「Interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(70ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a photosensitive resin composition showing excellent developability in patterning a calcined product thereof and showing excellent adhesiveness to a substrate and excellent interlayer adhesiveness after calcined.例文帳に追加

焼成物パターン形成において、現像性に優れ、焼成後の基板への密着性及び層間の密着性に優れた感光性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

Even if stress is concentrated due to heat treatment or the like, the stress is distributed to the main wall and the sub-wall, hardly causing interlayer separation or cracks.例文帳に追加

熱処理等により応力が集中したとしても、この応力が主壁部及び副壁部に分散されるため、層間の剥離及びクラックが生じにくくなる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a display device capable of high-densely arranging and forming fine connection parts while maintaining surface flatness on a thick interlayer dielectric.例文帳に追加

厚膜の層間絶縁膜に、表面平坦性を維持しつつ微細な接続部を高密度に配置形成することが可能な表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a wiring board where the balance between the quality of pores and the productivity is taken, in the manufacture of a double-sided wiring board which has an interlayer connection in high density.例文帳に追加

高密度な層間接続を有する両面配線板の製造において、穴品質と生産性のバランスの取れた配線板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The drain interconnection 15 intersects with the source interconnection 10 in planar view, and at least this intersecting portion is separated in a floating state from the third interlayer insulation film 14.例文帳に追加

ドレイン配線１５は、平面視でソース配線１０と交差し、少なくともこの交差部分が第３層間絶縁膜１４から浮いた状態で離間している。 - 特許庁

To provide a support structure of glass plate, which regularly stably and safely supports a glass plate without causing a local load in the glass plate resulting from interlayer displacement.例文帳に追加

本発明は、層間変位に起因してガラス板に局所的負荷を生じさせることなく常に安定で安全にガラス板を支持できるガラス板の支持構造を提供する。 - 特許庁

The wiring laminate 31 has interlayer insulating layers 33 and 35, and a conductor layer 42 laminated alternately on a core main surface 12 and a capacitor main surface 102.例文帳に追加

配線積層部３１は、層間絶縁層３３，３５及び導体層４２をコア主面１２及びキャパシタ主面１０２の上にて交互に積層した構造を有する。 - 特許庁

To enhance conduction reliability of a multilayered wiring board having a structure in which interlayer conduction is obtained through conductive paste filled in a via hole, in the environment of cooling and heating cycles.例文帳に追加

ビアホールに充填した導電性ペーストにより層間導通を得る構造の多層配線板において、冷熱サイクルの環境下における導通信頼性を高める。 - 特許庁

To obtain a saponified material of ethylene-vinyl acetate copolymer providing a molded product excellent in surface smoothness, melting extrusion stability, drawdown resistance, interlayer adhesion and gas barrier properties.例文帳に追加

成形物の表面平滑性、溶融押出安定性、耐ドローダウン性、層間接着性及びガスバリアー性に優れたエチレン−酢酸ビニル共重合体けん化物を提供する。 - 特許庁

In this case, the thermal expansion of the metal wiring 3 upon forming the interlayer insulating film 5 is suppressed by the coupling force of the metal wiring 3 and the high melting point metal films 2, 4.例文帳に追加

そして、メタル配線３と高融点金属膜２，４の結合力により、層間絶縁膜５を形成する際のメタル配線３の熱膨張を抑制する。 - 特許庁

By this setup, the interlayer insulating film 11 functions as a buffer layer relaxing thermal stress so as to prevent the circuit unit from deteriorating its reliability due to internal stress.例文帳に追加

このことにより、層間絶縁膜１１が熱応力を緩衝する層として機能し、内部応力による装置の信頼性の低下を防止することができる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a connecting structure for materializing an interlayer connection or the like which is high in density of integration or productivity and is extremely low in connection resistance.例文帳に追加

集積密度や生産性が高くかつ接続抵抗がきわめて低い層間接続等を実現するための接続構造の製造方法を提供すること。 - 特許庁

A silicon oxide film 21 is formed as an interlayer insulating film on the SiC film 20, and contact plugs 22, 23, 24 are buried through the silicon oxide film 21 and the SiC film 20.例文帳に追加

この上に層間絶縁膜としてシリコン酸化膜２１が形成され、シリコン酸化膜２１及びＳｉＣ膜２０を貫通してコンタクトプラグ２２，２３，２４が埋め込まれる。 - 特許庁

On the primary surface MS, interlayer insulating layers 11 are located between the interface of the p-type base regions 3 with the n-type emitter regions 4 and ends of contact holes 11a.例文帳に追加

主表面ＭＳにおいてｐ型ベース領域３およびｎ型エミッタ領域４の境界とコンタクトホール１１ａの端部との間に層間絶縁層１１が位置している。 - 特許庁

Moreover, the next interlayer insulation film 122 of the SiO_2 system is also formed and the connecting holes 161, 162 are respectively provided for the metal wiring layer 13.例文帳に追加

さらに、次のＳｉＯ_２系の層間絶縁膜１２２が形成されており、メタルパターン１５、メタル配線層１３それぞれへの接続孔１６１，１６２が設けられている。 - 特許庁

To prevent pyrolysis gas or a bubble from remaining at an interlayer connection of a multilayer substrate by filling a resin film composing the multilayer substrate appropriately with a conductive material.例文帳に追加

多層基板を構成する樹脂フィルムに導電材料を適切に充填して、多層基板の層間接続部に熱分解ガスや気泡が残存することを抑制する。 - 特許庁

A desirable wiring trench is formed by ultra violet lithography using insulation film comprising essentially of polysilazane as an interlayer insulation film 404 with ultraviolet ray photoactivity.例文帳に追加

層間絶縁膜４０４として、ポリシラザンを主成分とした対紫外線感光性を有する絶縁膜を使用し、紫外線リソグラフィーにより、所望の配線溝を形成する。 - 特許庁

Metal wiring patterns WP constituting semiconductor device circuits realize a multilayer interconnection structure at an inner circuit side through interlayer dielectrics IL and vias VIA.例文帳に追加

内部回路側では半導体素子回路を構成する金属配線パターンＷＰが層間絶縁膜ＩＬ及びビアＶＩＡを介して多層配線構造を実現している。 - 特許庁

In this invented build-up multilayer PCB manufacturing, non- through holes between resin interlayer dielectric layer are made by a blasting to form via holes.例文帳に追加

本発明では、ビルドアップ多層プリント配線板の製造において、ビアホール形成のために層間樹脂絶縁層に非貫通穴を形成する工程を、ブラスト処理により行う。 - 特許庁

A composition for forming the interlayer for laminated glass contains an ethylene-vinylacetate copolymer and a compound having alkyleneoxy group.例文帳に追加

本発明は、エチレン酢酸ビニル共重合体と、アルキレンオキシ基を有する化合物と、を含む合わせガラス用中間膜形成用組成物により上記課題を解決する。 - 特許庁

To provide a vanadium dioxide particle dispersion obtained by finely dispersing vanadium dioxide particles in a liquid plasticizer; an interlayer for laminated glass excellent in thermochromic properties; and laminated glass.例文帳に追加

二酸化バナジウム粒子が液状可塑剤中に微分散した二酸化バナジウム粒子分散液、サーモクロミック性に優れた合わせガラス用中間膜及び合わせガラスを提供する。 - 特許庁

To manufacture a semiconductor device having a multilayer wiring structure without peeling of an interlayer film and of metal wiring and with an easy and simple process.例文帳に追加

層間膜や金属配線の剥がれを生じることなく、しかも容易かつ簡素な工程で多層配線構造を有する半導体装置を製造できるようにする。 - 特許庁

The interlayer film-forming composition for laminated glass containing an ethylene-vinyl acetate copolymer and a carbodiimide compound having at least one carbodiimide group, is provided.例文帳に追加

エチレン酢酸ビニル共重合体と、少なくとも一個のカルボジイミド基を有するカルボジイミド化合物と、を含む合わせガラス用中間膜形成用組成物を提供する。 - 特許庁

TIN-DOPED INDIUM OXIDE PARTICULATE DISPERSION AND ITS PRODUCTION METHOD; GLASS LAMINATE INTERLAYER USING THE DISPERSION AND HAVING HEAT RAY SHIELDING PROPERTY; AND GLASS LAMINATE例文帳に追加

錫ドープ酸化インジウム微粒子分散液とその製造方法、および該分散液を用いた熱線遮蔽性を有する合わせガラス用中間膜、ならびにその合わせガラス - 特許庁

To provide a semiconductor device having a rewiring structure, which inhibits deterioration in bondability of an external connection electrode, interlayer detachment, occurring of cracks and the like to improve reliability.例文帳に追加

再配線構造を有する半導体装置において、外部接続電極の接合性の低下、層間剥離、クラックの発生等を抑制して信頼性を向上する。 - 特許庁

To improve quality of defect correction while remarkably improving work efficiency in a defect correcting process against an interlayer short-circuit defect between upper and lower parts of a multilayer structure.例文帳に追加

多層構造の上下間での層間ショート欠陥に対する欠陥修正工程の作業効率を著しく向上させつつ、欠陥修正の品質を向上させる。 - 特許庁

Front electrodes 12 are formed on a glass substrate 11, and thereafter interlayer insulating films 13 having apertures 13A for exposing areas corresponding to light emitting parts are formed.例文帳に追加

ガラス基板１１上に前面電極１２を形成した後、発光部に対応する領域を露呈させる開口部１３Ａを有する層間絶縁膜１３を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which eliminates etching process and forms dual damascene wiring without having to use an etching stopper as an interlayer film.例文帳に追加

この発明は、エッチング工程を削減し、且つエッチングストッパーを層間膜に用いずにデュアルダマシン構造の配線を形成する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device 100 comprises an interlayer insulation layer 20, formed on a first interconnection layer 14 and having an opening 60 reaching the first interconnection layer 14.例文帳に追加

半導体装置１００は、第１の配線層１４の上に設けられた、第１の配線層１４に達する開口部６０を有する層間絶縁層２０を含む。 - 特許庁

A first interlayer insulating film 3 is formed by coating an end of a periphery part of the first electrode (a lower electrode) 2a and then a dielectric film (5) and a second metal layer (6) are formed.例文帳に追加

第１電極（下部電極）２ａの外周端部を被覆して第１層間絶縁膜３を形成し、次に誘電体膜（５）及び第２金属層（６）を形成する。 - 特許庁

The opening piercing at least the interlayer insulating layer 24 and the gate insulating layer 20 and allowing one part of the drain electrode 16 to expose is formed using a mechanical stress.例文帳に追加

少なくとも層間絶縁層２４とゲート絶縁層２０とを貫通し、ドレイン電極１６の一部が露出する開口部を、機械的応力により形成する。 - 特許庁

In multilayer wiring, on a second interlayer insulating film 14 formed on a substrate, a Ti film 16a, a TiN film 16b and an Al-Cu film 16c are sequentially laminated.例文帳に追加

多層配線において、第２層間絶縁膜１４の上にＴｉ膜１６ａ、ＴｉＮ膜１６ｂ、及びＡｌ−Ｃｕ膜１６ｃとを順に基板上に積層形成する。 - 特許庁

A semiconductor device manufacturing method comprises a process of forming a contact hole in an interlayer insulation film of a substrate and a process of forming a contact plug with heating the substrate.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、基板の層間絶縁膜内にコンタクトホールを形成する工程と、基板を加熱した状態でコンタクトプラグを形成する工程を有する。 - 特許庁

On the transistor Nch-Tr and metal capacity, an interlayer nitride film 16 is formed in the gate oxide film of the transistor Nch-Tr for preventing the entrance of hydrogen.例文帳に追加

Ｎｃｈ−Ｔｒ及びメタル容量上には、トランジスタのゲート酸化膜中に、水素が侵入するのを防止するための層間窒化膜１６が形成されている。 - 特許庁

A first protection film 19 and a secoind protection film 20 are formed in this order on the interlayer insulating films 18, and the aluminum electrodes 17 as passivation films.例文帳に追加

層間絶縁膜１８及びアルミニウム電極１７上には、パッシベーション膜として、第１保護膜１９及び第２保護膜２０がこの順で形成されている。 - 特許庁

In 100 wt% of the interlayer 2 for a laminated glass, the content of the antioxidant is ≥0.75 wt% and ≤2 wt%.例文帳に追加

本発明に係る合わせガラス用中間膜２の１００重量％中、上記酸化防止剤の含有量は、０．７５重量％以上、２重量％以下である。 - 特許庁

After an interlayer short circuit 9 or 9' is detected, first and second bypass wiring patterns 61, 62 are formed by laser CVD and cut portions 65, 66, 67 on lines are formed by laser cutting.例文帳に追加

層間短絡部９ないし９’の検出後、レーザーＣＶＤによる第１及び第２バイパス配線６１，６２と、レーザーカットによる断線部６５，６６，６７とを設ける。 - 特許庁

To achieve a method of manufacturing a multilayer printed wiring board which exhibits superior reliability of connection between an interlayer resin insulating layer and a conductor circuit, without using a heavy metal.例文帳に追加

重金属を用いることなく層間樹脂絶縁層と導体回路との接続信頼性に優れた多層プリント配線板の製造する方法を提案する。 - 特許庁

Next, using this photoresist layer PR as a mask and the gas of the phlorocarbon system as the etching gas, the plasma etching is executed to the interlayer insulating film 10 to form a micro-lens 11.例文帳に追加

次に、このホトレジスト層ＰＲをマスクとして、フロロカーボン系のガスをエッチングガスとして用いて、層間絶縁膜１０のプラズマエッチングを行い、マイクロレンズ１１を形成する。 - 特許庁

To provide an electronic device having an interlayer insulating film of a low dielectric constant containing an organic thin film having a relative dielectric constant of 2.0-2.4.例文帳に追加

比誘電率２．０〜２．４である有機物薄膜を含む低誘電率層間絶縁膜を有する電子装置とその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The first conductive layer is formed so as to penetrate through an interlayer insulating film and extend in a first direction perpendicular to a semiconductor substrate, and functions as the first node.例文帳に追加

第１導電層は、層間絶縁膜を貫通して半導体基板に対し垂直な第１方向に延びるように形成され第１ノードとして機能する。 - 特許庁

An interlayer insulating film PCIL at a slit center between adjoining striped pixel electrodes PE is made thin to allow a liquid crystal layer to be nearer to a common electrode CE.例文帳に追加

隣接するストライプ状の画素電極ＰＥの間のスリット部中央の層間絶縁膜ＰＣＩＬも膜厚を薄くして共通電極ＣＥと接近させる。 - 特許庁

The adjacently laminated capacitance lines CpL1-CpL4 and the interlayer insulating layers among the capacitance lines CpL1-CpL4 compose the capacitive elements Cp1-Cp3.例文帳に追加

隣接して積層された容量線ＣｐＬ１〜ＣｐＬ４及びそれら容量線ＣｐＬ１〜ＣｐＬ４間の層間絶縁層は、容量素子Ｃｐ１〜Ｃｐ３を構成する。 - 特許庁

On a main surface of the semiconductor substrate SUB, an uppermost wiring layer AL3 and a first interlayer insulation film II4 on the uppermost wiring layer AL3 are formed.例文帳に追加

半導体基板ＳＵＢの主表面上には最上層配線ＡＬ３と、最上層配線ＡＬ３上の第１の層間絶縁膜ＩＩ４とが形成される。 - 特許庁

The first interlayer insulation film 140 is utilized not only as a patterning mask but also as a barrier for forming a gate electrode 160 by ink jet method.例文帳に追加

この第１層間絶縁膜１４０をパターニング用のマスクとして利用するだけでなく、インクジェット法を用いてゲート電極１６０を形成するための隔壁として利用する。 - 特許庁