Interlayerを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 6425件
As an insulating film used for the TFT, for example, a gate insulating film, a protecting film, an under film, an interlayer insulating film, or the like, a silicon nitride oxide film (SiN_XB_YO_Z) containing boron is formed by a sputtering method.例文帳に追加
TFTに利用する絶縁膜、例えばゲート絶縁膜、保護膜、下地膜、層間絶縁膜等として、ボロンを含む窒化酸化珪素膜(SiN_X B_Y O_Z )をスパッタ法で形成する。 - 特許庁
To provide an epoch-making method for manufacturing a module having a built-in component, achieving sufficient miniaturization of a module by forming an interlayer connection conductor of a resin layer of a substrate having a built-in component into a smaller diameter than a conventional one.例文帳に追加
部品内蔵基板の樹脂層の層間接続導体を従来より径小に形成してモジュールの十分な小型化を実現する画期的な部品内蔵モジュールの製造方法を提供する。 - 特許庁
By the formation of the opening 11, a crack is prevented from being generated on the first interlayer insulation film 4 around it by impact upon the fusion-cutting of the fuse element 4, and reliability can be secured.例文帳に追加
この開口部11の形成でヒューズ素子4の溶断時の衝撃で周辺の第1の層間絶縁膜4にクラックが発生するのが防止されて、信頼性を確保することができる。 - 特許庁
When the first Ti film is formed, a ratio of the thickness of a first part on a bottom of the contact hole to the thickness of a second part on the second interlayer dielectric film (the fist part/the second part)≤0.05.例文帳に追加
第1のTi膜を成膜する際には、コンタクトホール底面上の第1の部分と第2層間絶縁膜上の第2の部分の膜厚の比(第1の部分)/(第2の部分)を0.05以下とする。 - 特許庁
To provide a method of a coating system for forming a laminate by one coating process, and for manufacturing easily the laminate very excellent in interlayer close contactness with satisfactory productivity, and to provide the laminate.例文帳に追加
1回の塗布プロセスにより積層体を形成する塗布方式であり、層間の密着性に極めて優れる積層体を簡便かつ生産性良く製造する方法、及び積層体を提供する。 - 特許庁
To prevent picture quality from deteriorating by suppressing deterioration in dark current and an increase of fine white flaws even when an HDP film having excellent burying properties between wiring lines made fine is used as an interlayer insulating film.例文帳に追加
微細化した配線間の埋め込み性が良好なHDP膜を層間絶縁膜として用いても、暗電流の劣化および微小白傷の増加を抑制することができて画質劣化を防止する。 - 特許庁
To provide a photobase generator having an excellent heat stability, and an excellent stability in the presence of an acidic substance, and also to provide a photosensitive resin composition including the generator, and a method for producing an interlayer insulating film using the resin.例文帳に追加
耐熱安定性と酸性物質存在下での安定性とに優れる光塩基発生剤、これを含む感光性樹脂組成物、及びこれを用いる層間絶縁膜の製造方法の提供。 - 特許庁
To provide a semiconductor device that can suppress a decrease in reliability of copper wiring and an increase in resistance value by preventing a barrier metal from corroding owing to moisture in an interlayer insulating film, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加
層間絶縁膜内の水分などによるバリアメタルの腐食を防止し、銅配線の信頼性の低下及び抵抗値の上昇を抑制し得る半導体装置、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
A resin layer 3 is formed on the substrate 1 so as to surround the circumference of the resin block 4, and second conductor planes 6 are formed on the top surface of the resin layer 3 so as to be conducted to the upper end of the interlayer connection conductors 5.例文帳に追加
基板1上に樹脂ブロック4の周囲と取り囲む樹脂層3を形成し、その上面に第2面内導体6を層間接続導体5の上端部と導通するように形成する。 - 特許庁
To provide a carbon/carbon (C/C) composite material with improved flexural strength and interlayer shear strength, and improved thermal conductivity in the direction of lamination at normal temperature, and to provide a method for producing the material.例文帳に追加
曲げ強度や層間せん断強度の向上を図りつつ、常温での積層方向の熱伝導度を向上させることができるC/Cコンポジット材及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a semiconductor device, capable of aligning a dicing blade when carrying out a dicing operation later, even if scribe lines are irradiated with a laser beam so as to remove an interlayer dielectric for prevention of chipping.例文帳に追加
チッピング防止のために、スクライブラインにレーザを照射して層間絶縁膜の除去を行っても、後のダイシング時に、ダイシングブレードのアライメントが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
A second conductive barrier layer 20 adopts such structure that a metallic layer 7, a metallic alloy layer 8, and a metallic 9 are stacked order when viewed from a first copper wiring 2 and an interlayer insulating layer 5.例文帳に追加
第2の導電性バリア層20を、第1の銅配線2や層間絶縁層5から見て順に、金属層7、金属化合物層8、金属層9が積層された構造を採用している。 - 特許庁
To provide an interlayer for laminated glass, excellent in sound insulating property in a wide temperature range and excellent in protection of privacy such a way that the layer transmits light but prevents a person or an object at the back from being visible through the layer.例文帳に追加
幅広い温度範囲における遮音性に優れており、かつ、光は透過させるが背後にある人又は物体は視認できない、プライバシー保護に優れる合わせガラス用中間膜を提供する。 - 特許庁
To provide a liquid crystal device having a continuous flat surface of an interlayer insulating film in a display area and a surrounding area, and an electronic apparatus comprising the liquid crystal device.例文帳に追加
表示領域と周辺領域とにおいて層間絶縁膜の表面を連続した平坦面とすることができる液晶装置および該液晶装置を備えた電子機器を提供すること。 - 特許庁
To provide a probe card capable of reducing a damage to an electrode pad and an interlayer dielectric of a lower layer, reducing the generation of a crack, and performing a highly reliable test of a semiconductor device.例文帳に追加
電極パッドおよび下層の層間絶縁膜へのダメージの低減、クラックの発生の低減を図るとともに、信頼性の高い半導体装置のテストの実施を可能とするプローブカードを提供する。 - 特許庁
A gate insulating film 12B, a gate electrode 2, an interlayer dielectric 12C, a video line D and a source electrode 4 are layered in this order on an upper layer of an active element that a first substrate 10A has.例文帳に追加
第1の基板10Aに有するアクティブ素子の上層に形成されたゲート絶縁膜12B、ゲート電極2、層間絶縁膜12C、映像線Dとソース電極4とをこの順で積層する。 - 特許庁
A silicon nitride film 51 which covers the P-type channel stopper region 23 and does not cover the N-type channel stopper region 33 when viewed from above is arranged between the LOCOS oxide film 13 and the interlayer insulating film 53.例文帳に追加
上方から見てP型チャネルストッパー領域23を覆いN型チャネルストッパー領域33を覆っていないシリコン窒化膜51をLOCOS酸化膜13と層間絶縁膜53の間に備えている。 - 特許庁
The iron oxide concentration is decreased in a first sprayed coating 3A formed in the cylinder bore close to a combustion chamber to thereby increase the interlayer adhesiveness to the inner wall 2a and to maintain anti-knocking property of the engine.例文帳に追加
シリンダボアの燃焼室付近に形成される第1溶射皮膜3Aには酸化鉄濃度を少なくして、前記内壁2aに対する層間密着性を高め、エンジンの耐ノック性を確保する。 - 特許庁
A conductive film 5 which is embedded in a trench groove 3a is structured such that its upper surface is positioned below the upper surface of a second interlayer insulating film 3 at points contacting a barrier metal film 4.例文帳に追加
トレンチ溝3aに埋設された導体膜5を、その上面が、バリアメタル膜4との接触部において、第2の層間絶縁膜3の上面よりも下方に位置する態様で形成された構造とする。 - 特許庁
After a plurality of impurity regions 2a, 2a', and 2b is formed in a semiconductor substrate 1, a conductive pattern 6b is formed in the opening of an interlayer insulating film 5 on a prescribed one 2b of the impurity regions.例文帳に追加
半導体基板1内に複数の不純物領域2a,2a’,2bを形成し、そのうち所定の不純物領域2b上の層間絶縁膜5の開口部に導電性パターン6bを形成する。 - 特許庁
The Y-direction lines are respectively formed in grooves 32 formed on the outer surface of the back substrate, and the X- direction lines are formed on the outer surface of the back substrate through interlayer insulating layers 34.例文帳に追加
Y方向配線は、背面基板の外面に形成された溝32内にそれぞれ設けられ、X方向配線は、層間絶縁層34を介して、背面基板の外面上に設けられている。 - 特許庁
To provide a semiconductor device wherein dielectric strength between an upper-layer interconnection and a lower-layer interconnection is kept constant and the thickness of an interlayer insulation film in the other parts can be made small.例文帳に追加
上層配線と下層配線との間の絶縁耐圧を一定以上に維持しつつ、それ以外の部分の層間絶縁膜の膜厚を小さくすることができる、半導体装置を提供する。 - 特許庁
A barrier metal film 11 is formed on the interlayer insulating film 10, and a wiring film 13 is formed on the barrier metal film 11 so as to be buried in a via hole 10a and a wiring trench 10a.例文帳に追加
層間絶縁膜10上にはバリアメタル膜11が形成されており、バリアメタル膜11上にはビアホール10a及び配線溝10aに埋め込まれるように配線膜13が形成されている。 - 特許庁
To provide a multilayer container which, even if filled with the contents containing oil and water, does not give rise to interlayer delamination and is remarkably excellent in oxygen gas barring property, moisture barring property and flavor preservability.例文帳に追加
油分と水分とを含む内容物を充填した場合にも層間剥離の発生がなく、酸素バリアー性、水分バリアー性、保香性に顕著に優れた多層容器を提供することである。 - 特許庁
An interlayer insulating film 3 of plasma SiO2 or the like is formed as deposited to a thickness of 2.0 μm on a semiconductor substrate 1, on which a semiconductor element having a gate electrode 2 is formed as a lower layer.例文帳に追加
下層電極となるゲート電極2などから成る半導体素子が形成された半導体基板1の上に、プラズマSiO_2膜などからなる層間絶縁膜3を2.0μm堆積する。 - 特許庁
There is formed a frame-like member 9 which consists of a material with a larger etching selection ratio compared with the LOCOS oxide film 3 from a top face of the gate-metal interlayer film 5 to the silicon substrate 1.例文帳に追加
ゲート−メタル層間膜5の上面からシリコン基板1に到達して、LOCOS酸化膜3と比べてエッチング選択比の大きい材料からなる枠状部材9が形成されている。 - 特許庁
To provide such a joining method and joining apparatus for a laminated glass at a time of manufacturing a laminated glass as enables to realize the cutback in the energy consumption for heating an interlayer and the reduction in the processing time.例文帳に追加
合わせガラスを製造する際、中間膜を加熱するためのエネルギー消費の削減と、工程の時間短縮が実現可能な、合わせガラスの接合方法と接合装置を提供すること。 - 特許庁
The composite electromagnetic shield filter is manufactured by transferring and forming the NIR absorbing transfer layer 3 using the NIR absorbing transfer sheet 20 on one of positions of the surface, the back surface or the interlayer of the composite electromagnetic shield filter 10.例文帳に追加
複合電磁波シールドフィルタ10の表面、裏面、或いは層間のいずれかとなる位置に、NIR吸収転写シート20でNIR吸収転写層3を転写形成して製造する。 - 特許庁
To provide a laminated film having superior finishing property and excellent transparency after reproductive addition, and suitable for a use of packing, shrinkage strap on packing, shrinkage label, etc. with an excellent interlayer adhesiveness.例文帳に追加
優れた仕上がり性と再生添加後に優れた透明性を有し、かつ層間接着性にも優れた、包装、収縮結束包装や収縮ラベル等の用途に適した積層フィルムの提供。 - 特許庁
To provide a both-side flexible printed circuit board and a method for manufacturing the same having the interlayer connection that is suitable for fine structure of the wiring layer and is assuring higher connection reliability and productivity.例文帳に追加
配線層の微細化に好適な、接続信頼性及び生産性に優れる層間接続を有する両面フレキシブルプリント配線板及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
On the ceramic substrate 10 whereon the conductor pattern 11 and the heating circuit element 30 are formed, the thermoplastic resins 20a and 20b are stacked wherein a conductor pattern 21 and an interlayer connecting portion 22 are formed.例文帳に追加
また、導体パターン11及び発熱回路素子30が形成されたセラミック基板10上には、導体パターン21及び層間接続部22が形成された熱可塑性樹脂20a、20bを積層される。 - 特許庁
The barrier film 62 is formed by a compound of an element contained in the high melting point conductive layer 60 and inhibits impurities due to interlayer dielectric films 69, 70 covering the wiring 60 from diffusing in the wiring 60.例文帳に追加
バリア膜62は、高融点導電層60が含む元素の化合物からなり、配線60を覆う層間絶縁膜69,70に起因する不純物が配線60内に拡散するのを抑制する。 - 特許庁
The semiconductor device includes adjacent power supply wirings 13, 14 formed on an underlying, and an interlayer insulating film formed on the underlying and the power supply wiring 13, 14.例文帳に追加
本発明に係る半導体装置は、下地上に形成された隣接する電源配線13,14と、下地及び電源配線13,14の上に形成された層間絶縁膜と、を具備するものである。 - 特許庁
The semiconductor device is provided with an embedded wiring having a barrier metal 3, a first seed film 4, a second seed film 14, and a copper film 5, in a first wiring groove 2 formed on a first interlayer insulating film 1.例文帳に追加
半導体装置は、第1の層間絶縁膜1に形成された第1の配線溝2内に、バリアメタル3、第1のシード膜4、第2のシード膜14、銅膜5を有する埋め込み配線を備えている。 - 特許庁
A semiconductor device is provided with a memory cell, using a ferromagnetic capacitor 17 as a storage capacitor and interlayer insulating films 19 and 21 of more than one layer, which are formed on a face containing the capacitor.例文帳に追加
強誘電体キャパシタ17を記憶用キャパシタとして用いたメモリセルと、このキャパシタを含む面上に形成された1層以上の層間絶縁膜19、21とを具える半導体装置である。 - 特許庁
When a first contact 19 is formed, a tungsten plug 21 for increasing a surface area of a lower electrode 14 is formed in a part where a capacity element 11 of a contact interlayer film 13 is formed.例文帳に追加
第1のコンタクト19を形成する際に、コンタクト層間膜13の容量素子11を形成しようとする部分に、下部電極14の表面積を増加させるためのタングステンプラグ21を形成する。 - 特許庁
This multi-layer mat structure 1 for the bottom sediment purification is provided with an intermediate layer including silt 4a having ferric oxide as its main component in an interlayer of a base material composed of a biodegradable sheet or a vegetation mat.例文帳に追加
底泥浄化用の複層マット構造体(1)は、生分解性シートまたは植生マットからなる基盤材の層間に、酸化第二鉄を主成分とするシルト(4a)を含む中間層(4)を有する。 - 特許庁
A contact plug 23 connected to both of an upper surface 6a of a gate electrode 6 included in the gate structure 4c and an upper surface 8a of the semiconductor layer 8 is formed in the interlayer dielectric 20.例文帳に追加
層間絶縁膜20内には、ゲート構造4cに含まれるゲート電極6の上面6aと、半導体層8の上面8aとの両方に接続されたコンタクトプラグ23が形成されている。 - 特許庁
The elastic modulus of adhesive 3a, which adheres a cover film 3, is 50 or more times as opposed to the elastic modulus of a glass transition point of flexible polyolefin 5b which is an interlayer of a mold release film 5.例文帳に追加
離型フィルム5の中間層である柔軟性ポリオレフィン類5bのガラス転移点の弾性率に対して、カバーフィルム3を接着する接着剤3aの弾性率は50倍以上である。 - 特許庁
The interlayer dielectric formation composition is used to insulate metallic wirings including copper wiring.例文帳に追加
銅配線を含む金属配線間の絶縁に用いられる層間絶縁膜形成用組成物であって、下記一般式(I)で表される化合物、その加水分解物または縮合物を含有する絶縁膜形成組成物。 - 特許庁
On a substrate P, the board has at least two layers, conductor layers E1 and E2, an interlayer dielectric 14 provided between the conductor layers E1 and E2, and a conductor post T for electrical continuity between the conductor layers E1 and E2.例文帳に追加
基板P上に少なくとも2層の導体層E1、E2と、導体層E1、E2間に設けられた層間絶縁膜14と、導体層E1、E2間を通電させる導体柱Tとを有する。 - 特許庁
In the element forming part 2, a p-type epitaxial layer PEpi1 and an interlayer insulating film 3 are formed, and on the surface of the p-type epitaxial layer PEpi1, an n-well NW and a p-well PW are formed.例文帳に追加
素子形成部2には、P型エピタキシャル層PEpi1及び層間絶縁膜3を設け、P型エピタキシャル層PEpi1の表面にはNウエルNW及びPウエルPWを形成する。 - 特許庁
To efficiently conduct an inserting work in a core material inserting machine used in the case of inserting a core material such as an interlayer sheet or the like into a bag-like article represented by a cover material or the like of an album.例文帳に追加
アルバムの表紙材等で代表される袋状物の内部に中紙等の芯材を挿入する際に用いられる芯材挿入機であって、挿入作業を能率的に行なう。 - 特許庁
A dense insulating film is formed thereon by subjecting the film to a thermal baking treatment at a high temperature above 700°C and is then planarized by a polishing treatment, by which a first interlayer insulating film (4) is formed.例文帳に追加
その上方に700℃以上の高温で熱焼成処理を施すことにより緻密な絶縁膜を形成した後、研磨処理によりこれを平坦化して、第1層間絶縁膜(4)とする。 - 特許庁
When an advancement of the data recording to another recording layer is performed at a stage prior disk closing or session closing or when it is predicted that such an advancement of the data recording occurs afterwards, the interlayer folding back position information is recorded.例文帳に追加
つまり、ディスククローズ或いはセッションクローズの前の段階で、記録層の移行が行われる場合、或いはその後記録層の移行が予想される場合に、層間折り返し位置情報が記録される。 - 特許庁
To provide a sputtering target material for producing a Ni-W-Cr alloy interlayer film and a thin film produced by using the sputtering target material for producing the thin film, in a vertical magnetic recording medium.例文帳に追加
垂直磁気記録媒体におけるNi−W−Cr合金中間層膜製造用スパッタリングターゲット材および薄膜製造用スパッタリングターゲット材を用いて製造した薄膜を提供する。 - 特許庁
To improve migration resistance in a rigid/flexible printed circuit board (R/FPC) that a CCL and a CL are bonded to produce an FPC, and an RPC is adhered to both surfaces of the FPC via an interlayer adhesive sheet in-between.例文帳に追加
CCLとCLとを貼合わせて製造したFPCと、その両面に層間接着シートを介してRPCを接着したR・FPCにおける耐マイグレーション性を向上させることを目的とする。 - 特許庁
To provide a method for forming buried metallization by a buried metallization method (damascene method) in which erosion is suppressed at the time of CMP and metal diffusion into an interlayer insulation film is prevented.例文帳に追加
CMP時のエロージョンが抑制され、かつ層間絶縁膜内への金属拡散が防止された、埋め込み金属配線法(ダマシン法:Damascene)による埋め込み金属配線の形成方法を提供する。 - 特許庁
This wiring board 1 is provided with via conductors 25, connection pads 26 which are electrically connected to the conductors 25, and interlayer conductors 19P1, etc., which are positioned closely to the conductors 25 and insulated from the conductors 2.例文帳に追加
配線基板1は、ビア導体25と、これと電気的に接続する接続パッド26と、ビア導体25の近傍に位置しこのビア導体25とは絶縁する層間導体19P1等とを備える。 - 特許庁
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