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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > Interlayerの意味・解説 > Interlayerに関連した英語例文

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Interlayerを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 6425



例文

Also, an interlayer insulating film is formed on the surface of the p-type silicon substrate 1, a contact hole is made, ions are implanted, and the substrate 1 is subjected to heat treatment to form a heavily-doped n-type diffused layer.例文帳に追加

また、p型シリコン基板1の表面に層間絶縁膜を形成し、コンタクト孔を開口しイオン注入し、熱処理を行い高不純物濃度n型拡散層を形成する。 - 特許庁

To solve a problem that in an interlayer isolation film of SiOCH film, which is a low dielectric constant film, O_2 ashing resistance is low since a CH_3 group is contained in the film, and adhesion with a SiO_2 film is also low.例文帳に追加

低誘電率膜であるSiOCH膜の層間絶縁膜は、膜中にCH3基が含まれるためにO2アッシング耐性が低く、SiO2膜との密着性も低い。 - 特許庁

To provide a removing liquid, capable of removing sidewall at a low temperature and in a short time, without corroding a metal wiring material or an interlayer material, etc.例文帳に追加

金属配線材料や層間材料等を腐食することなく、低温でかつ短時間でサイドウォールを除去することを可能とする除去液を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide an exfoliation detection device of composite material capable of detecting the position and the size of interlayer exfoliation generated in the composite material, and an exfoliation detection method using the device.例文帳に追加

複合材料に発生する層間剥離の位置と大きさを検出することができる複合材料の剥離検出装置およびそれを用いた剥離検出方法を提供する。 - 特許庁

例文

The interlayer conduction portion 23 has an external shape of a truncated cone with its peak portion cut (refer to Fig.1(b)), and a sectional shape of a trapezoid along a thickness direction T (refer to Fig.1(a)).例文帳に追加

層間導通部23は、その外形が、頂部を切り取った円錐形状であり(図1(b)参照)、厚さ方向Tに沿った断面形状は台形を成している(図1(a)参照)。 - 特許庁


例文

To provide a method of forming in-layer and interlayer air bridge structures, in a large scale integrated circuit (VLSI) device, a very large scale integrated circuit (ULSI) device, and a high-performance package.例文帳に追加

大規模集積回路(VLSI)と超大規模集積回路(ULSI)デバイスおよび高性能パッケージにおいて層内および層間のエアー・ブリッジ構造を形成する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a membrane-forming composition excellent in coating uniformity, lowness in dielectric constant and leakage current, CPM resistance, preservation stability, etc., as interlayer insulating material e.g. in semiconductor elements.例文帳に追加

半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、塗膜の均一性、低誘電率、低リーク電流、CMP耐性、保存安定性などに優れた膜形成用組成物に関する。 - 特許庁

Low-load flattening work is effected due by employing electrolytic grinding whereby a multi-layer wiring structure employing a low-k material 9 as an interlayer insulating film is constituted.例文帳に追加

電解研磨を用いるため低負荷な平坦化加工が可能となるので、層間絶縁膜としてLow−k材料9を用いた多層配線構造も構築可能となる。 - 特許庁

MOS transistors, Qn and Qn are formed, and after an interlayer insulating film 117, a conductive plug 120 and an aluminum wiring 121 are formed, a measurement of the threshold voltages of the MOS transistors is made.例文帳に追加

MOSトランジスタQn、Qpを形成し、層間絶縁膜117、導電性プラグ120、アルミニウム配線121を形成した後に、MOSトランジスタのしきい値電圧の測定を行う。 - 特許庁

例文

To prevent a capacitor insulating film containing a ferromagnetic material of a metal oxide body from deteriorating its electrical properties due to the moisture discharged from an interlayer insulating film through a thermal treatment.例文帳に追加

金属酸化物からなる強誘電体を含む容量絶縁膜の電気的特性が、層間絶縁膜から熱処理により放出される水分によって劣化しないようにする。 - 特許庁

例文

To provide a nonhalogenous flame-retardant resin used, e.g. for an interlayer insulation layer of a multilayered printed circuit board; a flame- retardant resin composition containing the same; and a multilayered printed circuit board having a cured film formed from the composition.例文帳に追加

多層プリント配線板の層間絶縁層用等のノンハロゲン材料の難燃性樹脂、難燃性樹脂組成物性及びその硬化膜を有する多層プリント配線板を提供する。 - 特許庁

A trench 102 is formed in a beltlike region sandwiched by a pixel array belonging to an OPB region and an adjoining pixel array out of a laminate structure 90 consisting of an interlayer dielectric, and the like.例文帳に追加

層間絶縁層等からなる積層構造体90のうち、OPB領域に属する画素列とその隣接画素列とに挟まれた帯状領域に、トレンチ102を形成する。 - 特許庁

To provide an electric junction box and a structure of interlayer connection in multilayer wiring board wherein the weight thereof is reduced, heat radiation is facilitated, and man-hours for assembly is reduced to accomplish cost saving.例文帳に追加

軽量化及び高放熱化が図れ、組立工数の削減によるコスト低減を図ることができる電気接続箱及び多層配線基板の層間接続構造を提供する。 - 特許庁

To provide a capacitor in which no cracking nor peeling occurs in an adhesive and an interlayer insulating resin layer under a thermo cycle condition when the capacitor is housed or incorporated in a multilayered printed wiring board.例文帳に追加

多層プリント配線板に収納または内蔵させた際に、ヒートサイクル条件下等で接着剤や層間樹脂絶縁層にクラックや剥離が発生しないコンデンサを提供する。 - 特許庁

To obtain such a structure that a fuse can be burnt out with a laser blow without giving any damage to an interlayer insulating layer, a base layer, or adjacent fuses with respect to a semiconductor device and a method for manufacturing the device.例文帳に追加

半導体装置およびその製造方法に関し、層間絶縁層、下地層または隣接する他のヒューズにダメージを与えることなく、レーザブローでヒューズを溶断できる構造を得る。 - 特許庁

After the photoresist pattern 6 is removed, an interlayer insulation film is formed, and then, by subjecting it to dry-etching with the P-SiN 15 as an etching stopper, a through-hole(TH) to the aluminum wring layer 4b is formed.例文帳に追加

フォトレジストパターン6を除去した後、層間絶縁膜を形成し、P−SiN15をエッチングストッパーとして、ドライエッチングすることによりアルミ配線層4bへのTHを形成する。 - 特許庁

An interlayer insulating film 17 composed of a BPSG film, etc., is formed on the whole surface of the substrate 11, and a contact hole C3 is formed in an area including the area above the embedded conductive layer 16.例文帳に追加

基板11の全面にBPSG膜等から成る層間絶縁膜17が形成され、埋め込み導電層16上を含む領域にコンタクトホールC3が形成されている。 - 特許庁

The semiconductor layer has a plurality of fuse layers disposed on an interlayer dielectric 3 in parallel and dummy fuse layers 15 provided between adjacent fuse layers 5 in parallel to the fuse layers 5.例文帳に追加

層間絶縁膜3上に平行に配置された複数のヒューズ層5と、互いに隣接するヒューズ層5の間に、ヒューズ層5と平行に設けられたダミーヒューズ層15とを備える。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing electronic component by which the connection reliability of columnar conductors making interlayer connections can be improved without making the accuracy of the conventional mask strict, and to provide an electronic component.例文帳に追加

従来のマスクの精度を厳格にすることなく、層間接続をなす柱状導体の接続信頼性を向上させる電子部品の製造方法および、電子部品を提供する。 - 特許庁

To provide metal wiring of a semiconductor device, which can prevent lifting of metal wiring due to a stress with an interlayer insulating film during a subsequent heat treatment, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

金属配線が後続熱処理時、層間絶縁膜とのストレスによりリフティングされる現象を抑えられる半導体素子の金属配線及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

If the lower-layer electrode 122, the insulating film 131 and the upper-layer electrode 143 within the short-included region 164 are removed, the interlayer short may be stably and reliably repaired.例文帳に追加

短絡包含領域164内の下層電極122、絶縁膜131および上層電極143を除去するようにすれば、安定した確実な修正が可能となる。 - 特許庁

An interlayer insulating film 29 is formed on the upper surface of a gate insulating film 22 including the electrostatic protection element 13, and contact holes 44, 45 and 46 are formed therein by photolithography.例文帳に追加

そして、静電保護素子13を含むゲート絶縁膜22の上面に層間絶縁膜29を形成した後に、フォトリソグラフィ法により、コンタクトホール44、45、46を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which is improved in a product yield and also in a product reliability, by suppressing delamination of an interlayer insulating layer.例文帳に追加

層間絶縁層の剥離を抑制し、製品の歩留まりが向上するとともに製品信頼性が向上した半導体装置を得ることができる製造方法を提供する。 - 特許庁

There is formed an opening 25 with a planer size smaller than the frame-like member 9 in the gate-metal interlayer film 5 located inside the frame-like member 9 and insulating films 17, 23 thereon.例文帳に追加

枠状部材9の内側に位置するゲート−メタル層間膜5及びその上の絶縁膜17,23に枠状部材9よりも小さい平面寸法で開口部25が形成されている。 - 特許庁

The conductive contact layer 11 contacts with the lower electrode 25 only at the bottom surface containing a corner where a bottom surface of the hole opening 20a in the second interlayer insulating layer 20 contacts with its wall surface.例文帳に追加

導電性密着層11は、第2の層間絶縁膜20におけるホール開口部20aの底面と壁面とが接する隅部を含む該底面でのみ下部電極25と接している。 - 特許庁

This double-sided pressure-sensitive adhesive sheet 11 exhibits preferable adhesion characteristic and can be repeeled without causing interlayer destruction, so it is preferable for applications, e.g. fixing a member for recycling.例文帳に追加

この両面粘着シート11は、良好な粘着特性を示し、かつ層間破壊を起こさずに再剥離することができるので、例えばリサイクル用の部品を固定する用途に好適である。 - 特許庁

To provide an electro-optic device having a layered structure comprising scanning lines, data lines, switching elements and interlayer films in which a higher transmittance for light in the layered structure is achieved.例文帳に追加

走査線、データ線、スイッチング素子、及び層間膜からなる積層構造物を備えた電気光学装置にあって、当該積層構造物における、より高い光の透過率を実現する。 - 特許庁

As an insulating film used for the TFT, for example, a gate insulating film, a protecting film, an under film, an interlayer insulating film, or the like, a silicon nitride oxide film (SiN_XB_YO_Z) containing boron is formed by a sputtering method.例文帳に追加

TFTに利用する絶縁膜、例えばゲート絶縁膜、保護膜、下地膜、層間絶縁膜等として、ボロンを含む窒化酸化珪素膜(SiN_X B_Y O_Z )をスパッタ法で形成する。 - 特許庁

To provide a visual inspection system and a visual inspection method capable of preventing the useless rejection caused by interlayer positional displacement without lowering the precision of quality decision.例文帳に追加

良否判定の精度を低下させることなく、層間の位置ずれによって生じる無駄はねを防止することができる外観検査システムおよび外観検査方法を提供する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display panel capable of reducing a minute bright spot defect by allowing a fragment of an inorganic insulating film which is formed on an interlayer film to be hardly produced.例文帳に追加

層間膜上に形成された無機絶縁膜の破片が生じ難くすることによって、微小輝点不良を低減するようにした液晶表示パネルを提供すること。 - 特許庁

To provide a glass load receiving structure of vertical band windows capable of following the great interlayer displacement of a building even though a horizontal joint between upper and lower glass panes can be made even narrower (slenderer).例文帳に追加

上下のガラス間の横目地をさらに狭く(細く)できるにも関わらず、建物の大きな層間変位に追従できる縦連続窓のガラス荷重受け構造を提供する。 - 特許庁

The interlayer film may includes the light-transmissive chromatic color resin layer and a light-blocking layer, and the light-blocking layer may be used as a film having a function of attenuating the intensity of transmitted visible light.例文帳に追加

また、有彩色の透光性樹脂層及び遮光層を含む層間膜とし、透過する可視光の光強度を減衰させる機能を有する膜として遮光層を用いてもよい。 - 特許庁

A hard pad is employed and slurry containing silica 5 treated to have a hydrophobic surface is used as the repair component of an interlayer insulation film 2 in which a Cu wire 4 is buried.例文帳に追加

ハードパッドを用い、かつCu配線4が埋め込まれる層間絶縁膜2の修復成分として、表面が疎水性になるように処理されたシリカ5を含むスラリを使用する。 - 特許庁

In this way, an aspect ratio of the depth of a contact trench 11 plus the thickness of the interlayer insulating film 10 to the opening width of the contact hole 10a is made smaller than that in a conventional manufacturing method.例文帳に追加

これにより、コンタクトホール10aの開口幅に対するコンタクト用トレンチ11の深さ+層間絶縁膜10の厚みで規定されるアスペクト比が従来と比較して小さくなる。 - 特許庁

To enable generation of a light receiving signal required for tracking control without being influenced by interlayer stray light, even if an optical disk has many recording layers, and lens shifting occurs.例文帳に追加

光ディスクが多数の記録層を有しレンズシフトが発生したときにも層間迷光による影響を受けずにトラッキング制御に必要な受光信号を生成できるようにする。 - 特許庁

To provide a method of forming an interlayer insulating film which suppresses the hinderance of a polymerization reaction and has an excellent mechanical strength and a low permittivity, and to provide a precursor solution which is used in the method.例文帳に追加

重合反応の阻害を抑制し、機械強度に優れ且つ低誘電率である層間絶縁膜を形成する方法、及び該方法に用いる前駆体溶液を提供する。 - 特許庁

Further, in the interface between the rigid portion 802 and the flexible portion 801, the end surface of the base-material layer 300 retreats to the side of the rigid portion 802 relatively to the end surface of the interlayer bonding layer 200.例文帳に追加

そして、リジッド部802とフレキシブル部801との境界において、層間接着層200の端面に対して、基材層300の端面が、リジッド部802側へ後退している。 - 特許庁

Then, the insulating film 2 including the silicon wafer 1 outside the transparent substrate 20 and a protection film 18, a gate insulating film 9, an interlayer insulation film 11, and a protection film 17 are cut and eliminated.例文帳に追加

次に、透明基板20の外側におけるシリコンウエハ1及び保護膜18を含む絶縁膜2、ゲート絶縁膜9、層間絶縁膜11及び保護膜17を切断して除去する。 - 特許庁

An interlayer dielectric film 16, wiring layers 18-24, a silicon oxide film 26, a silicon nitride film 28, a silicon oxide film 30, and wiring layers 32-36 are sequentially formed on the upper surface of the substrate.例文帳に追加

基板上面に層間絶縁膜16、配線層18〜24、シリコン酸化膜26、シリコン窒化膜28、シリコン酸化膜30及び配線層32〜36を順次に形成する。 - 特許庁

Next, wiring 18 and a bonding pad 19 are formed on the interlayer insulating film 8, and a passivation film 20 is formed to form an opening 21 to expose an aluminium layer 16.例文帳に追加

次に、層間絶縁膜8上に配線18及びボンディングパッド19を形成し、パッシベーション膜20を成膜し、開口部21を形成してアルミニウム層16を露出させる。 - 特許庁

The upper wiring 2 and the different layer wiring 3 are formed adjacent to each other, and the interlayer insulating film 4 is interposed between the adjacent wirings 2 and 3.例文帳に追加

上層配線2と異層の配線3とは隣り合うように形成されており、異層の配線3は隣り合う上層配線2との間に層間絶縁膜4を挟んで形成されている。 - 特許庁

To provide a composite membrane for an oil-immersed transformer conservator which has a high peel strength between an interlayer consisting of an EVOH film or the like and a nylon cloth layer and is excellent in a durability.例文帳に追加

EVOHフィルム等からなる中間層と、ナイロン布層との間の剥離強度が高く耐久性に優れている油入変圧器コンサベータ用複合膜を提供する。 - 特許庁

Processing of a conductive film 13 to be a capacitor lower electrode is performed in a state that the conductive film 13 is supported by an interlayer insulating film 10, a conductive film 11 and a dielectric film 12.例文帳に追加

キャパシタ下部電極となる導電性膜13は、層間絶縁膜10、導電性膜11および誘電体膜12に支持された状態で、その処理が実行される。 - 特許庁

Furthermore, when second and third interlayer insulation films 20, 30 are formed, the film formation temperature of plasma TEOS layers 23, 33 and the temperature of HDP layers 22, 32 at that time are made the same.例文帳に追加

さらに、第2および第3の層間絶縁膜20,30形成の際に、プラズマTEOS層23,33の成膜温度とそのときのHDP層22,32の温度とを同一にする。 - 特許庁

Moreover, a side wall 314 composed of the same material as the lower electrode 311 is formed in the region contacting the fourth interlayer film 308 in the side of the upper electrode 313.例文帳に追加

また、上部電極313の側面で第4の層間膜308と接する領域に下部電極311と同じ材料で構成されるサイドウォール314が形成されている。 - 特許庁

On a substrate provided with a capacitor lower part interlayer insulation film 1 and a plug 3, a line pattern by an electrode forming material 6 which reaches the plug 3 is formed by using a damascene process.例文帳に追加

まずキャパシタ下部層間絶縁膜1およびプラグ3を備える基板上に、ダマシンプロセスを用いてプラグ3まで達する電極形成材料6によるラインパターンを形成する。 - 特許庁

The electro-optic device has a layered structure comprising scanning lines 3, data lines 6, TFTs 30 and pixel electrodes 9 and various kinds of interlayer insulating films (51, 52, 53, 61, 62, 80) appropriately arranged among these elements.例文帳に追加

電気光学装置は、走査線3、データ線6、TFT30及び画素電極9と、これらの間に適宜配された各種の層間絶縁膜(51,52,53,61,62,80)からなる積層構造物を備える。 - 特許庁

Then the 1st metal film 7 formed on the 1st insulating film 4 is polished away by the CMP process, to form an interlayer connection plug 7a only in the opening part 6.例文帳に追加

その後、CMP処理により第1の絶縁膜4上に形成されている第1の金属膜7を研磨除去して、開口部6内のみに層間接続プラグ7aを形成する。 - 特許庁

At least a laminate of a gate insulation film 6 and a gate electrode 7, and an active region 13 are formed on a silicon substrate and then an underlying interlayer insulating film 10 is also formed.例文帳に追加

シリコン基板上に、ゲート絶縁膜6及びゲート電極7の積層体と、活性領域13とを少なくとも形成し、更に下地層間絶縁膜10を形成する。 - 特許庁

例文

In this electroluminescence display device, an interlayer insulator film 20 and a gate insulator film 16 which are located in the optical path of luminescence light from the organic EL element to the outside, for example, in the rear of a transparent electrode 30 are eliminated.例文帳に追加

有機EL素子から外部への発光光の光路上に位置する、例えば透明電極30の下方における層間絶縁膜20、ゲート絶縁膜16を除去する。 - 特許庁




  
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