「Interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(82ページ目) - Weblio英語例文検索

In the manufacturing method, at least a part of a series of contact holes connecting a peripheral circuit or peripheral wiring and shielding film wiring in a peripheral area is opened to respective interlayer insulating films at the same time as the opening of a plurality of contact holes connecting two arbitrary films among a plurality of conductive films to the respective interlayer insulating layers in a picture display area.例文帳に追加

製造方法は、画像表示領域で複数の導電膜のうち任意のニ膜間を夫々接続する複数のコンタクトホールを各層間絶縁膜に開孔するのと夫々同時に周辺領域で周辺回路又は周辺配線及び遮光膜配線間を接続する一連のコンタクトホールの少なくとも一部分を、各層間絶縁膜に開孔する。 - 特許庁

When laminating a plurality of material layers by discharging ink from a droplet discharge head to a substrate P, a non-discharging region H is preset on a drain electrode 544, ink is discharged on a part other than non-discharging region of the drain electrode 544, and a second interlayer insulating layer 584 is formed on the drain electrode 544 and a first interlayer insulating layer 583.例文帳に追加

基板Ｐに対して液滴吐出ヘッドからインクを吐出して複数の材料層を積層する際、ドレイン電極５４４上面に非吐出領域Ｈを予め設定しておき、ドレイン電極５４４のうち非吐出領域Ｈ以外の部分にインクを吐出して、ドレイン電極５４４及び第１層間絶縁層５８３上層に第２層間絶縁層５８４を形成する。 - 特許庁

The semiconductor apparatus comprises a semiconductor substrate 21, an interlayer dielectric 23 formed on the semiconductor substrate and having a contact hole opening to the semiconductor substrate, a metal wiring layer 13 having one end connected with the contact hole and the other end constituting a bonding pad, and an adhesion layer 31 of Ti having a thickness of 5-500 Å provided between the interlayer dielectric and the metal wiring layer.例文帳に追加

半導体基板２１と、該半導体基板上に形成され、該半導体基板へのコンタクトホールが開口された層間絶縁膜２３と、一端が前記コンタクトホールに接続され、他端がボンディングパッドを構成する金属配線層１３と、前記層間絶縁膜と金属配線層との間に設けられ、厚さが５〜５００〔Å〕のＴｉから成る密着層３１とを有する。 - 特許庁

In the semiconductor device where an interlayer insulation layer 13 is formed on a semiconductor chip 30, and a sealing resin layer 19 for protecting the semiconductor chip 30 from external atmosphere and at the same time bump electrodes 20 used as external connection terminals are provided, at least the interlayer insulation layer 13 is formed by using resin with a specific low thermal coefficient of expansion and a specific low modulus of elasticity.例文帳に追加

半導体チップ３０上に層間絶縁層１３が形成され、さらに半導体チップ３０を外部雰囲気から保護する封止樹脂層１９を有すると共に、外部接続端子としての突起状電極２０を備えた半導体装置において、少なくとも層間絶縁層１３を特定の低熱膨張率及び特定の低弾性率を有する樹脂を用いて形成する。 - 特許庁

In the method for fabricating a semiconductor device, when a bit line 31A is formed of a W film, a second interlayer dielectric 20 underlying the W film is formed of a P-TEOS oxide film and then annealing is performed at 700-800°C for 1-30 min in nitrogen atmosphere in order to desorb an oxygen containing gas contained in the interlayer dielectric 20.例文帳に追加

開示される半導体装置の製造方法は、Ｗ膜から成るビット線３１Ａを形成する場合、Ｗ膜の下地となるＰ−ＴＥＯＳ酸化膜から成る第２の層間絶縁膜２０を形成した後に、窒素雰囲気内で、７００〜８００℃で、１〜３０分間アニール処理を施して、第２の層間絶縁膜２０内に含まれている酸素を含むガスを脱離させる。 - 特許庁

The cured film is formed of the composition; the interlayer insulating film is formed by using the cured film; and the organic EL display device and the liquid crystal display device each include the interlayer insulating film.例文帳に追加

アルカリ可溶性樹脂（Ａ）、該アルカリ可溶性樹脂（Ａ）とは異なる構造を有し、且つ、エポキシ基及びオキセタン基の少なくとも一方を含有する線状共重合体（Ｂ）、及び感光剤（Ｃ）を含有するポジ型感光性樹脂組成物、該組成物から形成された硬化膜、該硬化膜を用いた層間絶縁膜、該層間絶縁膜を具備する有機ＥＬ表示装置並びに液晶表示装置。 - 特許庁

The positive electrode active material has an olivine structure and is expressed by Li_xM_1-xMnPO_4 (in the formula, 0<x≤1, and M is an alkaline metal element having an ion radius larger than Li), in which the interlayer spacing of MnO_6 layer is larger than the interlayer spacing of MnO_6 layer contained in LiMnPO_4 as a reference substance.例文帳に追加

本発明は、オリビン構造を有し、Ｌｉ_ｘＭ_１−ｘＭｎＰＯ_４（式中、０＜ｘ≦１であり、ＭはＬｉよりもイオン半径の大きなアルカリ金属元素である。）で表され、かつ、ＭｎＯ_６層の層間隔が、基準物質としてのＬｉＭｎＰＯ_４に含まれるＭｎＯ_６層の層間隔よりも大きいことを特徴とする正極活物質を提供することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

In the photosensitive transfer material having the interlayer and a photosensitive layer on the temporary support in this order, the photosensitive transfer material is characterized by comprising the interlayer which contains at least a kind of nonionic fluorine compound, the adhesive power of which to the temporary support is weaker than that to the photosensitive layer and which is soluble at least in water or in an aqueous solution.例文帳に追加

仮支持体上に中間層と感光性層とをこの順に有する感光性転写材料において、前記中間層が、少なくとも一種のノニオン性フッ素化合物を含み、中間層と仮支持体との接着力が中間層と感光性層との接着力より小さく、かつ少なくとも水若しくは水溶液に可溶であることを特徴とする感光性転写材料である。 - 特許庁

Defects in repetitive patterns in a multilayer substrate are detected by a defect detection part provided in the defect correcting device, and when the defects detected by the defect detection part overlap with a region where an occurrence of the interlayer short-circuit defect is assumed, a control part 301 provided in the defect correcting device generates an object corresponding to a defect correction technique for the interlayer short-circuit defect.例文帳に追加

欠陥修正装置が備える欠陥検出部により多層基板における繰り返しパターン内の欠陥を検出し、欠陥検出部で検出された欠陥が層間ショート欠陥の発生が想定される領域に重なる場合、欠陥修正装置が備える制御部３０１により層間ショート欠陥用の欠陥修正手法に対応するオブジェクトを生成する。 - 特許庁

Further, the method includes a step of removing the second interlayer insulating film 8 on the local wiring 15a by etching after forming of the sidewall 10, and forming a via hole 23 to expose on the local wiring 15a.例文帳に追加

さらに、サイドウォール１０を形成した後で、局所配線１５ａ上の第二層間絶縁膜８をエッチングして除去し、当該局所配線１５ａ上を露出させるビアホール２３を形成する。 - 特許庁

By this, it is possible to further reduce the interlayer coupling magnetic field Hin than the conventional one while maintaining the same RA and resistance change rate (ΔR/R) as those of the conventional one without the first insertion layer 4a2.例文帳に追加

これにより、前記第１挿入層４ａ２を有しない従来と同様のＲＡ及び抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を維持しつつ、層間結合磁界Ｈｉｎを従来よりも低減できる。 - 特許庁

With this configuration, the side surfaces of first, second and third interlayer films 13, 15 and 17 and the passivation film 22 are each covered with a portion of the sealing resin layer 4 entering into the groove 31.例文帳に追加

これにより、第１層間膜１３、第２層間膜１５、第３層間膜１７およびパッシベーション膜２２の各側面は、封止樹脂層４の溝３１に入り込んだ部分によって被覆されている。 - 特許庁

The mount board has a plurality of boards 1,2,3, and a through-hole 5 for forming an opening exposed externally or an interlayer through-hole 7 is filled in by a metallic jointing material 8 and the filled material is solidified.例文帳に追加

複数の基板１、２、３を有する実装装置であって、外部に露出する開口部が形成された貫通スルーホール５または層間スルーホール７が、金属接合材料８で充填・固化されている。 - 特許庁

After having formed the metal wirings by patterning the laminated layer 105 for wiring, a third interlayer insulating film is formed on the metal wirings so that there is the gap between the metal wirings.例文帳に追加

配線用積層膜１０５をパターニングして金属配線を形成した後、該金属配線の上に第３の層間絶縁膜を、金属配線同士の間に空隙が存在するように形成する。 - 特許庁

The first longitudinal wire 1c and the second one 2c oppose each other laterally while holding one portion of an upper interlayer insulating film 6, and a capacitor having a high capacitance value is composed.例文帳に追加

第１縦方向配線部１ｃと第２縦方向配線部２ｃとは、上側層間絶縁膜６の一部を挟んで横方向に相対向しており、高い容量値を有する容量部が構成されている。 - 特許庁

An overhung-shaped sidewall 202a is formed on the sidewall of the aperture 105, and a second interlayer insulating film 106 is formed on the layer 105, in a state such that the aperture 105a is filled.例文帳に追加

開口部１０５ａの側壁にオーバーハング形状のサイドウォール２０２ａを形成し、開口部１０５ａを埋め込む状態で、第１ストッパ層１０５上に第２層間絶縁膜１０６を形成する。 - 特許庁

Furthermore, the ferromagnetic interlayer 28 contains at least one kind as an additive out of a group consisting of Mn, Cr, Ni, Cu, Rh, Ir and Pt, thereby restricting a thermal deterioration of the lamination 20.例文帳に追加

更に、強磁性層間層２８は、Ｍｎ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｒｈ，ＩｒおよびＰｔからなる群のうち少なくとも１種を添加物として含んでおり、これにより積層体２０の熱劣化を抑制するようになっている。 - 特許庁

A contact hole 18 is bored in the interlayer insulating film 17, a groove 19 is cut in the region of the film 17 which includes the contact hole 18, and a contact plug 21 is filled in the contact hole 18 and the groove 19.例文帳に追加

層間絶縁膜１７にコンタクト孔１８を形成し、更にコンタクト孔１８の領域を含む溝１９を形成して、コンタクト孔１８及び溝１９にコンタクトプラグ２１を埋め込む。 - 特許庁

As a result, since a recessed part corresponding to the making hole 20M cannot be formed easily on the silicon oxide layer, that is to become an interlayer insulation film 4 after being subjected to CMP polishing, retention of slurry at the recessed part can be suppressed.例文帳に追加

このため、ＣＭＰ研磨されて後に層間絶縁膜４となるシリコン酸化物層にマーク用孔２０Ｍに対応した凹部が形成されにくいので、かかる凹部へのスラリーの残留が抑制される。 - 特許庁

Next, a part of the wiring laminated part is removed by dry etching and a preliminary opening part C1a is formed with a provision that a whole surface of the movable electrode 20 is covered with a part of the first interlayer insulation film 16.例文帳に追加

次に、可動電極２０の全面が第一層間絶縁膜１６の一部で覆われるように残して配線積層部の一部をドライエッチングにより除去し予備開口部Ｃ１ａを形成する。 - 特許庁

To provide a thermally insulating particle dispersion having excellent dispersion stability and hardly causing the coagulation due to solvent shock or the like, an interlayer for laminated glass formed by using the thermally insulating particle dispersion, and the laminated glass.例文帳に追加

高い分散安定性を有し、ソルベントショック等によっても凝集しにくい遮熱粒子分散液、該遮熱粒子分散液を用いてなる合わせガラス用中間膜及び合わせガラスを提供する。 - 特許庁

In an insulating film 101, there is formed lower layer wiring comprising a barrier metal film 102 and a copper-containing metal film 103, on which an interlayer insulating film 104 (or 104a and 104b) is formed.例文帳に追加

絶縁膜１０１中に、バリアメタル膜１０２および銅含有金属膜１０３からなる下層配線を形成し、この上に層間絶縁膜１０４（または１０４ａおよび１０４ｂ）を形成する。 - 特許庁

The transparent conductive layer 9 is formed so as to extend from an inner portion of the contact hole 10 to an upper surface 15 of the interlayer insulating film 8, and electrically connected to the conductive layer 6b.例文帳に追加

透明性導電層９は、コンタクトホール１０の内部から層間絶縁膜８の上部表面１５上にまで延在するように形成され、導電層６ｂと電気的に接続されている。 - 特許庁

An electrode member 14 becoming the pad of an uppermost layer covers the columnar conductive members 12 in a region from where an interlayer insulating film 13 is removed while touching the connecting region 11.例文帳に追加

最上層のパッドとなる電極部材１４は、層間絶縁膜１３の除去された領域においてこの柱状導電部材１２を覆い、かつ接続領域１１と接触した形態をとっている。 - 特許庁

In the film deposition method, an interlayer insulating film for insulating a reading head and a writing head from each other which are provided in a layer in a head of a hard disk or the like by the ALD method.例文帳に追加

成膜方法では、ＡＬＤ法によって、ハードディスク等のヘッドにおいて層状に設けられた読出し用ヘッドと書込み用ヘッドとの間を絶縁するための層間絶縁膜を成膜する。 - 特許庁

To provide a printed circuit board and its manufacturing method by which the interlayer continuity of a conductor pattern can be given by a simple method and a uniform thickness be realized without controlling plating thickness for pattern formation.例文帳に追加

導体パターンの層間導通性を簡易な方法により付与することができ，かつパターン形成用のメッキ厚みの制御が不要で均一な厚みのプリント配線板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a composition for silica film formation capable of sintering in a short time, and excellent in cracking resistance and moisture absorption property as an interlayer insulating material for a semiconductor element, etc., and a silica film.例文帳に追加

半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、短時間焼成が可能であり、クラック耐性、低吸湿性に優れたシリカ系膜が形成可能な膜形成用組成物およびシリカ系膜 - 特許庁

To obtain an olefin polymer laminated film suitable for overlapping package having excellent interlayer adhesive properties and antistatic properties, low heat sealability, blocking resistance, slipperiness, solvent resistance and transparency.例文帳に追加

層間接着性、帯電防止性に優れ、低温ヒートシール性、耐ブロッキング性、スリップ性、耐溶剤性及び透明性を具備したオーバーラップ包装用に適したオレフィン重合体積層フィルムを得ることを課題とする。 - 特許庁

To provide a wiring substrate with a built-in capacitor which can increase reliability by preventing peel-off between a capacitor and a resin interlayer insulating layer and preventing the displacement of the capacitor, and its manufacturing method.例文帳に追加

コンデンサと樹脂層間絶縁層との間の剥離を防止し、コンデンサの位置ずれを防止することにより、信頼性が高くなるコンデンサ内蔵配線基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent positional deviation from occurring in interlayer connections or a deviation from occurring in a mounting position of an element, and to form circuit interconnections of high density and high definition so as to manufacture a flexible substrate having high-definition circuit interconnections.例文帳に追加

層間接続の位置のずれや素子の実装位置のずれを防止するとともに、高密度、高精細の回路配線を形成して、回路配線の高精細なフレキシブル基板を製造する。 - 特許庁

To provide a printed wiring board which is uniform in thickness and where conductor patterns can be easily given interlayer continuity, and a plating layer used for forming the conductor patterns is not required to be controlled in thickness and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

導体パターンの層間導通性を簡易に付与することができ，かつパターン形成用のメッキ厚みの制御が不要で均一な厚みのプリント配線板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

After a first CF film 21 which acts as an interlayer insulating film is formed, a hard mask 31 constituted of a BN film is formed on the CF film 21, and a specified trench pattern is etched on the hard mask 31.例文帳に追加

層間絶縁膜をなす第１のＣＦ膜２１を成膜した後、当該ＣＦ膜２にＢＮ膜よりなるハ−ドマスク３１を成膜し、次いでハ−ドマスク３１に所定の溝パタ−ンをエッチングする。 - 特許庁

To solve the problem of the connectional laminated coils that a flat type wire whose is insulatively covered over the entire circumference is expensive and a cut laminate comprised of a metal foil and an insulation film has an insufficient interlayer insulation due to the deformation of a cut section.例文帳に追加

従来の全周に絶縁被覆がなされた平角線は高価であり、金属箔と絶縁フィルムの裁断積層体では、切断面の変形により層間絶縁が不十分。 - 特許庁

To provide a catalyst for cleaning exhaust gas which can securely inhibit the solid-solution deterioration of Pt and Rh by sufficiently curbing the interlayer transfer of Pt and Rh, even in an oxygen excessive atmosphere at a high temperature of not less than 900°C.例文帳に追加

９００℃以上の高温でかつ酸素過剰雰囲気であっても、Ｐｔ及びＲｈの層間移動を十分に抑制して、Ｐｔ及びＲｈの固溶劣化をより確実に抑制する。 - 特許庁

By such a constitution, increases in manufacturing process and cost caused by the conventional forming of an interlayer are prevented, and a decline in reliability and the degradation of efficiency of optical extraction caused by an increase in interface are prevented.例文帳に追加

従って、従来の中間層形成による製造工程及びコストの増加を防止し、かつ界面増加による信頼性低下及び光抽出の効率低下を防止することができる。 - 特許庁

To provide a resin member for improving weather resistance without inviting coloring or deteriorating due to an ultraviolet ray, a decrease in a surface hardness and a decrease in interlayer adhesive properties and having high surface hardness and marring resistance.例文帳に追加

紫外線による着色や劣化、表面硬度低下、層間密着性低下を招くことなく耐候性を向上させ、かつ高い表面硬度や耐擦り傷性を有する樹脂部材を提供すること。 - 特許庁

To avoid the breakage of an interlayer insulating layer existing between data signal wiring and scan signal wiring which is caused by the push of a spacer, or the rupture of an electrode and the data signal wiring of an electron source formed of a thin film.例文帳に追加

スペーサの押圧によるデータ信号配線と走査信号配線との間にある層間絶縁層の破壊、あるいは薄膜で構成される電子源の電極やデータ信号配線の破断を回避する。 - 特許庁

To provide a multilayer metal foil clad laminate which has no resin residues on the front surface of the outermost layer of the metal foil and hardly has damages, hit marks, or pin holes, and has a high interlayer alignment accuracy.例文帳に追加

最外層の金属箔の表面に樹脂残渣がなく、また、傷や打痕やピンホールが発生しにくく、さらに、層間の位置合わせ精度が高い多層金属箔張り積層板を提供する。 - 特許庁

To solve the problem that it takes time to perform the processing operation of an aberration correcting element in the interlayer movement of a multilayer disk and in a device initialization operation in an optical disk device needing the aberration correcting element for correcting a spherical aberration.例文帳に追加

球面収差を補正する収差補正素子が必要な光ディスク装置ではで、多層ディスクの層間移動時や装置初期化動作時の収差補正素子の処理動作に時間がかかる。 - 特許庁

To provide a diagnostic method for laminate belt, capable of diagnosing the state of interlayer peeling caused within a laminate belt containing a layered composite material and embedded with a tensile body composed of a magnetic body.例文帳に追加

層状の複合物質を含み、磁性体から成る抗張体が埋設する積層帯の内部に生じる層間剥離の状況を診断することができる積層帯の診断方法を提供する。 - 特許庁

To prevent the flocculation of sacrifice nanoparticles from growing in precursor solution for forming a porous film becoming an interlayer insulating film even if the content of sacrifice nanoparticles is increased in the precursor solution.例文帳に追加

層間絶縁膜となる多孔質膜用前駆体溶液中の犠牲ナノ粒子の含有率を高くしても、前駆体溶液中における犠牲ナノ粒子の凝集が大きくならないようにする。 - 特許庁

The electron beams are radiated to an interlayer insulating film F on the substrate W in such a state that the values of the distance D, the moving speed and the current are adjusted to the values corresponding to each substrate W.例文帳に追加

このように距離Ｄ、移動速度および電流値が基板Ｗに対応して調整された状態で電子ビーム照射が基板Ｗ上の層間絶縁膜Ｆに対して行われる。 - 特許庁

A ZrB target is sputtered with an Ar gas, and a common first metal cap layer 16 principally containing ZrBx (x=0.5-4.0) is laminated on a second interlayer dielectric 11 and a first wiring 13.例文帳に追加

ＺｒＢターゲットをＡｒガスでスパッタし、第２層間絶縁膜１１と、第１配線１３と、にＺｒＢｘ（ｘ＝０．５〜４．０）を主成分にした共通する第１メタルキャップ層１６を積層した。 - 特許庁

At the pad, the barrier metal layers 40a and 40c are removed corresponding to a pad opening part 60, and the bottom surface of the pad part positioned under the pad opening part is in direct and close contact with the interlayer insulation layer 26.例文帳に追加

パッド部では、バリアメタル層４０ａ、４０ｃがパッド開口部６０に対応して除去され、パッド開口部下方に位置するパッド部の底面は、層間絶縁層２６に直接密着する。 - 特許庁

Specifically, the metal pad PAD is provided on the dummy pattern forbidden region PROH, wherein the metal pad is connected to the semiconductor device circuits through the interlayer dielectric layers IL and has an electrically connected region to an outside.例文帳に追加

すなわち、ダミーパターン禁止領域ＰＲＯＨ上に層間絶縁膜ＩＬを介して半導体素子回路に繋がり外部との電気的接続領域を有する金属パッドＰＡＤが設けられている。 - 特許庁