極を構成し、前記下部電極を露出し、第１方向に延長されるトレンチを含む第１層間絶縁膜を構成し、前記第１層間絶縁膜上に前記第１方向と交差する第２方向に延長される上部電極を構成し、前記トレンチ内に前記上部電極の側壁にアライメントされる側壁を有する可変抵抗パターンを形成する。 - 特許庁

A semiconductor device 100 include: an interlayer dielectric 108 formed over a substrate 101; an electric fuse 150 comprising first wiring 120 formed in the interlayer dielectric 108 and having a cut portion 152; and second wiring 126 and third wiring 128, which are formed respectively on both sides of the cut portion 152 while extending along the cut portion 152, in the same layer as the first wiring 120.例文帳に追加

半導体装置１００は、基板１０１上に形成された層間絶縁膜１０８と、層間絶縁膜１０８中に形成された第１の配線１２０により構成され、被切断部１５２を有する電気ヒューズ１５０と、第１の配線１２０と同層において、被切断部１５２の両側方に、それぞれ、被切断部１５２に沿って延在して形成された第２の配線１２６および第３の配線１２８と、を含む。 - 特許庁

An insulating layer 13 and a cap film 14 that are disposed with an interval from a movable electrode 12 so as to cover the movable electrode 12 are formed on an interlayer insulating layer 8, voids U are formed around the movable electrode 12, a conductive layer 15a is formed on the cap film 14, a redistribution line 15b is formed on the interlayer insulating layer 8, and a transmission line is configured with the conductive layer 15a.例文帳に追加

可動電極１２を覆うようにして可動電極１２と間隔を空けて配置された絶縁層１３およびキャップ膜１４を層間絶縁層８上に形成し、可動電極１２の周囲には空洞Ｕを形成し、キャップ膜１４上には導電層１５ａを形成するとともに、層間絶縁層８上には再配線１５ｂが形成され、導電層１５ａにて伝送線路を構成する。 - 特許庁

The upper component of an electrode pad 1a for an interlayer connection formed to one surface of a first board 2; the upper parts of the electrode pads 1b and 1c for mounting the electronic component are coated with solder paste respectively; and a solder ball is mounted on solder paste coated on the electrode pad for interlayer connection while the electronic component 9 is mounted on solder paste coated on the electrode pads for mounting the electronic component.例文帳に追加

第１基板２の一面に形成された層間接続用の電極パッド１ａ上及び電子部品実装用の電極パッド１ｂ，１ｃ上に、それぞれ半田ペーストを塗布し、層間接続用の電極パッド上に塗布された半田ペースト上に半田ボールを実装すると共に、電子部品実装用の電極パッド上に塗布された半田ペースト上に前記電子部品９を実装する。 - 特許庁

The film for membrane structure 10 comprises a film substrate 12, an interlayer 16, and a photocatalyst layer 14, wherein the film substrate 12 contains a specific fluorocarbon resin such as an ethylene-tetrafluoroethylene copolymer or the like, the interlayer 16 contains an organic-inorganic hybrid polymer, and the mass remaining ratio of the organic-inorganic hybrid polymer is from 50 to 80% at 500°C measured by thermogravimetric analysis.例文帳に追加

フィルム基材１２と中間層１６と光触媒層１４とを有する膜構造物用フィルム１０において、フィルム基材１２がエチレン−テトラフルオロエチレン共重合体等の特定のフッ素樹脂を含み、中間層１６が有機無機ハイブリッドポリマーを含む層であり、有機無機ハイブリッドポリマーが、熱重量分析によって測定される５００℃における質量残存率が５０〜８０％のポリマーである。 - 特許庁

The interlayer compound contains the metallic complex intercalated between the layers of the layer compound containing vanadium, phosphorus and oxygen as basic components and is manufactured by heating an interlayer compound containing alcohol intercalated in the layers of the layer compound containing vanadium, phosphorus and oxygen as the basic components and the metallic complex in the presence of a solvent.例文帳に追加

バナジウム、リン及び酸素を基本組成とする層状化合物の層間に金属錯体がインターカレートしている層間化合物、及びバナジウム、リン及び酸素を基本組成とする層状化合物の層間にアルコールがインターカレートしている層間化合物と金属錯体とを溶媒の存在下に加熱することにより、上記層状化合物の層間に金属錯体がインターカレートしている層間化合物を製造する方法。 - 特許庁

A gap portion 109 is selectively formed between adjacent wiring lines 105 on the first interlayer insulating film 101, the dummy via 106 is formed below a wiring line 105A contacting the gap portion 109 while connected to the wiring 105A, and the via 113 and dummy via 106 have circumferences covered with the first interlayer insulating film 101 with the gap portion 109 not interposed.例文帳に追加

第１の層間絶縁膜１０１における互いに隣り合う配線１０５同士の間には空隙部１０９が選択的に形成されており、ダミービア１０６は、空隙部１０９と接する配線１０５Ａの下側に該配線１０５Ａと接続して形成され、ビア１１３及びダミービア１０６は、空隙部１０９を介することなく第１の層間絶縁膜１０１により周囲を覆われている。 - 特許庁

The method for forming the contact structure comprises the steps of: forming an interlayer insulating film on a semiconductor substrate; forming a contact hole by patterning the interlayer insulating film and exposing the predetermined region of the semiconductor substrate; and forming the contact spacer on the side wall of the contact hole by the use of a depositing method having a depositing direction slanted to the main surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

本発明のコンタクト構造体の形成方法は、半導体基板上に層間絶縁膜を形成する工程と、層間絶縁膜をパターニングして半導体基板の所定領域を露出させるコンタクトホールを形成する工程と、半導体基板の主表面に対して傾斜した蒸着方向を有する蒸着法を用いてコンタクトホールの側壁にコンタクトスペーサを形成する工程と、を有する。 - 特許庁

SRAM cells comprise a semiconductor substrate 10 where transistors Q1 to Q6 are formed, a first interlayer insulating layer 11 formed on the semiconductor substrate 10, first contacts C1 to C10 formed on the first interlayer insulating layer 11, and first wiring layers (node wiring layers 70A and 70B, pad layers 100P1 to 100P6).例文帳に追加

ＳＲＡＭセルは、トランジスタＱ１〜Ｑ６が形成された半導体基板１０、半導体基板１０の上に形成された第１層目の層間絶縁層１１０、第１層目の層間絶縁層１１０に形成された第１層目のコンタクト部Ｃ１〜Ｃ１０、および第１層目の層間絶縁層１１０の上に形成された第１層目の配線層（ノード配線層７０Ａ，７０Ｂ、パッド層１００Ｐ１〜１００Ｐ６）を含む。 - 特許庁

The image sensor includes: a semiconductor substrate 10 including pixels; an interlayer insulating film 11 formed on the semiconductor substrate 10 and including a metal wiring; a color filter layer 30 and a planarizing layer 40 formed on the interlayer insulating film 11; and seed microlenses formed on the planarizing layer 40, wherein the seed microlenses are formed so as to be separated from or to contact with an adjacent seed microlens.例文帳に追加

イメージセンサは、画素を含む半導体基板１０と、該半導体基板１０上に形成されて金属配線を含む層間絶縁膜１１と、該層間絶縁膜１１上に形成されたカラーフィルタ層３０及び平坦化層４０と、該平坦化層４０上に形成されたシードマイクロレンズを含んで、前記シードマイクロレンズは隣合うシードマイクロレンズと離隔または接するように形成されることを含む。 - 特許庁

The electrophotographic photoreceptor is provided on a conductive substrate with at least an interlayer and a photo-conductive layer in this order, and this interlayer contains at least an inorganic pigment (P) and a binder resin (R) in a ratio P/R of 1/1-3/1, and the photosensitive layer contains at least oxotitanyl phthalocyanine.例文帳に追加

導電性支持体上に少なくとも中間層と光導電層を順に設けてなる電子写真感光体において、該中間層が少なくとも無機顔料と結着剤樹脂を含有し、それら無機顔料（Ｐ）と結着剤樹脂（Ｒ）との比率Ｐ／Ｒが体積比で１／１〜３／１の範囲であり、かつ該感光層中に少なくともオキソチタニルフタロシアニンを含有していることを特徴とする電子写真感光体。 - 特許庁

A pixel electrode arranged in a pixel portion is formed on an interlayer insulation film made of an organic insulator material, and is connected to the pixel TFT through an opening bored at least in a protective insulation film that is provided above a gate electrode of the pixel TFT and is made of an inorganic insulator material and in the interlayer insulation film formed on the insulation film in close contact therewith.例文帳に追加

画素ＴＦＴはＬＤＤ構造として、画素部に設ける画素電極は、有機絶縁物材料からなる層間絶縁膜上に形成され、少なくとも、画素ＴＦＴのゲート電極の上方に設けた無機絶縁物材料から成る保護絶縁膜と、該絶縁膜上に密接して形成された該層間絶縁膜とに設けられた開孔を介して、前記画素ＴＦＴに接続している。 - 特許庁