「Interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(114ページ目) - Weblio英語例文検索

Since the cleaning solution selectively removes etching-derived by-products remaining on a source/ drain region 40 and the damaged surface of a silicon substrate 10 while minimizing damages to an impurity-doped interlayer insulating film 60, a predetermined distance A can be maintained between adjacent SACs 70.例文帳に追加

洗浄液は、不純物のドープされた層間絶縁膜６０に対する損傷は最小化しながら、ソース／ドレイン領域４０上に残留するエッチング副産物及び損傷されたシリコン基板１０の表面を選択的に除去するため、ＳＡＣ７０間に一定の距離Ａ'を保つことができる。 - 特許庁

An ink jet medium to be recorded is formed on a base material 2 with a dye-fixing layer 1 consisting of an interlayer compound and bonding agent for acceptably retaining water soluble dye through an intercalation, wherein a quaternary ammonium modified polyvinyl alcohol resin is used as a bonding agent.例文帳に追加

基材２上に、水溶性染料をインターカレーション反応により受容保持する層間化合物と結着剤とからなる染料定着層１が形成されてなるインクジェット用被記録媒体において、結着剤として４級アンモニウム変性ポリビニルアルコール樹脂を使用する。 - 特許庁

The electrooptical device includes pixel electrodes (9a) provided for respective pixels and provided with a polygonal shape having a diagonal line along the pretilt direction of vertically aligned liquid crystal (50) and a first conductive layer (17) formed more on the lower layer side than the pixel electrodes through an interlayer insulating film on a substrate (10).例文帳に追加

電気光学装置は、基板（１０）上に、画素毎に設けられ、垂直配向液晶（５０）のプレチルト方向に沿った対角線を有する多角形状を有する画素電極（９ａ）と、画素電極より層間絶縁膜を介して下層側に形成された第１導電層（１７）とを備える。 - 特許庁

The radiation sensitive resin composition is a positive radiation sensitive resin composition containing [A] an alkali-soluble resin, [B] 1,2-quinone diazide compound, and [C] a compound represented by the general formula (1), and is achieved by the interlayer insulating film made thereof and method of forming them.例文帳に追加

上記感放射線性樹脂組成物は、［Ａ］アルカリ可溶性樹脂、［Ｂ］１，２−キノンジアジド化合物、［Ｃ］一般式（１）で示される化合物を含有するポジ型感放射線性樹脂組成物であり、それから形成された層間絶縁膜並びにそれらの製造方法によって達成される。 - 特許庁

The semiconductor device includes a first wiring layer insulating film, a plurality of first copper wiring lines 8 buried and formed in the first wiring layer insulating film, and an interlayer insulating film (second dielectric constant film 10) formed on the first copper wiring lines 8 and the first wiring layer insulating film.例文帳に追加

第１の配線層絶縁膜と、第１の配線層絶縁膜に埋め込み形成されている複数の第１の銅配線８と、第１の銅配線８上及び第１の配線層絶縁膜上に形成されている層間絶縁膜（第２の低誘電率膜１０）と、を有する。 - 特許庁

Each pixel has a photoelectric conversion part 202 which converts incident light into an electric signal, an optical waveguide 218 formed on the photoelectric conversion part 202, an interlayer insulating film 220 formed around the optical waveguide 218, and a color filter 212 formed on the optical waveguide 218.例文帳に追加

それぞれの画素は、入射光を電気信号に変換する光電変換部２０２と、光電変換部２０２上に形成された光導波路２１８と、光導波路２１８の周囲に形成された層間絶縁膜２２０と、光導波路２１８上に形成されたカラーフィルタ２１２とを備える。 - 特許庁

The pixel electrodes are electrically connected to the first conductive layer through a connection part (9a') formed in a contact hole (33) opened in the interlayer insulating film in an area including a vertex that the diagonal line along the pretilt direction passes through among the vertexes of the pixel electrodes.例文帳に追加

画素電極は、画素電極の頂点のうちプレチルト方向に沿った対角線が通る頂点を含む領域において、層間絶縁膜に開孔されたコンタクトホール（３３）に形成された接続部（９ａ´）を介して、第１導電層に電気的に接続されている。 - 特許庁

To provide a multilayer printed wiring board having a resin interlayer dielectric layer excellent in reliability of connection of conductor circuits with each other, because dielectric constant and dielectric loss tangent are small, a signal delay and a signal error scarcely occur even if high frequency signals are used, and mechanical characteristics are excellent.例文帳に追加

誘電率や誘電正接が小さく、高周波信号を用いた場合にも、信号遅延や信号エラーが発生しにくく、また、機械的特性にも優れるために導体回路同士の接続の信頼性が高い層間樹脂絶縁層を有する多層プリント配線板を提供すること。 - 特許庁

To provide a technique by which increase in resistance and flocculation of a nickel silicide film which is formed on gate electrodes, a source region and a drain region of a MISFET can be suppressed while hydrogen, moisture or the like included in an interlayer insulating film can be efficiently eliminated.例文帳に追加

ＭＩＳＦＥＴのゲート電極、ソース領域およびドレイン領域にニッケルシリサイド膜を形成した場合に、このニッケルシリサイド膜の高抵抗化および凝集を抑制できる一方で、層間絶縁膜中に含まれる水素や水分を充分に除去できる技術を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, and a method of fabrication, in which the contact resistance of an Al alloy interconnection can be prevented from increasing in a contact hole by preventing formation of reaction products with Al when a contact hole is made in an interlayer insulation film by etching.例文帳に追加

層間絶縁膜に接続孔を形成するためのエッチングを施す際にＡｌとの反応生成物の形成を防止することにより、接続孔内におけるＡｌ合金配線のコンタクト抵抗の増加を抑制できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The CMOS image sensor comprises a color filter layer formed on a semiconductor substrate including a light sensing element region, a gate electrode, an interlayer insulating film, and metal wiring; the infrared ray interception filter formed on the color filter layer; and a microlens formed on the infrared ray interception filter layer.例文帳に追加

本発明によるＣＭＯＳイメージセンサは、光感知素子領域、ゲート電極、層間絶縁膜、金属配線を含む半導体基板上に形成されたカラーフィルタ層と、カラーフィルタ層上に形成された赤外線遮断フィルタと、赤外線遮断フィルタ層上に形成されたマイクロレンズとを含む。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing laminated glass having excellent adhesive power of an interlayer film for the laminated glass to a glass plate and exhibiting various properties necessary as the laminated glass such as excellent transparency, penetration resistance and weather resistance without necessitating an autoclave.例文帳に追加

合わせガラス用中間膜とガラス板との接着力に優れ、かつ、優れた透明性、耐貫通性及び耐候性等の合わせガラスとして必要な諸性能を発現し得る合わせガラスを、オートクレーブを必要とすることなく製造することができる合わせガラスの製造方法を提供する。 - 特許庁

The multilayer printed circuit board comprises a conductor circuit and an interlayer resin insulating layer laminated and formed on both surfaces of a substrate, and the optical waveguide formed on the substrate and the circuit board further comprises an elastic material layer formed between the substrate and the optical waveguide.例文帳に追加

基板の両面に導体回路と層間樹脂絶縁層とが積層形成されるとともに、上記基板上に光導波路が形成された多層プリント配線板であって、上記基板と前記光導波路との間に弾性材層が形成されていることを特徴とする多層プリント配線板。 - 特許庁

To provide an antireflection film improving generation of spotted unevenness and also the interlayer adhesion between a hard coat layer and an antireflection layer, while maintaining the good visibility of the antireflection film; a polarizer equipped with the same; and an image display device.例文帳に追加

本発明の目的は、反射防止フィルの良好な視認性を維持したまま、斑点状のムラ発生を改良し、更にハードコート層と反射防止層との層間密着の改良を図った反射防止フィルム、また、それが具備された偏光板、及び画像表示装置を提供することにある。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING PHOSPHORUS ATOM-CONTAINING EPOXY RESIN, CURABLE RESIN COMPOSITION, ITS CURED PRODUCT, RESIN COMPOSITION FOR PRINTED WIRING BOARD, PRINTED WIRING BOARD, RESIN COMPOSITION FOR FLEXIBLE WIRING BOARD, RESIN COMPOSITION FOR SEMICONDUCTOR SEALING MATERIAL, AND RESIN COMPOSITION FOR INTERLAYER INSULATION MATERIAL FOR BUILDUP SUBSTRATE例文帳に追加

リン原子含有エポキシ樹脂の製造方法、硬化性樹脂組成物、その硬化物、プリント配線基板用樹脂組成物、プリント配線基板、フレキシブル配線基板用樹脂組成物、半導体封止材料用樹脂組成物、及びビルドアップ基板用層間絶縁材料用樹脂組成物 - 特許庁

The interlayer film contains a thermoplastic resin, a plasticizer and a light-absorbing agent having a thiophenyl group-having anthraquinone structure, wherein the content of the light-absorbing agent is 0.003-0.007 pt.wt. based on 100 pts.wt. of the thermoplastic resin.例文帳に追加

熱可塑性樹脂と、可塑剤と、チオフェニル基を有するアントラキノン構造を有する光吸収剤とを含有する合わせガラス用中間膜であって、前記熱可塑性樹脂１００重量部に対する前記光吸収剤の含有量が０．００３〜０．００７重量部である合わせガラス用中間膜。 - 特許庁

The photosensitive resin composition for an interlayer insulation film of a semiconductor device comprises (A) an alkali-soluble polyamic acid having a structure represented by a general formula (1), (B) a photopolymerizable compound having a urethane bond and an ethylenically unsaturated group in a molecule, and (C) a photopolymerization initiator.例文帳に追加

（Ａ）下記一般式（１）で表される構造を有するアルカリ可溶性のポリアミック酸と、（Ｂ）分子内にウレタン結合及びエチレン性不飽和基を有する光重合性化合物と、（Ｃ）光重合開始剤と、を含む、半導体素子の層間絶縁膜用感光性樹脂組成物。 - 特許庁

To provide an internal electrode material and a method for manufacturing the same capable of thinning an interlayer clearance while not having defects such as delamination, cracks or the like, even platinum or palladium is used for the internal electrode material, when manufacturing a laminated dielectric element.例文帳に追加

積層型誘電体素子を製造するに際して白金又はパラジウムを内部電極材料として用いても、その積層間隔を薄層化することが可能で、かつ、デラミネーションやクラック等の不具合が発生することがない内部電極材料の製造方法を提供する。 - 特許庁

The package structure of the semiconductor device comprises a semiconductor chip 1 having a semiconductor element and an electrode pad 2, and a protection layer 3 having a wiring 5 structuring an electric circuit on one surface and a plurality of interlayer connection bodies 4 penetrated from the specific position to the other surface.例文帳に追加

半導体素子及び電極パッド２を有する半導体チップ１と、一方の面に電気回路を構成する配線５を有してその所定の位置から他方の面に貫通する複数の層間接続体４を有する保護層３からなる半導体装置のパッケージ構造。 - 特許庁

To provide a photocurable composition having satisfactory interlayer conductivity in a black layer of a black and white two-layer bus electrode without spoiling satisfactory blackness for enhancing the contrast of a screen, and capable of ensuring satifactory insulation between display electrodes in a black patterned layer.例文帳に追加

画面のコントラスト向上のための充分な黒さを損なうことなく白黒二層バス電極の黒層においては充分な層間導電性を有し、かつブラックパターン層においては表示電極間の充分な絶縁性を確保しうる光硬化性組成物を提供する。 - 特許庁

Electric powers 20 W/cm2 at 27.12 MHz and 10 W/cm2 at 400 kHz are respectively applied to upper electrodes 116 and the electrode 108 to produce a plasma and an interlayer insulating film consisting of a F-containing SiOB film is formed on the wafer W.例文帳に追加

上部電極１１６と下部電極１０８に各々２７．１２ＭＨｚで２０Ｗ／ｃｍ^2と４００ｋＨｚで１０Ｗ／ｃｍ^2の電力を印加してプラズマを生成し，ウェハＷ上にＦ含有ＳｉＯＢ膜から成る層間絶縁膜２０４を形成する。 - 特許庁

To provide a multilayer printed wiring board having a resin interlayer dielectric layer excellent in reliability of connection of conductor circuits with each other, because dielectric constant and dielectric loss tangent are small, a signal delay and a signal error scarcely occur, and mechanical characteristics are excellent.例文帳に追加

誘電率や誘電正接が小さく、高周波信号を用いた場合にも、信号遅延や信号エラーが発生しにくく、また、機械的特性にも優れるために導体回路同士の接続の信頼性が高い層間樹脂絶縁層を有する多層プリント配線板を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor chip laminated body extremely easily providing a semiconductor chip with an interlayer adhesive adhering thereto, and manufacturing a high lamination type semiconductor chip laminated body high in connection reliability even by semiconductor chips each having a projecting electrode.例文帳に追加

極めて簡便に層間接着剤が付着した半導体チップを得ることができ、凸状電極を有する半導体チップであっても接続信頼性の高い高積層型の半導体チップ積層体を製造することができる半導体チップ積層体の製造方法を提供する。 - 特許庁

In a multilayer printed wiring board in which the interlayer insulating layer is formed on a conductor circuit of a wiring substrate, the conductor circuit consists of an electroless plated film and an electrolytic plated film, and a coarse layer is provided in at least a part of the surface.例文帳に追加

配線基板の導体回路上に層間絶縁層が形成された多層プリント配線板において、前記導体回路は、無電解めっき膜と電解めっき膜からなり、その表面の少なくとも一部に粗化層を設けてなることを特徴とする多層プリント配線板である。 - 特許庁

In the semiconductor device 1, an emitter electrode 31 is arranged on an emitter region 26 of a heterojunction bipolar transistor 20 of a compound semiconductor element 2, and an emitter main electrode terminal 42A is connected to the emitter electrode 31 through an opening 41A of an interlayer dielectric 40.例文帳に追加

半導体装置１において、化合物半導体素子２のヘテロ接合バイポーラトランジスタ２０のエミッタ領域２６上にエミッタ電極３１が配設され、エミッタ電極３１には層間絶縁膜４０の開口部４１Ａを通してエミッタ主電極端子４２Ａが接続されている。 - 特許庁

To provide a method for producing a material resin composition usable for an interlayer film producing functional laminated glass sufficiently applicable not only to building window applications but also to car window applications and aircraft window applications and especially to windshields, and so most suitable for recent demands.例文帳に追加

建築用窓材はもちろん自動車用窓材、飛行機用窓材、ことに風防用ガラスにも充分適用でき、最近のニーズに最適なものとなる有用な機能的な合せガラスを製造することのできる中間膜として用いられる原料樹脂組成物の製造方法を提供する。 - 特許庁

To form an electroless plating film having scheduled thickness, high uniformity within the surface and high uniformity among surfaces in electroless plating treatment, for instance, for the surface of a wired material buried in an interlayer insulation film, which is one of processes for manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置を製造するためのプロセスの一つである、例えば層間絶縁膜に埋め込まれた配線材料の表面に対して行われる無電解めっき処理において、無電解めっき膜を予定している膜厚でかつ高い面内均一性及び面間均一性で形成すること。 - 特許庁

To provide a composition, which can form a coating film excellent in film thickness uniformity and is improved in application properties on a substrate, for forming a film useful as an interlayer insulating film in a semiconductor element and the like and excellent in dielectric characteristics and resistance to water absorption as well as in resistance to CMP.例文帳に追加

膜厚均一性に優れた塗膜が形成可能で、誘電率特性、耐吸水性に優れ、またＣＭＰ耐性に優れ、かつ組成物の基板への塗布性が改良された、半導体素子などにおける層間絶縁膜として有用な膜形成用組成物を提供すること。 - 特許庁

In the semiconductor device which does not adopt a SAC structure, a bit contact interlayer film 13, other than the place where a bit line 6 is formed, is removed by etching, and a direct nitride film 19 is then formed all over the upper surface and the side surface of the bit line 6 to cover the bit line 6.例文帳に追加

ＳＡＣ構造を採用していない半導体装置に対して、ビット線６が形成されている場所以外のビットコンタクト層間膜１３をエッチング処理により除去した後に、ダイレクト窒化膜１９をビット線６の上面および側面の全面にビット線６を覆うようにして形成する。 - 特許庁

In driving the memory device 1, the memory device 1 can detect a level of a resistance value of a TMR element (the functional film 22, an interlayer insulating film 23 and a magnetic substance film 26) by using the upper electrode 24 and the lower barrier electrode 19, and can read data depending on this detection result.例文帳に追加

そして、メモリ装置１では、その駆動において、上部電極２４と下部バリア電極１９とを用いてＴＭＲ素子部（機能膜２２と層間絶縁膜２３と磁性体膜２６）の抵抗値の高低を検出し、この検出結果を以ってデータを読み出すことができる。 - 特許庁

To suppress characteristic variation of a semiconductor device by suppressing reaction of high-dielectric-constant insulating films to other component members even after a heat treatment when the semiconductor device is manufactured by forming a gate insulating film and an interlayer insulating film of the thermally stable high-dielectric-constant insulating films.例文帳に追加

ゲート絶縁膜や層間絶縁膜を熱的に安定な高誘電率絶縁膜から構成し、半導体装置を製造する際の熱処理を経ても、前記高誘電率絶縁膜の、他の構成部材との反応を抑制し、前記半導体装置の特性変動を抑制する。 - 特許庁

The display element is formed on the substrate via an interlayer film and has a first electrode 62, connected to the transistor and a second electrode 66 formed overlapped on the first electrode, and the first electrode has an opening 63, positioned to overlap the repair area of the transistor.例文帳に追加

表示素子は、基板上に層間膜を介して形成されているとともにトランジスタに接続された第１電極６２、およびこの第１電極に重ねて形成された第２電極６６を有し、第１電極は、トランジスタのリペア領域と重なって位置した開口部６３を有している。 - 特許庁

In a semiconductor device, having a ferroelectric substance capacitor and a multilayered wiring structure, the ferroelectric substance capacitor and first wiring layer 18 and 19 are formed on an interlayer insulating film 18, so that the film thickness of the ferroelectric substance capacitor is made the same as that of the first wiring layer.例文帳に追加

あるいは、強誘電体キャパシタと多層配線構造を有する半導体装置において、層間絶縁膜上に強誘電体キャパシタと第１の配線層１８，１９が形成され、強誘電体キャパシタの膜厚が、上記第１の配線層の膜厚と同一になるように形成される。 - 特許庁

An interlayer insulating material 5 being used for insulating between coil phases in a polyphase AC motor comprises a woven fabric consisting of any one kind of aramid fiber, polybenzo bis-oxazole (PBO) fiber, polybenzo bis-tiazole (PBT) fiber, all aromatic polyester fiber, or Dyneema (R) (PE) fiber.例文帳に追加

多相交流モータにおける各コイル相間の絶縁を図る際に使用される相間絶縁材５は、アラミド繊維、ポリベンゾビスオキサゾール（ＰＢＯ）繊維、ポリベンゾビスチアゾール（ＰＢＴ）繊維、全芳香族ポリエステル繊維、ダイニーマ（ＰＥ）繊維のいずれか１種からなる織物によって構成されている。 - 特許庁

Further, the resin film 11 planarizes the surface roughness of the interlayer insulating film 10, preventing alignment failure of liquid crystal molecules and alignment failure due to an non-uniform electric field, and inhibiting minute defects of the light emitting device caused by the surface roughness of the pixel electrode 12.例文帳に追加

さらに、樹脂膜１１は層間絶縁膜１０の表面荒れを平坦化し、液晶分子の配向不良や不均一電界による液晶分子の配向不良を防ぎ、画素電極１２の表面荒れに起因する発光装置の微小欠陥を抑制することができる。 - 特許庁

A semiconductor substrate 1 is equipped with an interlayer insulating film 2 where recesses (grooves) 3 are provided, a solution 5 containing Ru (ruthenium) elements as a solute is applied on the semiconductor substrate 1, and thereafter, the semiconductor substrate 1 where the solution 5 is applied is subjected to a drying process in a reducing atmosphere.例文帳に追加

凹部（溝）３が形成されている層間絶縁膜２を有する半導体基板１に対して、溶質となるＲｕ（ルテニウム）原子が含有されている溶液５を塗布し、その後、還元性環境下において、当該溶液５が塗布された半導体基板１の乾燥処理を施す。 - 特許庁

To provide a silver halide color photographic sensitive material containing a general-purpose coupler capable of producing a high edge effect and a high interlayer effect by releasing a development inhibitor without forming an azomethine dye after a coupling reaction with the oxidized body of a developing agent.例文帳に追加

現像主薬酸化体とのカップリング反応後、アゾメチン色素を形成することなく現像抑制剤を放出することにより、大きなエッジ効果および重層効果を発現することが可能な汎用性の高いカプラーを含有するハロゲン化銀カラー写真感光材料を提供すること。 - 特許庁

On a second interlayer insulating film 30, a first wiring 33a connected to the control gate electrode 24 and a second wiring 33b connected to the intermediate electrode 22 of the ferrodielectric FET are arranged, thereby forming a wiring layer 33 connected to the gate electrodes 14 of the CMOS.例文帳に追加

第２の層間絶縁膜３０の上に、制御ゲート電極２４に接続される第１の配線３３ａと、強誘電体ＦＥＴの中間電極２２に接続される第２の配線３３ｂとを有し、ＣＭＯＳのゲート電極１４に接続される配線層３３を形成する。 - 特許庁

NOVEL PHOSPHORUS ATOM-CONTAINING EPOXY RESIN, PRODUCTION METHOD OF THE SAME, CURABLE RESIN COMPOSITION, CURED MATERIAL THEREOF, RESIN COMPOSITION FOR PRINTED WIRING BOARD, PRINTED WIRING BOARD, RESIN COMPOSITION FOR FLEXIBLE WIRING BOARD, RESIN COMPOSITION FOR SEMICONDUCTOR SEALING MATERIAL, AND RESIN COMPOSITION FOR INTERLAYER INSULATING MATERIAL FOR BUILD-UP SUBSTRATE例文帳に追加

新規リン原子含有エポキシ樹脂、その製造方法、硬化性樹脂組成物、その硬化物、プリント配線基板用樹脂組成物、プリント配線基板、フレキシブル配線基板用樹脂組成物、半導体封止材料用樹脂組成物、及びビルドアップ基板用層間絶縁材料用樹脂組成物 - 特許庁

A p-type diffused region 15 constituting an LED 20 is made in the region within the opening 19a of an n-type semiconductor substrate 12 and in its vicinity by diffusing p-type impurities from the opening 19 provided in an interlayer insulating film 19.例文帳に追加

ＬＥＤ２０を構成するｐ型拡散領域１５は、層間絶縁膜１９に設けられた開口部１９からｐ型不純物を拡散させることにより、ｎ型半導体基板１２の開口部１９ａ内の領域およびその周辺領域に形成されている。 - 特許庁

This method for manufacturing the semiconductor device includes a step of forming etching stop films 102 and 104 made of materials having a low dielectric constant at the upper part of a semiconductor substrate 101 in which a predetermined structure is formed, and a step of forming interlayer dielectrics 103 and 105.例文帳に追加

及び、ダマシン工程を用いたビアホール及びトレンチエッチング工程において窒化膜または層間絶縁膜より誘電定数が低い物質を用いてエッチング停止膜を形成することにより、キャパシタンスの増加を防止する半導体素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide nickel powder having excellent oxidation resistance in which, as the one for a nickel internal electrode of a multilayer ceramic capacitor, the rapid generation of a gas caused by the partial decomposition of a binder in a debinder stage is suppressed, and the generation of structural defects such as interlayer peeling and cracks can be prevented.例文帳に追加

積層セラミックコンデンサのニッケル内部電極用として、脱バインダーエ程でのバインダーの部分的分解による急激なガス発生を抑え、層間剥離やクラックなどの構造欠陥の発生を防止することができる、耐酸化性に優れたニッケル粉末を提供する。 - 特許庁

To provide a thermoplastic resin sheet which is not needed to be heated or pressurized in an autoclave in the use as an interlayer film for a laminated glass and by which the resultant laminated glass exhibits excellent penetration resistance not only at an ordinary temperature but also at a high temperature and a laminated body using the thermoplastic resin sheet.例文帳に追加

合わせガラス用中間膜として使用する際にオートクレーブによる加熱加圧が不要であって、得られる合わせガラスは常温のみならず高温において優れた耐貫通性能を発現し得る熱可塑性樹脂シート、及び、この熱可塑性樹脂シートを用いた積層体を提供する。 - 特許庁

A first interlayer insulating film 105 with an opening section for a gate is formed, high-concentration doped sidewalls 106a are formed on the side faces of the opening section Rg for the gate and extension regions 107 are formed by diffusing impurities from the high-concentration doped sidewalls 106a.例文帳に追加

次に、ゲート用開口部を有する第１の層間絶縁膜１０５を形成し、ゲート用開口部Ｒｇの側面上に高濃度ドープサイドウォール１０６ａを形成した後、高濃度ドープサイドウォール１０６ａから不純物を拡散させてエクステンション領域１０７を形成する。 - 特許庁

A printed wiring board has a via hole formed in its effective circuit portion and for electrically connecting an interlayer, an adjacent conductor pattern to the via hole, another via hole 2a formed in a portion other than the effective circuit portion, and a surface-layer pattern 4a formed adjacent to the via hole 2a.例文帳に追加

本発明に係るプリント配線板は、有効回路部に形成された、層間を電気的に接続するためのバイヤーホールと、該バイヤーホールに隣接する導体パターンと、該有効回路部以外の部分に形成されたバイヤーホール２ａと、該バイヤーホール２ａに隣接する表層パターン４ａと、を具備するものである。 - 特許庁