「Interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(72ページ目) - Weblio英語例文検索

Hereby, fluorine is bonded to the hydrogen and is discharged as hydrogen fluoride even in a case where the fluorine is mixed into the insulating film 12 or the interlayer insulating film 41.例文帳に追加

このため、絶縁膜１２や層間絶縁膜４１にフッ素が混入していた場合でも、かかるフッ素は、水素と結合してフッ化水素として放出される。 - 特許庁

To provide a porous interlayer dielectric film forming large holes without enlarging the diameter of a ring of cyclic siloxane used as a raw material and without using a hole forming agent.例文帳に追加

原料である環状シロキサンの環の径を大きくすることなく、かつ空孔形成剤を用いることなく、大きな空孔を形成する多孔質層間絶縁膜を提供する。 - 特許庁

At least one capacitor trench region is arranged through the metal interlayer insulating film to expose the second capping film on the lower metal electrode.例文帳に追加

前記金属層間絶縁膜を貫いて少なくとも一つのキャパシタトレンチ領域が配置され、前記下部金属電極上の前記第２キャッピング膜を露出させる。 - 特許庁

Then interlayer insulating films 12 are formed on the upper surfaces of the gate electrode 4, the sidewall insulating film 6 and the 1st electrode 9 to store spaces 14.例文帳に追加

次に、ゲート電極４上面、側壁絶縁膜６上面および第１の電極９上面に層間絶縁膜１２を形成し、空間部１４を内蔵させる。 - 特許庁

By a plasma generated inside the processing chamber 102, the contact hole of the prescribed shape is formed in an interlayer insulation film layer, consisting of the organic low dielectric constant material of the wafer W.例文帳に追加

処理室１０２内で生成されたプラズマにより，ウェハＷの有機系低誘電率材料から成る層間絶縁膜層に所定形状のコンタクトホールが形成される。 - 特許庁

An interlayer insulating film 8 is formed on a semiconductor substrate 1 by performing plasma CVD after a metal film 2 is formed on the backside of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１の裏面に金属膜２を形成した後、プラズマＣＶＤを行なうことにより、半導体基板１上に層間絶縁膜８を形成する。 - 特許庁

The interlayer dielectric 8 has a structure that an HDP (High Density Plasma) layer 10, a gettering layer 12 and an NSG (None-doped Silicate Glass) 11 are laminated in order from the semiconductor substrate 2 side.例文帳に追加

そして、層間絶縁膜８は、半導体基板２側から順に、ＨＤＰ膜１０、ゲッタリング層１２およびＮＳＧ膜１１が積層された構造を有している。 - 特許庁

To completely suppress peeling of interlayer film resulting from weakness in strength of close contact of a low-k film and damage generated during the dicing process.例文帳に追加

本発明は、ｌｏｗ−ｋ膜の密着強度の弱さやダイシング時のダメージに起因する、層間膜剥がれを抑制できるようにすることを最も主要な特徴としている。 - 特許庁

On the second interlayer insulating film 8, a via 12 that is connected to the bottom face of the upper layer wiring 10 and consists of a metallic material containing Cu is formed in a feed-through manner.例文帳に追加

また、第２層間絶縁膜８には、上層配線１０の底面に接続され、Ｃｕを含む金属材料からなるビア１２が貫通形成されている。 - 特許庁

A linearly polarized light separating plate 12 contained in a sticking plate 10 to be stuck to a liquid crystal display cell 1 is formed by using the multilayered film having comparatively weak interlayer cohesive strength.例文帳に追加

液晶表示セル１に貼合する貼合板１０に含まれる直線偏光分離板１２は、層間の凝集強度が比較的弱い多層フィルムで形成される。 - 特許庁

To provide an electro-optical device in which an upper layer side and lower layer side of planarized interlayer insulating films can be exactly connected without undergoing intricate processing.例文帳に追加

煩雑な処理を経ることなく平坦化された層間絶縁膜の上層側と下層側とを的確に電気的に接続することができる電気光学装置を提供する。 - 特許庁

A conductive member 17 is filled inside the common through-hole 18 of the interlayer insulating film 16 and at the same time, is brought into contact with both the region 12a and electrode 14.例文帳に追加

導電性部材１７は、層間絶縁膜１６の共通透孔１８の内部に充填され且つ領域１２ａと電極１４の双方に接触する。 - 特許庁

Through holes 36 are made through a core board 30 and a lower interlayer resin insulation layer 50 and via holes 66 are made immediately above the through holes 36.例文帳に追加

コア基板３０及び下層層間樹脂絶縁層５０を貫通するようにスルーホール３６を形成し、スルーホール３６の直上にバイアホール６６を形成してある。 - 特許庁

Next, a three-layer film 82 is formed on the surface of the second low-resistance layer 111, the inner wall surface of a contact hole 681 and the surface of a second interlayer insulation film 42.例文帳に追加

続いて、第２低抵抗層１１１の表面、コンタクトホール６８１の内壁面及び第２層間絶縁膜４２の表面に上述した三層膜８２を形成する。 - 特許庁

To provide an evaluating method capable of smoothly evaluating separation performance (interlayer separation characteristics) of S-shaped curves in an optical pickup device and to provide a test disk used for the same.例文帳に追加

光ピックアップ装置におけるＳ字カーブの分離性能（層間分離特性）を円滑に評価し得る評価方法およびそれに用いるテストディスクを提供する。 - 特許庁

To effectively turn over a page of a bankbook irrespective of a nature or paper quality of each of interlayer sheets of the bankbook in a bankbook page turning-over apparatus using a turning-over roll.例文帳に追加

めくりローラを用いる通帳頁めくり装置において、通帳の中紙の癖や紙質に関わりなく、確実に頁めくりが実行されるようにする。 - 特許庁

In this case, the contact hole 44 is formed so as to continue to the interlayer film 29 and the gate insulating film 22, whereby the contact hole forming step can be reduced once.例文帳に追加

この場合、層間絶縁膜２９およびゲート絶縁膜２２に連続してコンタクトホール４４を形成することにより、コンタクトホール形成工程を１回減らすことができる。 - 特許庁

An interlayer connection conductor 10 is formed of a conductive material filling a through hole 14 that is formed by connecting the first and second taper holes 14p, 14q.例文帳に追加

層間接続導体１０は、第１のテーパー孔１４ｐと第２のテーパー孔１４ｑとが接続されてなる貫通孔１４に充填された導電材料により形成される。 - 特許庁

The coating film 2 is provided up to the one face of the substrate 10 and covered with an interlayer insulating layer 32 provided on the one face of the substrate 10.例文帳に追加

被覆膜２は基板１０の一方の面の上にまで設けられ、かつ被覆膜２は基板１０の一方の面の上に設けられた層間絶縁層３２に覆われている。 - 特許庁

A conductive layer 34P on a core substrate 30 is formed so as to have a thickness of 30μm, and a conductive circuit 58 on an interlayer resin insulation layer 50 is formed so as to have a thickness of 15μm.例文帳に追加

コア基板３０上の導体層３４Ｐを厚さ３０μｍに形成し、層間樹脂絶縁層５０上の導体回路５８を１５μｍに形成する。 - 特許庁

The power terminal of an LSI 21 is connected to an interlayer connection conductor 20V via an electrically conductive copper foil pattern 21Va partly formed in a signal layer 11.例文帳に追加

ＬＳＩ２１の電源端子は、信号層１１に部分的に形成された導電性の銅箔パターン２１Ｖａを介して、層間接続導体２０Ｖに接続されている。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition having high heat resistance and a low dielectric constant and suitable for an interlayer insulating film, and to provide a liquid crystal display element using the same.例文帳に追加

耐熱性が高く誘電率の低い層間絶縁膜に好適な感放射線性樹脂組成物およびそれを用いた液晶表示素子を提供する。 - 特許庁

To obtain a method for fabricating a semiconductor element in which a trouble, e.g. corrosion or short circuit, incident to a silicon oxide film doped heavily with fluorine and employed as an interlayer insulation film is controlled.例文帳に追加

半導体素子の製造において、高濃度フッ素含有シリコン酸化膜を層間絶縁膜とすることに伴い発生する腐食やショート等のトラブルを制御する。 - 特許庁

To provide a displacement angle measuring unit that can be easily mounted to a structure, dispenses with any complex configuration, or the like, and can continuously measure the interlayer displacement angle of the structure.例文帳に追加

構造物に簡単に取り付けることができ、複雑な構成など必要なく、継続的に構造物の層間変位角を測定できる変位角測定装置を提供する。 - 特許庁

For a main magnetic film, 88FeNi of film thickness of 200 nm which becomes Hk0.32Oe (25.6 A/m) at minimum is used, and as an interlayer material, a 20 wt% FeNi film is selected which is the same FeNi system plating film and has low Hk and low Hc.例文帳に追加

主となる磁性膜は最小Hk0.32Oe(25.6A/m)となる膜厚200nmの88FeNiを使用し、層間材料として、同じFeNi系めっき膜で低Hkかつ低Hcを有する20wt%FeNi膜を選定した。 - 特許庁

To provide an anti-reflection laminated body wherein adhesiveness of an interlayer between a hard coat layer and an anti-reflection layer is enhanced and has both of reflection preventing performance and scratch resistance.例文帳に追加

ハードコート層と反射防止層との層間の密着性を向上し、しかも反射防止性能と耐擦傷性を兼ね備えた反射防止積層体を提供すること。 - 特許庁

To improve electric characteristics and process stability by suppressing the deterioration of degree of margin of deviation in the mating of lithography treatment of an interlayer wiring structure accompanied by a detailed circuitry designing rule.例文帳に追加

回路設計ルールの微細化に伴う層間配線構造におけるリソグラフィ処理合わせズレの余裕度の低下を抑制して電気的特性、プロセス安定性を高める。 - 特許庁

And by coating the interlayer and the electrolyte using the screen printing, the electrolyte can be coated simply and reliably, a provisional hardening of the fuel electrode unnecessary.例文帳に追加

また、中間層や電解質をスクリーン印刷法により塗布することで、簡易、確実に電解質を塗布することができ、しかも燃料極を仮焼することが不要となる。 - 特許庁

Thereafter, the interlayer insulating film 6 is polished through a CMP method until it is flush with the platinum film 5, which serves as a lower electrode.例文帳に追加

この後、層間絶縁膜６をＣＭＰ法により層間絶縁膜６の表面と下部電極となる白金膜５の表面が同じ高さで平坦になるまで研磨を行なう。 - 特許庁

The low dielectric constant interlayer insulating film is etched, and when a wiring hole and a trench are finely processed, a mixture gas obtained by adding NH_3 to a fluorocarbon gas is introduced to etch.例文帳に追加

低誘電率層間絶縁膜をエッチングし、配線用のホール、トレンチを微細加工する際に、フッ化炭素ガスにＮＨ_３を添加した混合ガスを導入してエッチングする。 - 特許庁

A contact plug 40, which is electrically connected to an impurity diffusion region between sidewalls of two adjacent memory cells 1, is provided by penetrating an interlayer insulation film 18.例文帳に追加

隣り合う２つのメモリセル１のサイドウォール間の不純物拡散領域に電気的接続されるコンタクトプラグ４０が、層間絶縁膜１８を貫通して設けられている。 - 特許庁

A horizontal progress of the light reflected irregularly in the interlayer insulating film 6 is checked by the shading wall 11 and the shading film 7, and the light does not enter into the other pixels.例文帳に追加

層間絶縁膜６内を乱反射した光は、遮光壁１１及び遮光膜７によって水平方向の進行は阻止され、他の画素に侵入することはない。 - 特許庁

The build-up layer 31 has a structure that interlayer insulation layers 33 and 35 and a conductive layer 42 are alternately laminated on the core main surface 12 and the chip main surface 102.例文帳に追加

ビルドアップ層３１は、層間絶縁層３３，３５及び導体層４２をコア主面１２及びチップ主面１０２の上にて交互に積層した構造を有する。 - 特許庁

To provide an anti-counterfeit paper which has no delamination and has excellent portability by adopting paper for a base material of a thread and enhancing interlayer strength between the thread and a sheet-shaped base material.例文帳に追加

スレッドの基材に紙を採用して、スレッドとシート状基材との層間強度を高めて、層間剥離がなく、携帯性に富む偽造防止用紙を提供する。 - 特許庁

Then, a body region 5, a drain region 4, a source region 9 and a body contact region 10 are formed, and an interlayer dielectric 11 is stacked on the epitaxial layer 3.例文帳に追加

そして、ボディ領域５、ドレイン領域４、ソース領域９およびボディコンタクト領域１０の形成後、エピタキシャル層３上に層間絶縁膜１１を積層する。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a semiconductor device which can secure a gap fill characteristic in forming an interlayer insulation film, and prevent an opening failure in forming a contact hole.例文帳に追加

層間絶縁膜の形成時にギャップフィル特性を確保でき、コンタクトホールの形成時に開口不良を防止できる半導体素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

A metal wiring 171 among the metal wiring 17 is related to a selective open hole 15 on the interlayer insulating film 14, and has a region connected to the silicide layer 12.例文帳に追加

金属配線１７のうち金属配線１７１は、層間絶縁膜１４上の選択的な開孔部１５に関係し、シリサイド層１２と接続される領域を有する。 - 特許庁

To provide a container for packaging food or medical care comprising a gas barrier laminate excellent in quality preserving property and transparent and in which interlayer delamination is suppressed even under high temperature and high pressure condition.例文帳に追加

品質保存性に優れ透明で、高温高圧でも層間剥離の抑制されたガスバリア性積層体からなる食品または医療用包装用容器を提供する。 - 特許庁

To manufacture a superconducting tunnel junction element by using a material having excellent insulating characteristics and a low-dielectric-constant property for an interlayer insulating film.例文帳に追加

層間絶縁膜に用いる材料として、絶縁特性が良く、低誘電率特性を示す材料を用いて、超伝導トンネル接合素子を作製することを目的としている。 - 特許庁

In the peeling process S3, the protective films joined to each other are successively peeled off by sequentially lifting them up via the tape so that an interlayer insulating material may be left on the substrate.例文帳に追加

剥離工程Ｓ３では、互いに繋がれた保護フィルムを、テープを介して順次持ち上げることにより、保護フィルムを連続的に剥離して層間絶縁材を基板に残す。 - 特許庁

An interlayer-insulating film 24 is deposited on a silicon substrate 11 on which MOS transistors 13, 14 are formed, and plugs 26, 27 are formed in a memory cell region Rmemo.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタ１３、１４が形成されているシリコン基板１１の上に、層間絶縁膜２４を堆積し、メモリセル領域Ｒmemoにプラグ２６、２７を形成する。 - 特許庁

The polyester film for the support for forming an interlayer dielectric is the polyester film for use as the support for coating a thermosetting resin forming the interlayer dielectric, wherein an amount of film surface oligomer (cyclic trimer) upon heat treatment at 180°C for 10 minutes is ≤3.0 mg/m^2 on at least one face of the film.例文帳に追加

層間絶縁層を形成する熱硬化性樹脂を塗布するための支持体として使用されるポリエステルフィルムであって、１８０℃で１０分間熱処理した時のフィルム表面オリゴマー（環状三量体）量がフィルムの少なくとも片面において３．０ｍｇ／ｍ^２以下であることを特徴とする層間絶縁層形成支持体用ポリエステルフィルム。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a multilayer printed wiring board having high interlayer connection reliability while high producibility is maintained, and to provide the multilayer printed wiring board with high interlayer connection reliability by collectively forming a via part and a resin layer, whose thickness variation is small and whose surfaces flatness is high by peeling and transferring.例文帳に追加

本発明は、剥離転写により厚みのバラツキが小さく表面の平坦性が高いビア部と樹脂層を一括形成することで、高い層間接続信頼性を持つ多層プリント配線板を低コストで高い生産性を維持しながら作製可能な製造方法及び層間接続信頼性の高い多層プリント配線板の提供を目的とする。 - 特許庁

The projection 13 is formed by processes of forming an interlayer restricting layer 14 which contains shrinkage restraining organic material powder that is not sintered in a burning process of obtaining the multilayered ceramic board 1 in a region around the cavity, 4 and more largely shrinking the ceramic layer 2 than the interlayer restricting layer 14 in the burning process.例文帳に追加

突出部１３は、多層セラミック基板１を得るための焼成工程で焼結しない収縮抑制用無機材料粉末を含む層間拘束層１４をキャビティ４の周囲領域に形成しておき、焼成工程において、この層間拘束層１４に比べて、セラミック層２側をより大きく収縮させることによって形成される。 - 特許庁

In the lyophilic bank 14a, an opening 15 is formed at a position raised in a projecting shape by stacking first and second wires 12A and 12B and a power feed line LZ on a second interlayer insulation layer S2 through an insulation layer M and first and second interlayer insulation layers S1 and S2, respectively, whereby the raised part is eliminated.例文帳に追加

この親液性バンク１４ａは、第２の層間絶縁層Ｓ２上の、第１及び第２の配線１２Ａ，１２Ｂ及び給電線ＬＺがそれぞれ絶縁層Ｍ、第１及び第２の層間絶縁層Ｓ１，Ｓ２を介して積層されることで凸形状に盛り上った位置に開口部１５を形成して、その盛り上がり部分をなくした。 - 特許庁