「Interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(78ページ目) - Weblio英語例文検索

An interlayer insulating film 14 is formed on a semiconductor substrate 11 and is provided with a hole 14a, and then an organic film 16 is formed of an organic material containing an acidic compound.例文帳に追加

まず、半導体基板１１上に形成され、孔部１４ａが形成された層間絶縁膜１４の上に、酸性化合物を含む有機材料からなる有機膜１６を形成する。 - 特許庁

To obtain a high etching precision by suppressing the generation of a striation in the case of dry-etching the interlayer insulating film covered with a resist mask formed by the ArF photolithography.例文帳に追加

ＡｒＦフォトリソグラフィ法により形成したレジストマスクで覆われた層間絶縁膜をドライエッチングする際に、ストリエーションの発生を抑制して高いエッチング加工精度が得られるようにする。 - 特許庁

After that, a tensile stress silicon nitride film 55p which impresses tensile stress to the MTJ element is formed on a clad layer 53b, and an interlayer insulating film on which the clad layer 53b is not formed.例文帳に追加

その後、ＭＴＪ素子に引張ストレスを印加する引張応力シリコン窒化膜５５ｐをクラッド層５３ｂ及びクラッド層５３ｂが形成されていない層間絶縁膜上に成膜する。 - 特許庁

A phosphorus-doped silicon oxide film as at least an interlayer insulating film in a multi-layered wiring is formed in a plasma CVD method or a high-density plasma CVD method.例文帳に追加

多層配線中の少なくとも１層の層間絶縁膜を形成する手段として、プラズマＣＶＤ法または高密度プラズマＣＶＤ法を用いて燐添加シリコン酸化膜を形成する。 - 特許庁

The wiring 210 is formed by dripping droplets 209 having a conductive composition dispersed onto openings of an interlayer insulating film 207 from a nozzle 208 by using a droplet discharging method.例文帳に追加

層間絶縁膜２０７に設けられた開口部に液滴吐出法を用いてノズル２０８から導電性組成物が分散された液滴２０９を滴下し配線２１０を形成する。 - 特許庁

To provide a composition for film-forming, capable of forming a silica-based film excellent in dielectric constant characteristic and mechanical strength as an interlayer insulating film material in a semiconductor element, etc.例文帳に追加

半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、誘電率特性と機械的強度に優れたシリカ系膜が形成可能な膜形成用組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a laminating material for a laminated glass capable of improving adhesive strength with an interlayer film of the laminated glass, and to provide a laminated glass excellent in long term stability and having improved crime prevention performance.例文帳に追加

合わせガラスの中間膜との接着力を向上させることができる合わせガラス貼り合せ材、及び長期安定性に優れ、防犯性能が向上した合わせガラスの提供。 - 特許庁

In this manufacturing method, first and second interlayer insulating films 4 and 5 are formed on one side of a semiconductor substrate 1, so that they cover projection parts 3 which protrude from one side of a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

まず、半導体基板１の一面側から突出した凸部３を覆うように、半導体基板１の一面側に１層目、２層目層間絶縁膜４、５を形成する。 - 特許庁

At a unit pixel, an amplifying transistor 26 and a selecting transistor 28 are stacked over a reading transistor 24 and resetting transistor 22 with an interlayer insulating film 37 in between.例文帳に追加

単位画素部において、増幅トランジスタ２６および選択トランジスタ２８を、層間絶縁膜３７を介して読み出しトランジスタ２４およびリセットトランジスタ２２の上に重ねて配置している。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of suppressing the occurrence of a crack during CMP of an interlayer insulating film and eliminating the influence of a crack even if it occurs.例文帳に追加

層間絶縁膜のＣＭＰ時にクラックが発生することを抑制するとともに、クラックが発生しても、クラックによる影響を排除できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a film-forming composition for forming a film having excellent heat resistance, a permittivity as low as 2.5 or below (in terms of a specific permittivity), and excellent cracking resistance and suited for use as an interlayer insulation film of,e.g. a semiconductor element.例文帳に追加

半導体素子などにおける層間絶縁膜として、耐熱性、比誘電率２．５以下の低誘電性、クラック耐性に優れた膜形成用組成物を提供すること。 - 特許庁

A contact hole 19, which reaches the diffusion layer 14 and the connection conductive layer (conductive layer) 13b, is formed at the interlayer insulating film layer 15, in which a conductive material 20 is embedded.例文帳に追加

層間絶縁膜層１５に、拡散層１４と接続導電層（導電層）１３ｂに達するコンタクトホール１９を形成し、この内部に導電性材料２０を埋め込む。 - 特許庁

The interlayer member 25 functions as a surface pressure diffusion member and the surface pressure of the battery cells 21 constituting a battery pack 20 is made uniform, thereby lifetime of the battery pack 20 can be extended as a whole.例文帳に追加

層間部材25が面圧拡散部材として機能し、電池パック20を構成する電池セル21の面圧が均一化されるため、電池パック20全体として寿命を延ばすことができる。 - 特許庁

In the first interlayer insulating film 22, a first plug 25 electrically connected to the semiconductor element 1, and second plugs 23, 24 electrically connected to the protective diode 2 are formed.例文帳に追加

第１の層間絶縁膜２２には、半導体素子１と電気的に接続された第１のプラグ２５と、保護ダイオード２と電気的に接続された第２のプラグ２３、２４とが形成されている。 - 特許庁

When a capacitor connected with a source region 3 of a cell transistor TR is formed, an interlayer dielectric 8 is formed and a contact hole 8D for opening the source region 3 is formed therein.例文帳に追加

セルトランジスタＴＲのソース領域３に接続するキャパシタを形成する際に、層間絶縁膜８を形成し、これにソース領域３を開口するコンタクトホール８Ｄを形成する。 - 特許庁

A region corresponding to the circuit of a first interlayer insulating film 92 laminated on a substrate is etched back to increase the height of the surface of the insulating film 92 on the light receiver.例文帳に追加

基板上に積層した第１層間絶縁膜９２の回路部に対応する領域をエッチバックして、受光部における第１層間絶縁膜９２の表面を高くする。 - 特許庁

A pad 2 for mounting component is formed by a conductive pattern on each of two positions on a surface of a printed substrate 1, and a through hole 3 for interlayer connection is bored inside each of the pads 2 for mounting component.例文帳に追加

プリント基板１の表面２ヶ所に部品実装用パッド２を導電パターンで配置し、各部品実装用パッド２の内部に層間接続用のスルーホール３を空ける。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device containing an improved method for forming a contact hole in which inclination of the contact hole is suppressed and a film of high reflow properties is applied in an interlayer structure.例文帳に追加

層間構造にリフロー性の高い膜を適用しつつ、コンタクト孔傾斜を抑制する改良されたコンタクト孔形成法を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

After a component 5 is embedded in a second layer 4, the second layer is cured, and the interlayer connection conductor 6 which is a through-hole penetrating the second layer 4 from an upper surface to a lower surface is formed in the cured second layer 4.例文帳に追加

第二層４に部品５を埋設した上でこれを硬化し、硬化した第二層４に上面から下面にかけて貫通する貫通孔の層間接続導体６を形成する。 - 特許庁

A first contact 16 is provided under the measuring electrode 8 to pass through the interlayer insulating film, and the first contact 16 is also electrically connected to the measuring electrode 8.例文帳に追加

第１コンタクト１６が、測定用電極８の下であって、層間絶縁膜を貫通するように設けられ、第１コンタクト１６は、測定用電極８と電気的に接続される。 - 特許庁

A light reflection layer 109 connected to the TFT, a plurality of patterned color filters 110 and a transparent electrode 112 are laminated on the interlayer insulation film 108 in this order.例文帳に追加

層間絶縁膜１０８上には、ＴＦＴに接続された光反射層１１２、パターニングされた複数のカラーフィルタ１１０、および透明電極１１２がこの順序で積層されている。 - 特許庁

Storage nodes 10a, 10b and embedded TEOS (tetraethylorthosilicate glass) film are formed by chemical mechanical polishing a rough surface polysilicon film 10 disposed on an upper surface of an interlayer film 8.例文帳に追加

層間膜８の上面上に位置する粗面ポリシリコン膜１０をＣＭＰ処理によって除去することでストレージノード１０ａ、１０ｂおよび埋め込みＴＥＯＳ膜が形成される。 - 特許庁

The wiring layer is patterned to a metal layer that can be manufactured to uniform thickness regardless of the interlayer connection, and a finer pattern can be also formed with a high yield.例文帳に追加

配線層のパターニングが、この層間接続とは関係なく均一厚に製造可能である金属層に対して行われ、より微細なパターンも高歩留まりで形成可能となる。 - 特許庁

To provide a polysiloxane composition capable of attaining required characteristics of cured films for a display element, such as a protective film and an interlayer insulating film at a high level with good balance.例文帳に追加

保護膜や層間絶縁膜等の表示素子の硬化膜に対する要求特性を高水準でバランスよく両立させることの可能なポリシロキサン組成物を提供すること。 - 特許庁

Moreover, the device is provided with an insulative etching stopper layer (401) formed on the scanning line and an interlayer insulation film (41) which is formed on the layer (401) and has a groove (411) that reaches the layer (401).例文帳に追加

また、走査線上に形成された絶縁性のエッチングストッパー層（４０１）と、この上に形成されており、これに至る溝（４１１）が掘られた層間絶縁膜（４１）とを備える。 - 特許庁

Thus, a groove part 81 is formed at the interlayer insulating film 25 to be the uppermost layer in the sealing area and a groove part 82 is formed at the counter electrode 21 in the sealing area.例文帳に追加

こうして、最上層の層間絶縁膜２５にはシール領域において溝部８１が形成され、対向電極２１にもシール領域において溝部８２が形成される。 - 特許庁

To enable the insulating layer of a circuit board which is ensured of interlayer electrical connection through a via formed of conductive paste to be homogenized and very small in thickness and a via connection to be improved in reliability.例文帳に追加

導電性ペーストからなるビアで層間の電気的接続を確保する回路基板の絶縁層の均質化及び超薄型化とビア接続の高信頼性化をはかる。 - 特許庁

In the opening 104, at least one protrusion 105a made by leaving part of the second interlayer dielectric 105 is further provided, and the lower electrode 106 covers a side surface of the protrusion 105a, too.例文帳に追加

開口部１０４内に、第２の層間絶縁膜１０５の一部が残された凸部１０５ａを少なくとも１つ更に備え、下部電極１０６は、凸部１０５ａの側面も覆っている。 - 特許庁

The fixed layer 23 includes a first layer 311, a second layer 312, a third layer 313, a non-magnetism interlayer 32 and an inner layer 33, which are arranged sequentially in order of distance near to the anti-ferromagnetic layer 22.例文帳に追加

固定層２３は、反強磁性層２２に近い順に配置された第１層３１１、第２層３１２、第３層３１３、非磁性中間層３２およびインナー層３３を含んでいる。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition excellent in heat resistance, electric insulating property and chemical resistance and usable for a permanent protective film, an interlayer dielectric film, etc., by application on a printed wiring board, etc.例文帳に追加

耐熱性、電気絶縁性、耐薬品性に優れ、プリント配線板等の上に塗布し、永久保護膜や層間絶縁膜等に使用できる感光性樹脂組成物の提供。 - 特許庁

To provide a laminate which has high transparency, has a small reflectance amplitude, as a result, can prevent interference fringes on coated film appearance, is excellent in interlayer adhesiveness and, moreover, is excellent in scratch resistance.例文帳に追加

透明性が高く、反射率振幅が小さく、その結果塗膜外観の干渉縞を防止でき、層間の密着性に優れ、しかも優れた耐擦傷性を有する積層体を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing multilayered printed wiring board by which the surface of an interlayer insulating resin layer can be flattened even when the conductor circuits of an internal layer have uneven surfaces.例文帳に追加

内層の導体回路に表面凹凸が存在しても、層間樹脂絶縁層の表面を平坦化することのできる多層プリント配線板の製造方法を提案すること。 - 特許庁

To provide a decorative material for a floor superior in an interlayer adhesive property, having hiding performance, and superior in productivity, without the problem of generating a toxic substance in combustion, and without the problem of separation and warping.例文帳に追加

燃焼時の有害物質発生の問題がなく、剥離やそりの問題がなく、層間接着性に優れ、隠蔽性があり、生産性の優れた床用化粧材を提供する。 - 特許庁

A film thickness of an interlayer insulation film at a part on a channel region is thicker than that of a surrounding area, and capacitance is created at this part between a capacitance electrode and a gate electrode facing each other.例文帳に追加

チャネル領域上の層間絶縁膜が周囲よりも膜厚が薄く、その部分で容量電極がゲート電極と対向して容量を形成している半導体装置。 - 特許庁

To provide high-reliability metal-containing paste suitable for providing conductivity, in particular, for providing the interlayer conduction of a printed circuit board, and capable of forming an excellent coating surface without having inconvenience caused by volume contraction.例文帳に追加

導電性の付与、とりわけプリント基板の層間導通を得るのに好適な、塗布面が良好で体積収縮に伴う不都合のない、高信頼性の含金属ペーストを提供する。 - 特許庁

To provide a surface coated cutting tool with excellent tool properties hardly causing chipping, loss and interlayer peeling even if used in high-speed high-feed intermittent cutting.例文帳に追加

高速高送り断続切削加工に用いた場合であっても、チッピング、欠損、層間剥離等を生じないすぐれた工具特性を備えた表面被覆切削工具を提供する。 - 特許庁

To solve the problem that, when a film having no hygroscopic block resistance exists on an interlayer film having an Si-H coupling or Cu wiring, the capacitance between the wiring or the resistances of via holes are raised by moisture absorption.例文帳に追加

Ｓｉ−Ｈ結合をもつ層間膜またはＣｕ配線上に吸湿ブロック耐性がない膜がある場合、吸湿により、配線間容量またはビア抵抗が上昇する。 - 特許庁

To provide a substrate for mounting electronic parts, which has a socket-like structure part whose manufacture is simple and which is superior in reliability although it has structure without a gap in an interlayer connection part.例文帳に追加

層間接続箇所に隙間のない構造であるにもかかわらず、製造が簡単でかつ信頼性にも優れたソケット様構造部を持つ電子部品搭載用基板を提供すること。 - 特許庁

In such case, the protrusion 23 may be made of a topcoat provided on the reflective portion of a color filter substrate or made of an interlayer film provided in a reflective portion of a matrix substrate side.例文帳に追加

この場合、突起部２３はカラーフィルタ基板の反射部に設けられたトップコートからなるものであっても、マトリクス基板側の反射部に設けられた層間膜からなるものであってもよい。 - 特許庁

To provide a hollow molding which is excellent in heat resistance, hot water resistance, chemical resistance, and alcohol-proof gasoline permeability and is balanced and excellent in appearance, interlayer adhesion, flexibility, conductivity, etc.例文帳に追加

耐熱性、耐熱水性、耐薬品性、耐アルコールガソリン透過性に優れ、かつ成形品外観、層間の密着性、柔軟性、導電性などが均衡して優れる中空成形体を提供する。 - 特許庁

To provide a deposition method for forming an interlayer dielectric which has excellent adhesion onto distributing Cu wires, and is free from cohesion of Cu, and so on.例文帳に追加

半導体装置の製造において、Ｃｕ配線上に密着性が良好で、Ｃｕの凝集等が起こらない層間絶縁膜を形成するための成膜方法を提供する。 - 特許庁

To suppress leakage from occurring and the interlayer capacitance from increasing by oxidating a conductive material, in wiring trenches or connection holes and diffusing the conductive material in an insulation film.例文帳に追加

配線溝や接続孔内の導電材料の酸化、および導電材料が絶縁膜に拡散することによるリークの発生を抑制するとともに、層間容量の増加を抑制する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an aromatic compound containing an alicyclic substituent that is used as a low dielectric material excellent as an interlayer insulating material unnecessitating the introduction of vacancies.例文帳に追加

空孔導入を必要としない層間絶縁膜材料として優れた低誘電材料として使用される脂環式置換基含有芳香族系化合物の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a preparative method for nanocomposite material of conductive polymer having conductivity ≥10-1 S/cm comprising a lamella silicate having interlayer distance ≥50 Å.例文帳に追加

伝導率が１０^-1Ｓ／ｃｍ以上で、層間スペースが５０Å以上である層状ケイ酸塩からなる導電性高分子のナノ複合材料の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device for easily improving a manufacturing yield by controlling microscraches due to chemical and mechanical polishing at the time of forming an interlayer dielectric.例文帳に追加

層間絶縁膜を形成する際の化学的機械研磨に起因するマイクロスクラッチの発生を抑えて製造歩留りを向上させることが容易な半導体装置の製造方法を得ること。 - 特許庁