「Interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(122ページ目) - Weblio英語例文検索

In this method for manufacturing a semiconductor device, the wiring interlayer insulating film 34 is formed by making either alkoxy compound having a Si-H bond or siloxane having a Si-H bond and a film forming gas composed of either one of oxygen-containing gas, O2, N2O, NO2, CO, CO2 or H2O into plasma and react each other.例文帳に追加

配線層間絶縁膜３４を、Ｓｉ−Ｈ結合を有するアルコキシ化合物、又はＳｉ−Ｈ結合を有するシロキサンの何れか一と、Ｏ_2、Ｎ_2Ｏ、ＮＯ_2、ＣＯ、ＣＯ_2、又はＨ_2Ｏの何れか一の酸素含有ガスとからなる成膜ガスをプラズマ化し、反応させて形成することを特徴とする半導体装置の製造方法による。 - 特許庁

The photosensitive film has a cushion layer, a photosensitive layer of 1-50 μm thickness and a cover film in this order on a base film, and the interlayer adhesive power of the cushion layer and photosensitive layer is lower than that of the base film and cushion layer but higher than that of the photosensitive layer and cover film.例文帳に追加

本発明の回路形成用感光性フィルムは、ベースフィルムの上に逐次クッション層、厚みが１〜５０μｍの感光層、カバーフィルムを有し、クッション層と感光層との層間接着力が、ベースフィルムとクッション層との層間接着力より小さくかつ感光層とカバーフィルムとの層間接着力より大きいことを特徴とする。 - 特許庁

This MOS transistor consists of a source region, a channel region, a drain region, an interlayer oxide film formed on a region between the source region and the drain region, a gate oxide film which is formed on the channel region by self alignment, and a gate electrode which is formed on the channel region via the gate oxide film by self alignment.例文帳に追加

ソース領域、チャネル領域、ドレイン領域と、ソース領域とドレイン領域との領域上に形成された層間酸化膜と、チャネル領域上に自己整合的に形成されたゲート酸化膜と、チャネル領域上にゲート酸化膜を介して自己整合的に形成されたゲート電極とからなるＭＯＳトランジスタ。 - 特許庁

A titanium film 10 is formed on an interlayer insulating film 3, where a contact hole 6 and an interconnection trench 9 are formed and on an impurity diffusion layer 2 exposed from the contact hole 2, then a titanium silicide film 11 is formed at the bottom of the contact hole 6 by causing a reaction between the titanium film 10 and the impurity diffusion layer 2.例文帳に追加

コンタクトホール６と配線溝９とが形成された層間絶縁膜３上、及びコンタクトホール６から露出した不純物拡散層２上に、チタン膜１０を形成し、このチタン膜１０と不純物拡散層２とを反応させ、コンタクトホール６の底に、チタンシリサイド層１１を形成する。 - 特許庁

The electro-optical device includes, on a substrate, display electrodes, and interlayer insulating films provided below the display electrodes to electrically insulate at least one of wiring lines and electronic elements that drive the display electrodes, and at least one of the display electrodes, the wiring lines and electronic elements from each other.例文帳に追加

基板上に、表示用電極と、表示用電極を駆動するための配線及び電子素子の少なくとも一方と、表示用電極と配線及び電子素子の少なくとも一方との各々を相互に電気的に絶縁するために表示用電極よりも下層に設けられた層間絶縁膜とを備えている。 - 特許庁

A first flatting film 31 (embedding part 31a) made of a material having a high refractive index is formed on each light-receiving part in a plurality of high sensitivity pixels, and an interlayer dielectric made of a material having a lower refractive index than the first flatting film is formed on each light-receiving part in a plurality of low sensitivity pixels.例文帳に追加

複数の高感度画素における各受光部の上には、屈折率が高い材料からなる第１の平坦化膜３１（埋め込み部３１ａ）が形成されており、複数の低感度画素における各受光部の上には、屈折率が第１の平坦化膜よりも低い材料からなる層間絶縁膜が形成されている。 - 特許庁

The third sub-layer may have a magnetic anisotropy that is less than that of the second sub-layer of each of the magnetic islands and/or may serve as an interlayer, extending between the first sub-layer and the soft magnetic under-layer of the recording medium, and having a structure to help to produce the greater anisotropy of the first magnetic sub-layer.例文帳に追加

第３のサブレイヤは各磁気アイランドの第２のサブレイヤよりも小さい磁気異方性を有し、かつ／または記録媒体の第１のサブレイヤおよび軟磁性下層間を延びる中間層として働くことができ、第１の磁気サブレイヤのより大きな異方性を作り出すのを助ける構造を有する。 - 特許庁

During the formation process of the capacitive element C for storing information, collapse of the storage electrode 23a can also be protected by making the device into a configuration, in which the lower side of the storage electrode 23a of the capacitive element C for storing information is supported by an interlayer insulating film 11h1 and insulating films 21a and 21b.例文帳に追加

また、情報蓄積用容量素子Ｃの形成工程中において、情報蓄積用容量素子Ｃの蓄積電極２３ａの下部を層間絶縁膜１１ｈ1および絶縁膜２１ａ，２１ｂで支える構成にすることにより、蓄積電極２３ａの倒壊を防止することができる。 - 特許庁

To provide a medium to be ink jet recorded having good ink absorbency, scarce ink retransfer, good image presevability, fixability and water resistance in the medium formed with a dye adsorption layer containing an interlayer compound for receiving and holding water soluble dye by an intercalation reaction and a binder.例文帳に追加

水溶性染料をインターカレーション反応により受容保持する層間化合物と結着剤とを有する染料吸着層が形成されてなる被記録媒体で、インク吸水性が良好でインクの再転写などが起こりにくく、かつ画像保存性、定着性、耐水性が良好であるるインクジェット被記録媒体を提供する。 - 特許庁

Then, a second interlayer insulating film 210 is formed on the whole that includes the bit line 208 and the pad 209, and material films for a lower electrode, a ferroelectric body, and an upper electrode are successively formed thereon and patterned for the formation of a capacitor 211 composed of a lower electrode 211A, a ferroelectric film 211B, and an upper electrode 211C.例文帳に追加

次にビット線及び該パッドを含む全体の上に第２層間絶縁膜２１０を形成し、その上に下部電極用、強誘電体及び上部電極用の各物質を順次成膜後、パターニングして下部電極２１１Ａ、強誘電体膜２１１Ｂ及び上部電極２１１Ｃからなるキャパシタ２１１を形成する。 - 特許庁

In the case of applying microprocessing to holes and trenches by dry-etching the interlayer insulating film in a plasma environment, fluorocarbon compound gas is employed for etching gas which is halogen group gas (halogen elements are F, I and Br) wherein at least one of the I and Br is 26% or below of the total amount of halogen in terms of an atomic composition ratio and a remaining material is F.例文帳に追加

プラズマ雰囲気中でドライエッチングしてホール、トレンチを微細加工する際に、エッチングガスとして、ハロゲン系ガス（ハロゲンは、Ｆ、Ｉ、Ｂｒ）であって、Ｉ及びＢｒの少なくとも一方が、原子組成比でハロゲンの総量の２６％以下で、残りがＦであるフッ化炭素化合物ガスを用いる。 - 特許庁

The steps of the end parts of the metallic wiring are relaxed by having formed the resin film 11 across the end parts of the metallic wiring 13, 14, and even if the interlayer insulating film 10 is changed in the shape, the end parts of the metallic wiring 13, 14 are prevented from peeling off and this makes it possible to prevent disconnection of the pixel electrode 12.例文帳に追加

金属配線１３，１４の端部に樹脂膜１１を形成したことにより、金属配線１３，１４の端部が有する段差が緩和され、層間絶縁膜１０が形状変化しても、金属配線１３，１４の端部の剥がれが防止され、画素電極１２の断線を防ぐことが可能となる。 - 特許庁

An interlayer insulating film 4 is made up of a resin layer 2 hard to roughen with such thermoplastic resin as polyether sulfone resin or polyether imide resin or such thermosetting resin as polyimide resin or polybenzoxazole resin and resin layer easy to rougher with epoxy resin or the like covering a surface of the layer 2.例文帳に追加

層間絶縁膜４を、ポリエーテルサルホン樹脂またはポリエーテルイミド樹脂等の熱可塑性樹脂或いはポリイミド樹脂またはポリベンゾオキサゾール樹脂等の熱硬化性樹脂等の難粗化性樹脂層２と、難粗化性樹脂層２の表面を被覆するエポキシ樹脂等の易粗化性樹脂層３とによって構成する。 - 特許庁

The adhesive paste component for printed wiring board interlayer connection contains at least one resin chosen from melamine resin, phenol resin, or an epoxy resin, dihydric alcohol and/or trihydric alcohol with boiling point of not less than 180°C, and conductive powder.例文帳に追加

少なくともメラミン樹脂、フェノール樹脂及びエポキシ樹脂のいずれか一つから選ばれる樹脂と導電粉末及び１８０℃以上の沸点である２価アルコール及び／又は3価アルコールを含むことを特徴とするプリント配線板層間接続用導電性ペースト組成物を用いることにより、前記課題を解決できる。 - 特許庁

This interlayer can have a multilayer structure, and can be provided on the ITO layer with at least one layer formed from nickel, nickel oxide, zirconium oxide, a rare earth oxide, magnesium oxide, strontium titanate (STO), strontium-barium titanate (SBTO), titanium nitride, silver, palladium, gold, iridium, ruthenium, rhodium and platinum.例文帳に追加

この中間層は、多層構造を有することができ、ＩＴＯ層の上に、ニッケル、酸化ニッケル、酸化ジルコニウム、希土類酸化物、酸化マグネシウム、チタン酸ストロンチウム（ＳＴＯ）、チタン酸ストロンチウム・バリウム（ＳＢＴＯ）、窒化チタン、銀、パラジウム、金、イリジウム、ルテニウム、ロジウム、白金からなる層を少なくとも１層備えることができる。 - 特許庁

This interlayer for laminated glass has a multilayer structure including three or more layers, in which at least one layer except outermost layers is a polyvinyl alcohol resin layer containing the polyvinyl alcohol resin and a polyhydric alcohol, and the outermost layers are polyvinyl acetal resin layers containing a polyvinyl acetal resin and a plasticizer.例文帳に追加

三層以上の多層構造を有する合わせガラス用中間膜であって、最外層を除く少なくとも一層が、ポリビニルアルコール樹脂と多価アルコールとを含有するポリビニルアルコール樹脂層であり、最外層がポリビニルアセタール樹脂と可塑剤とを含有するポリビニルアセタール樹脂層である合わせガラス用中間膜。 - 特許庁

The interlayer film for the laminated glass contains a matrix resin, a liquid plasticizer, and tin-doped indium oxide fine particles and/or antimony-doped tin oxide fine particles.例文帳に追加

マトリックス樹脂、液状可塑剤、並びに、錫ドープ酸化インジウム微粒子及び／又はアンチモンドープ酸化錫微粒子を含有する合わせガラス用中間膜であって、前記錫ドープ酸化インジウム微粒子及びアンチモンドープ酸化錫微粒子は下記式（１）で表される有機ケイ素化合物により被覆されていることを特徴とする合わせガラス用中間膜。 - 特許庁

The coating composition for manufacturing the interlayer insulation film comprises a mixture of two different silica precursors containing specific amounts of silicon atoms derived from bifunctional and trifunctional alkoxysilanes in addition to silicon atoms derived from a tetrafunctional alkoxysilane, a block copolymer, an acid catalyst and a solvent.例文帳に追加

４官能性のアルコキシシランに由来する珪素原子に対して２官能性および３官能性のアルコキシシランに由来する珪素原子を特定量含む異なる２種類のシリカ前駆体の混合物と、ブロックコポリマーと、酸触媒および溶媒とを包含することを特徴とする層間絶縁膜製造用の塗布組成物。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive composition which has high radiation sensitivity and development margin to form a favorable pattern even when the process time exceeds the optimum developing time in a developing process, and with which a pattern thin film having excellent adhesiveness can be easily formed, and to provide an interlayer insulating film of electronic parts and microlens.例文帳に追加

高い感放射線感度を有し、現像工程において最適現像時間を越えてもなお良好なパターン形状を形成できるような現像マージンを有し、密着性に優れたパターン状薄膜を容易に形成することができる感放射線性組成物、電子部品の層間絶縁膜およびマイクロレンズの提供。 - 特許庁

Thereafter, a second doped polysilicon film 28a and a second tungsten silicide film 28b are sequentially formed on the surface of a contact hole and the interlayer insulating film, and the second tungsten silicide film 28b and the second doped polysilicon film are patterned into an upper conductive layer pattern which comes into contact with the lower conductive layer pattern.例文帳に追加

その後、熱処理したコンタクト孔表面及び前記層間絶縁膜上に第２のドープしたポリシリコン膜２８ａと第２のタングステンシリサイド膜２８ｂを順次形成し、第２のタングステンシリサイド膜と第２のドープしたポリシリコン膜をパターニングし、下部導電層パターンとコンタクトする上部導電層パターンを形成する。 - 特許庁

A BPSG film (interlayer insulating film) 15 for flattening is formed on the thin film resistor 14 and the USG film 13, and contact holes 16, 18 are formed in the BPSG film and in the USG film for exposing the connecting portion of the thin film resistor 14 and a portion for connecting the thin film resistor.例文帳に追加

そして、薄膜抵抗体１４およびＵＳＧ膜１３上に平坦化用のＢＰＳＧ膜（層間絶縁膜）１５を形成し、薄膜抵抗体１４の接続部およびその薄膜抵抗体と接続する部分を露出させるためのコンタクト孔１６、１８をＢＰＳＧ膜およびＵＳＧ膜に形成する。 - 特許庁

To provide a multilayer printed circuit board, capable of preventing occurrences of cracks or the like in the board or an interlayer resin insulating layer, when an optical waveguide to be incorporated in the multilayer printed circuit board, or particularly, when an optical path conversion mirror is formed by using mechanical processing or the like and having superior connection reliability of light signals.例文帳に追加

多層プリント配線板に内蔵される光導波路を形成する際、特に、機械加工等を用いて光路変換ミラーを形成する際に、基板や層間樹脂絶縁層にクラック等が発生することを防止することができ、また、光信号の接続信頼性に優れた多層プリント配線板を提供すること。 - 特許庁

In the liquid crystal display device 10, a TFT 11 of a TFT substrate 12 is provided with a drain electrode 21 formed in an island shape and electrically connected to a pixel electrode 37 via a contact hole 40 formed in an interlayer insulating film 36 and a source electrode 20 disposed on the periphery of the drain electrode 21.例文帳に追加

液晶表示装置１０は、ＴＦＴ基板１２のＴＦＴ１１が、島状に形成され且つ層間絶縁膜３６に形成されたコンタクトホール４０を介して画素電極３７に電気的に接続されたドレイン電極２１と、ドレイン電極２１の周りに配置されたソース電極２０と、を備える。 - 特許庁

A p^+-type base region 108, n^+-type emitter region 109, a gate insulating film 110, a gate electrode film 111, an interlayer insulating film 112, p^+-type collector layer 113, and an emitter electrode film 114, are formed on an implanted substrate 102 on which n^--type drift layer 106 and n^+-type buffer layer 107 are formed.例文帳に追加

Ｎ^−型ドリフト層１０６及びＮ^＋型バッファ層１０７を形成した注入基板１０２に、Ｐ^＋型ベース領域１０８及びＮ^＋型エミッタ領域１０９、ゲート絶縁膜１１０、ゲート電極膜１１１、層間絶縁膜１１２、Ｐ^＋型コレクタ層１１３、エミッタ電極膜１１４を形成する。 - 特許庁

The printed wiring board 1 comprises an insulating resin layer 2, conductor wiring 3 arranged on at least one of the upper surface 22 and the lower surface 23 of the insulating resin layer 2, and an interlayer conductive part 4 comprising a metal piece 41 buried in the insulating resin layer 2 and conducting the upper and lower surfaces of the insulating resin layer 2 electrically.例文帳に追加

絶縁樹脂層２と，該絶縁樹脂層２の上面２２及び下面２３の少なくとも一方に配設された導体配線３と，絶縁樹脂層２に埋め込まれたメタル片４１によって構成されると共に絶縁樹脂層２の上下面を電気的に導通させる層間導電部４とを有するプリント配線板１。 - 特許庁

To solve the problem that an embedded layer is hardly etched and a polymer residual is generated around the embedded layer remaining in a trench, when performing the trench etching of an interlayer insulation film having a low relative dielectric constant in which an organic-based embedded layer is formed on an upper surface including the inside of a via hole collectively using a prescribed etching gas when forming a dual damascene structure.例文帳に追加

デュアルダマシン構造形成の際に、ビアホール内部を含む上面に有機系の埋込層を設けた比誘電率の低い層間絶縁膜を、所定のエッチングガスを用いて一括してトレンチエッチングすると、埋込層が殆どエッチングされず、トレンチ内に残った埋込層の周囲にポリマーの残渣が生じる。 - 特許庁

The inner wall of an interlayer connection hole composed of an interstitial via or a via or a through-hole and a land are divided into a plurality of electrodes, the divided electrodes are disposed closely with keeping them insulated, and lead lines and lines led are wired to the respective electrodes to lower than inductance of a connection conductor.例文帳に追加

本発明は、インタスティショナルバイアホールまたはバイアホールまたはスルーホールでなる層間接続穴の内壁とランドとを複数の電極に分割し、当該分割した電極を絶縁を維持して接近させ、夫々の電極に誘導ラインと被誘導ラインとを配線し、接続導体のインダクタンスを低下させる。 - 特許庁

To provide a multilayer printed wiring board that assures close contact with an interlayer resin insulated layer formed on a conductive circuit and can form the via holes (conductive circuits) assuring close contact with the conductive circuits where a rough surface at the conductor circuit surface is not flattened even at the time of irradiation of laser beam.例文帳に追加

導体回路上に形成する層間樹脂絶縁層との密着性に優れるとともに、レーザ光を照射した際にも、導体回路表面の粗化層が平坦化されず、導体回路との密着性に優れたバイアホール（導体回路）を形成することができる多層プリント配線板の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an epoxy resin composition suitable for the use as an insulation layer of a multi-layer printed circuit board, and achieving the insulation layer (interlayer insulation layer) of which roughened surface exhibits high close adhesion against a plated conductor even though the roughness of the roughened surface after the roughening is relatively small.例文帳に追加

多層プリント配線板の絶縁層としての使用に好適なエポキシ樹脂組成物であって、粗化処理後の粗化面の粗度が比較的小さいにもかかわらず、該粗化面がメッキ導体に対して高い密着力を示す絶縁層（層間絶縁層）を達成し得るエポキシ樹脂組成物の提供。 - 特許庁

In the manufacturing method for the semiconductor device, the interlayer insulating film 12 is formed on the substrate 11 so as to have the cyclic structure of the Si-O bond by the plasma treatment using the film-forming gas comprising a silane-containing gas and an oxygen gas or the film-forming gas comprising an Si-O bond containing gas.例文帳に追加

また、シラン含有ガスと酸素ガスとを含む成膜ガスまたはＳｉ−Ｏ結合含有ガスを含む成膜ガスを用いたプラズマ処理により、Ｓｉ−Ｏ結合の環状構造を有するように、層間絶縁膜１２を基板１１上に形成することを特徴とする半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

The copper-clad laminated board is configured so that a prepreg of glass-cloth base material is made to be an interlayer, a plurality of sheets of the prepreg composed of liquid crystal polymer nonwoven fabrics are superposed in which a heat curable resin composition is impregnated, and a lamination which is provided with copper foil at least in its one plane is integrated by heat curing.例文帳に追加

ガラスクロスを基材とするプリプレグを中間層とし、液晶ポリマー不織布に熱硬化型樹脂組成物を含浸させてなるプリプレグ複数枚を重ね合わせると共に、その少なくとも片面に銅箔を設けた積層物を、加熱硬化させて一体化してなる銅張り積層板である。 - 特許庁

The polyester film for supporting interlayer insulating material includes a coated layer formed on one surface of the polyester film whose centerline average roughness (SRa) of the other film surface is 0.5-15 nm, and an oligomer amount on a surface of the coated layer after heat treatment at 180°C for 30 minutes is 3.0 mg/m^2 or less.例文帳に追加

一方のフィルム表面の中心線平均粗さ（ＳＲａ）が０．５〜１５ｎｍであるポリエステルフィルムのもう一方の面に塗布層を有し、１８０℃で３０分間熱処理した後の当該塗布層表面のオリゴマー量が３．０ｍｇ／ｍ^２以下であることを特徴とする層間絶縁材料支持ポリエステルフィルム。 - 特許庁

This knit fabric for the underwear is composed of a double knit fabric obtained by knitting an interlayer from polyamide-based fibers or polyester fibers in which silver or copper vapor is deposited and knitting the surface side (the side out of contact with the skin) and the back surface side (the side in contact with the skin) so as not to contain the metal-coated fibers therein.例文帳に追加

銀あるいは銅を蒸着したポリアミド系繊維あるいはポリエステル系繊維により中間層を編立て、さらに、表面側（肌が接触しない側）及び裏面側（肌に接触する側）にこの金属被覆繊維が含まれないように編み立てたダブルニット地で構成された肌着用編地。 - 特許庁

To provide a protection circuit for surely detecting, in the switching power supply providing a plurality of outputs, interlayer short circuit generated in the secondary side output wiring having a light load which cannot be detected with an overcurrent detecting circuit of a primary side coil and stably protecting the transformer, before it reaches on abnormally high temperature.例文帳に追加

複数の出力が存在するスイッチング電源において、一次側コイルの過電流検出回路では検出が困難な負荷が軽い二次側出力巻線に生じるレアショートを確実に検出し、トランスが異常過熱温度に至る前に確実に安定して保護動作に至る保護回路を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method of depositing a SiC-based film of low dielectric constant having excellent characteristic as a barrier film or the like for preventing diffusion of metal of a wiring layer into an interlayer dielectric, and also to provide a manufacturing method of semiconductor device using the SiC deposited with the method as a barrier film.例文帳に追加

配線層の金属の層間絶縁膜中への拡散を防止するバリア膜等として優れた特性を有する低誘電率のＳｉＣ膜を成膜することができるＳｉＣ系膜の成膜方法、及びその成膜方法により成膜されるＳｉＣ膜をバリア膜として用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The TAT DRAM cell portion 40 of the semiconductor device is equipped with the same structure as a conventional TAT DRAM cell portion 10, except that diffusion-layer extracting electrode 22 penetrates a first interlayer dielectric film 38 and has a conductive sidewall 42 stopped at a SiN cap layer 36 around the diffusion-layer extracting electrode 22.例文帳に追加

本半導体装置のＴＡＴ・ＤＲＡＭセル部４０は、拡散層取り出し電極２２が、第１の層間絶縁膜３８を貫通し、ＳｉＮキャップ層３６で停止する導電性サイドウォール４２を拡散層取り出し電極２２の周りに有することを除いて、従来のＴＡＴ・ＤＲＡＭセル部１０と同じ構成を備えている。 - 特許庁

To provide a high-sensitivity photosensitive siloxane composition which suppresses pattern drooping in heat curing, has such properties as high resolution, high heat resistance and high transparency after a heat curing step, and is used for forming a planarizing film for a TFT substrate, an interlayer insulation film or a core or clad material of an optical waveguide.例文帳に追加

熱硬化中に発生するパターンだれを抑制し、熱硬化工程後において高解像度、高耐熱性、高透明性の特性を有する、ＴＦＴ基板用平坦化膜、層間絶縁膜、あるいは光導波路のコアやクラッド材の形成に用いられる高感度の感光性シロキサン組成物を提供する。 - 特許庁

A film formation method includes a titanium film formation step of forming the titanium film on an interlayer insulation film 520 and a silicon-containing surface 512 on a bottom of a contact hole 530, a nitriding step of nitriding the entire titanium film to form the single titanium nitride film 550, and a tungsten film formation step of forming the tungsten film 560 on the titanium nitride film.例文帳に追加

層間絶縁膜５２０上およびコンタクトホール５３０底部のシリコン含有表面５１２上にチタン膜を形成するチタン膜形成工程と，このチタン膜をすべて窒化し，単一の窒化チタン膜５５０を形成する窒化工程と，窒化チタン膜上にタングステン膜５６０を形成するタングステン膜形成工程とを有する。 - 特許庁

To provide a developing roller which is excellent in interlayer adhesion between a silicone resin layer and a surface layer when storing under high temperature and high humidity for a long time and is capable of suppressing an image stripe caused by long term contact with a developing blade and toner adhesion when an image is output repeatedly under low temperature and low humidity.例文帳に追加

高温高湿下において長期期間保管した際の、シリコーン樹脂層と表面層の層間接着性が優れ、現像ブレードとの長期接触による画像スジ、低温低湿下における繰り返し画像出力した際のトナー固着の抑制を同時に可能とする現像ローラを提供する。 - 特許庁

The liquid crystal display device 1 includes a photodetector 30 that receives ambient external light, wherein a through hole 51 accommodating the photodetector 30 is formed in a gate insulating film 33 and a first interlayer dielectric 34 formed on an element substrate 11, and at least the inner wall of the through hole 51 has light-shielding property.例文帳に追加

周囲の外光を受光する受光素子３０を備えてなる液晶表示装置１であって、素子基板１１上に設けられるゲート絶縁膜３３及び第１層間絶縁膜３４に受光素子３０を収容する貫通孔５１が設けられ、貫通孔５１の少なくとも内側壁が遮光性を有している。 - 特許庁

The interlayer insulating film 20 has a moisture-absorbing insulating film 15 which is charged between mutually adjacent gate electrodes 12 and has a film thickness on the gate electrodes 12 smaller than on a flat surface of the semiconductor substrate 10, and a non-moisture-absorbing insulating film 16 formed on the moisture-absorbing insulating film 15.例文帳に追加

層間絶縁膜２０は、互いに隣接するゲート電極１２間を充填するとともに、ゲート電極１２上での膜厚が、半導体基板１０の平坦面上での膜厚よりも薄い吸湿性絶縁膜１５と、吸湿性絶縁膜１５上に形成された非吸湿性絶縁膜１６とを備える。 - 特許庁

To provide a method of preserving a coating liquid for forming a semiconductor interlayer insulating film, which can improve pot life of a coating liquid obtained by dissolving an insulating film forming composition containing a silane coupling agent into an organic solvent and is used to form an insulating material having sufficient mechanical strength, low dielectric constant and excellent adhesiveness.例文帳に追加

充分な機械強度とともに、低誘電率であり密着性に優れた絶縁材料を形成するための、シランカップリング剤を含有する絶縁膜形成用組成物を有機溶媒に溶解した塗布液のポットライフを高める半導体層間絶縁膜形成用塗布液保存法を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing pad with grooves to be used for polishing a semiconductor device wafer for an interlayer insulation film and metal wiring for flattening its surface, in which polishing performance can be improved, in which polishing speed and uniformity in the surface can be balanced, and in which aging fluctuation of polishing performance is small.例文帳に追加

層間絶縁膜や金属配線等の、半導体デバイスウエハの表面平坦化加工用研磨パッドとして用いられる研磨パッドにおいて、研磨性能の改善をはかるためのもので、研磨速度と面内の均一性のバランスが取れており、また研磨性能の経時変動の小さい溝付き研磨パッドを提供する。 - 特許庁

There are provided at least three layers of electrode plates, dielectric resin layers which are provided between the electrode plates and each of which is a board base material as a wiring board, and a plurality of interlayer connectors provided through the dielectric resin layers with the electrode plates as electrically other nodes alternatively in a layer direction.例文帳に追加

少なくとも３層の電極板と、電極板の間それぞれに設けられ、おのおのが配線板としての板基材である誘電体樹脂層と、電極板を層方向互い違いに電気的に別のノードとするように誘電体樹脂層それぞれを貫通して設けられた複数の層間接続体とを具備する。 - 特許庁

In this liquid crystal display device, a gate electrode 11, a gate insulating film 12, the active layer 14 provided with a source 14s and a drain 14d, an interlayer insulating film 15 and a flattened insulating film 17 are laminated in this order on an insulative substrate 10, and the display electrode 18 connected to the source 14s is provided on the flattened film 17.例文帳に追加

絶縁性基板１０上に、ゲート電極１１、ゲート絶縁膜１２、ソース１４ｓ及びドレイン１４ｄを備えた能動層１４、層間絶縁膜１５、及び平坦化絶縁膜１７を順に積層し、ソース１４ｓに接続した表示電極１８を平坦化絶縁膜１７上に設ける。 - 特許庁