「Interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(73ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a positive radiation sensitive resin composition which excels in application property and radiation sensitivity, provides good pattern form and can form an interlayer insulating film having excellent heat resistance, solvent resistance, light transmittance, dry-etching resistance, and the interlayer insulating film obtained from the composition and a method for forming the film.例文帳に追加

塗布性に優れ、放射線感度、及び良好なパターン形状が得られると共に、耐熱性、耐溶剤性、光線透過率、耐ドライエッチング性に優れた層間絶縁膜を形成することが可能なポジ型感放射線性樹脂組成物、その組成物から得られた層間絶縁膜、並びにその層間絶縁膜の形成方法を提供することである。 - 特許庁

The electrode for external connection includes a pad metal layer 8 whose upper surface is exposed, a first metal layer 2 that is formed between the pad metal layer 8 and the semiconductor substrate 1, and at least two first vias 22 that penetrate the interlayer dielectric 21 and electrically connect the pad metal layer 8 and the first metal layer 2, and are formed in the interlayer dielectric 21.例文帳に追加

外部接続用電極は、上面を露出するパッドメタル層８と、該パッドメタル層８と半導体基板１との間に形成された第１のメタル層２と、層間絶縁膜２１を貫通してパッドメタル層８と第１のメタル層２とを電気的に接続し、且つ、層間絶縁膜２１に形成された少なくとも２つの第１のビア２２とを有している。 - 特許庁

The first interlayer insulating film 5 has a lower film 3 having a first recessed part 5a at least over one gate electrode 2 and coming into contact with the plurality of gate electrodes 2 and substrate 1, and an upper film 4 disposed on the lower film 3 except at the first recessed part 5a, and the second interlayer insulating film 6 is buried in the first recessed part 5a.例文帳に追加

第１の層間絶縁膜５は、少なくとも一つのゲート電極２上方に第１の凹部５ａを有すると共に、複数のゲート電極２及び基板１に接する下部膜３と、第１の凹部５ａ以外の部分において下部膜３上に配置された上部膜４とを有し、第１の凹部５ａ内に、第２の層間絶縁膜６が埋め込まれている。 - 特許庁

An interlayer distance between a first desired recording layer in which the BCA which is to be reproduced first is disposed, and a second recording layer which is nearer to a disk surface on which a laser beam is made incident when carrying out focus pull-in prior to the desired recording layer out of recording layers adjacent to the desired recording layer, is made longer than other interlayer distances.例文帳に追加

最初に再生されるべきＢＣＡが配置されている所望の第１の記録層と前記所望の記録層に隣接する記録層のうちフォーカス引き込み時に前記所望の記録層よりも先にレーザ光を入射するディスク面に近い第２の記録層との層間距離がその他の層間距離に較べて大きい。 - 特許庁

After a trench 14 for contact is formed through anisotropic etching using an interlayer dielectric 11 having a narrow opening width as a mask, the trench 14 for contact is widened in width through isotropic etching and the interlayer dielectric 11 having a narrower opening width than the trench 14 for contact is used as a mask to perform ion implantation for contact region formation in a well region.例文帳に追加

狭い開口幅の層間絶縁膜１１をマスクとして異方性エッチングによりコンタクト用トレンチ１４を形成した後、等方性エッチングをおこないコンタクト用トレンチ１４の幅を広げ、コンタクト用トレンチ１４よりも狭い開口幅の層間絶縁膜１１をマスクとして、ウェル領域内にコンタクト領域形成のためのイオン注入を行う。 - 特許庁

The semiconductor device includes: an interlayer insulating film 103 formed on a semiconductor substrate 101; a contact hole 104 formed in the interlayer insulating film 103; a Cu film 107 filling the contact hole 104; and a metal-containing substrate film 13 formed on a sidewall inside the contact hole 104 and serving as a substrate of the Cu film 107.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、半導体基板１０１に形成された層間絶縁膜１０３と、層間絶縁膜１０３に形成されたコンタクト孔１０４と、コンタクト孔１０４を埋め込むＣｕ膜１０７と、コンタクト孔１０４の内部の側壁に形成され、Ｃｕ膜１０７の下地となる金属含有下地膜１３と、を備える。 - 特許庁

In the optical recording medium 10 including three or more recording and reading layers, a first distance set at 10 μm or more, and a second distance greater than the first distance by 3 μm or more are alternately defined as interlayer distances of recording and reading layers 14, thereby preventing an increase of interlayer crosstalk.例文帳に追加

３層以上の記録再生層を備える多層型の光記録媒体１０であって、多層記録再生層群１４の層間距離として、１０μｍ以上に設定された第１距離と、この第１距離よりも３μｍ以上大きい第２距離を設定し、これら２つの異なる距離を交互に設定することによって、層間クロストークの増大を防止する。 - 特許庁

Furthermore, another method for forming an interlayer insulating film is also characterized in that an interlayer insulating film is formed on a substrate using an insulating film material (known compound including silicon and CH_3) by a plasma CVD method and then a gas containing nitrogen is supplied to the substrate in a heated atmosphere.例文帳に追加

また、層間絶縁膜の成膜方法であって、基板上に珪素とＣＨ_３を含む公知化合物である絶縁膜材料を用いてプラズマＣＶＤ法によって層間絶縁膜を成膜した後、加熱雰囲気において窒素を含有するガスを基板に供給することを特徴とする層間絶縁膜の成膜方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device has: a first transistor formed on an SiC substrate 1; a first interlayer dielectric 11 formed at an upper part of the first transistor and the SiC substrate 1; and a crystallization silicon film 20 formed on the first interlayer dielectric 11; and a second transistor formed on the crystallization silicon film 20.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置は、ＳｉＣ基板１に形成された第１のトランジスタと、第１のトランジスタ及びＳｉＣ基板１の上方に形成された第１の層間絶縁膜１１と、第１の層間絶縁膜１１上に形成された結晶化シリコン膜２０と、結晶化シリコン膜２０に形成された第２のトランジスタとを具備する。 - 特許庁

In an element substrate 10 of the liquid crystal device 100, on the surface of the interlayer dielectric 72 (first interlayer dielectric), first through-holes (display region-side first through-holes 72a and peripheral region-side first through-holes 72b) are opened, of which the opening density in the peripheral region 10b is lower as compared with the display region 10a.例文帳に追加

液晶装置１００の素子基板１０において、層間絶縁膜７２（第１層間絶縁膜）の表面では、周辺領域１０ｂにおける開口密度が表示領域１０ａにおける開口密度に比して低い第１スルーホール（表示領域側第１スルーホール７２ａおよび周辺領域側第１スルーホール７２ｂ）が開口している。 - 特許庁

In the method for manufacturing the liquid crystal display device including a scanning line and a signal line arranged in a matrix shape on a substrate, a TFT (Thin Film Transistor) connected to the lines, and a pixel electrode connected to the TFT through an interlayer insulating film of the application system, a substrate temperature when forming a transparent conductive film on the interlayer insulating film is set at 100-170°C.例文帳に追加

基板上にマトリクス状に配置された走査線及び信号線と、これらに接続されるＴＦＴと、ＴＦＴに塗布系の層間絶縁膜を介して接続された画素電極とを有する液晶表示装置の製造方法において、層間絶縁膜上へ透明導電膜を成膜する際の基板温度を、１００〜１７０℃とする。 - 特許庁

Then, at a position inside the periphery of the semiconductor substrate 7 by a prescribed width, a groove 18 reaching a surface layer section of the semiconductor substrate 7 through the second interlayer film 11 and the first interlayer film 9 from the surface of the uppermost layer wiring coating film 15 is formed while surrounding an element formation region B of the semiconductor substrate 7.例文帳に追加

そして、半導体基板７の周縁から所定幅だけ内側の位置においては、最上層配線被覆膜１５の表面から第２層間膜１１および第１層間膜９を貫通して半導体基板７の表層部に達する溝１８が半導体基板７の素子形成領域Ｂを取り囲んで形成されている。 - 特許庁

A sixth main conductor part 7f of width W' wound in a coil shape is formed on a surface of a seventh interlayer insulating layer 5g, and a lead-out conductor part 9a of width W larger than the width W' of the sixth main conductor part 7f is formed at one end part of the seventh interlayer insulating layer 5g.例文帳に追加

第７の層間絶縁層５ｇの表面にはコイル状に巻回された幅寸法Ｗ′の第６の主導体部７ｆが形成されると共に、該第７の層間絶縁層５ｇの一端部には第６の主導体部７ｆの幅寸法Ｗ′よりも大きな幅寸法Ｗを有する引出導体部９ａが形成されている。 - 特許庁

Since the SiO films 14, 16 formed thus do not substantially contain nitrogen; the SiO films 14, 16 suppress transmissions of ammonia gas, nitrogen gas or the like, when an antireflection film 18 of a silicon nitride film or the like is formed, and the SiO films 14, 16 suppress the occlusion of an alkali originating from nitrogen to the first interlayer insulating film 13 and the second interlayer insulating film 15.例文帳に追加

このようにして形成されたＳｉＯ膜１４，１６は、実質的に窒素を含まないため、シリコン窒化膜等の反射防止膜１８を形成する際にアンモニアガスや窒素ガス等の透過を抑制し、第１層間絶縁層１３および第２層間絶縁層１５に窒素に由来する塩基性物質の吸蔵を抑制する。 - 特許庁

An output terminal 12 for scanning disposed in a driver mounting region 11 for driving scanning lines also functions as an interlayer contact portion to connect a routing line 10 for scanning connected to scanning lines 6 with first and second static electricity protective thin film transistors 32, 33 for scanning lines, thereby reducing the number of interlayer contact portions.例文帳に追加

走査ライン駆動用ドライバ搭載領域１１内に設けられた走査用出力端子１２は、走査ライン６に接続された走査用引き回し線１０と第１、第２の走査ライン用静電気保護用薄膜トランジスタ３２、３３とを接続するための層間コンタクト部を兼ねており、これにより層間コンタクト部の数を少なくすることができる。 - 特許庁

The laminated glass comprises a pair of transparent substrates (120a and 120b) and the functional interlayer (110) disposed between the transparent substrates (120a and 120b), wherein the functional interlayer (110) is formed by stacking an adhesive resin layer (111a), a functional layer (112) and an adhesive resin layer (111b) in this order.例文帳に追加

一対の透明基材（１２０ａ及び１２０ｂ）と、前記透明基材（１２０ａ及び１２０ｂ）の間に配置された機能性中間膜（１１０）とを有する合わせガラスであって、 前記機能性中間膜（１１０）が、接着樹脂層（１１１ａ）、機能性層（１１２）、及び接着樹脂層（１１１ｂ）がこの順で積層されてなることを特徴とする合わせガラス。 - 特許庁

TFD elements 4 and data lines 13 for sending signals to the TFD elements 4 are formed on the liquid crystal layer 50 side of the element substrate 110, the interlayer insulating layer 34 is formed so as to cover the TFD elements 4, the data lines 13 and the wirings 207 and pixel electrodes 9 are formed on the liquid crystal layer 50 side of the interlayer insulating layer 34.例文帳に追加

また、素子基板１１０の液晶層５０側には、ＴＦＤ素子４と、ＴＦＤ素子４に信号を送信するためのデータ線１３とが形成されなり、ＴＦＤ素子４及びデータ線１３と配線２０７とを覆う形にて層間絶縁層３４が形成され、該層間絶縁層３４の液晶層５０側に画素電極９が形成されている。 - 特許庁

In the process of manufacturing the liquid crystal display device including a matrix of scan lines and signal lines arranged on a substrate, TFT connected to these lines and pixel electrodes connected to TFT with an applied interlayer insulation film, the temperature of the substrate at the formation of the transparent conductive film on the interlayer insulation film is regulated within 100-170°C.例文帳に追加

基板上にマトリクス状に配置された走査線及び信号線と、これらに接続されるＴＦＴと、ＴＦＴに塗布系の層間絶縁膜を介して接続された画素電極とを有する液晶表示装置の製造方法において、層間絶縁膜上へ透明導電膜を成膜する際の基板温度を、１００〜１７０℃とする。 - 特許庁

The display device is provided with a substrate having a main surface and the rear surface opposite to the main surface, a wiring group and an active element provided on the main surface of the substrate, a first interlayer insulating film which is formed by resin materials and covers the wiring group and the active element and the light emitting element provided on the first interlayer insulating film.例文帳に追加

本発明による表示装置は、主面と主面に対向する裏面とを有する基板と、基板の主面上に設けられた配線群およびアクティブ素子と、樹脂材料から形成され、配線群およびアクティブ素子を覆う第１層間絶縁膜と、第１層間絶縁膜上に設けられた発光素子とを備えている。 - 特許庁

In forming a contact plug 3 through chemical mechanical polishing of a first interlayer insulating film 4 and the conductive material, the method comprises steps of performing chemical mechanical polishing wherein polishing of the conductive material has a priority, performing chemical mechanical polishing wherein polishing of the first interlayer insulating film has a priority, and performing chemical mechanical polishing wherein polishing of the conductive material has a priority.例文帳に追加

第１層間絶縁膜４および導電材料を化学機械研磨してコンタクトプラグ３を形成するに際して、導電材料研磨優先の化学機械研磨を行う工程と、第１層間絶縁膜研磨優先の化学機械研磨を行う工程と、導電材料研磨優先の化学機械研磨を行う工程とを有する。 - 特許庁

This method of manufacturing the semiconductor device includes processes of: forming a P-type region on a surface of a semiconductor substrate; forming an Al electrode on the P-type region; forming an interlayer film contacting with the Al film and formed of a substance hardly reacting with Si relative to Al; and forming a semi-insulating film containing Si on the interlayer film.例文帳に追加

半導体基板表面にＰ型領域を形成する工程と、該Ｐ型領域上にＡｌ電極を形成する工程と、該Ａｌ電極と接し、Ａｌと比較してＳｉと反応しづらい物質からなる層間膜を形成する工程と、該層間膜上にＳｉを含有する半絶縁性膜を形成する工程とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

A test element group consists of a plurality of parallel lower- layer wiring 12 formed a the upper portion of a substrate, where a semiconductor integrated circuit is formed, an interlayer insulating film 13 for covering the area between the lower layer wiring and an upper portion, and comb-shaped upper-layer wiring 14 and 15 which is formed on the interlayer insulating film 13, while opposing each other independently.例文帳に追加

半導体集積回路が形成された基板の上部に形成された複数の平行な下層層配線１２と、下層配線間及び上部を覆う層間絶縁膜１３と、層間絶縁膜１３上に形成され、互いに独立して対向する櫛歯状の上層配線１４，１５とでテストエレメントグループが構成されている。 - 特許庁

To provide a liquid crystal optical element in which an interlayer reflection action and an internal light interference action are minimized by arranging an intermediate layer between a transparent electrode and an alignment layer, and also to provide an optical device of which the reliability is enhanced by suppressing the influence of the interlayer reflection action and the internal light interference action as much as possible.例文帳に追加

透明電極と配向膜との間に中間層を設けることで、上述した層間反射作用と、内部光干渉作用を最小限にした液晶光学素子、および層間反射作用と内部光干渉作用の影響を極力抑えて装置信頼性を向上させた光学装置を提供することである。 - 特許庁

When manufacturing a polycrystalline silicon TFT1, an interlayer insulating film 8 is formed of a high thermal conductivity material having a thermal conductivity of 2W/m×K or higher, such as silicon nitride, aluminum nitride, an aluminum oxide film, and a beryllium oxide; and then high-intensity light is applied from the surface of the interlayer insulating film 8 for activating impurities in a polycrystalline silicon film 4.例文帳に追加

多結晶シリコンＴＦＴ１を製造するにあたって、熱伝導率が２Ｗ／ｍ・Ｋ以上の高熱伝導率材料、例えば、窒化シリコン、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム膜、酸化ベリリウム等で層間絶縁膜８を形成した後、層間絶縁膜８の表面から高強度の光を照射して多結晶シリコン膜４中の不純物を活性化させる。 - 特許庁

The semiconductor device having a multilayer trench-wiring structure using Cu as the main material thereof is characterized in that there are used respectively an insulation film having a low dielectric constant, as the interlayer film of its Cu-wiring portion, and an insulation film having a high dielectric constant, as the interlayer film of its portion having such a metallic pole as a plug whereby its wirings are joined to each other.例文帳に追加

Ｃｕを主な材料とする、多層の溝配線構造を有する半導体装置において、比誘電率の低い絶縁膜を、Ｃｕ配線部分の層間膜として、また、比誘電率の高い絶縁膜を、配線間を接合するプラグなどの金属柱が存在する部分の層間膜として、それぞれ、構成したことを特徴とする。 - 特許庁

The multilayer wiring board has at least two wiring layers and at least one interlayer insulation layer provided with through holes filled with a material containing a metal in order to connect the wiring layers wherein the interlayer insulation layer contains at least polyimide silicon based resin.例文帳に追加

少なくとも２つの配線層および少なくとも１つの層間絶縁層を持ち、層間絶縁層に貫通孔が設けられ、貫通孔が金属を含む材料で充填されることによりそれぞれの配線層が接続された多層配線基板であって、層間絶縁層が少なくともポリイミドシリコーン系樹脂を含有することを特徴とする多層配線基板。 - 特許庁

Since the interlayer dielectric being formed with a groove for forming an interconnect and a contact hole having a relatively high aspect ratio for the groove has a multilayer structure composed of a porous low permittivity material and a nonporous low permittivity material, diffusion of the barrier metal into the interlayer dielectric being formed with the contact hole is reduced.例文帳に追加

本発明によれば、配線が形成される溝と、溝に対して比較的アスペクト比が高い接続孔とが形成される層間絶縁膜を多孔質な低誘電率材料と非多孔質を有する低誘電率材料とからなる多層構造とすることにより、接続孔が形成される絶縁膜にバリアメタルが拡散することを低減することができる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which realizes excellent electrical connection of a wiring layer, by preventing generation of imperfect burying which is to be caused by gas discharge from an interlayer insulating film, when conductor is buried in a connecting hole opened on the interlayer insulating film containing a low permittivity film and a plug layer is formed.例文帳に追加

本発明は、低誘電率膜を含む層間絶縁膜に開口した接続孔に導電体を埋め込んでプラグ層を形成する際に、層間絶縁膜からのガス放出に起因する埋め込み不良の発生を防止して、配線層の良好な電気的な接続を実現する半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Each circuit layer in the multilayer semiconductor stack includes an interlayer interface region that is disposed at substantially the same location such that, when the semiconductor dies 12 upon which circuit layers are disposed are arranged together in a stack, conductors disposed within each semiconductor die are aligned with one another to provide an interlayer bus 16 that is oriented vertically with respect to the individual circuit layers.例文帳に追加

回路層が配置されている半導体ダイ１２がスタック内で互いに配置されたときに、各半導体ダイ内に配置されている個々の回路層に関して垂直方向に配向された導電体の層間バス１６を与えるように互いの位置が一致するようにするために、ほぼ同じ位置に配置された層間インターフェース領域を含む。 - 特許庁

Further, a dummy plug 40 which does not contribute to electric conduction of the FeRAM is provided in a circumference of the ferroelectric capacitor 4 so as to reduce the volume of a second interlayer dielectric 12 in comparison with the case that the dummy plug 40 is not provided, thereby suppressing deterioration of the ferroelectric capacitor 4 due to moisture contained in the second interlayer dielectric 12.例文帳に追加

さらに、強誘電体キャパシタ４の周辺に、ＦｅＲＡＭの電気伝導には寄与しないダミープラグ４０を設けることにより、ダミープラグ４０を設けなかった場合に比べて第２層間絶縁膜１２の体積を減らし、第２層間絶縁膜１２に含まれる水分に起因した強誘電体キャパシタ４の劣化を抑える。 - 特許庁

The substrate device comprises an underlayer film formed on a substrate and having a first planar pattern with an edge part, an interlayer film formed on the underlayer film and the substrate in such a manner as to cover the edge part of the underlayer film and having an inclined part that inclines in accordance with one edge side at the edge part of the underlayer film, and an upperlayer film formed on the interlayer film.例文帳に追加

基板装置は、基板上に形成され、端部を有する第１平面パターンを持つ下層膜と、該下層膜及び基板上に下層膜の端部を覆うように形成され、下層膜の端部における一つの端面に対応して傾斜する傾斜部を有する層間膜と、該層間膜上に形成される上層膜とを備える。 - 特許庁

A second electrode 26 is constituted by a conductive material of which work function is smaller than the first electrode, has a bottom to contact the upper surface of a relay wiring 67, and comprises a cylindrical region projecting vertically upward so as to penetrate a first interlayer insulation film 21, the first electrode (bit line BL), and a second interlayer insulation film 22.例文帳に追加

第２電極２６は第１電極よりも仕事関数が小さい導電性材料で構成されており、中継配線６７の上面に接触する底面を有し、第１層間絶縁膜２１、第１電極（ビット線ＢＬ）、及び第２層間絶縁膜２２を貫通して鉛直上方に突出してなる筒形状を示す領域を備える。 - 特許庁

A first interlayer connection part 48 to connect the drain region 44 and the lower electrode 52 and a second interlayer connection part 50 to connect the drain region 44 and the pixel electrode layer 34 are drawn out from respectively different positions on the drain region 44 and the upper electrode 56 for the capacitor covers the lower electrode 52 for the capacitor via the dielectric layer 54.例文帳に追加

ドレイン領域４４と下部電極５２とを接続する第１層間接続部４８と、ドレイン領域４４と画素電極層３４とを接続する第２層間接続部５０とが、ドレイン領域４４の異なる位置から引き出されており、キャパシタ用上部電極５６が誘電体層５４を介してキャパシタ用下部電極５２を覆っている。 - 特許庁

Since the the second scanning electrode 20 is separated from the signal electrode by the interlayer insulating film 19 and the retaining capacitance part 22 is formed by forming the second insulating film 21 other than the the interlayer insulating film 19 between the pixel electrode and the second scanning electrode, occurrece of parasitic capacitance at the intersection part of the second scanning electrode 20 and the signal electrode is suppressed.例文帳に追加

第２走査電極２０は信号電極と層間絶縁膜１９により分離され、この層間絶縁膜１９とは別の第２絶縁膜２１を画素電極と第２走査電極の間に形成して保持容量部２２が構成されるので、第２走査電極２０と信号電極との交差部で寄生容量が発生するのが抑制される。 - 特許庁

In a laminated board with interlayer circuit formed by combining a forming material of an interlayer circuit and a prepreg for heat-molding, the prepreg is formed by impregnating glass woven fabric matrix with varnish wherein black system coloring agent is compounded by 0.1-20.0 pts.wt. to 100 pts.wt. of resin solid component, and drying it.例文帳に追加

内層回路形成材とプリプレグを組み合わせ、加熱成形してなる内層回路入り積層板において、前記のプリプレグが、樹脂固形成分１００重量部に対して、黒色系着色剤を０．１〜２０．０重量部配合したワニスにガラス織布基材を含浸乾燥してなるプリプレグであることを特徴とする内層回路入り積層板。 - 特許庁

In a semiconductor device, lower-layer wiring 102 is formed in an insulating film 101 on the semiconductor substrate, upper-layer wiring 112 is formed in the interlayer insulating film 104 on the insulating film 101, and the lower-layer wiring 102 and upper-layer wiring 112 are connected through a via plug 111 formed in the interlayer insulating film 104.例文帳に追加

半導体装置では、下層配線１０２が半導体基板上の絶縁膜１０１内に形成され、上層配線１１２が絶縁膜１０１の上の層間絶縁膜１０４内に形成され、下層配線１０２と上層配線１１２とは層間絶縁膜１０４内に形成されたビアプラグ１１１を介して接続されている。 - 特許庁

The process for fabricating a semiconductor device comprises steps of: forming a silicon carbide film 31 on the back of a semiconductor substrate 1 and forming a transistor on the surface thereof; forming an interlayer insulating film 12 on the semiconductor substrate 1 and the transistor; and burying a Cu interconnection 13 in the interlayer insulating film 12.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板１の裏面に炭化シリコン膜３１を形成し、かつ半導体基板１の表面にトランジスタを形成する工程と、半導体基板１上及びトランジスタ上に層間絶縁膜１２を形成する工程と、層間絶縁膜１２にＣｕ配線１３を埋め込む工程とを具備する。 - 特許庁

In a multilayer flex-rigid wiring board in which an inner-layer flexible circuit board and an outer-layer rigid circuit board are bonded by an interlayer adhesive, the interlayer adhesive is an epoxy resin composition containing (A) an epoxy resin, (B) 4,4-diaminodiphenylsulfone as a hardening agent and (C) boron trifluoride complex compound as a curing accelerator as essential components.例文帳に追加

内層フレキシブル回路板と外層リジッド回路板とが層間接着剤により接合された多層フレックスリジッド配線板において、前記層間接着剤を、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤としての４，４−ジアミノジフェニルスルホンおよび（Ｃ）硬化促進剤としての三フッ化ホウ素錯化合物を必須成分として含有するエポキシ樹脂組成物とする。 - 特許庁

A bit line contact plug 13 is formed in the first interlayer insulating film 7, and the upper ends of the lower electrode 8, capacitance insulating film 9, and upper electrode 10 formed on the side of the capacitor opening are located below the surface of the first interlayer insulating film 7 at least at the side where the bit line contact plug 13 is formed.例文帳に追加

第１の層間絶縁膜７内に、ビット線コンタクトプラグ１３が形成され、キャパシタ開口部の側面上に形成された下部電極８、容量絶縁膜９、及び上部電極１０の上端部は、少なくともビット線コンタクトプラグ１３が形成された部位側において、第１の層間絶縁膜７の表面から下方に位置している。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition which is excellent in performances, such as transmissivity, insulation, flatness, and chemical resistance, and also made suitable to use as an interlayer insulation film in a LCD manufacturing process securing the reliability in the following processes by minimizing the gas leakage especially through the high heat resistant interlayer insulation films.例文帳に追加

透過率、絶縁性、平坦性、耐化学性などの性能に優れるだけでなく、特に高耐熱特性を通した層間絶縁膜で発生されるガス抜けを最少化させて、後工程の信頼性を確保することによってＬＣＤ製造工程の層間絶縁膜として使用するのに適した感光性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device includes a step of forming the first metal wiring 12 having the partial film thickness of the entire film thickness of the metal wiring, a step of forming an interlayer dielectric 14 covering the entire upper surface of an underlying insulating film 10 and the first metal wiring, and a step of then exposing the surface of the first metal wring while flattening the surface by cutting the first interlayer dielectric.例文帳に追加

下地絶縁膜１０の上に、メタル配線の全膜厚の一部の膜厚を有する第１メタル配線１２を形成し、下地絶縁膜および第１メタル配線の上全面を覆う第１層間絶縁膜１４を形成した後、第１層間絶縁膜を削ってその表面を平坦化しつつ、第１メタル配線の表面を露出する。 - 特許庁

When a via hole and wiring channel for burying Cu wiring is formed on an interlayer insulating film by a dry etching with a photo resist film as a mask, an antireflection film 26 on the interlayer insulating film which is made up of an SiOC film 25 is composed of an SiO film 26a, an SiON film 26b and an SiO film 26c, and the halation of a photo resist film 27 is inhibited.例文帳に追加

フォトレジスト膜をマスクにしたドライエッチングで層間絶縁膜にＣｕ配線埋め込み用のビアホールおよび配線溝を形成する際、ＳｉＯＣ膜２５からなる層間絶縁膜上の反射防止膜２６をＳｉＯ膜２６ａ、ＳｉＯＮ膜２６ｂおよびＳｉＯ膜２６ｃの３層膜で構成し、フォトレジスト膜２７のハレーションを抑制する。 - 特許庁

Accordingly, even if the peeling 40 of interlayer film is generated due to weakness in the strength of close contact with a stopper material 13 of the low-k film 14 and damage 30 by the dicing process not only in the assembling process but also in the processes after the assembling process, growth of peeling 40 of the interlayer film can be prevented with the reinforcing pattern 20.例文帳に追加

これにより、アセンブリ時のみでなく、組み立て工程以降において、ｌｏｗ−ｋ膜１４のストッパー材１３との密着強度の弱さやダイシングによるダメージ３０に起因する層間膜剥がれ４０が発生したとしても、補強パターン２０によって層間膜剥がれ４０が進行するのをくい止めることが可能な構成となっている。 - 特許庁

A magnetic memory comprises magnetization fixed layers 50a and 50b which have vertical magnetic anisotropy and in which a magnetization direction is fixed, an interlayer insulation layer 60, an underlying layer 40 formed on upper surfaces of the magnetization fixed layers 50a and 50b and the interlayer insulation layer 60, and a data storage layer 10 which is formed on an upper surface of the underlying layer 40 and has vertical magnetic anisotropy.例文帳に追加

磁気メモリが、垂直磁気異方性を有し、磁化方向が固定された磁化固定層５０ａ、５０ｂと、層間絶縁層６０と、磁化固定層５０ａ、５０ｂと層間絶縁層６０の上面に形成された下地層４０と、下地層４０の上面に形成された、垂直磁気異方性を有するデータ記憶層１０とを備えている。 - 特許庁

This multilayer tube 10 has a three-layer structure including an inner layer 12 comprising a copolymer fluororesin, an interlayer 14 comprising a blended resin formulated with an ethylene copolymer resin at least containing glycidyl methacrylate and an acid-modified polyolefin resin outside the inner layer 12, and an outer layer 16 comprising a polyurethane resin outside the interlayer 14.例文帳に追加

多層チューブ１０は、共重合フッ素樹脂からなる内層１２と、その内層１２の外側に、少なくともグリシジルメタクリレートを含有するエチレン共重合樹脂と酸変性ポリオレフィン樹脂とを配合したブレンド樹脂からなる中間層１４と、その中間層１４の外側にポリウレタン樹脂からなる外層１６とを備えた３層構造である。 - 特許庁