「Interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(76ページ目) - Weblio英語例文検索

A display panel 10 includes, in its loading part 10B-1, a plurality of data wirings 11, an interlayer dielectric 16, a plurality of vias 17, and a plurality of connecting pads 18 on the board 15.例文帳に追加

表示パネル１０は、実装部分１０Ｂ−１において、基板１５上に、複数のデータ配線１１と、層間絶縁膜１６と、複数のビア１７と、複数の接続パッド１８とを有する。 - 特許庁

Ion species having large ionic radius different from lithium ions are interposed between layers as an interlayer retention member prior to lithium ions in a vanadium oxide having layered crystals capable of doping lithium ions.例文帳に追加

リチウムイオンのドープ可能な層状結晶を有するバナジウム酸化物に、リチウムイオンより前に、リチウムイオン以外のイオン半径の大きなイオン種を、層間確保部材として介在させる。 - 特許庁

To provide a method to produce a liquid crystal display device by which a reaction product is not deposited when a contact hole is opened in an interlayer insulating film by dry etching, and to provide a liquid crystal display device.例文帳に追加

ドライエッチングによる層間絶縁膜へのコンタクトホール開口時に反応生成物が再付着しない液晶表示装置の製造方法と液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

In a structure in which recessed parts such as grooves for wiring and via holes are formed in the porous interlayer insulating film, part of voids 16B are shown on the inner face of the recessed part.例文帳に追加

前記多孔質間絶縁膜に配線用溝及びビアホール等の凹部が形成されている構造においては、前記凹部の内面に一部の空隙１６Ｂが表出している。 - 特許庁

Next, the second through hole 10 to the first conductor plug 7 is formed in the second interlayer insulating film 9 so as to form the second conductor plug 11 inside the second through hole 10.例文帳に追加

第２層間絶縁層９に第１導電体プラグ７に至る第２貫通孔１０を形成し、第２貫通孔１０の内部に第２導電体プラグ１１を形成する。 - 特許庁

By decreasing density of the flattening pads, the height of the surface of the interlayer insulating film 136 drops, reducing a difference between the light receiving part 72 and the adjoining region 138.例文帳に追加

平坦化パッドの密度を下げることにより、層間絶縁膜１３６の表面の高さが低くなるので、受光部７２とこれに隣接する領域１３８との間の段差が小さくなる。 - 特許庁

A first interlayer insulating film 124 is deposited on the substrate, and contact holes 125, 126 and 128 penetrating to the insulating film 124 and having large diameters and contact holes 127 having small diameters are formed.例文帳に追加

基板上に第１層間絶縁膜１２４を堆積した後、第１層間絶縁膜１２４を貫通する大径のコンタクト孔１２５，１２６，１２８と、小径のコンタクト孔１２７とを形成する。 - 特許庁

To provide a composite interlayer for laminated glass, in which polyurethane is used as a part of a constitution thereof and which has high penetration resistance and is of low cost and suitable for a windshield of a car or the like.例文帳に追加

ポリウレタンを構成の一部に使用し、高い貫通抵抗を有し、かつ低コストであり、自動車のフロントガラス等に好適したラミネート加工ガラス用複合中間層を提供する。 - 特許庁

To restrain a groove wiring from increasing substantially in resistivity or interlayer connection resistance attendant on micronization in size and moisture from oozing out and to lessen a semiconductor device in stray capacity.例文帳に追加

微細化に伴う溝配線の実質的な比抵抗の増大や層間接続抵抗の増大を抑制し、併せて、水分の染み出しを抑制し、浮遊容量の低減化を図る。 - 特許庁

To provide a winding core free from interlayer cracks or separation crack of a laminate, capable of suppressing the distortion low, with little wind- loosening of a wire body as a result.例文帳に追加

積層体の層間に割れや剥離クラックが発生せず、ひずみを低く抑えることができ、その結果線状体等の巻き緩み等もほとんど生じない巻き取り用芯を提供する。 - 特許庁

To improve the heat-cycle resisting properties and a reliability on the mounting of an interlayer insulating layer without deteriorating heat-resistance properties, electrical insulating properties, heat-dissipating properties, the reliability on a connection, and a chemical stability.例文帳に追加

耐熱性、電気絶縁性、放熱性、接続信頼性および化学的安定性を低下させることなく、層間絶縁層の耐ヒートサイクル性および実装信頼性を改善すること。 - 特許庁

A light shielding film 11 is provided, so arranged as to cover a gate electrode 3, on an interlayer dielectric 6 whereon a source wire 9, a drain wire 10, and a gate wire 12 are formed.例文帳に追加

ソース配線９、ドレイン配線１０およびゲート配線１２が形成された層間絶縁膜６上にゲート電極３を覆うように配置された遮光膜１１を設ける。 - 特許庁

Above the polysilicon resistors 12, on the other hand, a thin metallic plate 28 (second resistor biasing conductor) is disposed in parallel with the substrate 22 through an interlayer film 26 (insulator).例文帳に追加

一方、複数のポリシリコン抵抗体１２の上方には、層間膜２６（絶縁体）を介して、金属薄板２８（第２の抵抗体バイアス用導体）が基板２２と平行に配置されている。 - 特許庁

To inhibit stress migration of an Al interconnect line and degradation of a lens shape in an integrated circuit that forms a micro-lens array using a silicon nitride film that is an interlayer dielectric film for the Al interconnect line.例文帳に追加

Ａｌ配線の層間絶縁膜であるシリコン窒化膜を用いてマイクロレンズアレイを形成する集積回路において、Ａｌ配線のストレスマイグレーション及びレンズ形状の崩れを防止する。 - 特許庁

A part of a short-circuit electrode 35 for shunting a source region 13 and a base region 25 is positioned on the upper surface 53 of a gate electrode 17 through a first interlayer insulating film 31.例文帳に追加

ソース領域１３とベース領域２５を短絡するショート電極３５の一部は、第１の層間絶縁膜３１を介してゲート電極１７の上面５３の上に位置している。 - 特許庁

In an interlayer insulating film 11 formed on a semiconductor substrate, electrical via connection regions 121, 122 related to an unshown lower wiring layer or elements are formed.例文帳に追加

半導体基板上に設けられた層間絶縁膜１１中に、図示しない下層の配線層または素子に関係する電気的なビア接続領域１２１、１２２が形成されている。 - 特許庁

A via hole 60 is provided by forming a through-through 48 in an interlayer resin-insulating layer 50 and precipitating an electroless plating film 52 and an electroplating film 53.例文帳に追加

バイアホール６０は、層間樹脂絶縁層５０に貫通孔４８を穿設し、該貫通孔４８に無電解めっき膜５２及び電解めっき膜５６を析出させることにより形成してある。 - 特許庁

To minimize deterioration in electric characteristics of a ferroelectric film to be generated in a heat treatment when a conductive film is formed on an interlayer insulation film coating a structure containing the ferroelectric film.例文帳に追加

強誘電体膜を含む構造を覆う層間絶縁膜上に導電性膜を形成する際の熱処理において生じる、強誘電体膜の電気特性の劣化を最小化する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device for accumulating an interlayer insulating film having no film nonuniformity on a base film by removing organic materials deposited on the surface of the base film.例文帳に追加

下地膜表面に付着している有機物を除去することにより、該下地膜上に膜ムラのない層間絶縁膜を堆積できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The first metal layers 27, 28 have parts connected to the second metal layers 21, 22 at a pixel part and provided on the interlayer insulation film 25 whose edge is planarized.例文帳に追加

第１の金属層２７、２８は、画素部において第２の金属層２１、２２と接続された部分を有しかつその端部が平坦化された層間絶縁膜２５上に設けられる。 - 特許庁

To form a small hole exceeding the limit in a photoengraving on an antireflection film in a manufacturing method of a semiconductor device which has a microscopic hole penetrating an interlayer insulating film.例文帳に追加

本発明は層間絶縁膜を貫通する微細なホールを有する半導体装置の製造方法に関し、写真製版の限界を超える小さなホールを形成することを目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device having a relatively thick film thickness of an interlayer insulating film and a constitution capable of suppressing an occurrence of an increase or a disconnection in the contact resistance.例文帳に追加

層間絶縁膜の膜厚が比較的厚い構成を有する半導体記憶装置において、コンタクト抵抗の上昇又は断線の発生を抑制可能な構造を提供する。 - 特許庁

And the side of the via 78a is made to be recovered from a damage caused by the etching treatment by processing the side of the via 78a formed in the interlayer insulating film 74 by this etching treatment with a silylation treatment.例文帳に追加

このエッチング処理によって層間絶縁膜７４に形成されたビア７８ａの側面部をシリル化処理し、ビア７８ａの側面部をエッチング処理によるダメージから回復させる。 - 特許庁

To provide an SiOC film and a method of forming an SiOC film capable of forming the SiOC film capable of being preferably used as an interlayer insulating layer between sets of wiring.例文帳に追加

配線間に層間絶縁層として好適に用いることができるＳｉＯＣ膜の形成することができるＳｉＯＣ膜の形成方法およびＳｉＯＣ膜を提供することにある。 - 特許庁

On an interlayer insulation film 14, a second electrode interconnection 20 is so formed as to be extended in a prescribed direction Y crossing the extended direction of the first electrode interconnection 12.例文帳に追加

層間絶縁膜１４上において第１電極配線１２の伸長方向と交差する所定方向Ｙに伸長するように第２電極配線２０が設けられている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method which removes an effect to an alignment mark of CMP of an interlayer dielectric film surface, and can accurately and securely carry out the detection of alignment mark.例文帳に追加

層間絶縁膜表面のＣＭＰのアライメントマークへの影響を排除し、アライメントマークの検出を精度良く確実に行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

An interlayer insulating film is formed on a substrate 1 with lamination structure that pinches an SiO_2 film 3 as a protection film between an organic film 2 and an SiOC-based film 4 as a low dielectric constant film.例文帳に追加

低誘電率膜である有機膜２とＳｉＯＣ系膜４との間に、保護膜としてＳｉＯ_2膜３を挟持してなる積層構造の層間絶縁膜を、基板１上に形成する。 - 特許庁

Moreover, in the interlayer 102 there are formed plural trenches similarly as the n-type layer 103, and there is formed a p-type layer 104 consisting of a p-type Si so as to bury the trenches.例文帳に追加

また、中間層１０２には、Ｎ型層１０３と同様に複数のトレンチが形成されており、そのトレンチを埋めるように、Ｐ型ＳｉからなるＰ型層１０４が形成されている。 - 特許庁

At a unit pixel, an amplification transistor 26 and a selecting transistor 28 are superposed on a reading transistor 24 and a reset transistor 22 through an interlayer insulating film 37.例文帳に追加

単位画素部において、増幅トランジスタ２６および選択トランジスタ２８を、層間絶縁膜３７を介して読み出しトランジスタ２４およびリセットトランジスタ２２の上に重ねて配置している。 - 特許庁

To provide a hydraulic hose which allows the interlayer thickness between spiral reinforcing layers to be thinned, and which is extremely advantageous in the enhancement of strength as a structure of a hose and excellent in heat resistance.例文帳に追加

スパイラル補強層相互の層間の薄肉化を図れ、ホースの構造体としての強度を高める上で極めて有利となり、しかも、耐熱性に優れる油圧ホースを提供すること。 - 特許庁

To provide a method for producing laminated glass, which can improve the strength of the laminated body even after the formation of a laminated body in such a manner that an interlayer is held between a plurality of glass sheets.例文帳に追加

複数枚のガラス間に中間膜を挟んで積層体を形成した後であっても、該積層体の強度を向上させることが可能な合わせガラスの製造方法を提供する。 - 特許庁

A first insulating film (an interlayer dielectric II) is formed on the element and in the trench DTR to cover the element and form a hollow space in the trench DTR, respectively.例文帳に追加

上記素子上を覆うように、かつ溝ＤＴＲ内に中空を形成するように素子上および溝ＤＴＲ内に第１の絶縁膜（層間絶縁膜ＩＩ）が形成される。 - 特許庁

To provide a wiring board that has interlayer connection by a via hole conductor having high reliability of electric connection, and meets the need for a Pb-free feature.例文帳に追加

電気的接続の高い信頼性を有するビアホール導体により層間接続された、Ｐｂフリーのニーズに対応することができる配線基板を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a touch panel member including an interlayer insulation film excellent in surface hardness and heat resistance, and/or a resin layer such as a surface protection layer, and a touch panel using the touch panel member.例文帳に追加

表面硬度および耐熱性に優れる層間絶縁膜および／または表面保護層などの樹脂層を備えるタッチパネル部材、および該タッチパネル部材を用いたタッチパネルを提供する。 - 特許庁

In a scribe region 3, the cap metal layer 32 connected to the lower wire 25 is formed between the surface of the third interlayer insulating film 27 and the passivation film 33.例文帳に追加

一方、スクライブ領域３においては、第３層間絶縁膜２７表面とパッシベーション膜３３との間には、下配線２５に接続されるキャップメタル層３２が形成されている。 - 特許庁

To provide a transparent conductive film which can prevent yellowing under high temperature and high humidity, and further, has a high interlayer adhesion under alkaline condition, a touch panel which uses film, and to provide an electronic apparatus.例文帳に追加

高温高湿下での黄変を防止できる上、アルカリ性条件下での層間密着性が高い透明導電性フィルム、並びにこれを用いたタッチパネル及び電子機器を提供する。 - 特許庁

On a semiconductor substrate 10, first and second resistance layers 12A, 12B linearly extending so as to be adjacent to each other are formed, and an interlayer insulating film 13 for covering the layers is formed.例文帳に追加

半導体基板１０上に、互いに隣接して線状に延びる第１及び第２の抵抗層１２Ａ，１２Ｂが形成され、それらを覆って、層間絶縁膜１３が形成されている。 - 特許庁

To provide a seal tape which prevents a dimming layer from being deteriorated by an interlayer including a plasticizer and can improve workability when manufacturing the dimming structure.例文帳に追加

可塑剤を含む中間膜による調光層の劣化を防止すると共に、調光構造体を製造するうえで作業性を向上することができる封止テープを提供する。 - 特許庁

To provide a multilayer wiring substrate subjected to interlayer connection by a via hole conductor having high reliability of electrical connection, and capable of responding to the Pb-free need.例文帳に追加

電気的接続の高い信頼性を有するビアホール導体により層間接続された、Ｐｂフリーのニーズに対応することができる多層配線基板を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide an interlayer for laminated glass which is excellent in sound insulation property in a wide range of temperature and prevents an instrument display from being seen doubly when being used for a head-up display.例文帳に追加

広い温度範囲においても遮音性に優れ、かつ、ヘッドアップディスプレイに用いたときに計器表示が二重に見えるのを防止することができる合わせガラス用中間膜を提供する。 - 特許庁

To prevent an increase in electrode resistance, current leak, etc., without making interlayer capacity large even if electrodes formed on different substrates are misaligned when joined together.例文帳に追加

異なる基板に形成された電極同士を接合する場合、合わせずれが発生しても、電極抵抗の上昇や電流リーク等の発生を、層間容量を大きくせず防止する。 - 特許庁

To provide a polysiloxane based positive radiation sensitive composition which can form an interlayer insulation film having superior radiation sensitivity melt flow-proofness, high heat resistance, transparency or the like.例文帳に追加

放射線感度及び耐メルトフロー性が優れると共に、高い耐熱性、透明性等を有する層間絶縁膜を形成可能なポリシロキサン系ポジ型感放射線性組成物の提供。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device that suppress an influence of a fixed charge in an interlayer film formed between memory cells on a rectifier element, and further prevent wiring and electrodes from oxidizing.例文帳に追加

メモリセル間に形成される層間膜中の固定電荷による整流素子への影響を抑制でき、さらに配線及び電極の酸化を防止できる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that can be improved in yield by eliminating a step of an interlayer insulating film formed between a memory cell array region and a peripheral circuit region.例文帳に追加

メモリセルアレイ領域と周辺回路領域との間に生じる層間絶縁膜の段差を解消し、歩留まりの向上を図ることができる半導体装置を提供すること。 - 特許庁

To provide an interlayer for laminated glass, excellent in sound insulating property even in a wide temperature range, excellent in deaerating property in a preliminary press-bonding step and suppressing foaming failure.例文帳に追加

広い温度範囲においても遮音性に優れ、かつ、予備圧着工程における脱気性に優れ発泡不良の発生を抑制できる合わせガラス用中間膜を提供する。 - 特許庁