「Interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(80ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for producing a polysiloxane desirable as a film composition formable into a film having a low permittivity and a high modulus and being usable as an interlayer insulation film of e.g., a semiconductor element.例文帳に追加

半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、低誘電率かつ高弾性率を有する膜が形成可能な膜組成物に好適なポリシロキサンの製造方法を得る。 - 特許庁

To improve reproduction accuracy of a signal recorded in a recording layer for signal reproduction without being influenced by the interlayer crosstalk of a multilayer optical disk in an optical pickup device.例文帳に追加

光ピックアップ装置において、多層光ディスクにおける層間クロストークの影響を受けずに信号再生の対象となる記録層に記録された信号の再生精度を良好にする。 - 特許庁

To provide a method for forming a semiconductor interlayer insulating film capable of obtaining low permittivity and introducing mechanical properties, heat stability, resistance to cracks, and the like.例文帳に追加

低い誘電率を得ることができ、機械的物性、熱安定性、亀裂に対する抵抗性などを誘導することが可能な半導体層間絶縁膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide copper foil easy to be subjected to laser working and suitable for the formation of a small diameter interlayer connecting hole when producing a printed circuit board, by improving the surface of the copper foil.例文帳に追加

プリント回路基板の製造に際し、銅箔の表面を改善することにより、レーザー加工が容易であり、小径層間接続孔の形成に適した銅箔を提供することにある。 - 特許庁

An active element or a high-resistance element 12 is covered with a hydrogen intrusion preventive film 14 via a low-hydrogen content silicon oxide film 13 under the lower part of a high-hydrogen content interlayer dielectric 7.例文帳に追加

水素含有率の高い層間絶縁膜の下部において、能動素子又は高抵抗素子を、水素含有率の低いシリコン酸化膜を介して、水素侵入防止膜により覆う。 - 特許庁

In the interlayer insulation film 23 between the through electrode 36 and the internal electrode 32, a contact plug 37 for electrically connecting the through electrode 36 to the internal electrode 32 is formed.例文帳に追加

貫通電極３６と内部電極３２との間の層間絶縁膜２３内に、貫通電極３６と内部電極３２とを電気的に接続するコンタクトプラグ３７が形成されている。 - 特許庁

To provide a chemical mechanical polishing method without deteriorating a silica system film having a low relative permittivity used for a semiconductor element or the like as an interlayer insulating film.例文帳に追加

半導体素子などに層間絶縁膜として用いられる低比誘電率のシリカ系被膜に損傷を与えずに研磨するための化学的機械的平坦化方法を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate treatment method for efficiently and reliably removing copper oxide on a surface of Cu and removing Cu-containing residue attached on an interlayer dielectric.例文帳に追加

Ｃｕ表面の酸化銅の除去および層間絶縁膜に付着したＣｕ含有物残渣の除去を効率良く確実に行うことができる基板処理方法を提供すること。 - 特許庁

An interlayer handoff system decides whether the mobile unit is to be served by other cell layer, depending on the time when the mobile unit stays in the cell of the first layer or on its function.例文帳に追加

移動機が第一レイヤーのセル内にいる時間に依存して、あるいはその関数に依存して、インターレイヤーハンドオフシステムは、移動機が別のセルレイヤーによりサービスされるべきかを決定する。 - 特許庁

A gate insulating film 6, a gate electrode 7, and an active region 5 functioning as a diode are provided on a silicon substrate and a first interlayer insulation layer 10 is formed by plasma process.例文帳に追加

シリコン基板上に、ゲート絶縁膜６、ゲート電極７及びダイオードとして機能する活性領域５を設け、プラズマプロセスによって第１の層間絶縁層１０を形成する。 - 特許庁

The interlayer insulating film 110 comprises a first layer 111 whose polish rate is relatively high, and a second layer 112 whose polish rate is relatively low formed on the first layer 111.例文帳に追加

層間絶縁膜１１０は、相対的に研磨レートが高い第１の層１１１と、該第１の層１１１上に形成された相対的に研磨レートが低い第２の層１１２とを含む。 - 特許庁

To provide an air side electrode material and a fuel side interlayer material of an SOFC in which polarization of the electrodes is suppressed even under a low operating temperature of about 800°C.例文帳に追加

８００℃程度の低い運転温度でも電極の分極が抑えられたＳＯＦＣの空気側電極用材料及び燃料側中間層用材料を提供することを目的とする。 - 特許庁

An insulation film 8 of an insulation material containing no oxygen is formed selectively on a metallization 2 containing Cu buried in a trench 4 of an interlayer insulation film 3.例文帳に追加

層間絶縁膜３の溝部４に埋め込まれたＣｕを含む金属配線２上に、酸素を含有しない絶縁材料からなる絶縁膜８が選択的に形成されている。 - 特許庁

Subsequently, thick film sidewalls are formed on the sidewalls of the dummy gate electrode 4 in a degree of being overlapped on edges of the extension region 7, and an interlayer insulating film is formed so as to bury the sidewalls.例文帳に追加

その後、ダミーゲート電極４の側壁にエクステンション領域７の端縁に重なる程度に厚膜のサイドウォールを形成し、これらを埋め込む状態で層間絶縁膜を成膜する。 - 特許庁

A semiconductor device (for example, a semiconductor wafer 200) comprises a multilayer wiring layer 90 including a plurality of wiring layers and interlayer insulating films disposed between adjacent wiring layers.例文帳に追加

半導体装置（例えば、半導体ウェハ２００）は、複数層の配線層と、相互に隣り合う配線層の間に介在する層間絶縁膜と、を含む多層配線層９０を有する。 - 特許庁

A memory cell 100 of an SRAM comprises gate electrodes 161, 162, and 163 formed on a silicon substrate and an interlayer insulating film covering the gate electrodes 161, 162, and 163.例文帳に追加

ＳＲＡＭのメモリセル１００は、シリコン基板の上に形成されたゲート電極１６１、１６２および１６３と、ゲート電極１６１、１６２および１６３を覆う層間絶縁膜とを備える。 - 特許庁

Metal electrodes 109a-109c are buried in the contact holes, and final protective films 110 are formed on the interlayer insulating film 106 and metal electrodes 109a-109c.例文帳に追加

金属電極１０９ａ〜１０９ｃは各コンタクトホールに埋設され、層間絶縁膜１０６および金属電極１０９ａ〜１０９ｃの上から最終保護膜１１０が形成される。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of preventing film peeling from occurring easily even in a semiconductor device using a low-permittivity insulation film for an interlayer insulation film.例文帳に追加

層間絶縁膜に低誘電率絶縁膜を用いた半導体装置であっても、膜剥がれを生じ難くすることが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To suppress stripping of film due to stress on the sealing resin layer of a semiconductor chip having a multilayer wiring structure including a low-k film as an interlayer insulation film.例文帳に追加

層間絶縁膜としてｌｏｗ−ｋ膜を含んだ多層配線構造を備えた半導体チップが封止樹脂層の応力に起因して膜剥がれを生じるのを抑制すること。 - 特許庁

The main component of this interlayer film is a transparent resin which contains zinc oxide-based particulates containing metal elements of group IIIb and/or IVb, and an infrared-absorptive organic compound.例文帳に追加

ＩＩＩｂ族および／またはＩＶｂ族の金属元素を含有する酸化亜鉛系微粒子と、赤外線吸収性有機化合物とを含有する透明樹脂を主成分とする中間膜。 - 特許庁

To provide a multilayer wiring board, having an interlayer capacitor having a high dielectric sheet disposed in the multilayer wiring board, wherein the capacitor layer is superior in strength and in transmission characteristics.例文帳に追加

高誘電シートを多層配線板内部に配置した層間コンデンサを有する多層配線板において、コンデンサ層の強度、伝送特性に優れた多層配線板を提供する。 - 特許庁

The connection electrodes 5a and the island connection electrode 5b of two places are connected respectively to a pixel electrode 7 through contact holes 6a, 6b which are formed respectively in an interlayer insulating film.例文帳に追加

２箇所の接続電極５ａ及びアイランド接続電極５ｂは、層間絶縁膜にそれぞれ形成したコンタクトホール６ａ・６ｂを介して画素電極７にそれぞれ接続される。 - 特許庁

The electrode E for coupling includes a ground electrode 2 formed in the piezoelectric substrate 1 and an interlayer 7 by which an adhesion electrode layer 3 and a barrier metal electrode layer 4 are laminated.例文帳に追加

結合用電極Ｅは、圧電基板１に形成された下地電極２と、密着電極層３及びバリアメタル電極層４が積層されている中間層７とを備えている。 - 特許庁

A film 8 comprising hydrogen is formed on a first interlayer insulating film 6 after the formation of a capacitive element 5, with an integrated circuit approaching close to the film 8 containing hydrogen.例文帳に追加

容量素子５形成後最初の層間絶縁膜６上に水素を含有する膜８が形成され、集積回路と水素を含有する膜８との距離が近くなっている。 - 特許庁

The semiconductor device 1 includes the semiconductor element portion 20 including a transistor, metal wiring layers 4, 6, and an interlayer insulating film 5 disposed between the metal wiring layers 4, 6.例文帳に追加

この半導体装置１は、トランジスタを含む半導体素子部２０と、金属配線層４および６と、金属配線層４および６の間に配置された層間絶縁膜５とを備える。 - 特許庁

The specified contact angle is 90°, the insulator is composed of organic resin and the aspect ratio of the via hole can be set not lower than 0.5 when the interlayer insulation film is composed of fluorene resin.例文帳に追加

接触角の所定値は９０度で、絶縁体が有機樹脂であり、層間絶縁膜がフルオレン樹脂であるとき、ヴィアホールのアスペクト比は０．５以上に設定することができる。 - 特許庁

An infrared ray reflecting film, which reflects near infrared rays selectively and has a sheet resistance value within a range of 1 kΩ/square to 10 GΩ/square, is formed on at least one surface of the interlayer film.例文帳に追加

中間膜の少なくとも一つの表面に、近赤外線を選択的に反射する、シート抵抗値が１ｋΩ／口〜１０ＧΩ／口の範囲にある赤外線反射膜を形成する。 - 特許庁

The diffused resistor 12 is formed by inducing impurities through ion implantation on a silicon substrate 11, followed by heat treatment at high temperature to an interlayer insulating film 14, a silicon nitride film 18 and the like.例文帳に追加

シリコン基板１１に、イオン注入で不純物を導入し、その後の工程で層間絶縁膜１４、窒化シリコン膜１８などの高温熱処理で拡散抵抗１２を形成する。 - 特許庁

Between the source electrode 101 and the interlayer insulation film 7 and between the gate pad 102 and the gate electrode 6, barrier metal layers 99 inhibiting Al diffusion are respectively provided.例文帳に追加

ソース電極１０１と層間絶縁膜７との間、並びにゲートパッド１０２とゲート電極６との間のそれぞれに、Ａｌの拡散を抑制するバリアメタル層９９が配設される。 - 特許庁

A light emitting device includes an organic EL layer 133 between a pixel electrode 115 arranged on a flattened interlayer insulation film and a facing electrode 116 facing the pixel electrode 115.例文帳に追加

平坦化された層間絶縁膜上に設けられた画素電極と、前記画素電極に対向する対向電極との間に有機ＥＬ層を設けることにより上記課題を解決する。 - 特許庁

On a first interlayer insulating film 20, an intermediate electrode 22 to be connected to the gate electrode 14 of the ferroelectrics FET, a ferroelectrics film 23 and a control gate electrode 24 are formed.例文帳に追加

第１の層間絶縁膜２０の上に、強誘電体ＦＥＴのゲート電極１４に接続される中間電極２２と強誘電体膜２３と制御ゲート電極２４とを形成する。 - 特許庁

In a method of manufacturing the semiconductor device, storage electrodes 16 covering the bottom faces and side faces of grooves 42 are formed after the grooves 42 are formed in a second interlayer insulating film 15.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法では、第２の層間絶縁膜１５内に溝４２を形成した後、溝４２の底面および側面を覆うストレージ電極１６を形成する。 - 特許庁

Bump electrodes 14 and interlayer connection electrodes 16 are formed on the multilayer interconnection board 12 as a substrate (a), and the bare chip 13a is flip-chip-mounted by an anisotropic conductive paste 15 (b).例文帳に追加

下地となる多層配線基板１２にバンプ電極１４，層間接続電極１６を形成し（ａ）、ベアチップ１３ａを異方性導電ペースト１５でフリップチップ実装する（ｂ）。 - 特許庁

To facilitate the practicability of a semiconductor device effectively reducing the dielectric constant of an interlayer insulating film containing a porous insulating film and having a fine damascene wiring having a high reliability.例文帳に追加

多孔質絶縁膜を含む層間絶縁膜の誘電率を実効的に低減させ、微細で高信頼性のダマシン配線を有する半導体装置の実用化を容易にする。 - 特許庁

To obtain a biodegradable blend resin having high interlayer bond strength and excellent extrusion processing suitability even in the case of lamination to a substrate having no impregnating ability.例文帳に追加

含浸性を有しない基材に対して積層する場合にあっても、高い層間接着強度を得ることができ、しかも、押出加工適性に優れた生分解性ブレンド樹脂を得る。 - 特許庁

To form more conduction passages of oxygen ions in an interlayer consisting of a ceria-based material to conduct oxygen ions and a material to constitute an air electrode.例文帳に追加

酸素イオンを伝導するセリア系の材料と空気極を構成している材料よりなる中間層における酸素イオンの伝導経路が、より多く形成された状態とする。 - 特許庁

To provide a pigment-dispersed plasticizer having excellent dispersibility of various pigments, good handleability and excellent productivity and useful as a colorant for a colored interlayer.例文帳に追加

着色中間膜に用いられる着色剤として、様々な顔料に対して優れた分散能力を有し、かつ取り扱いやすく生産性に優れる顔料分散可塑剤を提供する。 - 特許庁

Thereafter, with an organic silicon compound having a siloxane bond (Si-O-Si) as a material, the interlayer insulation film (5) is formed by plasma CVD on the layer (4a) containing nitrogen.例文帳に追加

その後、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ）結合を有する有機シリコン化合物を原料として用いて、プラズマＣＶＤ法により、窒素を含む層（４ａ）の上に層間絶縁膜（５）を形成する。 - 特許庁

To provide a method for producing a multilayer wiring substrate capable of producing, by a simple method, a multilayer wiring substrate having interlayer connection achieved through a via and having minute wiring.例文帳に追加

ビアによる層間接続がなされ、且つ、微細配線を有する多層配線基板を簡便な方法で製造することが可能な多層配線基板の製造方法を提供すること。 - 特許庁

As the interlayer electrolytic solution LA, a first electrolytic solution is arranged beforehand and as the exposed part electrolytic solution LB, a second electrolytic solution having lithium ion concentration higher than that of the first electrolytic solution is arranged beforehand.例文帳に追加

層間電解液LAとして第１電解液を予め配置し、露出部電解液LBとして、第１電解液よりもリチウムイオン濃度の高い第２電解液を予め配置してなる。 - 特許庁

An interlayer insulating film 405 constituting the multilayer wiring structure is made of a material having a relative permittivity of 1.0 to 3.7 and a dielectric loss tangent of 0.0001 to 0.02.例文帳に追加

多層配線構造を構成する層間絶縁膜４０５を、１．０以上３．７以下の比誘電率を有し、０．０００１以上０．０２以下の誘電正接を有する材料により構成する。 - 特許庁

A wiring pattern 12 and a dummy pattern 13 are formed on a substrate 11, and an interlayer insulating film 16 consisting of silicon oxide is formed on the substrate 11 in the state wherein the above-mentioned wiring pattern and dummy pattern are buried.例文帳に追加

基板１１上に配線パターン１２及びダミーパターン１３を形成し、これらを埋め込む状態で基板１１上に酸化シリコンからなる層間絶縁膜１６を形成する。 - 特許庁

After connection holes 21 are formed in a second interlayer insulating film 19, the Ar sputter etching is performed on the surface of the insulating film 19 including the inside of the connection holes 21.例文帳に追加

第２層間絶縁膜１９に接続孔２１を形成した後、接続孔２１内を含む第２層間絶縁膜１９の表面に対してＡｒスパッタエッチング処理を行なう。 - 特許庁

To provide a polyethylene multi-layer laminate which has excellent characteristics such as impact resistance, rigidity, gasoline barrier properties and interlayer adhesion as well as recyclability of laminate and scrap, and a container/a gasoline tank.例文帳に追加

耐衝撃性、剛性、ガソリンバリヤー性、層間接着性等の特性が優れ、かつ積層体およびスクラップがリサイクル可能なポリエチレン系多層積層体、容器およびガソリンタンクを得る。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a sheet-like laminating mate rial by which it is possible to industrially manufacture a sheetlike multi-layered laminate having an interlayer adhesive force with high efficiency.例文帳に追加

層間接着力に優れたシート状多層積層体を工業的に極めて効率的に製造することができるシート状積層材料の製造方法を提供すること。 - 特許庁