「Interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(84ページ目) - Weblio英語例文検索

This two-layer structured insulating film prevents the gate lines 1 and the screen end common lines 5a from being short-circuited by conductive foreign matters and static electricity in the interlayer insulating film during the manufacturing process.例文帳に追加

この２層構造の層間絶縁膜により、ゲート線１と画面端共通線５ａとが層間絶縁膜中の導電性異物や静電気によって製造工程中にショートするのが防止される。 - 特許庁

To provide a film-forming composition capable of imparting a low density film excellent in dielectric constant characteristics and water absorbency characteristics and useful as an interlayer insulating film in semiconductor elements, etc., having small-sized voids and excellent in CMP resistance.例文帳に追加

半導体素子などにおける層間絶縁膜として有用な、誘電率特性、吸水率特性に優れ、かつ空隙サイズが小さく、ＣＭＰ耐性に優れた膜形成用組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a device capable of measuring accurately even at a very low temperature in a limited space, a mechanical characteristic value such as interlayer fracture toughness or the like on laminated material such as fiber reinforced plastics or the like.例文帳に追加

繊維強化プラスチックなどの積層材料における層間破壊じん性などの機械的特性値を限られたスペースで、極低温下でも精度よく測定することのできる装置を提供する。 - 特許庁

The barrier film 116 may be formed by continuously changing the RF bias with its interlayer insulating film 113 side formed by impressing the RF bias, and with its wiring layer 117 side formed by impressing the RF bias.例文帳に追加

バリア膜１１６はＲＦバイアスを連続的に変化させて、層間絶縁膜１１３側をＲＦバイアスを印加して、配線層１１７側をＲＦバイアスを印加せずに形成することもできる。 - 特許庁

There is disclosed a procedure for coating the surface of a Cu Damascene wire with an element, having a thickness of 1 to 5 nm prior to deposition of an interlayer dielectric or dielectric diffusion barrier layer.例文帳に追加

開示されているのは、層間の誘電体又は誘電体拡散障壁層の堆積に先立って、１から５ｎｍの厚さの元素でＣｕダマシン配線の表面をコーティングする手順である。 - 特許庁

An interlayer insulating film 16 is formed on the substrate 10, while covering the region 12a and electrode 14, and has a common through-hole 18 for communicating with both the region 12a and electrode 14 inside.例文帳に追加

層間絶縁膜１６は、領域１２ａと電極１４を覆うように基板１０上に形成され、領域１２ａと電極１４の双方に連通する共通透孔１８を内部に有する。 - 特許庁

The conductive film composing a power-feeding electrode to a signal line 11 and a scanning line is covered with an insulation protecting film 35 of silicon nitride or an interlayer insulating film 34 of silicon oxide and the insulation protecting film 35 of silicon nitride.例文帳に追加

信号線11および走査線の給電電極を構成する導電膜を窒化シリコンの絶縁保護膜35または酸化シリコンの層間絶縁膜34および窒化シリコンの絶縁保護膜35によって覆う。 - 特許庁

The interlayer 12 intervenes in lamination interface of the compound semiconductor layers 11, 13, and the lattice constant difference is made 0.7% or less in a junction interface of the compound semiconductor layers 11, 13 at both ends.例文帳に追加

この場合、中間層１２は、化合物半導体層１１，１３の積層界面に介在し、両端の化合物半導体層１１，１３の接合界面での格子定数差を０．７％以下にする。 - 特許庁

For example, after a contact hole 25a for forming the CB is formed between gate electrode parts 17, 17 by lithography process and etching, a second interlayer film 35 is removed by pullback.例文帳に追加

たとえば、リソグラフィ工程およびドライエッチングにより、ゲート電極部１７，１７の相互間に、ＣＢを形成するためのコンタクト孔２５ａを開孔した後、さらに第２の層間膜３５をプルバックにより除去する。 - 特許庁

After a dummy gate insulating film, a gate electrode film, a diffusion layer and an interlayer insulating film are formed, the dummy gate insulating film and the gate electrode film are removed, and a trench for burying a gate electrode is formed.例文帳に追加

ダミーのゲート絶縁膜及びゲート電極膜、拡散層、及び層間絶縁膜を形成後、前記ダミーゲート絶縁膜及びゲート電極膜を除去し、ゲート電極埋め込み用溝を形成する。 - 特許庁

At this time, the through hole 10 is formed so as to pass through the interlayer insulating film 8 and a titanium nitride layer 106 to reach the upper surface of an aluminium layer 105, and the recess 11 is formed deeper than the through hole 10.例文帳に追加

このとき、スルーホール１０は、層間絶縁膜８及び窒化チタン層１０６を貫通し、アルミニウム層１０５の上面に達するように形成され、凹部１１はスルーホール１０よりも深く形成される。 - 特許庁

To provide the formation of a dual-damascene wire which neither leaves foreign matter in the wire due to insufficient etching of an interlayer insulating film in an etching process nor cause wiring defects.例文帳に追加

エッチング工程において層間絶縁膜のエッチング残りに起因して配線内に異物が残存することがなく、配線不良を生じることがないデュアルダマシン配線の形成方法を提供する。 - 特許庁

An interlayer insulation film 22 and a gate insulation film 20 are etched with an etchant mixed with globular micropearl, and the inside of a through hole 33 is polished with the globular micropearl to surely remove a residual.例文帳に追加

球状ミクロパールを混合してなるエッチング液により層間絶縁膜２２及びゲート絶縁膜２０をエッチングし、スルーホール３３内を球状ミクロパールで研磨して残渣を確実に除去する。 - 特許庁

The method for manufacturing the ferroelectric memory comprises a step of forming the moisture diffusion preventive film formed on at least the first interlayer film.例文帳に追加

また、上記強誘電体メモリを製造する方法であって、少なくとも第１層間膜上に、水分拡散防止膜を形成する工程を有することを特徴とする強誘電体メモリの製造方法である。 - 特許庁

The third layer stem wirings are branched between the third layer stem wirings adjacent to each other within the wiring groups of the third layer stem wirings, and are connected with the second layer wirings running parallel to the second layer stem wirings via interlayer contacts.例文帳に追加

第３層幹配線はその配線グループ内の隣り合う第３層幹配線間へ分岐し層間コンタクトを介して、第２層幹配線と並行した第２層配線に接続されている。 - 特許庁

The interlayer reinforced paper contains an amphoteric polyacrylamide-based paper-strengthening agent and is produced by paper making under conditions of having ≥29A tear at the wax pick test defined by JAPAN TAPPI No.1:2000.例文帳に追加

両性ポリアクリルアミド系紙力増強剤を内添するとともに、ＪＡＰＡＮ ＴＡＰＰＩ Ｎｏ．１：２０００に規定されるワックスピック試験値で破れが２９Ａ以上となる条件で抄造を行う。 - 特許庁

To reduce tensile stress between a light shielding film and an interlayer insulating film or a semiconductor layer caused when heat treatment is performed without reducing light shielding properties of the light shielding film to prevent occurrence of cracks.例文帳に追加

遮光膜の遮光性を低下させることなく、熱処理の際に発生する遮光膜と層間絶縁膜や半導体層との間の引張り応力を減少させてクラックの発生を防止する。 - 特許庁

The flexible printed wiring board 1 has constitution wherein the interlayer connection 6 is formed of a complex in which the gap of a compact 7 which is formed by insulation displaced molding of metallic particles 7a is filled with solder 8.例文帳に追加

本発明のフレキシブルプリント配線板１は、層間接続部６が金属粒子７ａを圧接成形した成形体７の間隙に半田８を充填した複合体で形成された構成を有する。 - 特許庁

To reduce connection resistance generated when electrically connecting a metal wiring layer of an upper layer side and that of a lower layer side through a contact plug embedded in a contact hole of an interlayer insulating layer.例文帳に追加

層間絶縁層のコンタクトホールに埋め込まれたコンタクトプラグを介して上層側の金属配線層と下層側の金属配線層とを電気的に接続する際の接続抵抗を低減する。 - 特許庁

Furthermore, a first altered layer 25 is formed by altering a part of the second interlayer insulating film 19, which is exposed from a sidewall of the fist through hole 23 through plasma processing using plasma including oxygen gas.例文帳に追加

次に、酸素ガスを含むプラズマを用いたプラズマ処理により、第２の層間絶縁膜１９における第１のホール２３の側壁に露出する部分を変質して、第１の変質層２５を形成する。 - 特許庁

In a functional element region 2, an upper wiring 29 connected to a lower wiring 25 and a cap metal layer 32 are formed between the surface of a third interlayer insulating film 27 and a passivation film 33.例文帳に追加

機能素子領域２においては、第３層間絶縁膜２７表面とパッシベーション膜３３との間には、下配線２５に接続される上配線２９およびキャップメタル層３２が形成されている。 - 特許庁

To provide a composition for sealing a semiconductor, which enables the formation of a thin resin layer, can prevent the diffusion of a metallic component into a porous interlayer insulating layer, and has excellent adhesion to wiring materials.例文帳に追加

薄い樹脂層を形成可能で、多孔質の層間絶縁層への金属成分の拡散を抑制することができ、配線材料の密着性に優れる半導体用シール組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a low-permittivity interlayer insulation film having performance such as the reduction of permittivity, and the suppression of insulation film breakage, electromigration or stress migration, and a method of forming the same.例文帳に追加

低誘電率化と、絶縁膜破壊、エレクトロマイグレーションやストレスマイグレーションの抑制という性能を備える低誘電率層間絶縁膜および低誘電率層間絶縁膜の成膜方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which a conductive member is prevented from remaining on an interlayer insulating film when a planarization process is performed by a CMP method.例文帳に追加

ＣＭＰ法による平坦化工程を行う際に、層間絶縁膜上に導電部材が残存することを抑制することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The belt-reinforcing fiber material is composed of fiber comprising a polyester fiber, and the polyester fiber comprises laminar nanoparticles having side lengths of 5-100 nm and an interlayer spacing of 1-5 nm.例文帳に追加

ポリエステル繊維を含む繊維から構成されたベルト補強用繊維材料であって、該ポリエステル繊維は１辺の長さが５〜１００ｎｍ、層間間隔が１〜５ｎｍである層状ナノ粒子を含む。 - 特許庁

The organic EL device includes an insulating substrate 101, first and second interlayer dielectrics 113, 114, a plurality of pixel electrodes PE, an organic layer ORG and a counter electrode CE.例文帳に追加

実施形態の有機ＥＬ装置は、絶縁基板１０１と、第１及び第２層間絶縁膜１１３，１１４と、複数の画素電極ＰＥと、有機物層ＯＲＧと、対向電極ＣＥとを含んでいる。 - 特許庁

A copper wiring layer 114 becoming the uppermost layer of a seal ring 110 is formed in an interlayer insulation film 109 on a silicon substrate 101, and an aluminum wiring layer 141 covering its upper surface is formed.例文帳に追加

シリコン基板１０１上の層間絶縁膜１０９に、シールリング１１０の最上層となる銅の配線層１１４を形成し、その上面を覆うアルミ配線層１４１を形成する。 - 特許庁

To provide a thermal conductive silicone rubber composite sheet that excels in electric insulation and heat conductivity, that is also rich in strength and flexibility, and that has adhesiveness superior in interlayer adhesion.例文帳に追加

電気絶縁性及び熱伝導性に優れるだけでなく、強度及び柔軟性に富み、更に、層間の接着性に優れた粘着性を有する、熱伝導性シリコーンゴム複合シートを提供する。 - 特許庁

To provide a smoothing agent (leveling agent) that provides a smooth coating surface by preventing cissing to dusts of different kinds without impairing interlayer adhesiveness upon re-coating, by adding a small amount thereof to a coating.例文帳に追加

塗料に少量添加することにより、重ね塗りした時の層間密着性を損なうことなく、異種ダストに対するハジキを防止して平滑な塗装面を与える平滑剤（レベリング剤）の提供。 - 特許庁

Then, a surface layer of the base region 2 is removed until the surface of the base region 2 becomes lower than the interface between the gate electrode 5 and the interlayer insulation film 7 by etching to form a first recess 6.例文帳に追加

そして、エッチングによって、ベース領域２の表面がゲート電極５と層間絶縁膜７との界面より低い位置になるまで、ベース領域２の表面層を除去し、第１凹部６を形成する。 - 特許庁

To provide a polysiloxane-based positive radiation-sensitive composition which enables to form an interlayer insulating film having a sufficiently high surface hardness and is excellent in melt flow resistance in a heating step after development.例文帳に追加

十分に高い表面硬度を有する層間絶縁膜を形成可能であり、かつ現像後の加熱工程における耐メルトフロー性が優れたポリシロキサン系のポジ型感放射線性組成物を提供する。 - 特許庁

Permeation of water, an acid and a base in the interlayer insulating layer 8 up to the oxide semiconductor layer 7 can be suppressed, and thereby characteristics of the oxide thin-film transistor substrate 1 can be stabilized.例文帳に追加

水や酸や塩基が、層間絶縁層８を透過して酸化物半導体層７まで到達することを抑制できるので、酸化物薄膜トランジスタ基板１の特性を安定化させることができる。 - 特許庁

To provide a primer that exhibits excellent adhesion to a plastic material and excellent interlayer adhesion to a coating film functioning as a substrate in recoating, and a coating method using the primer.例文帳に追加

プラスチック素材に対して優れた付着性を有し、また、リコート（再塗装）において下地となる塗膜との層間付着性に優れたプライマー、及びそのプライマーを用いた塗装方法を提供する。 - 特許庁

The X-direction lines are formed, through interlayer insulating layers 34, in multiple second grooves 32b formed on the back substrate and respectively extending by crossing the first grooves and the Y-direction lines.例文帳に追加

Ｘ方向配線は、背面基板上に形成されそれぞれ第１溝およびＹ方向配線を横切って延びた多数の第２溝３２ｂ内に、層間絶縁層３４を介して設けられている。 - 特許庁

A field via 60 being formed on lid plating layers 36a and 36d is subjected to a larger stress during a heat cycle as compared with a field via 160 being formed in a second interlayer resin insulation layer 150.例文帳に追加

蓋めっき層３６ａ、３６ｄの上に形成されるフィルドビア６０は、第２の層間樹脂絶縁層１５０に形成されるフィルドビア１６０よりヒートサイクル時に加わる応力が大きい。 - 特許庁

The reflection electrode 16 is disposed on a glass substrate via a photosensitive interlayer dielectric 15 and the barrier metal film and electrically connected to the transparent electrode 14 via the barrier metal film 23.例文帳に追加

反射電極１６は、感光性層間絶縁膜１５及びバリアメタル膜を介してガラス基板上に配置されていると共に、バリアメタル膜２３を介して透過電極１４に電気的に接続される。 - 特許庁

A fuse proximity opening 6a formed by etching a protective insulating film 3 and the interlayer insulating film 1 is formed at a position spaced by a predetermined distance from the fuse elements 2a, 2b.例文帳に追加

そして、ヒューズ素子２ａ、２ｂから所定の距離だけ離間した位置に、保護絶縁膜３及び層間絶縁膜１をエッチングして形成されたヒューズ近接開口部６ａが形成されている。 - 特許庁

To form a super-fine grain oxide thin film, used as a low permittivity interlayer insulating film having proper grain diameter control and improve the reproducibility of the porosity and the permittivity of the super-fine grain oxide thin film.例文帳に追加

低誘電率の層間絶縁膜として用いる超微粒子酸化薄膜を粒径制御良く形成でき、超微粒子酸化薄膜の多孔度及び誘電率の再現性の向上をはかる。 - 特許庁

An interlayer insulating film 3, which is an SiOC film which includes a skeletal structure part containing an SiOC, and a hole formation material part containing a hydrocarbon compound, is formed on a semiconductor substrate SB.例文帳に追加

半導体基板ＳＢ上に、ＳｉＯＣを含有する骨格構造部と、炭化水素化合物を含有する空孔形成材料部とを有するＳｉＯＣ膜である層間絶縁膜３が形成される。 - 特許庁

The silicon nitride film 7 is used as a hard mask for preventing reduction in the height of the interlayer insulating film 6 in the chemical/mechanical polishing step for forming a capacitor lower part electrode 8.例文帳に追加

このシリコン窒化膜７は、キャパシタ下部電極８を形成するための化学機械研磨工程において層間絶縁膜６の高さが減少することを防止するハードマスクとして用いられる。 - 特許庁

After forming an interlayer insulation film 10 and flattening it, emitter extraction electrodes 21 connected to the emitter layer (n-type diffusion layer 5) are so formed as to be connected to the silicide film 8 on the element isolation film 3.例文帳に追加

そして層間絶縁膜１０を設けて平坦化した後、素子分離膜３の上のシリサイド膜８に接続するように、エミッタ層（ｎ型拡散層５）につながるエミッタ引き出し電極２１を形成する。 - 特許庁

Element isolation layers 210 are formed on a semiconductor substrate 100 having a cell array part and a periphreral circuit part, and an interlayer insulating layer covering a floating gate pattern via tunnel oxide layers 150 is formed.例文帳に追加

セルアレー部及び周辺回路部を有する半導体基板１００上に素子分離層２１０を形成し、トンネル酸化層１５０を介する浮遊ゲートパターンを覆う層間絶縁層を形成する。 - 特許庁

To provide a film which is a coating film having an even and appropriate thickness and a superior dielectric constant and mechanical strength, and which has superior storage stability, as an interlayer insulation film in a semiconductor device or the like.例文帳に追加

半導体素子などにおける層間絶縁として、適当な均一な厚さを有する塗膜が形成可能で保存安定性に優れ、しかも塗膜の誘電率、機械的強度などに優れた膜を得る。 - 特許庁

To provide a thermosetting resin composition excellent in various characteristics such as dielectric characteristics and heat resistance and also excellent in flame retardancy, and to provide a substrate, prepreg and resin-clad copper foil having an interlayer insulation material using the same.例文帳に追加

誘電特性、耐熱性等の諸特性に優れるとともに難燃性にも優れた熱硬化性樹脂組成物、これを用いた層間絶縁材料を有する基板、プリプレグ、樹脂付き銅箔の提供。 - 特許庁

Then, the upper-layer part of the interlayer insulation film 2 is subjected to anisotropic etching via the first groove TC1, thus forming a second groove TC2 with a wider opening diameter than the first groove TC1.例文帳に追加

更に、前記第１の溝ＴＣ１を介して前記層間絶縁膜２の上層部を等方性エッチングして当該第１の溝ＴＣ１よりも開口径の広い第２の溝ＴＣ２を形成する。 - 特許庁