「Interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(81ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for producing a multilayer paperboard, capable of highly efficiently producing the paperboard having improved interlayer strength at a low production cost, by preventing unevenness of the strength from occurring, nor scum from dropping, and to provide an apparatus for the same.例文帳に追加

強度ムラや粕落下を引き起こすことなく、層間強度の向上を図った多層板紙を高効率に、且つ低コストで製造し得る方法および装置を提供する。 - 特許庁

(1) It is composed of at least three layers, (2) each interlayer is attached by thermocompression bonding, and (3) the high melting point layer 2 is disposed at the outermost layer of the laminated body.例文帳に追加

（１）少なくとも３層以上で構成されていること、（２）各層間が熱圧着により接着されてなること、（３）高融点層２が積層体の最外層に配されていること。 - 特許庁

To provide a composition for forming an interlayer insulating film and so on whereby an insulating film can be formed with high mechanical strength such as sufficient CMP resistance, a low dielectric property, and high adhesion.例文帳に追加

十分なＣＭＰ耐性等の機械強度、及び、低誘電性、並びに、接着性に優れる絶縁膜を形成できる層間絶縁膜形成用組成物等を提供する。 - 特許庁

Furthermore, it is preferable to meander or twist an electromagnetic coupling portion 16 where the unbalanced side wiring film 14 and the balanced side wiring film 10 confront each other via the interlayer insulating film 12.例文帳に追加

また更に、不平衡側配線膜１４と平衡側配線膜１０との層間絶縁膜１２を介して対向する電磁結合部分１６をメアンダ状乃至渦巻き状にすると良い。 - 特許庁

Accordingly, when an interlayer insulating film Z is embedded in the gate electrode isolation region GV on the second gate insulating film 7, it may be embedded up to the top face of the second gate insulating film 7.例文帳に追加

このため、第２のゲート絶縁膜７上のゲート電極分離領域ＧＶに対して層間絶縁膜Ｚを埋込むときには第２のゲート絶縁膜７の上面まで埋込めばよい。 - 特許庁

At end and middle portions of the source region 14 in the interlayer insulating film, contact holes designating a plurality of contact region 20 arranged with a predetermined spacing are formed.例文帳に追加

層間絶縁膜には、ソース領域１４の端部および中間部に、所定の間隔を開けて配置された複数のコンタクト領域２０を規定するコンタクト孔が形成されている。 - 特許庁

A contact hole 46 is made penetrating the interlayer film 44, without exposing the transfer gate 34 to expose the surface of the silicon substrate 32 over the inside of the hollow node 48.例文帳に追加

トランスファゲート４４を露出させることなく層間膜４４を貫通して、中空ノード４８の内部にシリコン基板３２の表面を露出させるコンタクトホール４６を形成する。 - 特許庁

Strands 5 consisting of the metallic braiding 4 consists of a high-thermal conductivity material and the interlayer peeling may be prevented by increasing the fusion areas of the inner and outer layers.例文帳に追加

金属製編祖物４を構成する素線５が高熱伝導率材料からなり、内外層との融着面積を増大させて、層間剥離を防止することを特徴とする。 - 特許庁

A sacrificial mask pattern for filling the groove is formed, and the interlayer insulating-film pattern is etched using the mask pattern as an etching mask, thereby a self-aligning contact hole that exposes a semiconductor substrate is formed.例文帳に追加

グルーブを埋める犠牲マスクパターンを形成し、これを食刻マスクとして層間絶縁膜パターンを食刻して、半導体基板を露出させる自己整列コンタクトホールを形成する。 - 特許庁

A partition 6 is formed to encircle a display portion by photolithography and the patterns of the plurality of organic EL elements 10 are formed in a matrix on the interlayer dielectric 30.例文帳に追加

そして、フォトリソグラフィー法により表示部３を囲繞するように仕切り６を形成し、層間絶縁膜３０上に複数の有機ＥＬ素子１０をマトリクス状にパターン形成する。 - 特許庁

To provide a multi-layer circuit board and semiconductor integrated circuit device, wherein a multi-layer wiring structure causing no generation of delamination of a wiring layer and of a crack in an interlayer insulating film is formed at a low cost.例文帳に追加

多層回路基板及び半導体集積回路装置に関し、配線層の剥離や層間絶縁膜へのクラックの発生のない多層配線構造を低コストで形成する。 - 特許庁

Level difference is formed just below a sealing material 168 to suppress bleeding of the sealing material in an active matrix panel by separately forming two layers of interlayer insulating films 158, 160 and then removing one layer.例文帳に追加

アクティブマトリクスパネルにおいて、層間絶縁膜１５８、１６０を２層にわけて形成し一層を除去することで、シール材１６８の直下に段差を設け、シール材のしみだしをおさえる。 - 特許庁

Accordingly, the roughness of the barrier layer 16 formed thereabove is improved, thereby obtaining the magnetic resistance effect film 10, in which the interlayer coupling magnetic field Hin is small and variations in characteristics are small.例文帳に追加

これによりその上方に形成されたバリア層１６のラフネスが改善され、層間結合磁界Ｈｉｎが小さく特性のバラツキが少ない磁気抵抗効果膜１０が得られる。 - 特許庁

At constant speed, distance between a pickup and a disk is swept (Step 1000), and interlayer spacing from a surface layer to a recording layer is measured as elapsed time T (Steps 1002, 1004, and 1006).例文帳に追加

ピックアップとディスクの間の距離を一定速度で掃引し（ステップ１０００）、表面層から記録層までの層間隔を経過時間Ｔとして計測する（ステップ１００２，１００４，１００６）。 - 特許庁

Further, the positive side terminal of a bypass capacitor 24 is connected to the interlayer connection conductor 20V via an electrically conductive copper foil pattern 24V partly formed in a signal layer 14.例文帳に追加

また、バイパスコンデンサ２４の正側端子は、信号層１４に部分的に形成された導電性の正側銅箔パターン２４Ｖを介して、層間接続導体２０Ｖに接続されている。 - 特許庁

A total capacitance value, an interline capacitance value, and an interlayer capacitance value are calculated for a plurality of device structures having been changed by a statistical procedure for a parameter regarding respective wirings of a multilayer wiring.例文帳に追加

多層配線の各配線に関するパラメータを統計的処理で変化させた複数のデバイス構造に対する総容量値、線間容量値および層間容量値を算出する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device by which control of film thickness of an interlayer insulating film on a fuse and opening of a metal pad are performed at the same time, and also to provide the semiconductor device.例文帳に追加

フューズ上の層間絶縁膜の膜厚の制御とメタルパッド部の開孔を同時に行うことができる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。 - 特許庁

The electrophotographic photoreceptor is manufactured that has at least a photoconductive layer, composed mainly of amorphous silicon and a surface layer on a conductive base and further has at least one interlayer between the photoconductive layer and the surface layer, wherein the surface layer comprises a metal fluoride (excluding silicon fluoride) and the interlayer has a metal oxide.例文帳に追加

導電性基体上に、少なくともアモルファスシリコンを主体とする光導電層と、表面層と、光導電層と表面層の間に、少なくとも１層の中間層を有する電子写真感光体であって、表面層が金属フッ化物(フッ化ケイ素を除く)を有しており、かつ、中間層が金属の酸化物を有している電子写真感光体を作製する。 - 特許庁

The photosensitive transfer sheet laminate comprises a support, a photosensitive layer stacked on the support and a protective film coating the photosensitive layer, wherein interlayer adhesive force F1 between the photosensitive layer and the protective film is smaller than interlayer adhesive force F2 between the photosensitive layer and the support.例文帳に追加

支持体と前記支持体に積層された感光層と前記感光層を被覆する保護フィルムとからなる感光性転写シート積層体であって、前記感光層と前記保護フィルムとの間の層間密着力Ｆ１が、前記感光層と前記支持体との間の相関密着力Ｆ２よりも小さいことを特徴とする感光性転写シート積層体、およびその製造方法。 - 特許庁

This interlayer for laminated glass consisting of plasticized polyvinylacetal resin film containing polyvinylacetal resin and plasticizer is featured in that the plasticizer content for polyvinyl acetal resin 100 pts.wt. is 50-70 pts.wt. and the embossing of which the surface roughness is 30-100 μm is formed on both surfaces of the interlayer for laminated glass.例文帳に追加

ポリビニルアセタール樹脂と可塑剤とを含有する可塑化ポリビニルアセタール樹脂膜よりなる合わせガラス用中間膜であって、ポリビニルアセタール樹脂１００重量部に対する可塑剤の含有量が５０〜７０重量部であり、且つ、上記合わせガラス用中間膜の両表面に、表面粗さが３０〜１００μｍであるエンボスが形成されてなることを特徴とする合わせガラス用中間膜。 - 特許庁

Further, the electrooptical device includes: an interlayer dielectric 41 provided above the semiconductor layer 1a and having a lengthwise groove 810 dug along the pixel-electrode-side LDD region 1c; and a storage capacitor 70 provided on the interlayer dielectric 41, having an in-groove part 70t overlapping with the semiconductor layer 1a and formed in the groove 810, and including a conductive light shielding film.例文帳に追加

更に、半導体層１ａよりも上層側に配置され、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに沿った長手状の溝８１０が掘られた層間絶縁膜４１と、層間絶縁膜４１上に設けられ、半導体層１ａに部分的に重なると共に溝８１０内に形成された溝内部分７０ｔを有し、導電性遮光膜を含んでなる蓄積容量７０とを備える。 - 特許庁

After a fine opening part 12 reaching an underlayer wiring layer 9 is formed in an interlayer insulation film 10 by anisotropic etching by using a resist mask 11, a buried resist film 13 is formed within the opening part 12 to etch back the entire surface of the interlayer insulation film 10, whereby an upper part having a bowing shape of the opening part 12 is cut off to form a contact hole 14.例文帳に追加

層間絶縁膜１０に、レジストマスクを１１を用いた異方性エッチングにより、下地配線層９に到達する微細な開口部１２を形成した後、開口部１２内に埋め込みレジスト膜１３を形成して層間絶縁膜１０を全面エッチバックすることにより、開口部１２のボーイング形状となった上部を切除してコンタクトホール１４を形成する。 - 特許庁

The liquid crystal display element includes two substrates disposed oppositely, an interlayer insulating film laminated on an inner face side of at least one of the substrates, and a liquid crystal layer disposed between the substrates and formed from a polymerizable liquid crystal composition, in which a resin constituting the interlayer insulating film has a crosslinked moiety of a polymer expressed by the formula (1).例文帳に追加

本発明は、対向に配置された２枚の基板、この基板の少なくとも１枚の内面側に積層された層間絶縁膜、及び上記基板間に配設され、重合性液晶組成物から形成された液晶層を備え、上記層間絶縁膜を構成する樹脂が、下記式（１）で表される重合体の架橋部分を有する液晶表示素子である。 - 特許庁

A region PR1, which is a projection of the radiation shielding film 21a (21b) integrally formed with one penetrating conductor 20 in one interlayer portion to a virtual plane perpendicular to a predetermined direction, and a region, which is a projection of the radiation shielding film 22b or 22c (22c) formed integrally with other penetration conductor 20 in other interlayer portion to a virtual plane, do not overlap with each other.例文帳に追加

一の層間部分において一の貫通導体２０と一体に形成された放射線遮蔽膜２１ａ（２１ｂ）を所定方向に垂直な仮想平面に投影した領域ＰＲ１と、他の層間部分において他の貫通導体２０と一体に形成された放射線遮蔽膜２２ｂ又は２２ｃ（２２ｃ）を仮想平面に投影した領域とは互いに重ならない。 - 特許庁

A semiconductor device has: a semiconductor substrate 1 on which a plurality of semiconductor elements are formed; a first wiring pattern 4a formed on the semiconductor substrate 1 while interposing a first interlayer insulating film 2 therebetween and to which a power supply potential is applied; and a second wiring pattern 6a formed at least on the first wiring pattern 4a while interposing a third interlayer insulating film 5 therebetween.例文帳に追加

半導体装置は、複数の半導体素子が形成された半導体基板１と、該半導体基板１の上に第１の層間絶縁膜２を介在させて形成され、電源電位が印加される第１の配線パターン４ａと、少なくとも第１の配線パターン４ａの上に第３の層間絶縁膜５を介在させて形成された第２の配線パターン６ａとを有している。 - 特許庁

In a nonvolatile semiconductor storage device consisting of a nonvolatile memory having a gate insulating trap film, an interlayer insulating film 108 is formed on a memory cell and then a first opening 120 reaching a bit line 103, and a second opening 121 reaching a dummy word line 105 contiguous to the first opening 120 are formed simultaneously in the interlayer insulating film 108.例文帳に追加

トラップ性のゲート絶縁膜を有する不揮発性メモリからなる不揮発性半導体記憶装置において、メモリセル上に層間絶縁膜１０８を形成した後、層間絶縁膜１０８に、ビット線１０３に到達する第１の開口部１２０、及び第１の開口部１２０に隣接するダミーワード線１０５に到達する第２の開口部１２１を同時に形成する。 - 特許庁

To provide an interlayer film capable of being preserved at ordinary temperature without impairing basic characteristics necessary for laminated glass such as transparency, humidity resistance, weather resistance and impact resistance and capable of being laminated on both of a synthetic resin sheet and a glass sheet at a relatively low temperature without needing humidity control or an autoclave in its manufacturing process, and to provide the laminated glass using the interlayer film.例文帳に追加

本発明の目的は、透明性、耐湿性、耐候性、耐衝撃性など合わせガラスに必要な基本特性を損なうことなく、常温で保管が可能であり、製造工程では調湿およびオートクレーブを必要とせずに、比較的低温で合成樹脂板とガラス板の両方に合わせ加工が可能な合わせガラス用中間膜およびそれを用いた合わせガラスを提供することにある。 - 特許庁

In this manufacture of a multilayer printed wiring board using an epoxy resin curing compound containing halogen atoms for insulating layers, interlayer connecting holes are formed by removing the resin curing compound provided in the portions to be the interlayer connecting holes by using an etching solution consisting of alkali metal compounds, an amide solvent and an alcohol solvent and the etching solution is filtrated during the treatment.例文帳に追加

ハロゲン原子を含むエポキシ樹脂硬化物を絶縁層に用いる多層プリント配線板の製造方法であって、層間接続用穴を、層間接続用の穴となる部分の樹脂硬化物を、アルカリ金属化合物、アミド系溶媒、アルコール系溶媒からなるエッチング液により除去する方法であって、かつ、エッチング液を濾過しながら処理を行う多層プリント配線板の製造方法。 - 特許庁

With switching transistor formed on a semiconductor substrate, a drain region 2 of a switching transistor is electrically connected to a capacitor electrode, formed on a first interlayer insulating film 3 via a plug embedded in a contact hole formed on the first interlayer insulating film 3, and the plug comprises a tantalum silicon nitride film 7, which is to become a conductive film having a barrier characteristics with respect to silicon.例文帳に追加

半導体基板上にスイッチングトランジスタが形成されており、第１の層間絶縁膜３に形成されたコンタクトホールに埋設されたプラグを介して、スイッチングトランジスタのドレイン領域２と層間絶縁膜上に形成されたキャパシタの電極とが電気的に接続され、プラグがシリコンに対するバリア性を有する導電性膜となるタンタルシリコンナイトライド膜７からなる。 - 特許庁

This device 100 contains a first wiring layer 20, an interlayer insulating layer 30 formed on the first wiring layer 20, a second wiring layer 60 formed on the interlayer insulating layer 30, a plurality of through-holes 40 for connecting the first wiring layer 20 and the second wiring layer 60, and contact layers 50 formed in the plurality of through-holes 40.例文帳に追加

半導体装置１００は、第１の配線層２０と；第１の配線層２０の上に形成された層間絶縁層３０と；層間絶縁層３０の上に形成された第２の配線層６０と；第１の配線層２０と第２の配線層６０とを接続するための複数のスルーホール４０と；複数のスルーホール４０内に形成されたコンタクト層５０と；を含んでいる。 - 特許庁

The main feature of this 3-D ferroelectric capacitor is that it is equipped with a trench-type lower electrode, interlayer insulator formed around the lower electrode such as an SiO_2 layer, diffusion prevention film formed on the interlayer insulator, ferroelectric layer (PZT layer) formed on the lower electrode and diffusion prevention film, and upper electrode formed on the ferroelectric layer.例文帳に追加

トレンチ型下部電極と、下部電極の周りに形成された層間絶縁層、例えば、ＳｉＯ_２層と、層間絶縁層上に形成された拡散防止膜と、下部電極及び拡散防止膜上に形成された強誘電層（ＰＺＴ層）と、強誘電層上に形成された上部電極と、を備えることを特徴とする３次元強誘電体キャパシタである。 - 特許庁

A liquid crystal panel substrate includes a connecting plug 15 connecting a wiring film 10 composed of a first metal layer under a second interlayer insulation film 11 under a shading film 12 composed of a second metal layer and a pixel electrode composed of a third metal layer on a third interlayer insulation film 13 on the shading film through an opening provided in the shading film 12, in a pixel region.例文帳に追加

液晶パネル用基板は、画素領域において第２のメタル層からなる遮光膜１２に開けた開口部１２ａを通して遮光膜下の第２の層間絶縁膜１１を挟んで第１のメタル層からなる配線膜１０と遮光膜上の第３の層間絶縁膜１３を挟んで第３のメタル層からなる画素電極とを導電接続する接続プラグ１５を備えている。 - 特許庁

The electric field applied to an offset drain layer 5 from a field plate 10 is gradually reduced from a drain layer 8 to a gate electrode 4 by forming an interlayer dielectric 9 having steps 9a, 9b, and 9c on the offset drain layer 5, and a field plate 12 on the offset drain layer 5 through the interlayer dielectric 9 having the steps 9a, 9b, and 9c.例文帳に追加

段差９ａ、９ｂ、９ｃが形成された層間絶縁膜９をオフセットドレイン５上に形成し、段差９ａ、９ｂ、９ｃが形成された層間絶縁膜９を介してフィールドプレート１２をオフセットドレイン５上に配置することにより、フィールドプレート１０からオフセットドレイン層５にかかる電界をドレイン層８からゲート電極４にかけて徐々に小さくする。 - 特許庁

The liquid crystal panel substrate is provided with a connecting plug 15 connecting a wiring film 10 composed of a first metal layer and the pixel electrode composed of a third metal layer across a 2nd interlayer insulating film 11 under the shading film and a third interlayer insulating film 13 over the shading first metal layer through an opening 12a provided in the shading film 12.例文帳に追加

液晶パネル用基板は、画素領域において第２のメタル層からなる遮光膜１２に開けた開口部１２ａを通して遮光膜下の第２の層間絶縁膜１１を挟んで第１のメタル層からなる配線膜１０と遮光膜上の第３の層間絶縁膜１３を挟んで第３のメタル層からなる画素電極とを導電接続する接続プラグ１５を備えている。 - 特許庁

In this multilayer printed-wiring board where the interlayer resin insulating layer and a conductor circuit are successively formed on a substrate where an electronic component is incorporated or accommodated, and the electronic component and conductor circuit, and upper and lower conductor circuits are connected via a via hole, the interlayer resin insulating layer is made of a resin complex containing a thermoplastic resin and a thermosetting resin.例文帳に追加

電子部品が内蔵または収納されている基板上に、層間樹脂絶縁層と導体回路とが順次形成され、上記電子部品と導体回路、および、上下の導体回路がバイアホールを介して接続されてなる多層プリント配線板であって、上記層間樹脂絶縁層は、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂とを含む樹脂複合体からなる多層プリント配線板。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device includes processes for forming a first mask layer 115 having a first lower opening 115a, on an interlayer insulting film 114, and forming, on the first mask layer 115, a second mask layer 116 having a first upper opening 116a exposing the interlayer insulating film 114 through the first lower opening 115a.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、層間絶縁膜１１４の上に第１の下部開口部１１５ａを有する第１のマスク層１１５を形成する工程と、第１のマスク層１１５の上に第１の下部開口部１１５ａを通して層間絶縁膜１１４を露出する第１の上部開口部１１６ａを有する第２のマスク層１１６を形成する工程とを備えている。 - 特許庁

Also the interlayer 16 wound in a roll form can be continuously supplied on the first glass plate G1 as the interlayer 16 wound in the roll form is supplied on the first glass plate G1 while unwound by a film chuck 38 on the first glass plate G1, and is cut and separated from a roll 42 by a cutter 40A when required length is unwound.例文帳に追加

また、ロール状に巻回された中間膜１６を、第１のガラス板Ｇ１上において、フィルムチャック３８により巻き戻しながら第１のガラス板Ｇ１上に供給していき、必要長巻き戻したところでカッタ４０Ａによりロール４２から分断するので、ロール状に巻回された中間膜１６を、第１のガラス板Ｇ１上に連続供給することができる。 - 特許庁

A capacitance insulating film 29 is formed on a third interlayer insulating film 19 including the first hole 19a and second hole 19b, and an upper electrode formation film 23 is electrically connected to a lower conductive film 21B on the third interlayer insulating film 19 of the capacitance insulating film 22 and through an opening portion 22a formed at the peripheral portion of the second hole 19b.例文帳に追加

容量絶縁膜２２は、第１のホール１９ａ及び第２のホール１９ｂを含め第３の層間絶縁膜１９の上に形成されており、上部電極形成膜２３は、容量絶縁膜２２における第３の層間絶縁膜１９上で且つ第２のホール１９ｂの周辺部に形成された開口部２２ａを通して下部導電膜２１Ｂと電気的に接続されている。 - 特許庁

The acceleration sensor includes piezoresistive elements constituted of diffusion layers; a first insulating layer with which the diffusion layer is coated; an interlayer connecting conductor passed through the first insulating layer and connected to the diffusion layers; and a wiring arranged over the insulating layer and connected to the interlayer connecting conductor, and further includes a conductor part containing Al and Nd and a second insulating layer with which the conductor part is coated.例文帳に追加

加速度センサが，拡散層から構成されるピエゾ抵抗素子と，拡散層を被覆する第１の絶縁層と，第１の絶縁層を貫通して前記拡散層に接続される層間接続導体と，絶縁層上に配置されて層間接続導体に接続される配線と，を有し，かつＡｌとＮｄとを含む導体部と，導体部を被覆する第２の絶縁層と，を具備する。 - 特許庁

An interlayer insulating film 106 is formed on a memory cell 100 constituted of a bit line 102 composed of a diffusion layer formed on a semiconductor substrate 101, a gate insulation film having a trapping performance formed between bit lines 102, and a word line 104 formed on the gate insulation film, and a bit line contact plug 109 connected to the bit line 102 is formed in this interlayer insulating film 106.例文帳に追加

半導体基板１０１に形成された拡散層からなるビット線１０２、ビット線１０２間に形成されたトラップ性のゲート絶縁膜、ゲート絶縁膜上に形成されたワード線１０４とで構成されたメモリセル１００上に、層間絶縁膜１０６が形成され、この層間絶縁膜１０６中に、ビット線１０２に接続するビット線コンタクトプラグ１０９が形成されている。 - 特許庁

The method for manufacturing the flat panel display device includes an interlayer insulating film forming step of subjecting the regions formed with conductor layers to the pattern exposure with the exposure energy by which only the surface layer portions are cured in part of these regions and the whole in the thickness direction is cured in another part and a conductor layer forming step of forming the conductor layers by liquid material on the surfaces of the interlayer insulating films.例文帳に追加

平面表示装置の製造方法は、導電体層形成領域を、その一部では表層部分のみが硬化され、他の一部では厚み方向の全部が硬化される露光量でパターン露光する処理を含む層間絶縁膜形成工程と、層間絶縁膜の表面に液体材料により導電体層を形成する導電体層形成工程を含む。 - 特許庁

A liquid crystal panel substrate includes a connecting plug 15 conductively connecting a wiring film 10 composed of a first metal layer sandwiching a second interlayer insulation film 11 under a shading film through an opening 12a provided in the shading film 12 composed of a second metal layer and a pixel electrode composed of a third metal layer sandwiching a third interlayer insulation film 13 on the shading film, in a pixel region.例文帳に追加

液晶パネル用基板は、画素領域において第２のメタル層からなる遮光膜１２に開けた開口部１２ａを通して遮光膜下の第２の層間絶縁膜１１を挟んで第１のメタル層からなる配線膜１０と遮光膜上の第３の層間絶縁膜１３を挟んで第３のメタル層からなる画素電極とを導電接続する接続プラグ１５を備えている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a multilayer printed wiring board, having superior connection reliability in which an undercut free conductor circuit can be formed, adhesion is improved between the conductor circuit and an interlayer resin insulation layer or a solder resist layer, cracks of the interlayer resin insulation layer or the solder resist layer is suppressed under heat cycle conditions or high temperature high humidity, and stripping of the conductor circuit is prevented.例文帳に追加

アンダーカットのない導体回路を形成することができ、導体回路と層間樹脂絶縁層やソルダーレジスト層との密着性が改善され、ヒートサイクル条件下や高温高湿下において、層間樹脂絶縁層やソルダーレジスト層にクラックが発生しにくく、導体回路の剥離が発生しにくい接続信頼性に優れる多層プリント配線板を製造する方法を提供する。 - 特許庁

A plug 114 composed of a copper film is buried through a barrier layer composed of a second β-tantalum film 111 into a via hole formed in the first interlayer dielectric film 106, and an upper-layer wiring 115 composed of a copper film is buried through the barrier layer composed of the second β-tantalum film 111 into the a wiring groove formed on the second interlayer dielectric film 108.例文帳に追加

第１の層間絶縁膜１０６に形成されたヴィアホールには第２のβ−タンタル膜１１１よりなるバリア層を介して銅膜よりなるプラグ１１４が埋め込まれ、第２の層間絶縁膜１０８に形成された配線溝には第２のβ−タンタル膜１１１よりなるバリア層を介して銅膜よりなる上層配線１１５が埋め込まれている。 - 特許庁

This element comprises a tunnel dielectric film formed on a semiconductor substrate, a floating gate which is formed on the tunnel dielectric film and separated in land shapes in a cell unit, an interlayer dielectric film formed all over the surface including the floating gate, and a control gate which is formed on the interlayer dielectric film and arrayed in one direction while fully covering the upper surface and the side surface of the floating gate.例文帳に追加

半導体基板上に形成されたトンネル誘電膜と、前記トンネル誘電膜上に形成され、セル単位で島状に分離されるフローティングゲートと、前記フローティングゲートを含んだ全面に形成された層間誘電膜と、前記層間誘電膜上に形成され、前記フローティングゲートの上面および側面を完全に覆いながら一方向に配列されるコントロールゲートとを含む。 - 特許庁