「Interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(71ページ目) - Weblio英語例文検索

The extension 18a of the gate electrode 18 is further connected to a metal wiring formed on an upper layer by the contact that penetrates an interlayer insulating film.例文帳に追加

さらに、ゲート電極１８の延出部１８ａは、層間絶縁膜を貫通するコンタクトによって、その上層に形成されている金属配線に接続されている。 - 特許庁

To improve quality of a substrate by eliminating bleeding and projection caused by a connecting pad for interlayer connection formed by screen printing method in the manufacture of a multilayer ceramic substrate.例文帳に追加

多層セラミック基板の製造において、スクリーン印刷法で形成される層間接続用の接続パッドによるにじみや突起をなくし、基板の品質を向上する。 - 特許庁

An anionic benzophenone-type organic ultraviolet absorber is chemically bonded to the interlayer of a hydrotalcite structure to form an inorganic-organic composite in which an organic substance is guarded by an inorganic substance.例文帳に追加

アニオン性のベンゾフェノン系有機紫外線吸収剤を、ハイドロタルサイト類構造の層間に化学結合させ、有機物が無機物でガードされた無機−有機複合体にする。 - 特許庁

To reduce burning of liquid crystal or deterioration in characteristic without adding a mask in a semiconductor device including a pixel electrode and a gate wire on the same interlayer film.例文帳に追加

同一の層間膜上に画素電極と、ゲート配線を形成した半導体装置において、マスク枚数を追加することなく、液晶の焼きつきや特性劣化を低減する。 - 特許庁

In the heating process, the temperature of the interlayer compound is elevated up to a temperature exceeding any of the boiling temperature, sublimation temperature and thermal decomposition temperature of the organic compound.例文帳に追加

加熱工程では、層間化合物は、有機化合物の沸騰温度、昇華温度及び熱分解温度のいずれかの温度を超える温度になるまで昇温される。 - 特許庁

A gate insulating film 7, an lower pixel electrode 12, an interlayer insulating film 23 and an upper pixel electrode 24 are arranged in this order on a transparent insulation substrate 1a.例文帳に追加

透明絶縁性基板１ａ上に、ゲート絶縁膜７、下層画素電極１２、層間絶縁膜２３及び上層画素電極２４がこの順に配置されている。 - 特許庁

To provide the trimming equipment for an interlayer for laminated glass capable of enhancing production efficiency and also of contemplating to shorten production lines, and a method therefor.例文帳に追加

生産効率を高めることができるとともに生産ラインの短縮化を図ることができる合わせガラス用中間膜のトリミング装置及びその方法を提供する。 - 特許庁

The interlayer insulating film 40 where the opening 100' is formed is obliquely dry-etched with respect to the surface of the semiconductor substrate 20 with the resist pattern 50 as the mask.例文帳に追加

そして、このレジストパターン５０をマスクに、開口部１００´が形成された層間絶縁膜４０を半導体基板２０表面に対して斜めにドライエッチングする。 - 特許庁

The dielectric layer 220 further has an interlayer flattening dielectric layer 230 adjacent to the interconnection layer 210 and a passivation layer 240 adjacent to the layer 230.例文帳に追加

誘電体層(220)は、さらに、相互接続層(210)に隣接する層間平坦化誘電体層(230)と、層間平坦化誘電体層(230)に隣接するパッシベーション層(240)を備える。 - 特許庁

Fluorine and nitrogen are taken into undercoat, gate insulating, and interlayer insulating films within a range of 1×10^19 to 2×10^20 cm^-3.例文帳に追加

アンダーコート膜、ゲート絶縁膜、層間絶縁膜およびパッシベーション膜にフッ素および窒素を１×１０^19ｃｍ^-3から２×１０^20ｃｍ^-3の範囲だけ取り込ませる。 - 特許庁

An etching stopper layer 54a superposed on the end of the second electrode 53a across the whole circumference is provided at the interlayer between the first electrode 51a and the second electrode 53a.例文帳に追加

第１電極５１ａと第２電極５３ａとの層間には、第２電極５３ａの端部に全周にわたって重なるエッチングストッパー層５４ａが設けられている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can shorten the etching time for forming a via hole in an interlayer insulation film and which can hardly crack.例文帳に追加

層間絶縁膜に対しビアホール形成のために行うエッチングの時間を短縮することができるとともにクラックが入りにくくすることができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

The flexible printed wiring board 1 has constitution wherein an interlayer connection 6 is formed of a complex of solder 7a and metal particles 7b included in the solder 7a.例文帳に追加

本発明のフレキシブルプリント配線板１は、層間接続部６が半田７ａと半田７ａに内包された金属粒子７ｂとの複合体で形成された構成を有する。 - 特許庁

The interlayer film has an insulator film provided on the gate electrode and a conductive film provided on the insulator film and is embedded in the upper part of the gate trench.例文帳に追加

層間膜は、ゲート電極の上に設けられた絶縁膜と、絶縁膜の上に設けられた導電性を有する膜とを有し、ゲートトレンチの上部に埋め込まれている。 - 特許庁

Consequently, after its treatment, the copper foil and an interlayer insulating layer under it are worked by a laser machining operation with satisfactory working efficiency, and the satisfactory via hole is formed.例文帳に追加

したがって，処理後に，レーザ加工によりその銅箔およびその下の層間絶縁層を加工する際の加工効率がよく，良好なビアホールが形成される。 - 特許庁

To suppress the film peeling caused by a test-use semiconductor device provided on a dicing line in a semiconductor apparatus using a Low-k insulating film as an interlayer insulating film.例文帳に追加

層間絶縁膜にＬｏｗ−ｋ絶縁膜を用いた半導体装置でのダイシングライン上に設けられたテスト用半導体素子起因の膜ハガレを抑制する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method for simultaneously depositing and forming an AlCu plug filling a connection hole and an AlCu wiring formed on an interlayer insulating film.例文帳に追加

接続ホールを埋め込むＡｌＣｕプラグと層間絶縁膜上に形成するＡｌＣｕ配線とを同時に堆積形成する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

After the surface of a semiconductor substrate 7 on which a transistor 3, and the like, are formed is coated with an interlayer insulation film 6, a lower electrode 11a for a capacitor is formed of ruthenium.例文帳に追加

トランジスタ３などが形成された半導体基板７の表面を層間絶縁膜６で覆った後、ルテニウムからなるキャパシタ用下部電極１１ａを形成する。 - 特許庁

When the cap layer 4 is projecting convexly from the surface position of the interlayer dielectric 9, the cap layer 4 is removed by CMP employing ceria based slurry.例文帳に追加

層間絶縁膜９の表面位置からキャップ層４が凸状に突き出ている場合には、セリア系スラリーを用いたＣＭＰ法によってキャップ層４は除去される。 - 特許庁

Insulating failures are also prevented by repeating the deposition of the metal oxide thin film and the oxidation processing of the surface to form the interlayer insulating film in a multilayer.例文帳に追加

また、金属酸化物薄膜の堆積と表面の酸化処理を繰り返し行って層間絶縁膜を多層化することによっても絶縁不良を防止することができる。 - 特許庁

The second interlayer insulating film remaining in the second hole is selectively removed and the first diffusion prevention film positioned below the second hole is selectively removed.例文帳に追加

第２のホール内に残存する第２の層間絶縁膜を選択的に除去し、第２のホールの下方に位置する第１の拡散防止膜を選択的に除去する。 - 特許庁

To provide laminated glass using an interlayer for sound insulation laminated with the three polyvinyl acetal layers where bubbles generated in a soft central layer existing very near a resin molding are suppressed.例文帳に追加

３層のポリビニルアセタール層を積層した遮音用中間膜を用いた合わせガラスでは、樹脂モールディングのごく近傍の柔らかい中央の層に気泡が発生する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method materializing integrated circuit wiring improved in secure embedding of an interlayer insulating film and in stress migration resistance of the same.例文帳に追加

層間絶縁膜の確実な埋め込み、ストレスマイグレーション耐性が向上する集積回路配線を実現する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The sheetlike material has a coating film layer on a fibrous substrate in which the coating film layer comprises a polyurethane resin and a phosphorus-containing graphite interlayer compound.例文帳に追加

繊維質基材上に皮膜層を有するシート状物であって、皮膜層がポリウレタン樹脂とリンを含有するグラファイト層間化合物とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

Gate signal lines 203 and source signal lines 204 are partly overlapped with pixel electrodes through an interlayer insulating film consisting of an org. material formed on the pixel electrodes.例文帳に追加

ゲート信号線２０３およびソース信号線２０４がその上に設けられた有機材料からなる層間絶縁膜を間に介して画素電極と一部重なっている。 - 特許庁

A gate electrode 6 is formed on the islandlike silicon layer 4 with an insulating film 5 interposed between them, and an interlayer insulating film 7 is formed to cover the gate electrode 6.例文帳に追加

島状シリコン層４上に絶縁膜５を介在させてゲート電極６が形成され、そのゲート電極６を覆うように層間絶縁膜７が形成されている。 - 特許庁

A nonvolatile semiconductor memory device comprises a gate stack which has a tunnel oxide film, a floating gate, an interlayer insulating film, and a control gate sequentially formed on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上にトンネル酸化膜、フローティングゲート、層間絶縁膜及びコントロールゲートが順次に形成されたゲートスタックを含む不揮発性半導体メモリ素子である。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device includes a step of forming an interlayer insulating film on a silicon substrate, and a step of forming metallic wirings in which barrier metal layer contains titanium.例文帳に追加

本発明では、バリアメタルにチタンを含む膜を使用した場合であっても、界面準位を低減することができる半導体装置の製造方法を提案する。 - 特許庁

In the manufacturing method for an organic EL device 11, a pixel electrode 24 and a base electrode 55 that are made of aluminum and other materials are first formed on a second interlayer insulating film 37.例文帳に追加

有機ＥＬ装置１１の製造方法は、まず、第２層間絶縁膜３７上にアルミニウム等からなる画素電極２４及び下地電極５５を形成する。 - 特許庁

To improve the reliability of a high frequency circuit, by preventing exfoliation of a benzocyclobutene film which is used as an interlayer insulating film of the circuit.例文帳に追加

高周波回路とその製造方法に関し、回路の層間絶縁膜として使用するベンゾシクロブテン膜の剥離を防ぎ、信頼性を向上させることを目的とする。 - 特許庁

The phase conversion film having a dent in a halo-region defined by the spacer pattern is formed on the substrate having the interlayer insulating film and spacer pattern in the halo-region.例文帳に追加

スペーサパターンで定義したハロ領域内に層間絶縁膜及びスペーサパターンを有する半導体基板上にハロ領域内にデントを有する相変換膜を形成する。 - 特許庁

Interlayer insulation films 5, 7 (insulation coating) lying in a memory capacitor cell 8 are formed between a gate electrode 3 and an opposite electrode 8C installed on a silicone wafer 1.例文帳に追加

メモリキャパシタセル８に備わる層間絶縁膜５，７（絶縁被膜）は、シリコンウェハ１上に設けられたゲート電極３と対向電極８Ｃとの間に形成されたものである。 - 特許庁

To prevent increase of circuit area and power consumption by performing focal point detection (focus pull-in) processing of laser spot or interlayer movement (focus jump) processing with high sampling.例文帳に追加

レーザースポットの合焦点検出（フォーカス引き込み）処理、あるいは層間移動（フォーカスジャンプ）処理を高いサンプリングで行い、かつ回路の面積増加、消費電力の増加を防ぐ。 - 特許庁

The variation of the misalignment amounts of an interlayer pattern is monitored from the occurring amounts of defects in the misalignment amounts of a plurality of test patterns having different misalignment amounts.例文帳に追加

異なる合わせずれ量を持った複数のテストパターンのそれぞれの合わせずれ量に対する欠陥の発生量から層間パターンの合わせずれ量の変動をモニタする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of semiconductor device for easily manufacturing semiconductor device wherein the interlayer insulating film of a certain film held between multilayer wires includes thinner portions.例文帳に追加

多層配線に挟まれたある層の層間絶縁膜が厚薄各部分を有する半導体装置を容易に製造可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor package multilayer board having a highly reliable interlayer connection between wiring layers which is excellent in productivity and economical efficiency.例文帳に追加

層間の接続信頼性が高く、生産性、経済性に優れる配線層間の層間接続を有する半導体パッケージ多層基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a fluorine-containing elastomer for lamination of adhesive-coated metal in which interlayer adhesiveness to metal enabling direct lamination to metal is improved.例文帳に追加

金属に対して直接積層が可能であるという金属に対する層間接着性を改善せしめた接着剤塗布金属積層用含フッ素エラストマーを提供する。 - 特許庁

The manufacturing method includes a sputter film forming process for forming a barrier film 116 having tantalum or tantalum nitride as a main component by sputtering, which uses a xenon gas, on an interlayer insulating film 113.例文帳に追加

層間絶縁膜１１３上に、キセノンガスを用いたスパッタリングで、タンタルまたは窒化タンタルを主成分とするバリア膜１１６を形成するスパッタ成膜工程を備える。 - 特許庁

The multilayer circuit board is arranged such that a conductive pattern 3 or interlayer connectors are disposed between insulating layers that constitute a multilayer, with a semiconductor bare chip 5 being embedded therein.例文帳に追加

多層配線基板を、多層の絶縁層間に導体パターン３や層間接続部を設けて構成すると共に、半導体ベアチップ５を埋込まれた形態で設けて構成する。 - 特許庁

An insulating hydrogen anti-permeation film 116 is formed to cover the capacitor element 114, the conductive hydrogen anti-permeation film 115 and the first interlayer insulation film 106.例文帳に追加

容量素子１１４、導電性水素透過防止膜１１５及び第１の層間絶縁膜１０６を覆うように絶縁性水素透過防止膜１１６が形成されている。 - 特許庁

A boundary face 18a between the nickel silicide film 18 and the contact plug 21 is higher than a boundary face 10a between the semiconductor substrate 10 and the interlayer insulator film 11.例文帳に追加

このニッケルシリサイド膜１８は、ニッケルシリサイド膜１８とコンタクトプラグ２１の界面１８ａが半導体基板１０と層間絶縁膜１１の界面１０ａより高い。 - 特許庁

A second hydrogen barrier film 11 is formed on the interlayer film 15, and further, a second insulating film 12 is formed on the second hydrogen barrier film 11.例文帳に追加

層間膜１５の上には、第２の水素バリア膜１１が形成されており、さらに第２の水素バリア膜１１の上に第２の絶縁膜１２が形成されている。 - 特許庁

The TiN/Ti film 10 is formed on the wafer 1, and by fixing the wafer 1 using the shadow ring 11, a tungsten film 12 is formed on the interlayer insulating film 8.例文帳に追加

そして、ウェハ１上にＴｉＮ／Ｔｉ膜１０を形成し、シャドーリング１１を用いてウェハ１を抑え、層間絶縁膜８上にタングステン膜１２を形成する。 - 特許庁

A copper seed film 4 containing a copper and a first metal element is formed in a groove 2 formed in a first interlayer film 1 over a semiconductor substrate.例文帳に追加

本発明では、半導体基板上の第一層間膜１内に形成された溝２内に、銅と第一金属元素とを含有する銅シード膜４を形成する。 - 特許庁

The material contains inorganic fine particles obtained by hydrolyzing a metal alkoxide and being present as a dispersing phase in a continuous phase and an interlayer-peeled laminar compound.例文帳に追加

連続相中に分散相として存在し金属アルコキシドを加水分解することによって得られた無機微粒子と、層間剥離させた層状化合物とを含有する。 - 特許庁