「Interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(85ページ目) - Weblio英語例文検索

In the solid-state imaging device 102, a p-type semiconductor layer 302, an interlayer insulating film 304, a multilayer film interference filter 306, and a condensing lens 307 are laminated successively on an n-type semiconductor layer 301.例文帳に追加

固体撮像装置１０２は、Ｎ型半導体層３０１上にＰ型半導体層３０２、層間絶縁膜３０４、多層膜干渉フィルタ３０６及び集光レンズ３０７が順次積層されてなる。 - 特許庁

A second copper wire 24 in a second wiring groove 20 and a plug in a via hole 15 connected to the second wiring groove 20 are arranged between interlayer insulating films 11, 13 formed on a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１上の層間絶縁膜１１，１３に、第２の配線溝２０内の第２の銅配線２４、および第２の配線溝２０に接続したビアホール１５内のプラグとを設ける。 - 特許庁

To relieve a phenomenon caused by difference in the material characteristics between the conductive substance used for interlayer continuity and an insulating layer, and to suppress the occurrence of ion migration at a boundary section in the insulating layer.例文帳に追加

層間導通に用いる導電性物質と絶縁層との材料特性の違いに起因する現象を緩和し、絶縁層の境界部分におけるイオンマイグレーションの発生を抑制する。 - 特許庁

The scanning wiring 3 is provided in a groove 2 formed in the substrate 1 and the signal wiring 8 is arranged to cross it, passing over the interlayer insulating layer 4 provided on the scanning wiring 3.例文帳に追加

前記走査配線３を前記基板１に形成された溝２内に設けると共に、該走査配線３上に設けた前記層間絶縁層４上を通って前記信号配線８を交差配置する。 - 特許庁

To provide a photosensitive transfer sheet laminate less liable to interlayer peeling within a photosensitive layer and causing no peeling defect in laminating on a copper-clad substrate or the like, and a method for manufacturing the laminate.例文帳に追加

感光層の内部で層間剥離が生じ難く、銅張り基板などへのラミネート時に剥離欠陥が生じることのない感光性転写シート積層体およびその製造方法の提供。 - 特許庁

To obtain a forming method of an insulating film for semiconductors that has superior coherency with a film formed by a CVD (Chemical Vapor Deposition) method as an interlayer insulating film material in a semiconductor device or the like.例文帳に追加

半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法で形成される 膜との密着性に優れた半導体用絶縁膜の形成方法を得る。 - 特許庁

To the surface of a first polymethylsiloxan film 2c formed on a semiconductor substrate 3, varnish 2 which is the liquid raw material of a second polymethylsiloxan film 2 formed as a second low-dielectric constant interlayer insulating film is applied.例文帳に追加

半導体基板３上に形成した第１ポリメチルシロキサン膜２ｃの表面上に、第２低誘電率層間絶縁膜としての第２ポリメチルシロキサン膜２の液状原料であるワニス２を塗布する。 - 特許庁

To provide a multilayer wiring board which can be equipped with interlayer connection structures of high connection reliability through all the layers by the use of existing equipment and be improved in heat transfer properties, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

既存の設備を用いて、接続の信頼性の高い層間接続構造を全層で形成することができ、伝熱性も良好となる多層配線基板、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor manufacturing method capable of so simply obtaining a thinly-ground wafer with an interlayer adhesive, and so simply manufacturing a highly stacked semiconductor using this.例文帳に追加

極めて簡便に薄研削された層間接着剤付きのウエハを得ることができ、これを用いて簡便に高積層型の半導体を製造することができる半導体の製造方法を提供する。 - 特許庁

In a semiconductor device 70, a first opening is formed on an interlayer insulation film 4 on a cap film 3, and a wiring layer 6 composed of a barrier metal film 5 and Cu (copper) is embedded in the first opening.例文帳に追加

半導体装置７０には、キャップ膜３上の層間絶縁膜４に第１の開口部が設けられ、第１の開口部には、バリアメタル膜５とＣｕ（銅）からなる配線層６が埋設される。 - 特許庁

Here, the edges of the organic EL layer 15A and the back electrode 16A rest on the interlayer insulating films 13 to prevent the occurrence of a short-circuit between the front electrodes 12 and the back electrode 16A.例文帳に追加

このとき、有機ＥＬ層１５と背面電極１６Ａの端縁は、層間絶縁膜１３に在るため、前面電極１２と背面電極１６Ａとの間にショートが発生するのを防止できる。 - 特許庁

To provide decorated laminated glass excellent in basic performances such as light resistance, heat resistance, moisture resistance and shock resistance, as well as excellent in designing property while having excellent adhesiveness between an interlayer and the glass.例文帳に追加

耐光性、耐熱性、耐湿性、耐衝撃性などといった基本性能に優れ、中間膜とガラスとの優れた接着性を有しつつ、意匠性にも優れた化粧合わせガラスを提供すること。 - 特許庁

To provide an adhesive composition for electronic equipment and an adhesive sheet for electronic equipment, which enable temporary adhesion at ordinary temperature, and ensure high interlayer insulation property of an adhesive layer after heat curing.例文帳に追加

常温での仮接着が可能であり、さらに加熱硬化後の接着剤層の層間絶縁性が高い電子機器用接着剤組成物および電子機器用接着剤シートを提供する。 - 特許庁

When interconnect line holes and trenches are provided to the low-permittivity interlayer insulating film by etching through micro processing, a mixed gas of fluorocarbon gas, Ar, and NF_3 is introduced into a vacuum chamber for carrying out an etching operation.例文帳に追加

低誘電率層間絶縁膜をエッチングし、配線用のホール、トレンチを微細加工する際に、フッ化炭素系ガス＋ＡｒにＮＦ_３を添加した混合ガスを真空チャンバ内に導入してエッチングする。 - 特許庁

The exposed surface in the groove 40, the bit lines 12, and the silicon nitride film 32 are covered with a silicon nitride film 33, and the interlayer insulation film 34 is formed over the silicon nitride film 33 as to fill in the groove 40.例文帳に追加

溝４０内の露出表面、ビットライン１２及びシリコン窒化膜３２をシリコン窒化膜３３で覆い、シリコン窒化膜３３上に溝４０内を埋めるように層間絶縁膜３４を形成する。 - 特許庁

On the polysilicon film 25 corresponding to the gate electrode 22, a stopper 26 is arranged and then a silicon oxide film 27 and a silicon nitride film 28 becoming an interlayer insulation film are deposited to cover the stopper 26.例文帳に追加

ゲート電極２２に対応する多結晶シリコン膜２５上に、ストッパ２６が配置され、このストッパ２６を被うように、層間絶縁膜となる酸化シリコン膜２７及び窒化シリコン膜２８が積層される。 - 特許庁

To provide a dielectric memory in a solid stacked capacitive element wherein both deterioration in an oxygen diffusion preventive layer and occurrence of a crack on an interlayer insulation film can be inhibited, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

立体スタック型の容量素子において、酸素拡散防止層の劣化と、層間絶縁膜でのクラックの発生とが共に抑えられた誘電体メモリ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

An insulating film 2 is formed on a semiconductor substrate 1 and a pair of electrodes of a capacitor, i.e. a lower layer electrode 3 and an upper layer electrode 5, are formed thereon while sandwiching an interlayer insulating film 4.例文帳に追加

半導体基板１の上に絶縁膜２が形成され、その上に下層電極３と上層電極５とが層間絶縁膜４を挟んでコンデンサの一対の電極を形成している。 - 特許庁

The epitaxial substrate 1 is produced by successively epitaxially growing a target group III-nitride layer 13, an interlayer 14 and a group III-nitride layer 15 on a substrate 11 through a buffer layer 12.例文帳に追加

エピタキシャル基板１は、基材１１の上に、バッファ層１２を介して、目的とするIII族窒化物層１３、中間層１４およびIII族窒化物層１５を順次エピタキシャル成長させることにより作製される。 - 特許庁

A source electrode 36 is formed on the surface of a first interlayer insulating layer 61 covering the semiconductor layer 31 and the gate electrode 34 and conducts to a source region 31s via the contact hole CH1s.例文帳に追加

ソース電極３６は、半導体層３１およびゲート電極３４を覆う第１層間絶縁層６１の面上に形成されるとともにコンタクトホールＣＨ1sを介してソース領域３１ｓに導通する。 - 特許庁

By etching the lower part interlayer dielectric 67 using the hard mask 69 as an etching mask, a self-aligned contact hole 71, by which the semiconductor substrate 51 between the wiring patterns 60 is exposed, is formed.例文帳に追加

ハードマスク６９をエッチングマスクとして使用して、下部層間絶縁膜６７をエッチングして配線パターン６０の間の半導体基板５１を露出させる自己整列コンタクトホール７１を形成する。 - 特許庁

The interlayer insulation film between the electric field impressing fuse Fa and the laser fuse Fb incorporates the layout of a passivation film 24b to prevent laser damage due to pattern formation from the first layer metal wiring.例文帳に追加

電界印加フューズＦａとレーザフューズＦｂの間の層間絶縁膜中には第１層メタル配線層を用いてパターン形成されたレーザダメージを防止するための保護膜２４ｂが配置される。 - 特許庁

The interlayer having the specified design and the scatter preventing function for at least broken glass is interposed between the mating faces of a pair of glass panes to jointly bond both glass panes.例文帳に追加

一対のガラスの合わせ面間に、所定の意匠を有すると共に少なくとも割れたガラスの飛散防止機能を有する中間膜を介装させて、両ガラスを接合接着したことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a multilayer circuit board, having superior quality reliability of a via connection between conductor wiring layers (circuit patterns) and also invulnerability to interlayer peeling, to be fabricated while supressing defective rate at low cost.例文帳に追加

導体配線層（回路パターン）間のビア接続の品質信頼性に優れ、且つ層間剥離が起きにくい多層回路基板を、不良率を抑えて低コストにて製造することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an insulating gate field effect transistor where the portion of a substrate opposed to a gate electrode is not oxidized when an interlayer insulating layer is formed above the gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極の上方に層間絶縁層を形成するときに、ゲート電極に対向する基体の部分が酸化されることが無い、絶縁ゲート電界効果トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

A plurality of wiring layers formed of wiring 407 constituted by an interlayer insulating film 405 and copper are laminated, and a solder resist layer 408 is formed on the uppermost layer to form a multilayer wiring structure body.例文帳に追加

層間絶縁膜４０５および銅からなる配線４０７からなる配線層が複数層積層し、最上層にソルダーレジスト層４０８を形成し、多層配線構造体を構成する。 - 特許庁

A silicon nitride film 4 is formed so as to cover a plurality of gate electrodes 3 formed on a silicon substrate 1 via a gate oxide film 2, and a first interlayer dielectric 5 is formed on the silicon nitride film 4.例文帳に追加

シリコン基板１上にゲート酸化膜２を介して形成された複数のゲート電極３を覆うようにシリコン窒化膜４を形成し、シリコン窒化膜４上に第１の層間絶縁膜５を形成する。 - 特許庁

To decrease the dielectric constant of an interlayer insulating film in the semiconductor device having an embedding wiring embedded in an insulating film, and the manufacturing method thereof.例文帳に追加

絶縁膜に埋め込まれた埋め込み配線を有する半導体装置及びその製造方法に関し、層間絶縁膜の誘電率を低減しうる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Moreover, the interlayer insulation film 17 formed in the same layer as the interconnections 20a-20c which constitute the first interconnection layer is a silicon-rich oxide film having a property of trapping dopants such as water and hydrogen.例文帳に追加

さらに、第１配線層を構成する配線２０ａ〜２０ｃと同層の層間絶縁膜１７として水や水素などの不純物を捕獲する性質を有するシリコンリッチな酸化膜とする。 - 特許庁

Next, an SiO2 film is formed as an interlayer insulating film, and furthermore a contact hole for contacting a gate electrode, a diffusion layer and wiring with a tungusten plug is formed by photolithography and dry etching.例文帳に追加

次に、層間絶縁膜としてＳｉＯ２ 膜を形成し、さらに、ゲート電極及び拡散層と配線とをタングステンプラグでコンタクトするためのコンタクトホールをフォトリソグラフィとドライエッチングによって形成する。 - 特許庁

To provide semiconductor device that can maintain the low dielectric constant of interlayer insulating films between metallic wires, prevent metallic wiring peeling, etc., and improve metallic wiring orientation.例文帳に追加

金属配線間の層間絶縁膜の低誘電率を確保しつつ、金属配線の剥がれ等を防止することができ、さらに金属配線の配向性を向上することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide an electrooptical apparatus hardly generating an operation defect and having high reliability by suitably constructing an interlayer insulating layer intervening for laminating a nonlinear element and a pixel electrode.例文帳に追加

非線形素子と画素電極とを積層させるために介在させる層間絶縁層を好適な構成とすることで、動作不具合が生じ難く、信頼性の高い電気光学装置を提供する。 - 特許庁

An insulation layer 12 that does not contain any glass fiber is laminated on a substrate 9, and a conductive via 17 for interlayer connection is formed on the insulation layer 12 by applying laser beams or by the photo-etching method.例文帳に追加

基体９上にガラス繊維を含まない絶縁層１２を積層し、この絶縁層１２には層間接続のための導電性ビア１７をレーザー光線照射やフォトエッチング法により形成する。 - 特許庁

Therefore, a diffusion of a metal to the interlayer insulating film from the metal gate electrode when or after being formed is prevented to materialize a semiconductor device of a high breakdown strength with a low-resistive gate electrode.例文帳に追加

そのため、形成時あるいは形成後のメタルゲート電極からの層間絶縁膜への金属の拡散は防止され、低抵抗なゲート電極を有する高耐圧の半導体装置が実現される。 - 特許庁

To provide a rubber-coated roller with surface smoothness and improved interlayer adhesion in which a silicone rubber layer and a fluororubber coat are formed in this order on a roller base material.例文帳に追加

ローラ基材上にシリコーンゴム層とフッ素ゴム被膜とがこの順に形成されているゴム被覆ローラであって、表面平滑性と層間接着性が改善されたゴム被覆ローラを提供すること。 - 特許庁

A first insulating barrier film 203 is deposited on an interlayer insulating film 202 formed on a semiconductor substrate 201, and a first wiring groove 204a and a second wiring groove 204b are formed.例文帳に追加

半導体基板２０１上に形成された層間絶縁膜２０２上に第１の絶縁性バリア膜２０３を堆積し、第１の配線溝２０４ａ及び第２の配線溝２０４ｂを形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device having the tapered through hole comprises the steps of forming a interlayer dielectric 2 and a first plasma nitride film 7 on a lower layer wiring 1, dry etching with a photoresist 3 as a mask, and forming a recess 8 on a surface of the dielectric 2.例文帳に追加

下層配線１上に層間絶縁膜２及び第１のプラズマ窒化膜７を形成し、フォトレジスト３をマスクとしてドライエッチングを行い、層間絶縁膜２の表面に凹部８を形成する。 - 特許庁

A plurality of pads 31 for external connections composed of platinum or the like are formed on the top face of the interlayer dielectric 30 in the wiring region 3, so as to have superpositions with the bus wirings 28.例文帳に追加

配線領域３における層間絶縁膜３０の上面には、白金等からなる複数の外部接続用パッド３１が、バス配線２８と重なりを有するように形成されている。 - 特許庁

To provide a chip component equipped with an external electrode which allows both connection by an interlayer connection conductor and connection by soldering and a method for manufacturing a module with built-in component in which the chip component is built in.例文帳に追加

層間接続導体による接続及びはんだ付けの接続の両方が可能な外部電極を備えたチップ部品及びそのチップ部品を内蔵した部品内蔵モジュールを製造して提供する。 - 特許庁

To prevent an interlayer connection failure and substrate surface layer contamination from being generated by preventing conductive paste filled into a via hole from oozing out to the outside from a small hole by lamination press pressure.例文帳に追加

ビアホールに充填されている導電性ペーストが積層プレス圧によって小孔より外側に滲み出さないようにし、層間接続不良や基板表層汚染を生じないようにすること。 - 特許庁

To provide an optical disk device for shifting from a state of reading information recorded in one layer to the state of reading information recorded in the other layer even when interlayer offset occurs.例文帳に追加

層間オフセットが発生した場合でも、一方の層に記録された情報を読み出している状態から他方の層に記録された情報を読み出す状態へ移行できる光ディスク装置を提供する。 - 特許庁

To provide an interlayer insulation material that has low dielectric constant / low dielectric loss tangent, low expansion coefficient and has excellent peel-strength on the small surface roughness after roughening suitable for the additive method.例文帳に追加

低誘電・低誘電正接、低膨張係数であり、アディティブ工法に適合した粗化後の表面粗さが小さいところでの引きはがし強さに優れる層間絶縁材料を提供する。 - 特許庁

Interposing an interlayer insulation film 10 above a floating gate 9, without covering the floating gate 9, a barrier layer 15 is arranged around the floating gate including adjacent areas of a connecting part 9c of the floating gate 9.例文帳に追加

フローティングゲート９の上に層間絶縁膜１０を介し、フローティングゲート９を覆うことなく、フローティングゲート９の連結部９ｃの隣りを含むフローティングゲートの周りにバリア層１５を配置する。 - 特許庁

With such a structure, since the negative voltage NMOS Tr 50 is formed as TFT on the first interlayer insulating film 11 on the peripheral regions of the peripheral NMOS Tr 52 and the peripheral PMOS Tr 53, a dedicated deep N-well is dispensed with.例文帳に追加

かかる構成においては、負電圧NMOSTr50は、周辺NMOSTr52および周辺PMOSTr53の周辺領域の第1の層間絶縁膜11上にTFTとして形成されているため、専用のディープNウェルが不要となる。 - 特許庁

The interlayer film 20 has such a property that the elongation is within a range of 250-350%, preferably 280-320% when a tensile load of 500 N is applied.例文帳に追加

中間膜２０の特性は、５００Ｎの引張荷重を付与したときに２５０（％）以上３５０（％）以下（好ましくは、２８０（％）以上３２０（％）以下）の伸び率となるように設定されている。 - 特許庁