「Interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(77ページ目) - Weblio英語例文検索

A surface sheet is placed on the face of the base sheet with the printed pattern layer provided, and the base sheet is interlayer-glued to the surface resin sheet via a water-based or solventless adhesive.例文帳に追加

基材シートの印刷模様層を設けた面上に表面シートを配置し、前記基材シートを表面樹脂シートに水性または無溶剤型の接着剤を用いて層間接着する。 - 特許庁

Subsequently, a shading layer 110 is formed in the second opening 121 and on the interlayer insulating film 108, and a bit line contact plug 112 is formed in the first opening 120.例文帳に追加

その後、第２の開口部１２１内及び層間絶縁膜１０８上に遮光膜１１０を形成するとともに、第１の開口部１２０内にビット線コンタクトプラグ１１２を形成する。 - 特許庁

On a semiconductor substrate 1, a laminated electrode consisting of a tunnel oxide film 2, a floating gate electrode 3, an interlayer insulation film 4 and a control gate electrode 5 in order from a lower layer is formed.例文帳に追加

半導体基板１上に下層より順にトンネル酸化膜２、浮遊ゲート電極３、層間絶縁膜４および制御ゲート電極５からなる積層電極を形成する。 - 特許庁

The method further comprises steps of depositing an interlayer insulating film 105 on the substrate 100 including the electronic device, and forming the contact 106 arriving at the electrode 104 on the film 105.例文帳に追加

次に、電子デバイス上を含む半導体基板１００上に層間絶縁膜１０５を堆積し、層間絶縁膜１０５に上部電極１０４に達するコンタクト１０６を形成する。 - 特許庁

On the surface of a semiconductor substrate 10, a BPSG film as an interlayer insulation film 18 is so formed as to cover a field insulation film 12, gate electrode layers 16a, 16b, and an interconnection layer 16c.例文帳に追加

半導体基板１０の表面にフィールド絶縁膜１２、ゲート電極層１６ａ，１６ｂ、配線層１６ｃを覆って層間絶縁膜１８としてのＢＰＳＧ膜を形成する。 - 特許庁

To provide a thermosetting resin composition excellent in resistance to heat or chemicals, storage stability, and high-temperature reactivity, a transfer printing material using the same, and a method for forming an interlayer insulation film.例文帳に追加

耐熱性、耐薬品、保存性、および高温反応性に優れた熱硬化性樹脂組成物、それを用いた転写材料、及び層間絶縁膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which is capable of forming interconnection grooves and connection holes accurately in an interlayer insulation film which uses an organic material.例文帳に追加

有機材料を用いた層間絶縁膜に対して精度良く配線溝や接続孔を形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a shielded interconnection for reducing capacitive coupling between interconnecting lines in an integrated circuit device having interconnecting lines isolated by an interlayer dielectric.例文帳に追加

層間誘電体で分離された相互接続線を有する集積回路装置で相互接続線間の容量性結合を減少させる遮蔽された相互接続を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method for uniformizing the film thickness of an interlayer dielectric in the multi-layer fine wiring of a damascene structure and flattening the surface.例文帳に追加

ダマシン構造の多層微細配線における層間絶縁膜の膜厚が均一化されその表面が平坦化されている半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device capable of suppressing disconnection of connecting wirings connecting the wirings formed under the interlayer insulating film of an active element array substrate and its manufacturing method.例文帳に追加

アクティブ素子アレイ基板の層間絶縁膜下に形成された配線間を接続する接続配線の断線を抑制できる液晶表示装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device includes a MOS transistor 101, interlayer dielectrics 307, 308, 316, a ferroelectric capacitor 102, contact plugs 311-313, and a ferroelectric film 317b.例文帳に追加

半導体装置は、ＭＯＳトランジスタ１０１と、層間絶縁膜３０７，３０８，３１６と、強誘電体キャパシタ１０２と、コンタクトプラグ３１１〜３１３と、強誘電体膜３１７ｂとを有する。 - 特許庁

A lower layer wiring 16 is formed with a first barrier metal layer 14 and a wiring material 15 mainly composed of Cu embedded in a wiring groove formed in a first interlayer insulting film 13.例文帳に追加

第１の層間絶縁膜１３に形成された配線溝に第１のバリアメタル層１４とＣｕを主とする配線材１５が埋め込まれて下層配線１６が形成されている。 - 特許庁

To prevent the generation of void in a metal wiring by suppressing the thermal expansion of the metal wiring upon forming an interlayer insulating film by a high density plasma CVD method so as to cover the metal wiring.例文帳に追加

メタル配線を覆うように高密度プラズマＣＶＤ法により層間絶縁膜を形成する際に、メタル配線の熱膨張を抑制して、メタル配線にボイドが発生するのを防ぐ。 - 特許庁

To reduce the image persistence and characteristic deterioration of liquid crystals in a semiconductor device in which gate wiring, capacity wiring, and connecting wiring are formed on the same interlayer film.例文帳に追加

同一の層間膜上にゲート配線と容量配線と接続配線を形成した半導体装置において、液晶の焼きつきや特性劣化を低減することを課題とする。 - 特許庁

The resistor element 34 is, for instance, a polysilicon film and connected to a contact plug formed in an interlayer insulating film 42 and a high-voltage terminal 39 (+15 V) through a metallic wiring layer.例文帳に追加

抵抗素子３４は、例えば、ポリシリコン膜であり、層間絶縁膜４２に形成されたコンタクトプラグ及び金属配線層を介して高電圧端子３９（＋１５Ｖ）と接続されている。 - 特許庁

Then an interlayer insulating film 3b is formed, and a contact hole 4 to connect the aforementioned signal wiring 2 and the reflection electrode to be formed in the succeeding process is formed by patterning.例文帳に追加

次に、層間絶縁膜３ｂが形成され、上記信号配線２と後の工程で形成される反射電極との接続のためのコンタクトホール４が、パターニングにより形成される。 - 特許庁

To suppress delamination between layers and interlayer cracking after calcination by making the internal electrode layer of a multilayer piezoelectric element thinner so that a pressing force is applied uniformly even if the number of layers is increased.例文帳に追加

積層型圧電素子の内部電極層をより薄くすることにより、積層数が多くなっても加圧力が均一に加わり、層間でのデラミネーションや焼成後の層間クラックを抑える。 - 特許庁

In the cross point type ferroelectric memory 100, the first memory cell array 30 and the second memory cell array 60 are laminated through a first interlayer insulating layer 20 and the second inter-layer insulating layer 50.例文帳に追加

クロスポイント型強誘電体メモリ１００は、第１メモリセルアレイ３０と第２メモリセルアレイ６０とが、第１層間絶縁層２０と第２層間絶縁層５０とを介して積層されている。 - 特許庁

The array substrate 1 includes a channel layer 19, a gate insulating film 21, a gate wiring line, a gate electrode 23, an interlayer insulating film 25, an amorphous silicon layer 27a, and a data wiring line.例文帳に追加

アレイ基板１は、チャネル層１９と、ゲート絶縁膜２１と、ゲート配線と、ゲート電極２３と、層間絶縁膜２５と、非晶質シリコン層２７ａと、データ配線と、を備えている。 - 特許庁

To provide an interlayer insulation film small in curing contraction, and excellent in heat resistance, flexibility, and adhesiveness with a welded metal layer, and a curing resin composition to provide it.例文帳に追加

硬化収縮が小さく、耐熱性と可とう性、金属めっき層との接着性にも優れる層間絶縁膜およびそれを与える硬化性樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

The structure and the manufacturing processes of the semitransparent liquid crystal display can be simplified since an interlayer insulating film consisting of an organic resin film having high material costs is not needed.例文帳に追加

さらに、材料コストが高い有機樹脂膜からなる層間絶縁膜を必要としないため、半透過型液晶表示装置の構造および製造工程を簡略化することができる。 - 特許庁

After an insulating film 6 is formed to cover a first wire 4 on an interlayer film 1 to which the first wire 4 is formed, only the insulating film 6 is removed on the first wire 4.例文帳に追加

第１配線４が形成された層間膜１上に、第１配線４を覆うように絶縁膜６を形成した後、第１配線４上の絶縁膜６のみを除去する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device uniform in product performance and a method of manufacturing the same, wherein an interlayer insulating film uniform in thickness can be obtained in a multilayer interconnection structure.例文帳に追加

多層配線構造において、均一な厚さの層間絶縁膜が得られ、製品動作のばらつきが少ない半導体装置及びその製造法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To develop a continuity imparting means that is simply manufactured and used and is substitutable for a conductive interlayer through hole useful when manufacturing a multilayer circuit board capable of dieling with miniaturization sufficiently.例文帳に追加

製造、使用が簡便に行え、小形化にも十分に対応できる多層回路基板の製造に有用な導電性層間スルーホールに代わる導通付与手段を開発する。 - 特許庁

A filled via 60 formed on a lid plating layer 36a and 36d is applied with smaller stress than a filled via 160 formed in a second interlayer resin insulation layer 150 during heat cycle.例文帳に追加

蓋めっき層３６ａ、３６ｄの上に形成されるフィルドビア６０は、第２の層間樹脂絶縁層１５０に形成されるフィルドビア１６０よりヒートサイクル時に加わる応力が小さい。 - 特許庁

To provide a resin excellent in development property, flexibility of cured products, heat resistance to soldering, resistance to thermal degradation and resistance to electroless gold plating and especially suitable for solder resists and for interlayer insulation films.例文帳に追加

現像性に優れ、硬化物の可撓性、半田耐熱性、耐熱劣化性、無電解金メッキ耐性に優れ、ソルダーレジスト用及び層間絶縁層用に特に適する樹脂を提供する。 - 特許庁

A film of a metal raw material is formed, the dips are filled with the metal raw material, planarization is effected using CMP process, and an interlayer film (14) is formed thereon to form noise shield wiring (22).例文帳に追加

メタル素材を成膜して凹部にメタル素材を埋め込み、ＣＭＰ法を用いて平坦化し、その上に層間膜（１４）を成膜することで、ノイズシールド配線（２２）が形成される。 - 特許庁

A plurality of bit lines 8 are arranged selectively within an interlayer insulating film 9, and the bit line 8 concerned is connected to a specified impurity diffused layer 2 via the contact plug 7.例文帳に追加

層間絶縁膜９内には複数のビット線８が選択的に配設され、当該ビット線８はコンタクトプラグ７を介して所定の不純物拡散層２に接続されている。 - 特許庁

Further, an interlayer dielectric film 20 and a source electrode 21 are provided on the source layer 14, and a trench contact 23 is extended downward from the source electrode 21 to reach the base layer 13.例文帳に追加

また、ソース層１４上に層間絶縁膜２０及びソース電極２１を設け、ソース電極２１から下方に向けてトレンチコンタクト２３を延出させ、ベース層１３まで到達させる。 - 特許庁

To provide a member for supporting a glass pane member capable of always supporting the glass pane member stably and safety without providing a local load to the glass pane member correspondingly with various interlayer displacements.例文帳に追加

様々な層間変位に対応して、ガラス板材に局所的負荷を与えることなく常に安定で安全にガラス板材を支持できるガラス板材支持用部材の提供。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of three-dimensional semiconductor device for easily forming interlayer wirings formed of metal materials, a manufacturing method of substrate product, a substrate product, and a three-dimensional semiconductor device.例文帳に追加

金属からなる層間配線を容易に形成できる三次元半導体デバイスの製造方法、基板生産物の製造方法、基板生産物、及び三次元半導体デバイスを提供する。 - 特許庁

NEGATIVE PHOTOSENSITIVE THERMOSETTING RESIN COMPOSITION, NEGATIVE PHOTOSENSITIVE THERMOSETTING TRANSFER MATERIAL, METHOD FOR FORMING INTERLAYER INSULATION FILM, HIGH-APERTURE LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD FOR IT例文帳に追加

ネガ型感光性熱硬化性樹脂組成物、ネガ型感光性熱硬化性転写材料、層間絶縁膜の形成方法、ハイアパーチャー型液晶表示装置及びその製造方法 - 特許庁

The semiconductor device 101 comprises a silicon substrate having a major surface, a memory cell formed on the major surface, and an interlayer insulating film formed on the major surface to cover the memory cell.例文帳に追加

半導体装置１０１は、主表面を有するシリコン基板と、主表面上に形成されたメモリセルと、メモリセルを覆うように主表面上に形成された層間絶縁膜とを備える。 - 特許庁

A short-circuit defect is prevented by forming a second interlayer insulation layer 15 under an upper electrode power-feeding wire to be a power supply line to an upper electrode 13 of a thin-film electron source array.例文帳に追加

薄膜型電子源アレイの上部電極１３への給電線となる上部電極給電配線の下に、第二層間絶縁層１５を形成して短絡不良を防止する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method capable of suppressing the deterioration of flatness in the case that an interlayer insulation film comprising the material of low permittivitty is directly CMP polished.例文帳に追加

低誘電率材料からなる層間絶縁膜を直接ＣＭＰ研磨する場合の平坦性の悪化を抑制できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The interlayer insulating resin sheet and circuit wiring are multilayered for heating at the melt point of solder or higher and continuity in upper and lower wiring layers is achieved by solder junction as a multilayer wiring board.例文帳に追加

この層間絶縁樹脂シートと回路配線とを多層化し、はんだの融点以上に加熱し、はんだ接合により上下の配線層の導通をとり多層配線基板とする。 - 特許庁

A multilayer printed wiring board 1 has an interlayer insulation layer 2 and a conductive layer 3 which are sequentially laminated on a substrate 10, and a plurality of pieces 11 having conductor circuits 31 are formed.例文帳に追加

基板１０上に順次積層された層間絶縁層２と導電層３とを有し，導体回路３１を有する個片１１を多数形成した多層プリント配線板１。 - 特許庁

After that, the titanium film 5 being formed at the bottom of the connection hole 4 and on the interlayer insulation film 3 is eliminated while leaving only the titanium film 5 being formed at the side wall part of the connection hole 4.例文帳に追加

その後、接続孔４の側壁部に形成されているチタン膜５のみを残して接続孔４底部及び層間絶縁膜３上に形成されているチタン膜５を除去する。 - 特許庁

The correction factor K corrects that the planar pattern density of the convex 4 becomes a value different from the pattern density of the metal wiring 2 by the thickness of an interlayer insulating film 6.例文帳に追加

ここで、補正係数Ｋは、凸部４の平面的なパターン密度が、層間絶縁膜６の厚みにより金属配線２のパターン密度と違う値になるのを補正するための補正係数である。 - 特許庁

By depositing high melting point metal on the whole surface and polishing it until the interlayer insulating film 215 is exposed, gate electrode upper layers 218 are formed of high melting point metal film.例文帳に追加

全面に高融点金属を堆積し、層間絶縁膜２１５が露見するまで研磨することにより、高融点金属膜からなるゲート電極上層部２１８を形成する。 - 特許庁

Thereafter, an opening 124 is formed in the polysilicon film 121 and, thereafter, the etching of a second interlayer insulation film 118 is effected, employing the polysilicon film 121 as a mask to form a contact hole 125.例文帳に追加

その後、ポリシリコン膜１２１に開口１２４を形成した後、ポリシリコン膜１２１をマスクにして、第２の層間絶縁膜１１８のエッチングを行い、コンタクトホール１２５を形成する。 - 特許庁

Processing with an alkaline developer 6 is carried out to dissolve the interlayer film 12 comprising a water-soluble polymer and the lower layer resist 11 to form a stencil shape having high pattern dimensional precision.例文帳に追加

次に、アルカリ性現像液６により処理を行い、水溶性ポリマーである層間膜１２と下層レジスト１１を溶解して、パターン寸法精度の高いステンシル形状を形成する。 - 特許庁

To provide a capacitor in which no cracking nor peeling occurs in an adhesive or interlayer insulating resin layer under a thermo cycle condition when the capacitor is housed or incorporated in a multilayer printed wiring board.例文帳に追加

多層プリント配線板に収納または内蔵させた際に、ヒートサイクル条件下等で接着剤や層間樹脂絶縁層にクラックや剥離が発生しないコンデンサを提供する。 - 特許庁

A deep conduction groove 9a is formed as extending from the upper surface of the interlayer dielectric 8a to a depth of halfway of thickness of the substrate 1SA in a region surrounded by the penetrated isolation part 5.例文帳に追加

その後、貫通分離部５で囲まれた領域内に、層間絶縁膜８ａの上面から基板１ＳＡの厚さの途中深さまで延びる深い導通溝９ａを形成する。 - 特許庁

On the wiring 3, upper-layer wiring 4 which is VDD wiring is provided with an interlayer insulating film 2 interposed therein so that part of the wiring 4 overlaps a part of the lower-layer wiring 3.例文帳に追加

下層配線３の上に層間絶縁膜２を介在させて、その一部が下層配線３の一部と重なるように、ＶＤＤ配線である上層配線４が設けられている。 - 特許庁